JPS6126679A - 透明導電性被膜形成液 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、浸漬法に適した透明導電性被膜形成液に係り
、特に焼成によって透明導電性金属酸化物となる有機金
属化合物を含む透明導電性被膜形成液に関する。

ガラス、セラ之ツク等の絶縁基板上に形成した、Ｉｎ　
、　Ｓｎ、　Ｓｂ　、　ｃａ等の酸化物被膜は、光透過
率が高く良好な導電性を示すことはよく知られており、
半導体素子、液晶表示装置等に使用したり、或は電子写
真用紀録媒体などの光と電場が関与する電子機能デバイ
スの構成要素の１つとして、この他太陽電池や撮像管な
どの光電変換素子また透明面発熱体（デフロスタ−）や
透明断熱体、抵抗体や赤外線反射体などの機能膜として
利用されてきている。

この金玩酸化物透明導電膜の形成法としては化学スプレ
ー法、真空蒸着法、スパッタリング法、スクリーン印刷
法がある。化学スプレー法は比較的面積の大きな被膜を
得るには有利であるが、装置が大損りで、また特性の制
御が困難である。真空蒸着法は最近マスク蒸着法が発達
し、エツチング処理の必要はなくなったが、処理がバッ
チ式であるために量産性の点で問題がある。スパッタリ
ング法も真空蒸着法と同様処理がバッチ式であるために
量産性の点で問題がある。スパッタリング法も真空蒸着
法と同様処理がバッチ式であるから、大面積のものを得
るには不適当である。スクリーン印刷法は印刷時の作業
性が悪く、特に微細なパターンを安定に印刷しに〈＜、
また形成された被膜の導電性の良否にもバラツキが大き
いという欠点があった。

これらの欠点を解消するものとして、近年浸漬法が注目
されている。この方法では、（イ）基材上への有機金属
化合物溶液の塗布、（ロ）乾燥、（ハ）焼成、に）エツ
チングの簡単な工程で、基材上に任意の形状の被膜を形
成することが可能であり、しかも設備も大損りのものを
必要とせず、また多電生産も容易である。

この浸漬法の原料としては、色々のものが検討されてき
ているが、種々の問題があり、実用化されていなイ。す
なわちＩｎ０ｄ、　、　ＩｎＮＯｓ　、　Ｓｎｕｇ、　
。

５１０７？＊−等の無機塩の有機溶剤分散液を使用した
場合は、形成された膜が白濁化しており、膜の機械的強
度が弱く、傷がつぎやすい等の欠点がある。

一方、オクチル畝インジウム、あるいはインジウムトリ
プトキサイドｌ：ＩＨ（００４Ｈ・）、〕などのアルコ
キシ置換の有機インジウム化合物を主体とし、これに電
気抵抗値調整剤としてテトラブトキシスズＣＳｎ　（Ｏ
ＯａＨｏ）、）　　などのアルコキシ置換の有機スズ化
合物を添加したものが透明導電性被膜形成液として用い
られていた。ところがこれらの有機金属化合物は加水分
′解し易いから浸漬液の安定性に欠け、液の寿命が短か
いため被膜形成時の作業性に問題がある。また絶縁基板
に塗布した時に加水分解を起こして被膜が白濁化するこ
と、及び透明の被膜が搏られても面積抵抗値や機械的強
度等の物理的性質が不十力である。また加水分解し易い
ため、形成された透明導電性被膜の膜特性がばらつき易
く、品質の安定した゛導電性被膜が得られない。

〔発明の目的〕

本発明はこの目的とするところは、前述した従来技術の
欠点な解消し、浸漬液の寿命が長く、量産性に優れ、し
かも低抵抗で透明度および蕾着強度の高い透明導電性被
膜が得られる透明導電性被膜形成液を提供することを目
的とする０〔発明の概要〕 この目的を達成するため１１本発明は、焼成によって透
明導電性金属酸化物となる有機金錫化合物と、電気抵抗
値Ｉｌ整剤と、これら有機金属化合物および電気抵抗値
調整剤を溶解する有機溶媒とを含有する透明導電性被膜
形成液において、前記有機金属化合物が、ｒｌに素の直
接配位した下記の一般構造式な有する有機インジウム化
合物であることを特徴とする。

