JPS6127931A - トランス―エチレン誘導体化合物を含有する液晶組成物 - Google Patents
トランス―エチレン誘導体化合物を含有する液晶組成物Info
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- JPS6127931A JPS6127931A JP59146051A JP14605184A JPS6127931A JP S6127931 A JPS6127931 A JP S6127931A JP 59146051 A JP59146051 A JP 59146051A JP 14605184 A JP14605184 A JP 14605184A JP S6127931 A JPS6127931 A JP S6127931A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は液晶電気および/又は熱光学素子に用いられる
トランス−エチレン誘導体化合物およびそれを含有する
液晶組成物に関する。
トランス−エチレン誘導体化合物およびそれを含有する
液晶組成物に関する。
[従来の技術]
表示素子の分野において、低消費電力、高速応答の電気
および/又は熱光学素子が望まれている。液晶表示素子
は、液晶のネマチック相、スメクチック相、コレステリ
ック相の電気および/又は熱による変化を蟇阜軸に利用
したもめであり、そのような要求にかなうものとして注
目されている。
および/又は熱光学素子が望まれている。液晶表示素子
は、液晶のネマチック相、スメクチック相、コレステリ
ック相の電気および/又は熱による変化を蟇阜軸に利用
したもめであり、そのような要求にかなうものとして注
目されている。
液晶表示素子に使用される液晶材料は、単独で作動温度
範囲や動作電圧、応答性能等の点において使用に耐える
ものはなく、数種類の液晶材料を混合して使用している
現状である。
範囲や動作電圧、応答性能等の点において使用に耐える
ものはなく、数種類の液晶材料を混合して使用している
現状である。
[本発明の解決しようとする問題点J
従来使用されてきた液晶混合物を用いた液晶表示素子は
高温においては作動しない、屈折率異方性(Δn)が小
さいためコントラストが充分でない、誘電率異方性が小
さいため1作動電圧が高い、粘度が大きいため応答速度
が遅いというような欠点を有していた。
高温においては作動しない、屈折率異方性(Δn)が小
さいためコントラストが充分でない、誘電率異方性が小
さいため1作動電圧が高い、粘度が大きいため応答速度
が遅いというような欠点を有していた。
[問題を解決するための手段]
本発明は、前述の問題点を解決するためになされたもの
であり、一般式 R−C)l舗I暑ベト(I) (式中−〇H−CH−は、トランス−1,2−ジ置換エ
チレン結合を示し、Rは炭斎蔓謙〜8のアルキル基を示
し、Xはシアン基、フッ素原子及び塩素原子を示す)で
あられされるトランスルエチレン誘導化合物及び該化合
物の少なくとも1種を組成物中に1〜50wt%混合し
たことを特徴とする液晶組成物である。
であり、一般式 R−C)l舗I暑ベト(I) (式中−〇H−CH−は、トランス−1,2−ジ置換エ
チレン結合を示し、Rは炭斎蔓謙〜8のアルキル基を示
し、Xはシアン基、フッ素原子及び塩素原子を示す)で
あられされるトランスルエチレン誘導化合物及び該化合
物の少なくとも1種を組成物中に1〜50wt%混合し
たことを特徴とする液晶組成物である。
一般式(I)で示される化合物の一般名は、4−置換−
4’−(トランス−3″−フルケニル)ビフェニルであ
る。
4’−(トランス−3″−フルケニル)ビフェニルであ
る。
一般式(I)で表される化合物において、Rは炭素数1
〜8のアルキル基を示すが、炭素数が多いと一般に粘度
が高いので、炭素数は1〜5が好ましく、さらには1〜
3が好ましい。またRが分枝鎖を有するアルキル基であ
る場合に比べ、一般に該化合物を添加された液晶組成物
のクリヤリングポイントが低いので、Rは直鎖状のアル
キル基が好ましい。
〜8のアルキル基を示すが、炭素数が多いと一般に粘度
が高いので、炭素数は1〜5が好ましく、さらには1〜
3が好ましい。またRが分枝鎖を有するアルキル基であ
る場合に比べ、一般に該化合物を添加された液晶組成物
のクリヤリングポイントが低いので、Rは直鎖状のアル
キル基が好ましい。
本発明のトランス−エチレン誘導体は、それ自体受は充
分広い動作温度範囲を示さないため、1種あるいは1種
以上を他の液晶性化合物と混合して、所望の液晶温度範
