JPS63224321A - 分子線エピタキシ−装置 - Google Patents
分子線エピタキシ−装置Info
- Publication number
- JPS63224321A JPS63224321A JP5817687A JP5817687A JPS63224321A JP S63224321 A JPS63224321 A JP S63224321A JP 5817687 A JP5817687 A JP 5817687A JP 5817687 A JP5817687 A JP 5817687A JP S63224321 A JPS63224321 A JP S63224321A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- evaporation
- shroud
- openings
- evaporation source
- partitions
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 title claims description 12
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims abstract description 39
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 39
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
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- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
C産業上の利用分野〕
この発明は、ウェハに分子線にて所望の薄膜を成長させ
る為の分子線エピタキシー装置(以下MBE装置と略記
する)に関する。
る為の分子線エピタキシー装置(以下MBE装置と略記
する)に関する。
(発明の概要〕
チェンバー内に、筒状のシュラウドと、ウェハを支持す
る為の支持具と、前記シュラウドの内面の延長面によっ
て取り囲まれる空間の内部に開口部が(る様に複数の蒸
発源を設置し、更に該蒸発源の開口部を隔てる隔壁を前
記シュラウドに設置する。
る為の支持具と、前記シュラウドの内面の延長面によっ
て取り囲まれる空間の内部に開口部が(る様に複数の蒸
発源を設置し、更に該蒸発源の開口部を隔てる隔壁を前
記シュラウドに設置する。
従来、第3図に示すように、MBE装置には蒸発源から
の熱輻射対策および真空度の向上の目的からLN、を冷
媒とするシュラウド8を設置することが知られていた。
の熱輻射対策および真空度の向上の目的からLN、を冷
媒とするシュラウド8を設置することが知られていた。
(発明が解決しようとする問題点〕
しかし、従来のMBE装置は、蒸発′a3aからの蒸発
物質が蒸発B3bの開口部の鉛直上方の点Pに付着し、
酸点Pから付着物の落下がある場合前記蒸発71!3b
に前記蒸発#3aの蒸発物質が混入する欠点があった。
物質が蒸発B3bの開口部の鉛直上方の点Pに付着し、
酸点Pから付着物の落下がある場合前記蒸発71!3b
に前記蒸発#3aの蒸発物質が混入する欠点があった。
そこで、この発明は蒸発源へ他の蒸発物質が混入するこ
とが無いMBE装置を得ることを目的としている。
とが無いMBE装置を得ることを目的としている。
上記問題点を解決するために、この発明は、MBE装置
において、チェンバーと、該チェンバー内に設置された
筒状のシュラウドと、ウェハを支持する為の支持具と、
前記シュラウドの内面の延長面によって取り囲まれる空
間の内部に開口部がくる様に設置された蒸発源と、更に
該蒸発源の開口部を隔てる為の隔壁から構成する。
において、チェンバーと、該チェンバー内に設置された
筒状のシュラウドと、ウェハを支持する為の支持具と、
前記シュラウドの内面の延長面によって取り囲まれる空
間の内部に開口部がくる様に設置された蒸発源と、更に
該蒸発源の開口部を隔てる為の隔壁から構成する。
上記のように構成されたMBE装置のシュラウドおよび
チェンバー内壁および隔壁に付着した蒸発物質が蒸発源
に落下しても、該蒸発源中の蒸発物質には他の蒸発物質
の混入は無く、蒸発源物質への不純物の混入を防止でき
るのである。
チェンバー内壁および隔壁に付着した蒸発物質が蒸発源
に落下しても、該蒸発源中の蒸発物質には他の蒸発物質
の混入は無く、蒸発源物質への不純物の混入を防止でき
るのである。
以下に、この発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第1図において、チェンバー1内に支持具2.シュラウ
ド5を設置し、該シュラウド5の内面円筒の延長面の内
部に開口部がくるように蒸発源3を設置し、更に該蒸発
源の開口部を隔てる隔壁6を設置する。第2図に横断面
図を示す。
ド5を設置し、該シュラウド5の内面円筒の延長面の内
部に開口部がくるように蒸発源3を設置し、更に該蒸発
源の開口部を隔てる隔壁6を設置する。第2図に横断面
図を示す。
以上のような実施例において、蒸発源3aがらの分子線
は前記隔壁6a、6bによって遮られ、蒸発源3c+
3d、3e、3fの開口部の上方には前記隔壁6a、
6bの影7が生じ、前記蒸発源3aの蒸発物質は付着せ
ず、前記蒸発源3c、3d、3e、3fへの前記蒸発1
fi3aからの蒸発物質の混入を防止できる。
は前記隔壁6a、6bによって遮られ、蒸発源3c+
3d、3e、3fの開口部の上方には前記隔壁6a、
6bの影7が生じ、前記蒸発源3aの蒸発物質は付着せ
ず、前記蒸発源3c、3d、3e、3fへの前記蒸発1
fi3aからの蒸発物質の混入を防止できる。