一般式 但し、式中のＸは一般式０ＨＨ２ｎ４．１　（ｎ　−１
〜４　）で表わされるアルキル基、あるいはＯｎＨｇｎ
　（ｎ　−３〜５）で表わされるアンクン類、又は００
ｎＨ２ｎ＋１（ｎ−１〜４）で表わされるアルコキシ基
である。

この一般式で示されるアセト酢酸エステルインジウム化
合物としては、例えばトリスイソブチルアセトアセテー
トインジウム（２） などがある。

また、本発明で用いられる電気抵抗値調整剤としては、
次の一般式で示される有機スズ化合物が好適である。

一般式 ％式％（） 但し、式中のＸはβ−ジー？）ン類、Ｙは一般式ｃｎｌ
（２ｎ＋１　　（但しｎ　−１〜ｓ　）　テａｂ　サｈ
；６゜この一般式で示される有機スズ化合物としては、
例えばアセチルアセトンとブタンが結合したジブチルス
ズアセトープＯ（０４Ｈ＠）２　Ｓｎ　（αｃａｃ）＊
　、ジメチルスズアセトープ（ＯＨＭ　）ｔｓｎ　（α
ｃａｃ）、　、　　ジエチルスズアセトープ（Ｃ！Ｈ１
）　＊　Ｓｎ　（αｃａｃ　）などが用いられる。

前述の有機インジウム化合物ならびに電気抵抗値調整剤
を溶解する有機溶剤としては、焼成の前の乾燥工程での
揮発の容易さ、溶液の安定性、経済性等から低沸点の有
機溶剤、例えはメタノール、エタノールなどの低級アル
コール類、酢酸エチルや酢酸プ四ビルなどのエステル類
、アセトンやメチルケトンなどのケトン類、ベンゼンや
ヘキサンなどの炭化水素化合物などが好適である。

次に本発明の形成液を使用して透明導電膜を基材上に形
成する方法について説明する。基材としてはガラス、セ
ラミック等の板状またはその他の形状のものが用途に応
じて選ばれる。また、所望する膜厚に応じて形成液の濃
度や引き上げ速度を調整する。このようにして、基材上
に形成液を塗布した後、乾燥される。乾燥条件としては
１４０℃で１０分間放置すれば溶剤は充分に蒸発し、基
板上に透明な膜が生成する。次に空気中において５００
℃で３０分間焼成する。この処理により有機物は完全に
分解し、基板上に透明な導電膜が形成される０この１回
の処理で膜厚等が不十分な場合は同様な処理を繰り返し
行ない、所望の膜厚を有する機械的強度の優れた透明導
電性膜を得ることができる。以下実施例に従って更に詳
細に述べる。

〔発明の実施例〕

実施例１ インジウム化合物に於いて（Ｘが一般式ｃ’ｎ）Ｉｚｎ
＋１（ｎ−１〜４）で表わされるアルキル基）、これら
の化合物が可溶な有機溶剤を見い出すべく検討を重ねた
。

式中のｎが１〜４のそれぞれの化合物に対する結果をそ
れに応じて第１表から第４表に示す。なお表中の溶液安
定性及び溶液透明度については、浸漬液調整後１ケ月間
沈澱、にこり及び浸漬液の液面に浮遊物質等の異物が全
くなく、調整直後の状態がそのまま保持されていると判
断したものは◎印、上述の化学的性質に変化があったも
のは○印、調整直後と較べて著しく浸漬液の劣化が進ん
でいると判断したものはＸ印で示す。浸漬時の成膜性に
ついては◎印は優秀、○印は良好、Ｘ印は悪いと判断し
たものである。

