JPH02201376A - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
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- JPH02201376A JPH02201376A JP1020375A JP2037589A JPH02201376A JP H02201376 A JPH02201376 A JP H02201376A JP 1020375 A JP1020375 A JP 1020375A JP 2037589 A JP2037589 A JP 2037589A JP H02201376 A JPH02201376 A JP H02201376A
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- JP
- Japan
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- layer
- weight
- surface protective
- alloy
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/043—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
- G03G5/0433—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure all layers being inorganic
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08207—Selenium-based
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
- G03G5/147—Cover layers
- G03G5/14704—Cover layers comprising inorganic material
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体レーザダイオード、発光ダイオード、
液相シャッタおよびＨｅ−Ｎｅ、 ）Ｉｅ−Ｃｄなとの
ガスレーザ等、長波長光源を使用する電子写真方式の複
写機およびプリンタに用いられる電子写真用感光体に関
する。
液相シャッタおよびＨｅ−Ｎｅ、 ）Ｉｅ−Ｃｄなとの
ガスレーザ等、長波長光源を使用する電子写真方式の複
写機およびプリンタに用いられる電子写真用感光体に関
する。
電子写真方式の複写機およびプリンタでは、感光体表面
に静電潜像を形成する書込み光として、波長が６３０〜
８００ｎｍである長波長の光が使われている。そのため
、例えば本出願人の特許出願に係る特開昭６１−２７８
８５８号公報等に記載されているように、テルル２０〜
５０重量％を含む高濃度Ｔｅ−５ｅ合金で形成して長波
長域でも感度をもつ電荷発生層を有し、電荷発生層で発
生したキャリアを基体側に輸送する電荷輸送層および電
荷発生層を外部応力から保護する表面保護層から構成し
た感光体が一般に使われている。そして、表面保護層に
は、耐刷性、耐化学性および耐熱性の点からＳｅ −Ａ
！！系合金が使用される場合がほとんどである。耐剛性
を上げるためには表面保護層のＡ３濃度を高めることが
知られているが、電荷発生層に用いられる５ｅ−Ｔｅ合
金あるいは電荷輸送層に用いられる純セレンあるいはＳ
ｅ −Ｔｅ合金との熱膨張係数差が太き（なって表面保
護層にひび割れが生ずる。これを防ぐためには表面保護
層の膜厚を薄くしなければならないが、耐剛性の点で望
ましくない、この問題を解決するために前記公報では表
面保護層を２層とし、下地側の層のＡｓ濃度を０．５〜
２．０原子％と低くして熱膨張係数の差の緩衝層とし、
上層のＡｓ濃度を３〜５原子％とすることを提案してい
る。
に静電潜像を形成する書込み光として、波長が６３０〜
８００ｎｍである長波長の光が使われている。そのため
、例えば本出願人の特許出願に係る特開昭６１−２７８
８５８号公報等に記載されているように、テルル２０〜
５０重量％を含む高濃度Ｔｅ−５ｅ合金で形成して長波
長域でも感度をもつ電荷発生層を有し、電荷発生層で発
生したキャリアを基体側に輸送する電荷輸送層および電
荷発生層を外部応力から保護する表面保護層から構成し
た感光体が一般に使われている。そして、表面保護層に
は、耐刷性、耐化学性および耐熱性の点からＳｅ −Ａ
！！系合金が使用される場合がほとんどである。耐剛性
を上げるためには表面保護層のＡ３濃度を高めることが
知られているが、電荷発生層に用いられる５ｅ−Ｔｅ合
