JPS61277129A - ブラツクマトリクス膜製造方法 - Google Patents
ブラツクマトリクス膜製造方法Info
- Publication number
- JPS61277129A JPS61277129A JP11640385A JP11640385A JPS61277129A JP S61277129 A JPS61277129 A JP S61277129A JP 11640385 A JP11640385 A JP 11640385A JP 11640385 A JP11640385 A JP 11640385A JP S61277129 A JPS61277129 A JP S61277129A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist
- graphite
- film
- black matrix
- solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、ホトレジスト現像時に現像不足で残留したホ
トレジスト膜が、黒鉛膜形成に用いる黒鉛液中に混入し
て白しみ等の不良発生原因となるのを防止するために、
現像を単なる温水で行わずに、アンモニア水を用いて、
ホトレジスト未露光部分を現像時に完全に除去するよう
にしたブラックマトリクス膜製造方法に関する。
トレジスト膜が、黒鉛膜形成に用いる黒鉛液中に混入し
て白しみ等の不良発生原因となるのを防止するために、
現像を単なる温水で行わずに、アンモニア水を用いて、
ホトレジスト未露光部分を現像時に完全に除去するよう
にしたブラックマトリクス膜製造方法に関する。
ブラックマトリクス形カラー受像管の螢光面は螢光体塗
布個所以外は黒鉛膜で覆われ、画像再生時、良好なコン
トラストが得られるようになっている。第３図は、ブラ
ックマトリクス形カラー受像管の螢光面の概略図で、２
はパネル（フェースプレート）、９は黒鉛膜（ブラック
マトリクス膜）、１０は黒鉛膜に設けられた孔（この孔
を埋め込むように螢光体が塗布され、パネルガラス露出
面に螢光体が直接付着する）、１１は赤螢光膜、１２は
緑螢光膜、１３は青螢光膜である。
布個所以外は黒鉛膜で覆われ、画像再生時、良好なコン
トラストが得られるようになっている。第３図は、ブラ
ックマトリクス形カラー受像管の螢光面の概略図で、２
はパネル（フェースプレート）、９は黒鉛膜（ブラック
マトリクス膜）、１０は黒鉛膜に設けられた孔（この孔
を埋め込むように螢光体が塗布され、パネルガラス露出
面に螢光体が直接付着する）、１１は赤螢光膜、１２は
緑螢光膜、１３は青螢光膜である。
従来は、このブラックマトリクス膜を形成するために、
パネル内面をフン化水素（フッ酸）等でよく洗浄したの
ち、ホトレジストを塗布、乾燥し、こうして形成したホ
トレジスト膜の上に、ブラックマトリクスのパターン（
黒鉛膜９を形成すべき個所のパターン）を露光し、この
露光に際して光に照射されず、ホトレジスト中で光架橋
反応が住しなかったために機械的に弱い個所（未露光部
分）だけを、温水洗浄による所謂現像操作で除去してい
た。（なお、ここで使用するホトレジストは所謂ネガテ
ィブ形で、ポリアクリルアミドとポリビニルピロリドン
のポリマーを主成分とし、光架橋剤であるアジド化合物
、その他界面活性剤などからなる。露光により感光した
部分は光架橋反応により不溶化し、温水洗現像時に残留
する。）この水洗現像の現像性を向上させるには、現像
に用いる水（純水）の温度を３０〜５０℃に加熱してお
くのが最適とされ、従来から実施されていた（特公昭４
６−２１８、特許権者ＲＣＡ）、このようにして、黒鉛
膜を形成すべき個所に対応する場所のホトレジスト膜が
ドツト状またはストライプ状に除去され、パネルガラス
面が露出した黒鉛膜塗布用のホトレジストパターン膜が
残留する。
パネル内面をフン化水素（フッ酸）等でよく洗浄したの
ち、ホトレジストを塗布、乾燥し、こうして形成したホ
トレジスト膜の上に、ブラックマトリクスのパターン（
黒鉛膜９を形成すべき個所のパターン）を露光し、この
露光に際して光に照射されず、ホトレジスト中で光架橋
反応が住しなかったために機械的に弱い個所（未露光部
分）だけを、温水洗浄による所謂現像操作で除去してい
た。（なお、ここで使用するホトレジストは所謂ネガテ
ィブ形で、ポリアクリルアミドとポリビニルピロリドン
のポリマーを主成分とし、光架橋剤であるアジド化合物
、その他界面活性剤などからなる。露光により感光した
部分は光架橋反応により不溶化し、温水洗現像時に残留
する。）この水洗現像の現像性を向上させるには、現像
に用いる水（純水）の温度を３０〜５０℃に加熱してお
くのが最適とされ、従来から実施されていた（特公昭４
６−２１８、特許権者ＲＣＡ）、このようにして、黒鉛
膜を形成すべき個所に対応する場所のホトレジスト膜が
ドツト状またはストライプ状に除去され、パネルガラス
面が露出した黒鉛膜塗布用のホトレジストパターン膜が
残留する。
したがって、このホトレジスト・パターン膜が残留して
いるパネル内面に黒鉛液を塗布し、乾燥後、ホトレジス
トのエツチング液を注入すると、ホトレジストパターン
の上に形成されていた黒鉛膜は、ガラスパネル面に接し
ているホトレジスト膜がエツチングされるため、土台と
なっていたホトレジスト膜ごと除去されてしまい、直接
パネルのガラス面に接して形成された部分の黒鉛膜だけ
が残留する。第２図はホトレジストにパターン露光を施
し未露光部分のホトレジストの現像除去作業まで行った
パネル内面に黒鉛液を塗布する装置の概略を示す図であ
る。図中、１はノズル、２はパネル（フェースプレート
）、３は塗布液回収受け、４は回収槽、５はポンプ、６
は黒鉛供給タンク、７は黒鉛供給配管、８は黒鉛液、で
ある。なお、黒鉛液塗布に際しては、図示のごとくパネ
ルを回転させる（いわゆる回転塗布）。以上がブラック
マトリゲス膜形成法であるが、従来、この方法で継続的
に作業していると、いわゆる白じみ不良が経時的に増加
するという問題があった。この問題について調査したと
ころ、ホトレジストを現像除去する作業に際し、ホトレ
ジストの一部がパネル面に残留しており、この残留ホト
レジストが、その後に塗布する黒鉛液に溶解、混入し、
回収黒鉛液を汚すのが原因と判明した。
いるパネル内面に黒鉛液を塗布し、乾燥後、ホトレジス
トのエツチング液を注入すると、ホトレジストパターン
の上に形成されていた黒鉛膜は、ガラスパネル面に接し
ているホトレジスト膜がエツチングされるため、土台と
なっていたホトレジスト膜ごと除去されてしまい、直接
パネルのガラス面に接して形成された部分の黒鉛膜だけ
が残留する。第２図はホトレジストにパターン露光を施
し未露光部分のホトレジストの現像除去作業まで行った
パネル内面に黒鉛液を塗布する装置の概略を示す図であ
る。図中、１はノズル、２はパネル（フェースプレート
）、３は塗布液回収受け、４は回収槽、５はポンプ、６
は黒鉛供給タンク、７は黒鉛供給配管、８は黒鉛液、で
ある。なお、黒鉛液塗布に際しては、図示のごとくパネ
ルを回転させる（いわゆる回転塗布）。以上がブラック
マトリゲス膜形成法であるが、従来、この方法で継続的
に作業していると、いわゆる白じみ不良が経時的に増加
するという問題があった。この問題について調査したと
ころ、ホトレジストを現像除去する作業に際し、ホトレ
ジストの一部がパネル面に残留しており、この残留ホト
レジストが、その後に塗布する黒鉛液に溶解、混入し、
回収黒鉛液を汚すのが原因と判明した。
この現像不足の対策として、現像水量を増加したり、現
像時間を延ばすなどの処置を試みたが、結局、温水現像
によっては、最高でホトレジストの９６％までしか除去
できなかった。
像時間を延ばすなどの処置を試みたが、結局、温水現像
によっては、最高でホトレジストの９６％までしか除去
できなかった。
本発明の目的は、ホトレジストへのパターン露光後の現
像作業時に、除去しきれないで残留するホトレジスト量
を最小限に減少させることが出来るブラックマトリクス
膜製造方法を提供することにある。
像作業時に、除去しきれないで残留するホトレジスト量
を最小限に減少させることが出来るブラックマトリクス
膜製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するために本発明においては、現像工程
で、濃度１０％以上のアンモニア水を現像液として、ホ
トレジスト未露光部分の洗浄、除去作業に使用すること
とした。
で、濃度１０％以上のアンモニア水を現像液として、ホ
トレジスト未露光部分の洗浄、除去作業に使用すること
とした。
これは黒鉛膜形成に用いる黒鉛液中には分散媒として黒
鉛液調製当初５％程度のアンモニアが含まれているが、
このアンモニア水では、ホトレジストが９８〜９９％程
度まで除去されることが判ったからである。すなわち、
従来の温純水洗浄による現像では、上記のごとくホトレ
ジストの４％程度が残留していたが、この残留ホトレジ
ストが次工程の黒鉛膜形成工程で吹付けられる黒鉛液に
溶解、除去されて、回収された黒鉛液中に異物として混
入し、これが白しみ（白ぬけ）不良等の発生原因になっ
ていることが判明し、従って、ホトレジストの現像液に
は、黒鉛液以上に未露光ホトレジストの溶解、除去能力
のあるものを使用しなければならないことが判ったから
である。
鉛液調製当初５％程度のアンモニアが含まれているが、
このアンモニア水では、ホトレジストが９８〜９９％程
度まで除去されることが判ったからである。すなわち、
従来の温純水洗浄による現像では、上記のごとくホトレ
ジストの４％程度が残留していたが、この残留ホトレジ
ストが次工程の黒鉛膜形成工程で吹付けられる黒鉛液に
溶解、除去されて、回収された黒鉛液中に異物として混
入し、これが白しみ（白ぬけ）不良等の発生原因になっ
ていることが判明し、従って、ホトレジストの現像液に
は、黒鉛液以上に未露光ホトレジストの溶解、除去能力
のあるものを使用しなければならないことが判ったから
である。