囲を有す÷讐晶組成物として使用するものであり、その
場合、本発明の化合物は混合物中1〜50wtX 、さ
らに好ましくは3〜30wt$使用される。他の液晶性
化合物は、用途、要求性能等により異なるが、液晶性を
示す成分と必要に応じて添加される添加成分とからなり
、高温で液晶性を示す成分、低温用の低粘性成分、他の
誘電異方性を向上させる成分、コレステリック性を付与
する成分、2色性を有する成分、導電性を付与する成分
、その他塔種添加剤を適宜混入して用いれば良い。
分広い動作温度範囲を示さないため、1種あるいは1種
以上を他の液晶性化合物と混合して、所望の液晶温度範
囲を有す÷讐晶組成物として使用するものであり、その
場合、本発明の化合物は混合物中1〜50wtX 、さ
らに好ましくは3〜30wt$使用される。他の液晶性
化合物は、用途、要求性能等により異なるが、液晶性を
示す成分と必要に応じて添加される添加成分とからなり
、高温で液晶性を示す成分、低温用の低粘性成分、他の
誘電異方性を向上させる成分、コレステリック性を付与
する成分、2色性を有する成分、導電性を付与する成分
、その他塔種添加剤を適宜混入して用いれば良い。
具体的には以下のような化合物がある。
以下の式でのR,R’は本発明でのRとは異なり、アル
キル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基等の基
を表す。
キル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基等の基
を表す。
R召X)R
R−o−o−R゛
R替・R′
RC’−0−R′
R@coo@R’
RGCOO@−R′
R−o−CH=CH−o−R′
R−o−N=N−o−R′
R召(トDR′
なお、これらの化合物は単なる例示にすぎなく、水素原
子のハロゲン原子、シアノ基、メチル基等への置換、シ
クロヘキサン環、ベンゼン環の他の六員環、五員環等へ
の置換、環の間の結合基の変更等種々の材料が選択使用
される。
子のハロゲン原子、シアノ基、メチル基等への置換、シ
クロヘキサン環、ベンゼン環の他の六員環、五員環等へ
の置換、環の間の結合基の変更等種々の材料が選択使用
される。
本発明の組成物は、液晶セルに注入されて用いられる。
代表的な電気光学除讐1セルとしては、ツイストネマチ
ック(TN)型液晶セルがあり、ガラス、プラスチック
等の透明基板内面にIn2O3−5n02等の透明電極
を所望のパターン状に形成して、必要に応じて5i02
、ポリイミド等のオーバーコートを゛し、横配向層を形
成した基板を相対向せしめ周辺をシールし、液晶を注入
し注入口を封止したものであり、この両外面に偏光板を
積層して使用される。又、この外、相転移型。
ック(TN)型液晶セルがあり、ガラス、プラスチック
等の透明基板内面にIn2O3−5n02等の透明電極
を所望のパターン状に形成して、必要に応じて5i02
、ポリイミド等のオーバーコートを゛し、横配向層を形
成した基板を相対向せしめ周辺をシールし、液晶を注入
し注入口を封止したものであり、この両外面に偏光板を
積層して使用される。又、この外、相転移型。
ゲストホスI[、動的散乱型又はそれらを組み合せて用
いられても良いし、電気的にでなく熱による書き込みを
するタイプのものに用いてもよい。
いられても良いし、電気的にでなく熱による書き込みを
するタイプのものに用いてもよい。
さらにセルの構造としては透明基板と透明電極の間に、
5i02 、 Al2O2等のアンダーコート層を設け
る、反射性電極を用いる、2層電極を用いる、カラー偏
光板を用いる、カラーフィルターを用いる、半導体基板
を用いる、2層素子とする等種々の応用が可能であり、
時計、電卓、計測器、自動車用計器、ゲーム、コンピュ
ータ一端末機等種々の用途に使用可iる。
5i02 、 Al2O2等のアンダーコート層を設け
る、反射性電極を用いる、2層電極を用いる、カラー偏
光板を用いる、カラーフィルターを用いる、半導体基板
を用いる、2層素子とする等種々の応用が可能であり、
時計、電卓、計測器、自動車用計器、ゲーム、コンピュ
ータ一端末機等種々の用途に使用可iる。
一般式(I)においてXが塩素原子である化合物は例え
ば次に示す工程を径て合成される。
ば次に示す工程を径て合成される。
↓Br2
すなわち、式(II)の化合物を臭素と反応させて(m
)とし、(IV)とマグネシウムから調製したグリニヤ
ー試薬と(III)をN1(dppe)C12ノような
カップリング触媒の存在下反応させて、式(I)におい
てXが塩素原子の化合物を得る。
)とし、(IV)とマグネシウムから調製したグリニヤ
