JPS61275162A - 低温焼結磁器組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はＩＣパッケージ、ＩＣ基板、多層配線基板等の
電気絶縁材料として利用し得る磁器組成物特に低温焼結
可能な磁器組成物に存する。

（従来の技術） 従来のこの種電気絶縁材料としては絶縁性、耐熱性機械
的強度等諸特性に優れたアルミナが汎用されており、焼
結温度が１３００〜１６００°Ｃであるところからｓ”
ｗＭｏ−Ｍｎ等の高融点金属な導体材料として用いて基
板等が構成されている。

（発明が解決しようとする問題点） しかしこのような金属を導体材料としたものでは電気抵
抗導体が大きいため（二信号伝達速度が遅く、又焼成温
度が高いためにコスト高となる等の問題点があった。

その対策として本出願人はＡｇ、　Ａｇ−Ｐｄ、　、Ａ
ｕ、　Ｃｕなどの低°抵抗導体が焼付可能な１０００℃
以下で焼成できる磁器材料について検討し、特願昭６０
−２７１２４号（８１Ｑ、−ＣａＱ−ＡＩ！ｘＱ、　−
Ｂ、　Ｑ、とジルコン）及び特願昭６０−２７１２５号
（８ｉＱ、　−（！ａＱ＝Ｂ、　Ｑ３−Ａ＾０．）を生
み出した。

即ち低抵抗金属を低温で焼付は得る材料として結晶化ガ
ラスは比較的高い機械的強度が得られるがコストが高く
、焼結磁器では低コストであるが、強度が低い欠点があ
シ、前記した特許出願も一応の改良がなされているもの
のなお一層改良された磁器組成物の出現が待たれている
ところである。

（問題点を解決しようとする手段） 本発明者等は上記の問題点を解決すべく種々検肘の結果
フッ化物を配合した磁器組成物がこの要求を満足するも
のであることを見出した。

この組成物の概要は下記のとおシである。

Ａ４０，３〜１７重量係重量１０．１５〜６０重１１チ
、ＭｇＯＯ〜５重量％、　Ｏａｏ　１０〜Ｓ　０重量％
、Ｔ１０゜０〜７重量重量Ｂ！０３５〜１５重量％、Ｌ
ｉ、００〜３重量係重量０ａＩＦ、　Ｉ　ＭｇＦ、　ｅ
　ｋｌ？、＋　ＬｉＦ　＊　ＭｎＦａ２、ＢＪ２゜８ｒ
Ｆ、から選択されたフッ化物１〜７重量％、Ｂ２Ｏ３５
〜１５重量係（作用） ここに各成分の配合理由について記せば下記のとおシで
ある。Ａ／、　Ｏ，が３重量％未満のときは熱膨張係数
が大きくな９，１７重量％を越えると焼結温度が高くな
る傾向がある。

Ｓ１０．が１５重量％より少ないと焼結温度が高くな夛
誘電率も大きくな夛、６０重量％を超えると熱膨張係数
が大きくなる傾向がある。ＭｇＱが５重量％より多いと
焼結温度が高くなり、熱膨張係数が大きくなる傾向があ
る。ＣａＱが１０重ｆｌ憾よシ少ないと焼結温度が高く
なシ、３０重量％よシ多いと誘電率が大きくなる傾向が
ある。Ｔｉｅ、が７重量％よシ多いと誘電率が大きくな
る傾向がある。

又Ｂｍ　Ｏ，が５重量％より少ないと焼結温度が高くな
り、１５重量％よシ多いと抗折強度が低くなる傾向があ
る。Ｌｉ、　Ｏが３重量％よシ多いと抗折強度が低くな
る傾向がある。

更にフッ化物が１重量％よ夕少ないときは抗折強度が低
くなシ、７重量％、Ｂ２Ｏ３５〜１５重量％よシ多いと
きは熱膨張係数が多くな夛過ぎる傾向がある。

本発明に於ては特にフッ化物を配合することによシ機械
的強度を著るしく向上できることが認められたが、その
作用は明確ではないが、ガラス相の結晶化を促進する作
用Ｃ二より磁器全体の結晶質相の比率を高め、それが強
度の向上につながっているのではないかと推測される。

なおフッ化物の別の効果としては磁器の焼成温度を低下
させることが可能となったことである〇又、本発明で用
いられるフッ化物にはＣａ？、　。

Ｍｇ’１　＊ム／Ｆ、　、　ＬｉＦ　、　ＭｎＦ、　、
　ＢａＦ、　、　８ｒＦＪＥ適用されるが、その一種又
は二種以上を同時に選択して使用することができる。

（実施例） など試薬） ヒドロキシグロビルセルロース （ＨＰＯ−８１，日本曹達商品名）　　　　　　　１５
Ｉ水　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　４
５０　ＩＩ／以上を内容積５ｔのアルミナ磁器ボールミ
ルへ、１５Ｗφのアルミナ磁器原石２＃と共Ｃ；入れ、
８４ＲＰＭで５０時間混合粉砕した。

こうして得られたスラリーを冷凍乾燥機にて１５時間冷
凍乾燥した後３２メツシユの篩を通し素地とした。

この素地を圧力１５００ｋｇ／ａｓ”で金型プレス成形
し、焼結温度、抗折強度、誘電率、誘電体力率、熱膨張
係数を測定した。

これを表示すれば以下のとおシである。

なお本発明で好ましい特性値は以下のとおシである。

焼結温度１０００℃以下、 抗折強度１６００　ｋｇ／ｌｘ”以上 誘電率１１１ＨｚＢ以下 誘電体力率Ｉ　ＭＨｚ　ｘ　１０−’　　７０以下熱１
１脹係数　Ｘ　１０−６℃　１０以下（発明の効果） 本発明によるときは、焼結温度が１０００℃以下となる
ために焼成のコストダウンができ、Ａｇ。

Ａｇ−Ｐｄ　、　Ａｕ　、　Ｃｕ等の低抵抗導体が焼付
可能となシ、これによって信号伝達速度を早めることが
でき、かつ抗折強度は１６００以上誘電率は８以下（Ｉ
　ＭＨｚ　）　、誘電体力率７０’Ｘ　１０−４以下（
ＩＭＩＩＩｇ）と小さく、しかも熱膨張係数もさ程大き
くならないなど種々の効果を奏することができる。

代理人　弁理士　竹　内　　　守 手続補正書（自発） 昭和６０年７月３日 昭和６０年特許願第１１５４０４号 ２発明の名称 低ａｍ結磁器組成物 ３、補正をする者 事件との関係　　特許出願人 住　所　愛知県名古屋市瑞穂区高辻町１４番１８号名　
称　（４５４Ｊ日本特殊陶業株式会社４、代　理　人　
〒１０１ ６、補正により増加する発明の数　　　０７補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ａ補正の内容 別紙のとおり （１）　　明細書Ｎ４頁８行目「多く」とあるのを「大
きく」と訂正する・ （２）　　明細書筒８頁２行目（ｌａｌ　２の欄ンの７
ツ化物に：　ｒｏｔＦ＊Ｊとあるのを「ｏａＦｌＪに訂
正する。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　Ａｌ＿２Ｏ＿３〜１７重量％、ＳｉＯ＿２３０〜６０
   重量％、ＭｇＯ０〜５重量％、ＣａＯ１０〜３０重量％
   、ＴｉＯ＿２０〜７重量％、Ｂ＿２Ｏ＿３５〜１５重量
   ％、Ｌｉ＿２Ｏ０〜３重量％、ＣａＦ＿２、ＭｇＦ＿２
   、ＡｌＦ＿３、ＬｉＦ、ＭｎＦ＿２、ＢａＦ＿２、Ｓｒ
   Ｆ＿２から選択されたフッ化物１〜１０重量％よりなる
   ことを特徴とする低温焼結磁器組成物