この発明は、以上説明したように、チェンバー内に、筒
状のシュラウドと、ウェハを支持する為の支持具を設置
し、前記シュラウドの内面の延長面によって取り囲まれ
る空間の内部に開口部がくる様に蒸発源を設置し、更に
該蒸発源の開口部を隔てる隔壁を設置することによって
、蒸発源への他の蒸発物質の混入を無くす効果がある。
状のシュラウドと、ウェハを支持する為の支持具を設置
し、前記シュラウドの内面の延長面によって取り囲まれ
る空間の内部に開口部がくる様に蒸発源を設置し、更に
該蒸発源の開口部を隔てる隔壁を設置することによって
、蒸発源への他の蒸発物質の混入を無くす効果がある。
第1図は、この発明にかかるMBE装置の縦断面図、第
2図は、この発明にかかるMBE装置の横断面図、第3
図は、従来のMBE装置に用いられているシュラウドの
縦断面図である。 1・・・チェンバー 2・・・支持具 3・・・蒸発源 5・・・シュラウド 6・・・隔壁 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 従来のMBEK!/′lj遷灯[T]図第3図
2図は、この発明にかかるMBE装置の横断面図、第3
図は、従来のMBE装置に用いられているシュラウドの
縦断面図である。 1・・・チェンバー 2・・・支持具 3・・・蒸発源 5・・・シュラウド 6・・・隔壁 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 従来のMBEK!/′lj遷灯[T]図第3図
Claims (1)
- チェンバーと、該チェンバー内に設置された筒状のシュ
ラウドと、前記シェラウドの内面の延長面によって取り
囲まれる空間の内部に開口部がくる様に設置された複数
の蒸発源と、ウェハを支持する為の支持具とから成り、
更に前記シュラウドは前記蒸発源の開口部をそれぞれ隔
てる為の隔壁を有することを特徴とする分子線エピタキ
シー装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5817687A JPS63224321A (ja) | 1987-03-13 | 1987-03-13 | 分子線エピタキシ−装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5817687A JPS63224321A (ja) | 1987-03-13 | 1987-03-13 | 分子線エピタキシ−装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63224321A true JPS63224321A (ja) | 1988-09-19 |
Family
ID=13076688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5817687A Pending JPS63224321A (ja) | 1987-03-13 | 1987-03-13 | 分子線エピタキシ−装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63224321A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5711813A (en) * | 1994-09-29 | 1998-01-27 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Epitaxial crystal growth apparatus |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61258411A (ja) * | 1985-05-13 | 1986-11-15 | Hitachi Ltd | 真空処理装置 |
| JPS61270813A (ja) * | 1985-05-24 | 1986-12-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 分子線エピタキシヤル成長装置 |
| JPS6272113A (ja) * | 1985-09-26 | 1987-04-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 分子線結晶成長装置 |
-
1987
- 1987-03-13 JP JP5817687A patent/JPS63224321A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61258411A (ja) * | 1985-05-13 | 1986-11-15 | Hitachi Ltd | 真空処理装置 |
| JPS61270813A (ja) * | 1985-05-24 | 1986-12-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 分子線エピタキシヤル成長装置 |
| JPS6272113A (ja) * | 1985-09-26 | 1987-04-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 分子線結晶成長装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5711813A (en) * | 1994-09-29 | 1998-01-27 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Epitaxial crystal growth apparatus |
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