ー試薬と(III)をN1(dppe)C12ノような
カップリング触媒の存在下反応させて、式(I)におい
てXが塩素原子の化合物を得る。
一般式(I)においてXがフッソ原子である化合物は例
えば次に示す工程を径て合成される。
えば次に示す工程を径て合成される。
↓Br2
すなわち、式(V)の化合物を出発物質として同様にし
て、式CI)においてXがフッソ原子の化合物を得る。
て、式CI)においてXがフッソ原子の化合物を得る。
また、一般式(I)においてXがシアノ基である化合物
は例えば次に示す工程を径て合成される。
は例えば次に示す工程を径て合成される。
すなわち、式(I)においてXが塩素原子の化合物をマ
グネシウムと反応させた後炭酸化して(■)とし、(■
)を修酸2塩化物のような塩素化剤と反応させて(■)
とし、(■)と濃アンモニア水を反応させて、アミド(
IX)とし、(IX)をパラトルエンスルホニルクロラ
イドのような謄菊剤の存在下脱水して、式CI)におい
て、Xがシアン基である化合物を得る。
グネシウムと反応させた後炭酸化して(■)とし、(■
)を修酸2塩化物のような塩素化剤と反応させて(■)
とし、(■)と濃アンモニア水を反応させて、アミド(
IX)とし、(IX)をパラトルエンスルホニルクロラ
イドのような謄菊剤の存在下脱水して、式CI)におい
て、Xがシアン基である化合物を得る。
[実施例]
次に実施例をもって本発明を具体的に説明する。
実施例1
の化合物200gと、微粉鉄20gと四塩化炭素500
m1の混合物に、臭素175gを滴下し、30℃以下で
16時間攪拌した。ジクロルメタンを加え、有機層を亜
硫酸ナトリウム水溶液、水酸化ナトリウム水溶液で洗浄
し、さらに水で洗浄した。無水硫酸ナトリウムを加えて
乾燥した後、溶媒を留去し、残液をトルエンから再結晶
2回しての化合物を得た。収量227g。
m1の混合物に、臭素175gを滴下し、30℃以下で
16時間攪拌した。ジクロルメタンを加え、有機層を亜
硫酸ナトリウム水溶液、水酸化ナトリウム水溶液で洗浄
し、さらに水で洗浄した。無水硫酸ナトリウムを加えて
乾燥した後、溶媒を留去し、残液をトルエンから再結晶
2回しての化合物を得た。収量227g。
次に、式CHs−CH=CH−GH2−CH2Brの化
合物14.9gと削り状マグネシウムからエーテル40
+ol中グリこヤー試薬を調製しヨ洗に合成した の化合物とベンゼン80111とエーテル40m1およ
びビス(1,2−ジフェニルホスフィノ)エタンニッケ
ル(II)クロライド0.5gの混合物に30分を要し
て室温にて滴下し、さらに室温で4時M撹拌した後、l
:5塩酸300m lを加えて、有機層を分離し水層を
ジクロロメタンにて抽出した。有機層を1つにまとめて
水洗した後、無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥し、溶媒
を留去した。残渣をn−ヘキサンから再結晶し、さら5
に蒸留してであられされる4−クロル−4’−()ラン
ス−3″−ペンテニル)ビフェニルを12.8g得た。
合物14.9gと削り状マグネシウムからエーテル40
+ol中グリこヤー試薬を調製しヨ洗に合成した の化合物とベンゼン80111とエーテル40m1およ
びビス(1,2−ジフェニルホスフィノ)エタンニッケ
ル(II)クロライド0.5gの混合物に30分を要し
て室温にて滴下し、さらに室温で4時M撹拌した後、l
:5塩酸300m lを加えて、有機層を分離し水層を
ジクロロメタンにて抽出した。有機層を1つにまとめて
水洗した後、無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥し、溶媒
を留去した。残渣をn−ヘキサンから再結晶し、さら5
に蒸留してであられされる4−クロル−4’−()ラン
ス−3″−ペンテニル)ビフェニルを12.8g得た。
収率83% 融点75.2℃ その赤外スペクトル(K
Br錠)を第1図に示す。
Br錠)を第1図に示す。
実施例2
実施例1において
の化合物の代りに
の化合物を使用する他は実施例1と同様にして、で示さ
れる4−フルオロ−4’−(トランス−3″−ペンテこ
ル)ビフェニルを得た。融点44,2°Cその赤外スペ
クトル図(KBr錠)を第2図に示す。この化合物のI
HNMRスペクトルは以下のとおりであった。
れる4−フルオロ−4’−(トランス−3″−ペンテこ
ル)ビフェニルを得た。融点44,2°Cその赤外スペ
クトル図(KBr錠)を第2図に示す。この化合物のI
HNMRスペクトルは以下のとおりであった。
’HNMR(CDCh溶媒、TMS内部標準)δ(pp