金あるいは電荷輸送層に用いられる純セレンあるいはＳ
ｅ −Ｔｅ合金との熱膨張係数差が太き（なって表面保
護層にひび割れが生ずる。これを防ぐためには表面保護
層の膜厚を薄くしなければならないが、耐剛性の点で望
ましくない、この問題を解決するために前記公報では表
面保護層を２層とし、下地側の層のＡｓ濃度を０．５〜
２．０原子％と低くして熱膨張係数の差の緩衝層とし、
上層のＡｓ濃度を３〜５原子％とすることを提案してい
る。
しかし、上記の公報に提案されている感光体では、表面
保！！！層のＡ９ｆＪ度をあまり高くできないという制
約があり、耐剛性に関しては高Ｔｅ１Ｊ度５ｓＴｅ合金
に比べ若干良いレベルである。
保！！！層のＡ９ｆＪ度をあまり高くできないという制
約があり、耐剛性に関しては高Ｔｅ１Ｊ度５ｓＴｅ合金
に比べ若干良いレベルである。
本発明のｉｌ１題は、現在実用化されているひび割れ防
止のために２Ｎの表面保護層の有する電子写真用感光体
の耐刷性をさらに向上させることにある。
止のために２Ｎの表面保護層の有する電子写真用感光体
の耐刷性をさらに向上させることにある。
〔課題を解決するための手段〕
上記の！ｉＨの解決のために、本発明は導電性基体上に
非晶質セレンまたは非晶質５ｅ−Ｔｏ合金合金からなる
電荷輸送層、２０〜５０重景％の重量を含有する非晶質
５ｅ−Ｔｅ合金からなる電荷発生層およびそれぞれ異な
るＡｓ４度を有する５ｅ−Ａｓ合金の２層よりなり、電
荷発生層側の下層のＡｓ含有量が表面側の上層のＡｓ含
有量より少ない表面像！！層を順次積層してなる電子写
真用感光体において、表面保護層の下層のＡｓｆｆｌＪ
度が２〜１０重量％、上層のＡｓｆｉ度が１０〜３０重
量％であるものとする。
非晶質セレンまたは非晶質５ｅ−Ｔｏ合金合金からなる
電荷輸送層、２０〜５０重景％の重量を含有する非晶質
５ｅ−Ｔｅ合金からなる電荷発生層およびそれぞれ異な
るＡｓ４度を有する５ｅ−Ａｓ合金の２層よりなり、電
荷発生層側の下層のＡｓ含有量が表面側の上層のＡｓ含
有量より少ない表面像！！層を順次積層してなる電子写
真用感光体において、表面保護層の下層のＡｓｆｆｌＪ
度が２〜１０重量％、上層のＡｓｆｉ度が１０〜３０重
量％であるものとする。
表面保ｆｌ！層の上層のＡｓｆｉ度を高めることにより
耐剛性が向上し、それに応じて緩衝層としての下層のＡ
ｓ濃度を高めることによりひび割れの発生を防止する。
耐剛性が向上し、それに応じて緩衝層としての下層のＡ
ｓ濃度を高めることによりひび割れの発生を防止する。
第１図は本発明の一実施例の断面構造を示し、表面保護
層の下層４はＡｓ４重量％の５ｅ−Ａｓ合金からなり膜
厚約２ｎ１表面保護層の上層５はＡ３１５重量％の５ｅ
−Ａｓ合金からなり膜厚的１−である、この感光体は、
加工および洗浄した直径８０ａｍのり円筒を導電性基体
１として用い、蒸着装置の支持軸に装着し、その温度を
約６０℃に保ったのち、蒸着槽内をＩ Ｘ １０−’
Ｔｏｒｒまで真空引きし、次いで、純Ｓｅが入った蒸発
源を約３００″Ｃに加熱し、約６０−の膜厚を有する電
荷輸送層２を蒸着した０次に、４６重量％のＴｅを含む
Ｔｅ−５ｅ合金をフラッシュ蒸着法で蒸着し、約０．５
μの膜厚を有する電荷発生層３ヲ形成し、ひきつづいて
フラッシュ蒸着法で表面保護層の下層４．上層５を順次
蒸着した。このようにして製作された感光体をＮｏ、１
とする。
層の下層４はＡｓ４重量％の５ｅ−Ａｓ合金からなり膜
厚約２ｎ１表面保護層の上層５はＡ３１５重量％の５ｅ
−Ａｓ合金からなり膜厚的１−である、この感光体は、
加工および洗浄した直径８０ａｍのり円筒を導電性基体
１として用い、蒸着装置の支持軸に装着し、その温度を
約６０℃に保ったのち、蒸着槽内をＩ Ｘ １０−’
Ｔｏｒｒまで真空引きし、次いで、純Ｓｅが入った蒸発
源を約３００″Ｃに加熱し、約６０−の膜厚を有する電
荷輸送層２を蒸着した０次に、４６重量％のＴｅを含む
Ｔｅ−５ｅ合金をフラッシュ蒸着法で蒸着し、約０．５
μの膜厚を有する電荷発生層３ヲ形成し、ひきつづいて
フラッシュ蒸着法で表面保護層の下層４．上層５を順次
蒸着した。このようにして製作された感光体をＮｏ、１
とする。
第２図は本発明の別の実施例の断面構造を示し、表面像
ｉＪｌの下層４はＡ３４重量％の＾５−３ｅ合金からな
って膜厚約２μ９表面保護層の上層５はＡ３２５！ｌ量
％のＡｓ−３ｅ合金からなって膜厚的１μである。
ｉＪｌの下層４はＡ３４重量％の＾５−３ｅ合金からな
って膜厚約２μ９表面保護層の上層５はＡ３２５！ｌ量
％のＡｓ−３ｅ合金からなって膜厚的１μである。
アルミニウム基体１．電荷輸送層２．電荷発生層３の処
理、形成方法は上記の実施例と同じであるが、表面保護
層の両層４．５は、真空蒸着装置の支持軸温度を６０°