ｌ５ これらの表から明らかな様に有機溶剤としてはメチルエ
チルケトン、酢酸エチルあるいはこの２種の混合溶剤が
好ましい。これらの有機溶剤を用いた浸漬液は１ケ月以
上の長期にわたり化学的に安定しており、液の劣化の無
い浸漬液を得ることができた。

これに対してメタノール、エタノールのアルコール類や
エーテルを有機溶剤として用いた浸漬液は調整後２〜３
日で沈澱が発生し、液表面に結晶性の浮遊物が生じ、そ
の結果として浸漬液が白濁化してしまい、透明度が著し
く低下した。またｎの増加に伴い各種有機溶剤に対する
溶解度も増加したがｎ−３の場合とｎ−４の場合では化
合物としての化学的特性は同等であった。

わされる有機インジウム化合物に於いて（Ｘが一般式０
ｎＨ２ｎ　（ｎ　−３〜５）で表わされろアルケン類）
、これらの化合物が可溶な有機溶剤を見い出すべく検討
を重ねた。ｎが３〜５のそれぞれの化合物に対する結果
をそれに応じて第５表から第７表に示す。なお表中の各
性質の判断基準は実施例１に準じた。

以上の表より明らかな様にｎ−５の場合に有機溶剤に対
する溶解性その他の化学的特性の優れた溶液を提供する
ことができる。一方ｎ−３、及び４の場合には溶解性そ
の他の化学的特性は実施例１の有機インジウム化合物と
較べて劣っていることが判明した。

表わされる有機インジウム化合物に於いて（Ｘが一般弐
〇〇ｎＨｇｎ＋１（ｎ　−１〜４　）で表わされるアル
コキシ基）、これらの化合物が可溶な有機溶剤を見い出
すべく検討を重ねた。ｎが１〜４のそれぞれの化合物に
対する結果をそれに応じて第８表から第１１表に示す。

なお表中の各性質の判断基準は実施例１に準じた。

これらの表から明らかな様に有機溶剤としては、メチル
エチルケトン、酢酸エチル、この２種の混合溶剤、およ
びベンゼンが好ましい。ｎが１及び２の有機インジウム
化合物を用いた浸漬液は１り月以上の長期にわたり化学
的に安定しており、液の劣化の無い浸漬液を得ることが
できた。メタノール、エタノールのアルコール類ヤエー
テルナ有機溶剤として用いた浸漬液は調整後２〜３日で
沈澱が発生し、液表面に結晶性の浮遊物が生じその結果
とし【溶液が白濁化してしまい、透明度が著しく低下す
る。ｎが３及び４の有機インジウム化合物を用いた浸漬
液は加水分解が激しく、溶液調整後、数時間で沈澱が発
生し、白濁化してしまい、透明度は著しく低下し浸漬液
としては使用不能である事が判明した。

実施例４ 実施例１から３までの結果から有機インジウム化合物が
可溶な有機溶剤としてメチルエチルケトン、酢酸エチル
、前記２種の混合溶剤およびベンゼンが好ましい事が判
明したが、メチルエチルケトンを使用して電気抵抗値調
整用有機スズ化合物について検討を行った。

まず、有機インジウム化合物として、一般式ＯｎＨｌａ
ｎ＋１で表わされるアルキル基においてｎ　−３、及び
ｎ−４）の２種を用い、更に電気抵抗値調整用有機スズ
化合物としてジブチルススアセドープ（ａ、ｎ、）、　
ｓｎ　（ａｃａｃ　）１　　を、そして有機溶剤として
メチルエチルケトンをそれぞれ用い、下記組成比の浸漬
液な２種類作成した。

（溶剤） メチルエチルケトン　１００−ｙ重量優この浸漬液をＡ
液とする。

（有機金属） （溶剤） メチルエチルケトン　　１００−ｙ　　重置チこの浸漬
液をＢ液とする。

但し、組成中のＸは有機インジウム化合物と有機スズ化
合物の混合物中における有機スズ化合物の含有率、ｙは
浸漬液中における有機スズ化合物（有機インジウム化合
物＋有機スズ化合物）の含有率である。