m) 1.5〜1.7 Cd、 4Hz 3H
)2.0〜2.8 (complex m、
4H)5.3〜5.5 (com’pl’ex’
m、 2H)8.8〜?、8’ (complex
m、 ”8H)実施例3 実施例1で得られた の化合物12.8gとエチルブロマイド10.9gおよ
びテトラヒドロフラン60m1の混合物を窒素気流下、
削り状マグネシウム3.6gテトラヒドロフラン40I
Illの混合物に攪拌しながら室温にて1時間を要して
滴下し、さらに6時間還流下加熱した。−15°Cに保
ちながら炭酸ガスを導入する。
m) 1.5〜1.7 Cd、 4Hz 3H
)2.0〜2.8 (complex m、
4H)5.3〜5.5 (com’pl’ex’
m、 2H)8.8〜?、8’ (complex
m、 ”8H)実施例3 実施例1で得られた の化合物12.8gとエチルブロマイド10.9gおよ
びテトラヒドロフラン60m1の混合物を窒素気流下、
削り状マグネシウム3.6gテトラヒドロフラン40I
Illの混合物に攪拌しながら室温にて1時間を要して
滴下し、さらに6時間還流下加熱した。−15°Cに保
ちながら炭酸ガスを導入する。
室温に戻して1:5塩酸を加え、さらに、ジクロルメタ
ンを加え有機層を分取し、水洗し 無水硫酸づグネシウ
ムによる乾燥後、溶媒を留去し、残渣をトルエンから再
結晶して の化合物を8.5g得た。収率71%。
ンを加え有機層を分取し、水洗し 無水硫酸づグネシウ
ムによる乾燥後、溶媒を留去し、残渣をトルエンから再
結晶して の化合物を8.5g得た。収率71%。
の化合物4.2gと式(GOCI)2の化合物8.1g
を四塩化!! 251.ベンゼン25m1と混合し、さ
らにN、N−ジエチルアニリン1滴を加え3時間還流下
加熱し、次に、過剰の(0001)2 と溶媒を留去し
、残渣として得られた の化合物をn−へキサン30m1に溶解し、これを濃ア
ンモニア水30m1に15℃以下で滴下し、析出しの化
合物を枦取し、減圧下乾燥した。収量3.9g収率83
%分解点24.8°Cその赤外スペクトル図(KBr錠
)を第3図に示す。
を四塩化!! 251.ベンゼン25m1と混合し、さ
らにN、N−ジエチルアニリン1滴を加え3時間還流下
加熱し、次に、過剰の(0001)2 と溶媒を留去し
、残渣として得られた の化合物をn−へキサン30m1に溶解し、これを濃ア
ンモニア水30m1に15℃以下で滴下し、析出しの化
合物を枦取し、減圧下乾燥した。収量3.9g収率83
%分解点24.8°Cその赤外スペクトル図(KBr錠
)を第3図に示す。
の化合物1.7g、ピリジン1.4g、ベンゼン25m
1と混合し、10時間還流下加熱した。反応混合物を室
温に戻して町場後、炉液をアル趣ナーn−ヘキサンのク
ロマトにかけ、n−へキサンから2回再結晶して、白色
結晶の であられされる4−シアノ−4’−()ランス−3”−
ペンテニル)ビフェニルを得た。融点76.4℃偏光顕
微鏡下の観察の結果、冷却時72.6℃において等方性
液体からネマチック相に変るモノトロピック液晶であっ
た。この化合物のIRスペクトル図(KBr錠)を第4
図に示す。また、この化合物のIHNMRスペクトルは
以下のとおりであった。
1と混合し、10時間還流下加熱した。反応混合物を室
温に戻して町場後、炉液をアル趣ナーn−ヘキサンのク
ロマトにかけ、n−へキサンから2回再結晶して、白色
結晶の であられされる4−シアノ−4’−()ランス−3”−
ペンテニル)ビフェニルを得た。融点76.4℃偏光顕
微鏡下の観察の結果、冷却時72.6℃において等方性
液体からネマチック相に変るモノトロピック液晶であっ
た。この化合物のIRスペクトル図(KBr錠)を第4
図に示す。また、この化合物のIHNMRスペクトルは
以下のとおりであった。
IHNMR(CDCh溶媒、TMS内部標準)δ(pp
m ) 1.5〜1.? (d、J= tHz 3H
)2.0〜2.85 (complex m、
4H)5.4〜5.8 (complex ta、
2H)7.2 〜7.8 (complex
ra、 8H)実施例4〜9 実施例1と同様にして1妃あ化合物を得た。
m ) 1.5〜1.? (d、J= tHz 3H
)2.0〜2.85 (complex m、
4H)5.4〜5.8 (complex ta、
2H)7.2 〜7.8 (complex
ra、 8H)実施例4〜9 実施例1と同様にして1妃あ化合物を得た。
4−クロロ−4’−()ランス−3″ −へキセニル
)ビフェニル 4−クロロ−4’−()ランス−3″ −へブテニル