Ｃにして蒸着により形成した。この感光体をＮｏ、２と
する。
理、形成方法は上記の実施例と同じであるが、表面保護
層の両層４．５は、真空蒸着装置の支持軸温度を６０°
Ｃにして蒸着により形成した。この感光体をＮｏ、２と
する。
比較のために、Ｎｏ、３．Ｎｏ、４．Ｎｏ、５の３本の
感光体を製作した。 Ｎｏ、３の感光体は、第３図に示
す通り表面保護層の両層４．５の膜厚はＮ００１と同じ
であるが、上１１１５の組成はＡ３３５重量％の５ｓ−
Ａｓ合金よりなる点が異なる。その他の点および製作方
法はＮｏ、１の感光体の場合と同様にした。
感光体を製作した。 Ｎｏ、３の感光体は、第３図に示
す通り表面保護層の両層４．５の膜厚はＮ００１と同じ
であるが、上１１１５の組成はＡ３３５重量％の５ｓ−
Ａｓ合金よりなる点が異なる。その他の点および製作方
法はＮｏ、１の感光体の場合と同様にした。
Ｎｏ、４の感光体も、第４図に示す通り各層２，３，４
゜５のｌ！ｊｒ！１．はＮｏ、１と同じであるが、表面
保護層の下層４にはＡｓ２重量％のＳｅ −Ａｓ合金、
上層５にはＡｓ５重量％の５ｓ−Ａｓ合金を蒸着した。
゜５のｌ！ｊｒ！１．はＮｏ、１と同じであるが、表面
保護層の下層４にはＡｓ２重量％のＳｅ −Ａｓ合金、
上層５にはＡｓ５重量％の５ｓ−Ａｓ合金を蒸着した。
その他の製作方法はＮｏ、１の場合と同様である。
Ｎ００５の感光体は、第５図に示すように表面保護層４
．５の膜厚がＮｏ、４のものと異なり、下Ｎ４としては
Ａｓ２重量％の５ｅ−Ａｓ合金を約４ｎの厚さに、上層
５としてはＡｓ５重量％の５ｅ−Ａｓ合金を約２−の厚
さに蒸着した。その他の製作方法はＮｏ、１の場合と同
様である。
．５の膜厚がＮｏ、４のものと異なり、下Ｎ４としては
Ａｓ２重量％の５ｅ−Ａｓ合金を約４ｎの厚さに、上層
５としてはＡｓ５重量％の５ｅ−Ａｓ合金を約２−の厚
さに蒸着した。その他の製作方法はＮｏ、１の場合と同
様である。
このようにして製作した感光体について、耐剛性の目安
となる表面硬度を２５℃においてビッカース硬度針で測
定し、表面保護層の合計の膜厚を光学干渉型膜厚針で測
定し、外観特性の評価として２５°Ｃおよび４５℃の環
境に１０００時間放置後、目視によりひび割れの有無を
調べた。これらの結果を第１表に示す。
となる表面硬度を２５℃においてビッカース硬度針で測
定し、表面保護層の合計の膜厚を光学干渉型膜厚針で測
定し、外観特性の評価として２５°Ｃおよび４５℃の環
境に１０００時間放置後、目視によりひび割れの有無を
調べた。これらの結果を第１表に示す。
第１表
第１表より表面保護層の上層のＡｓ含有量を高めること
により、表面硬度は上昇し耐刷性が向上するが、３０重
量％を超えると高温外観不良、すなわちひび割れが発生
する。また１０％未満では電気抵抗が上がり表面の光沢
がなくなる。Ｎｏ、１．Ｎｏ、２の感光体の初期電気特
性および印字特性は現在実用化されているＮ ｏ 、
４ ＋ Ｎ ｏ −５とほぼ同様であることが確認され
た。なお、上記５本の感光体については電荷輸送層の材
料としてＳｓ金合金用いることもできるが、５ｉｉ量％
以下のＴｅを添加した場合は、電気特性の劣化、特に残
留電位の上昇が懸念される。
により、表面硬度は上昇し耐刷性が向上するが、３０重
量％を超えると高温外観不良、すなわちひび割れが発生
する。また１０％未満では電気抵抗が上がり表面の光沢
がなくなる。Ｎｏ、１．Ｎｏ、２の感光体の初期電気特
性および印字特性は現在実用化されているＮ ｏ 、
４ ＋ Ｎ ｏ −５とほぼ同様であることが確認され
た。なお、上記５本の感光体については電荷輸送層の材
料としてＳｓ金合金用いることもできるが、５ｉｉ量％
以下のＴｅを添加した場合は、電気特性の劣化、特に残
留電位の上昇が懸念される。
本発明によれば、５ｅ−Ａｓ合金の２層からなる表面保
護層の上層のＡｓ濃度を高めて耐剛性を向上させると共
に、下層の＾５ｉ１１度も高めることによりひび割れの
発生をなくすことができ、電気特性すなわち印字特性に
ついても、現在実用化されているものとなんら変わるこ
とのない、長波長域光に対して有効に用いられる電子写
真用感光体が得られた。
護層の上層のＡｓ濃度を高めて耐剛性を向上させると共
に、下層の＾５ｉ１１度も高めることによりひび割れの
発生をなくすことができ、電気特性すなわち印字特性に
ついても、現在実用化されているものとなんら変わるこ
とのない、長波長域光に対して有効に用いられる電子写
真用感光体が得られた。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は本発明の
他の実施例の断面図、第３図、第４図。 第５図はそれぞれ比較のために製作した感光体の断面図
である。 １＝導電性基体、２：電荷輸送層、３：電荷発生層、４
：表面保護層下層、５：表面保護層上層。