Ａ液とＢ液に於いて有機金属化合物の含有率ｙを１０重
量％に規定して、有機金属化合物中における有機スズ化
合物の含有率Ｘを種★かえた被膜形ｔｉを作成シて〜こ
の液中に幅が５０ａ＋Ｘ２５關、厚さが１ｒＮＲのソー
ダガラス基板を浸漬した。

２０ｃｆｌＫ／分の引上げ速度で基板を溶液から引き上
げ、１４０℃１０分間予備乾燥を行った。次いでベルト
炉中で５００℃、３０分間焼成して、ガラス基板上に透
明導電性被膜を得た。

この被膜の表面抵抗、膜厚、光透過度及び膜強度等の被
膜物性を測定した。表面抵抗と有機スズ化合物の含有率
Ｘとの関係を第１図に示す。図中の点ＩＡは浸漬液Ａ液
を、実ＷＢは浸漬液Ｂ液のものをそれぞれ示す。またＡ
液についての上記の被膜物性を第１２表に、Ｂ液につい
ての被膜物性を第１３表にそれぞれ示す。透過率は５５
０ｎｍの可視光線透過度である。

第１２表 第１３表 これらの表および図から明らかな様に、いずれの浸漬液
の場合にも有機スズ化合物の添加量ｘは全有機金属量に
対して１０〜１５重偵−の範囲のものが好ましい。その
うちで１２８５重鯖：％のちのは低い面積抵抗値を有す
る導電性被膜が得られる。

しかし光透過度はいずれの場合も低いと゛いう事が判明
した。

実施例５ 前記実施例４のジブチルスズアセトープの代りにジメチ
ルスズアセトープ（ＯＨａ）ｔ　５ｎ（ａｃａｃ）、を
用いて実施例４と同様の組成比を有する被膜形成液を作
る。

実施例６ ＠紀実施例４のジブチルスズアセトープの代りにジエチ
ルスズアセトープ（ＯｘＨｓ）ｔ　Ｓｎ　（ａｃａｃ　
’）　ｔを用いて実施例４と同様の組成比を有する破膜
形成液を作る。

実施例５および実施例６の破膜形成液も、有機スズ化合
□物と面積抵抗値の特性それとｗＢｋ物性も実施例４の
結果とほぼ同様の傾向を示すことが実験でｒ４詔された
。

実施例７ ンジウム化合物としてＸが一般式ａｎ）（ａｎで表わさ
れるアルケン類でｎ−５の化合物を用い、更に電気抵抗
値調整用有機スズ化合物としてジブチルススアセドープ
を、そして有！ｌｉｅ剤としてメチルエチルクトンをそ
れぞれ用い実施例４と同じ組成比の浸漬液を作成した。

この浸漬液を用いてガラス基板上に透明導電性鼓膜を形
成し、物性を第１４表に示した。また、面積抵抗値と有
機スズ化合物の含有率Ｘとの関係を第２図に示した。

第１４表 これらの表から明らかな様に、有機・スズ化合物の添加
量Ｘは全有機金属量に対して１０〜１５重量優の範囲の
ものが好ましい。そのうちで１２．５重量−のものは低
い面積抵抗値を有する導電性被膜が得られる。

実施例８ 前記実施例７のジブチルスズアセトープの代りにジメチ
ルスズアセトープ（ＯＨ３）ｘ　ＳＨ（（Ｌｃａｃ）、
を用いて実施例４と同様の組成比な有する被膜形成液を
作る。

実施例９ 前記実施例７のジブチルスズアセトープの代りにジエチ
ルスズアセトープ（０１Ｈ＊）ｚ　ＳＨ（（ＬＣ（ＬＣ
）！を用いて実施例４と同様の組成比を有する被膜形成
液を作る。

実施例８および実施例９の被膜形成液も有機スス化合物
と面積抵抗値の特性それと被膜物性も実施例７の結果と
ほぼ同様の傾向な示すことが実験で確認されている。

ンジウム化合物として×が一般式０（３ＨＨａｎ＋１で
表、わされるアルコキシ基でｎ−１およびｎ−２をそれ
ぞれ用い、更に電気抵抗値調整用有機スズ化合物として
ジブチルスズアセトープ、（０４Ｈｏ　）　！　ＳＨ（
ａｃａｃ）　！そして有機溶剤としてメチルエチルケト
ンを用い実施例４と同じ組成比の浸漬液を２種類作成し
た。

ｎ−１の場合で示される有機インジウム化合物を使用し
た形成液をＯ液、ｎ−２の有機インジウム化合物を使用
した形成液をＤ液とする。この２種類の浸漬液を用いて
ガラス基板上に透明導電性被膜を得て、この被膜の物性
を測定した。Ｃ液に対する被膜物性を第１５表に、Ｄ液
に対する被膜物性を第１６表に示す。形成された導電性
被膜の面積抵抗値と有機スズ化合物の含有率Ｘとの関係
な第３図に示す。図中点線Ｃは被膜形成液Ｃ液のもの、
実１１Ｄは被膜形成液り液のものである。

第１５表 第１６表 これらの表から明らかな様に、有機スズ化合物の添加量
Ｘは全有機金属量に対して１０〜１５重量−の範囲のも
のが好ましい。そのうちで１２．．５重量−のものは低
い面積抵抗値を有する導電性被膜が得られる。

実施例１１ 前記実施例１０のジブチルスズアセトープの代りにジメ
チルススアセドープ（ＯＨＩ）１５ｎ（ａｃａｃ）。

を用いて実施例４と同様の組成比を有する被膜形成液を
作る。

実施例１２ 前記実施例１０のジブチルススアセドープの代りにジエ
チルスズアセトープ（０ｘＨｓ）＊Ｓｎ　（ａｃａｃ）
。

を用いて実施例４と同様の組成比を有する被膜形成液な
作る。　。

実施例１１お−よび実施例１２の被膜形成液も有機スズ
化合、物と面積抵抗値の特性ならびに被膜物性も実施例
１Ｏの結果とほぼ同様の傾向を示すことが実験で確認さ
れている。

実施例ｊ３　　、　　、ｙ 実施例４から実施例、１２までの結果により一１有機金
属化合物中における。有機スズ化合物の含有率Ｘは１２
５重量−が最適である事が、判明したので、次に有機金
属化合物の適正含有率について検討した。この検討を行
うために７下ε組成の形成液を作成した。

但しＸは一般式ｃｎ）Ｉｇｎ＋ｌノで示されるアルキル
基でｎ−３及び４ （（０４Ｈｏ）ｔＳｎ（ｃＬｃａｃ）１］　　ｏ、１２
５ｙ重蓋優（溶媒） メチルエチルケトン　　１００−ｙ点景チ但しｙは全有
機金属含有率である。

この組成において、有機金属化合物の含有率ｙを次の表
に示すように種々変えて被膜形成液をつくり、この形成
液の安定性、浸漬時の成膜性、焼成後の膜面状態、面積
抵抗値Ｒｓ　、光透過率、膜強度ならびに膜厚をそれぞ
れ検討した結果を第１７表に示す。同表はｎ−３の化合
物を使用した被膜形成液の緒特性である。

なお形成液の安定性においては、１５日以上使用可能な
ものに○印、１日以上１４日以内使用可能なものにΔ印
、それ以下のものにＸ印を付した。

浸漬時の成膜性については、浸漬後の白濁、膜厚むらの
顕著なものにＸ印、やや顕著なものにΔ印、特に問題の
ないものに○印を付した。さらに焼成後の膜面状態につ
いては、クラック、白濁の顕著なものにＸ印、やや顕著
なものにΔ印、特に問題のないものにＯ印を付した。