)ビフェニル 実施例2と同様にして、下記の化合物を得た。
)ビフェニル 4−クロロ−4’−()ランス−3″ −へブテニル
)ビフェニル 実施例2と同様にして、下記の化合物を得た。
4−フルオロ−4’−()ランス−3″ −へキセニ
ル)ビフェニル 4−フルオロ−4’−()ランス−3″′ −へブテニ
ル)ビフェニル ・ 実施例3と同様にして、下記の化合物を得た。
ル)ビフェニル 4−フルオロ−4’−()ランス−3″′ −へブテニ
ル)ビフェニル ・ 実施例3と同様にして、下記の化合物を得た。
4−シアノ−4’−()ランス−3″ −へキセニル
)ビフェニル 4−シアノ−4’−()ランス−3″ −へブテニル
)ビフェニル 実施例10 の化合物15wj$ トl )Lt り社液晶(ZLI
−1585) 85wt%とを混合した混合物は71,
3℃のネマチック−等方性液体転移温度を示した。1そ
の屈折率異方性は25℃において0.131であり、Z
LI−1565のそれは0.124であった。
)ビフェニル 4−シアノ−4’−()ランス−3″ −へブテニル
)ビフェニル 実施例10 の化合物15wj$ トl )Lt り社液晶(ZLI
−1585) 85wt%とを混合した混合物は71,
3℃のネマチック−等方性液体転移温度を示した。1そ
の屈折率異方性は25℃において0.131であり、Z
LI−1565のそれは0.124であった。
の化合物は屈折率異方性を大きくするのに有用であるこ
とがわかる。
とがわかる。
の化合物の等重量混合物(母体液晶Aと称す)は0℃に
おいて−1,52誘電率異方性を示すが、の化合物を1
5wt1母体液晶に添加した混合物は0℃において−0
,87の誘電率異方性を示す。この化合物は誘電率異方
性を大きくするのに有用であることがわかる。
おいて−1,52誘電率異方性を示すが、の化合物を1
5wt1母体液晶に添加した混合物は0℃において−0
,87の誘電率異方性を示す。この化合物は誘電率異方
性を大きくするのに有用であることがわかる。
化合物20wt!およびメルク社液晶(ZLI−108
3)55wt%の混合物は0℃において45.?cst
の粘度を示すが、この混合液晶に の化合物15wt%混合した液晶組成物は0℃において
37.7cstの粘度を示した。このようにの化合物は
粘度を低下させるのに有用であることがわかる。
3)55wt%の混合物は0℃において45.?cst
の粘度を示すが、この混合液晶に の化合物15wt%混合した液晶組成物は0℃において
37.7cstの粘度を示した。このようにの化合物は
粘度を低下させるのに有用であることがわかる。
実施例11
の化合物?、8wt1と母体液晶A 82.2wtXの
混合物はπ]笥のネマチック−等方性転移温度を示した
。またその誘電率異方性は0℃において+O,?5であ
った。母体液晶Aの0℃における誘電率異方性は−1,
52であるので の化合物は誘電率異方性を大きくするのに有用であるこ
とがわかる。
混合物はπ]笥のネマチック−等方性転移温度を示した
。またその誘電率異方性は0℃において+O,?5であ
った。母体液晶Aの0℃における誘電率異方性は−1,
52であるので の化合物は誘電率異方性を大きくするのに有用であるこ
とがわかる。
[発明の効果]
以上の如く本発明は、新規な化合物である一式中、−0
H−OH−はトランス−1,2−ジ置換エチレン結合を
示し、Rは炭素数1〜8のアルキル基を示し、Xはシア
ノ基、フラン原子及び塩素原子を示す)であられされる
トランス−エチレン誘導体化合物を提供することにより
、クリヤリングポイントが比較的高く、屈折率異方性が
大きく、誘電率異方性も大きく、粘度が小さい液晶組成
物を構成しうるような効果を生じる優れたものである。
H−OH−はトランス−1,2−ジ置換エチレン結合を
示し、Rは炭素数1〜8のアルキル基を示し、Xはシア
ノ基、フラン原子及び塩素原子を示す)であられされる
トランス−エチレン誘導体化合物を提供することにより
、クリヤリングポイントが比較的高く、屈折率異方性が
大きく、誘電率異方性も大きく、粘度が小さい液晶組成
物を構成しうるような効果を生じる優れたものである。
第1図は、実施例1の化合物、第2図は実施例2の化合
物、第3図は実施例3の化合物の合成のための中間体、
第4図は実施例3の化合物の赤外スペクトル図。 箋10 偽−l ′第3昭 手続補正書(方式) %式% 1、事件の表示 昭和59年特許願第146051号 2、発明の名称 トランス−エチレン誘導体化合物及びそれを含有する液
晶組成物 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目1番2号名称