他の実施例の断面図、第３図、第４図。 第５図はそれぞれ比較のために製作した感光体の断面図
である。 １＝導電性基体、２：電荷輸送層、３：電荷発生層、４
：表面保護層下層、５：表面保護層上層。
Claims (1)
- １）導電性基体上に非晶質セレンまたは非晶質セレン・
テルル合金からなる電荷輸送層、２０〜５０重量％のテ
ルルを含有する非晶質セレン・テルル合金からなる電荷
発生層およびそれぞれ異なるひ素濃度を有するセレン・
ひ素合金の２層よりなり、電荷発生層側の下層のひ素含
有量が表面側の上層のひ素含有量より少な厚い表面保護
層を順次積層してなるものにおいて、表面保護層の下層
のひ素濃度が２〜１０重量％、上層のひ素濃度が１０〜
３０重量％であることを特徴とする電子写真用感光体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1020375A JPH02201376A (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | 電子写真用感光体 |
| DE3941914A DE3941914A1 (de) | 1989-01-30 | 1989-12-19 | Elektrofotografisches aufzeichnungsmaterial |
| US07/472,626 US5075188A (en) | 1989-01-30 | 1990-01-30 | Selenium electrophotographic photoreceptor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1020375A JPH02201376A (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | 電子写真用感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02201376A true JPH02201376A (ja) | 1990-08-09 |
Family
ID=12025309
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1020375A Pending JPH02201376A (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | 電子写真用感光体 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5075188A (ja) |
| JP (1) | JPH02201376A (ja) |
| DE (1) | DE3941914A1 (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2055269C3 (de) * | 1969-11-11 | 1982-07-15 | Canon K.K., Tokyo | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial |
| JPS61278858A (ja) * | 1985-06-04 | 1986-12-09 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用セレン感光体 |
| US4770965A (en) * | 1986-12-23 | 1988-09-13 | Xerox Corporation | Selenium alloy imaging member |
| JPH0792610B2 (ja) * | 1987-06-10 | 1995-10-09 | 富士電機株式会社 | 電子写真用感光体 |
-
1989
- 1989-01-30 JP JP1020375A patent/JPH02201376A/ja active Pending
- 1989-12-19 DE DE3941914A patent/DE3941914A1/de active Granted
-
1990
- 1990-01-30 US US07/472,626 patent/US5075188A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3941914C2 (ja) | 1991-02-21 |
| DE3941914A1 (de) | 1990-08-02 |
| US5075188A (en) | 1991-12-24 |
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