第１７表 この表から明らかな様に、全有機金に含有蚤ｉｙが１０
〜３０重量％、好ましくは１５〜２０重量％のものは、
優れた諸種の特性を有している。また３５重凰チではク
ラック、ひび割れ等が発生した。ｎ−４の有機インジウ
ム化合物を使用した形成液も第１７表と同等の特性を示
した。しかし光透過率はいずれの場合も低い事が判明し
た０実施例１４ 前記実施例１３のジブチルスズアセトープの代りにジメ
チルスズアセトープ（ＣＨａ’）ｔ　Ｓｎ　（αｃ（Ｌ
ｃ）。

を用いて実施例１３と同様の組成比を有する被膜形成液
を作る。

実施例１５ 前記実施例１３のジブチルスズアセトープの代’）　Ｋ
　シーｃ　チＡ／　スズアセドープ（Ｃ３ＨＩ＋）、Ｓ
ｎ（αｃａｃ）。

を用いて、実施例１３と同様の組成比を有する被膜形成
液な作る。　　一 実施例１４および実施例１５の被膜形成液も、この形成
液自体の特性、この形成液により作成された被膜の緒特
性も実施例１３と同様の傾向を示すことが実験で確認さ
れている。

実施例１６ で表わされる（但しＸは一般式０１１Ｈｚｌで表わされ
るアルケン類においてｎ−５）有機インジウム化合物を
使用して実施例１３と同枠の組成比を有する被膜形成液
な作成し、有機金属化合物の−１含有率について検討し
た。その結果を第１８表に示す。なお、表中の各性質の
判断基準は実施例１３に準、じた。

この表から明らかな様に、全有機金属含有量ｙが１０〜
２０重量−が好ましい。１０〜１７．５重＠優のものは
、優れた諸種の特性を有している。

また２５重址優ではクラック、ひび割れ等が発生した。

実施例１７ 前記実施例１６のジブチルススアセドープの代りにジエ
チルスズアセトープＣＣｔＨＪｚ　ｓｎ　（ａｃａｃ）
。

を用いて実施例１６と同様の組成比を有する被膜形成液
を作る。

実施例１８ 前記実施例１６のジブチルスズアセトープの代りにジメ
チルスズアセトープ（ＯＨｓ）ｔ　ｓｎ　（ａｃａｃ）
　、を用いて実施例１６と同様の組成比を有する被膜形
成液を作る。

実施例１７および実施例１８の被膜形成液も、この形成
液自体の特性、この形成液により作成された被膜の緒特
性も実施例１６と同様の傾向な示すことが実験で確認さ
れている。

実施例１９ で表わされる（但しＸは一般式００ｎＨ２ｎ＋１で表わ
されるアルコキシ基においてｎ−１及びｎ−２）有機イ
ンジウム化合物を使用して実施例１３と同様の組成比な
有する被膜形成液を作成し、有機金属化合物の適正含有
率について検討した結果を第１９表に示す。これはｎ−
１の場合の有機インジウム化合物を使用した被膜形成液
の緒特性である。

なお、表中の各性質の判断基準は実施例１３に準じた。

第１９表 この表から明らかな様に、有機金属化合物の含有率ｙが
１０〜２５重量−の時が好ましい。特に１０〜２０重蓋
−のものは緒特性が優れている。

また含有率が３０重量優な越えるとクラック、ひび割れ
が発生する事が判明した。ｎ−２の場合の有機インジウ
ム化合物を使用した形成液も第１９表と同等の特性を示
した。

実施例２０ 前記実施例１９のジブチルスズアセトープの代りにジエ
チルススアセドープＣＣＨｓ）ｔｓｎ（ａｃａｃ　）ｔ
を用いて、実施例１９と同様の組成比を有する被膜形成
液を作る。

実施例２１ 前記実施例１９のジブチルスズアセトープの代りにジメ
チルスズアセトープ（Ｃ２ＨＪ＠Ｓｎ（ａｃａｃ）２を
用いて、実施例１９と同様の組成比を有する被膜形成液
を作成する。実施例２０及び実施例２１の被膜形成液も
この形成液自体の特性、この形成液により作成された被
膜の緒特性も実施例１９と同様の傾向を示すことが実験
で確認されている。

実施例２２ 導電性被膜形成液のポットライフを検討するため、次の
組成表に示すような本発明に係る被膜形成液、Ｅ液、Ｆ
液、Ｇ液と従来の被膜形成液Ｈ液を作成する。これをそ
れぞれ所定期間室温で放ｉαしてその後導電性被膜をつ
くり、放置にともなう面積抵抗値変化を測定し、その結
果を第４図に示す０ 第４図から明らかなように、従来の被膜形成液Ｈな用い
たものは、被膜形成液の放置にともなう面積抵抗値の増
大が暑しいが、本発明に係る被膜形成液Ｅ、Ｆ、Ｇ液の
いずれの場合も経時的変化が少なく、被膜形成液をしば
らく放置しても常に低い面積抵抗値を有する導電性被膜
が形成される。

また従来の被膜形成液Ｈの場合には、調整後１日で白濁
化し、３日目で完全にゲル化するなど、液の安定性も良
くない。これに対し本発明に係る被膜形成液Ｅ、Ｆ、Ｇ
では、放置によって有機溶媒が揮散して濃度変化はある
ものの、２０日以上ゲル化することがなく、従来のもの
に比べて長いポットライフを有する。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図、第３図はそれぞれ本発明の各実施例に
係る被膜形成液中の有機スズ化合物含有率と形成された
導電性被膜の面積抵抗値との関係な示す特性図、第４図
は本発明に係る被膜形成液と従来の被膜形成液の放置期
間にともなう面積抵抗値の変化を示す特性図である。 第１図 刊機スズ゛化合′＠含有争ｘ（重量％）第２図

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. （１）焼成によって透明導電性金属酸化物となる有機金
   属化合物と、電気抵抗値調整剤と、これら有機金属化合
   物および電気抵抗値調整剤を溶解する有機溶媒とを含有
   する透明導電性被膜形成液において、前記有機金属化合
   物が次の一般式で示される有機インジウム化合物である
   ことを特徴とする透明導電性被膜形成液。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 但し、式中のＸは一般式Ｃ＿ｎＨ＿２＿ｎ＿＋＿１（ｎ
   ＝１〜４）で表わされるアルキル基、あるいはＣ＿ｎＨ
   ＿２＿ｎ（ｎ＝３〜５）で表わされるアンケン類、又は
   ＯＣ＿ｎＨ＿２＿ｎ＿＋＿１（ｎ＝１〜４）で表わされ
   るアルコキシ基である。
2. （２）特許請求の範囲第（１）項記載において、前記有
   機インジウム化合物がトリスメチルアセトアセテートイ
   ンジウム、トリスエチルアセトアセテートインジウム、
   トリスプロピルアセトアセテートインジウム、トリスイ
   ソブチルアセトアセテートインジウムのグループから選
   択された有機インジウム化合物であることを特徴とする
   透明導電性被膜形成液。
3. （３）特許請求の範囲第（１）項記載に於いて、前記有
   機インジウム化合物がトリス−１−プロペンアセトアセ
   テートインジウム、トリス−１−ブテンアセトアセテー
   トインジウム、トリス−１−ペンテンアセトアセテート
   インジウムのグループから選択された有機インジウム化
   合物であることを特徴とする透明導電性被膜形成液。
4. （４）特許請求の範囲第（１）項記載に於いて、前記有
   機インジウム化合物がトリスメトキシアセトアセテート
   インジウム、トリスエトキシアセトアセテートインジウ
   ム、トリスプロポキシアセトアセテートインジウム、ト
   リスブトキシアセトアセテートインジウム、のグループ
   から選択された有機インジウム化合物であることを特徴
   とする透明導電性被膜形成液。
5. （５）特許請求の範囲第（１）項記載において、前記電
   気抵抗値調整剤が次の一般式で示される有機スズ化合物
   であることを特徴とする透明導電性被膜形成液。 一般式 （Ｙ）＿２Ｓｎ（Ｘ）＿２ 但し、式中Ｘはβ−ジケトン、Ｙはアルキル基。
6. （６）特許請求の範囲第（５）項記載において、前記有
   機スズ化合物が、ジブチルスズアセトープ、ジメチルス
   ズアセトープ、およびジエチルスズアセトープから選択
   された少なくとも１種の有機スズ化合物であることを特
   徴とする透明導電性被膜形成液。
7. （７）特許請求の範囲第（１）項記載において、前記有
   機溶剤が低沸点有機液体であることを特徴とする透明導
   電性被膜形成液。
8. （８）特許請求の範囲第（７）項記載において、前記有
   機溶剤がメチルエチルケトン、酢酸エチル、ベンゼンの
   グループから選択されたものであることを特徴とする透
   明導電性被膜形成液。
9. （９）特許請求の範囲第（５）項記載において、前記有
   機インジウム化合物がトリスプロピルアセトアセテート
   インジウムで、前記有機スズ化合物がジブチルスズアセ
   トープ、ジメチルスズアセトープ、およびジエチルスズ
   アセトープのグループから選択された少なくとも１種の
   有機スズ化合物で、前記有機インジウム化合物と有機ス
   ズ化合物の混合物中における有機スズ化合物の含有率が
   約５〜２０重量％の範囲に規制されていることを特徴と
   する透明導電性被膜形成液。
10. （１０）特許請求の範囲第（５）項記載において、前記
    有機インジウム化合物がトリスブチルアセトアセテート
    インジウムで、前記有機スズ化合物がジブチルスズアセ
    トープ、ジメチルスズアセトープ、およびジエチルスズ
    アセトープのグループから選択された少なくとも１種の
    有機スズ化合物で前記有機インジウム化合物と有機スズ
    化合物の混合物中における有機スズ化合物の含有率が約
    ５〜２０重量％の範囲に規制されていることを特徴とす
    る透明導電性被膜形成液。
11. （１１）特許請求の範囲第（５）項記載において、前記
    有機インジウム化合物がトリス−１−ペンテンアセトア
    セテートインジウムで、前記有機スズ化合物がジブチル
    スズアセトープ、ジメチルスズアセトープ、ジエチルス
    ズアセトープのグループから選択された少なくとも１種
    の有機スズ化合物で、前記有機インジウム化合物と有機
    スズ化合物の混合物中における有機スズ化合物の含有率
    が約５〜２０重量％の範囲に規制されていることを特徴
    とする透明導電性被膜形成液。
12. （１２）特許請求の範囲第（５）項記載において、前記
    有機インジウム化合物がトリスメトキシアセトアセテー
    トインジウムで、前記有機スズ化合物がジブチルスズア
    セトープ、ジメチルスズアセトープ、ジエチルスズアセ
    トープのグループから選択された少なくとも１種の有機
    スズ化合物で、前記有機インジウム化合物と有機スズ化
    合物の混合物中における有機スズ化合物の含有率が約５
    〜２０重量％の範囲に規制されていることを特徴とする
    透明導電性被膜形成液。
13. （１３）特許請求の範囲第（５）項記載において、前記
    有機インジウム化合物がトリスエトキシアセトアセテー
    トインジウムで、前記有機スズ化合物がジブチルスズア
    セトープ、ジメチルスズアセトープ、ジエチルスズアセ
    トープのグループから選択された少なくとも１種の有機
    スズ化合物で、前記有機インジウム化合物と有機スズ化
    合物の混合物中における有機スズ化合物の含有率が約５
    〜２０重量％の範囲に規制されていることを特徴とする
    透明導電性被膜形成液。
14. （１４）特許請求の範囲第（５）項記載において、前記
    有機インジウム化合物と有機スズ化合物の全有機金属量
    が被膜形成液中に約６〜４０重量％含有されていること
    を特徴とする透明導電性被膜形成液。