(004)旭硝子株式会社 5、補正命令の日付 昭和59年10月30日(発
送日)8、補正により増加する発明の数 なし7、
補正の対象 明細書 8、補正の内容 願書に最初に添付した明細書の浄書・別紙のとおり(内
容に変更なし) 8、添付書類 手続補正書 昭和59年12月7ρ日
物、第3図は実施例3の化合物の合成のための中間体、
第4図は実施例3の化合物の赤外スペクトル図。 箋10 偽−l ′第3昭 手続補正書(方式) %式% 1、事件の表示 昭和59年特許願第146051号 2、発明の名称 トランス−エチレン誘導体化合物及びそれを含有する液
晶組成物 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目1番2号名称
(004)旭硝子株式会社 5、補正命令の日付 昭和59年10月30日(発
送日)8、補正により増加する発明の数 なし7、
補正の対象 明細書 8、補正の内容 願書に最初に添付した明細書の浄書・別紙のとおり(内
容に変更なし) 8、添付書類 手続補正書 昭和59年12月7ρ日
Claims (3)
- (1)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中−CH=CH−は、トランス−1,2−ジ置換エ
チレン結合を示し、Rは炭素数1〜8のアルキル基を示
し、Xはシアノ基、フッ素原子及び塩素原子を示す)で
あらわされるトランス−エチレン誘導体化合物。 - (2)( I )式においてRは炭素数1〜5の直鎖状の
アルキル基であるところの特許請求の範囲第1項記載の
トランス−エチレン誘導体化合物。 - (3)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中−CH=CH−は、トランス−1,2−ジ置換エ
チレン結合を示し、Rは炭素数1〜8のアルキル基を示
し、Xはシアノ基、フッ素原子及び塩素原子を示す)で
あらわされるトランス−エチレン誘導体化合物の少なく
とも1種を組成物中に1〜50wt%混合したことを特
徴とする液晶組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59146051A JPS6127931A (ja) | 1984-07-16 | 1984-07-16 | トランス―エチレン誘導体化合物を含有する液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59146051A JPS6127931A (ja) | 1984-07-16 | 1984-07-16 | トランス―エチレン誘導体化合物を含有する液晶組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6127931A true JPS6127931A (ja) | 1986-02-07 |
| JPH0568520B2 JPH0568520B2 (ja) | 1993-09-29 |
Family
ID=15398981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59146051A Granted JPS6127931A (ja) | 1984-07-16 | 1984-07-16 | トランス―エチレン誘導体化合物を含有する液晶組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6127931A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4709030A (en) * | 1984-07-12 | 1987-11-24 | Hoffmann-La Roche Inc. | Novel liquid crystal mixtures |
| US4770503A (en) * | 1985-03-26 | 1988-09-13 | Hoffmann-Laroche Inc. | Liquid crystalline compounds |
| US4915480A (en) * | 1984-05-25 | 1990-04-10 | Martin Petrzilka | Liquid crystalline compounds and mixtures |
| US5110498A (en) * | 1989-12-27 | 1992-05-05 | Showa Shell Sekiyu K.K. | Liquid crystal compound |