第１図は本発明に係るブラックマトリクス膜製造方法の
工程図である。まず、フン酸（ＨＦ）で洗浄してパネル
内面を奇麗にしてから、ホトレジストを塗布し、露光、
現像を行う。従来は現像工程で単なる温純水の吹付は洗
浄作業を行っていたが、本発明においては、図示のごと
く、濃度１０％以上のアンモニア水によって吹付は洗浄
作業を行う。このようにすれば、現像工程後の、黒鉛塗
布工程において、残留ホトレジストが黒鉛液に溶解、除
去されて、回収黒鉛液中にホトレジストが混入するよう
なことはなくなり、白じみ（白ぬけ）不良等は発生しな
くなった。
工程図である。まず、フン酸（ＨＦ）で洗浄してパネル
内面を奇麗にしてから、ホトレジストを塗布し、露光、
現像を行う。従来は現像工程で単なる温純水の吹付は洗
浄作業を行っていたが、本発明においては、図示のごと
く、濃度１０％以上のアンモニア水によって吹付は洗浄
作業を行う。このようにすれば、現像工程後の、黒鉛塗
布工程において、残留ホトレジストが黒鉛液に溶解、除
去されて、回収黒鉛液中にホトレジストが混入するよう
なことはなくなり、白じみ（白ぬけ）不良等は発生しな
くなった。
以上説明したように本発明によれば、ホトレジスト現像
液の現像能力が根本的に向上されるだけでなく、次に塗
布する黒鉛液がアンモニア水によって分散されているこ
となどから、黒鉛液中のアンモニア分の減少で発生する
黒鉛むらなどの不良発生を抑制する効果があり、−皮調
製した黒鉛液を長期間安定して使用できるようになり、
副作用もない。
液の現像能力が根本的に向上されるだけでなく、次に塗
布する黒鉛液がアンモニア水によって分散されているこ
となどから、黒鉛液中のアンモニア分の減少で発生する
黒鉛むらなどの不良発生を抑制する効果があり、−皮調
製した黒鉛液を長期間安定して使用できるようになり、
副作用もない。
第１図は本発明製造方法の工程図、第２図は黒鉛液塗布
装置の概略図、第３図はブラックマトリクス膜に螢光膜
を塗布した状態を示す図である。
装置の概略図、第３図はブラックマトリクス膜に螢光膜
を塗布した状態を示す図である。
Claims (1)
- ブラックマトリクス形カラー受像管螢光面製造のための
、パネル面の洗浄、パネル内面へのホトレジスト塗布、
その乾燥、所要パターンのホトレジスト上への露光、ホ
トレジスト未露光部分の現像による除去、ホトレジスト
除去個所への黒鉛膜形成の各工程を備えたブラックマト
リクス膜製造方法において、現像工程で使用する現像液
を、濃度１０％以上のアンモニア水としたことを特徴と
するブラックマトリクス膜製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11640385A JPS61277129A (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | ブラツクマトリクス膜製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11640385A JPS61277129A (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | ブラツクマトリクス膜製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61277129A true JPS61277129A (ja) | 1986-12-08 |
Family
ID=14686183
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11640385A Pending JPS61277129A (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | ブラツクマトリクス膜製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61277129A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6713363B1 (en) * | 2000-08-17 | 2004-03-30 | Jun Sik Lee | Method for fabricating capacitor of semiconductor device |
-
1985
- 1985-05-31 JP JP11640385A patent/JPS61277129A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6713363B1 (en) * | 2000-08-17 | 2004-03-30 | Jun Sik Lee | Method for fabricating capacitor of semiconductor device |
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