| US5238602A (en) * | 1984-07-16 | 1993-08-24 | Hoffmann La Roche Inc. | Liquid crystals |
| JPH11100579A (ja) * | 1997-09-29 | 1999-04-13 | Dainippon Ink & Chem Inc | ネマチック液晶組成物及びこれを用いた液晶表示装置 |
| JP2007291338A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-11-08 | Chisso Corp | 液晶組成物および液晶表示素子 |
| US7435460B2 (en) | 2006-03-23 | 2008-10-14 | Chisso Corporation | Liquid crystal composition and liquid crystal display device |
| US7435459B2 (en) | 2006-03-30 | 2008-10-14 | Chisso Corporation | Liquid crystal composition and liquid crystal display device |
| JP2013534640A (ja) * | 2010-05-19 | 2013-09-05 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 液晶媒体を含む光学的スイッチ素子 |
| DE10218975B4 (de) | 2001-06-12 | 2019-01-31 | Merck Patent Gmbh | 4-Alk-3-enyl-biphenyl-Derivate |
-
1984
- 1984-07-16 JP JP59146051A patent/JPS6127931A/ja active Granted
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4915480A (en) * | 1984-05-25 | 1990-04-10 | Martin Petrzilka | Liquid crystalline compounds and mixtures |
| US4709030A (en) * | 1984-07-12 | 1987-11-24 | Hoffmann-La Roche Inc. | Novel liquid crystal mixtures |
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| JPH11100579A (ja) * | 1997-09-29 | 1999-04-13 | Dainippon Ink & Chem Inc | ネマチック液晶組成物及びこれを用いた液晶表示装置 |
| DE10218975B4 (de) | 2001-06-12 | 2019-01-31 | Merck Patent Gmbh | 4-Alk-3-enyl-biphenyl-Derivate |
| US7435460B2 (en) | 2006-03-23 | 2008-10-14 | Chisso Corporation | Liquid crystal composition and liquid crystal display device |
| JP2007291338A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-11-08 | Chisso Corp | 液晶組成物および液晶表示素子 |
| US7435459B2 (en) | 2006-03-30 | 2008-10-14 | Chisso Corporation | Liquid crystal composition and liquid crystal display device |
| JP2013534640A (ja) * | 2010-05-19 | 2013-09-05 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 液晶媒体を含む光学的スイッチ素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0568520B2 (ja) | 1993-09-29 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |