JPS61283765A - 内燃機関用点火装置 - Google Patents
内燃機関用点火装置Info
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- JPS61283765A JPS61283765A JP12578785A JP12578785A JPS61283765A JP S61283765 A JPS61283765 A JP S61283765A JP 12578785 A JP12578785 A JP 12578785A JP 12578785 A JP12578785 A JP 12578785A JP S61283765 A JPS61283765 A JP S61283765A
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- ignition
- circuit
- voltage
- integrating capacitor
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Links
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 83
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 13
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- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 5
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 description 2
- 230000000979 retarding effect Effects 0.000 description 2
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- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Electrical Control Of Ignition Timing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は、機関の回転速度の上昇に応じて点火時期を遅
角させることができる内燃機関用点火装置に関するもの
である。
角させることができる内燃機関用点火装置に関するもの
である。
し発明の概要1
本発明は、内燃機関の最大進角位置より進んだ位置で一
定の電圧まで瞬時に上昇した後所定の勾配で下降してい
く第1の積分電圧と、最大進角位置で瞬時に一定の電圧
まで上昇した後一定の勾配で上昇して行く第2の積分電
圧とを得て該第1の積分電圧と第2の積分電圧とを比較
し、第1の積分電圧が第2の積分電圧に達した時に点火
時期を定めるための点火信号を発生させるようにするこ
とにより、簡単な回路構成で遅角特性を得ることができ
るようにした内燃機関用点火装置を提供したものである
。
定の電圧まで瞬時に上昇した後所定の勾配で下降してい
く第1の積分電圧と、最大進角位置で瞬時に一定の電圧
まで上昇した後一定の勾配で上昇して行く第2の積分電
圧とを得て該第1の積分電圧と第2の積分電圧とを比較
し、第1の積分電圧が第2の積分電圧に達した時に点火
時期を定めるための点火信号を発生させるようにするこ
とにより、簡単な回路構成で遅角特性を得ることができ
るようにした内燃機関用点火装置を提供したものである
。
[従来の技術]
内燃機関によっては、所定の回転速度領域で点火時期を
遅角させる必要がある場合が多々ある。
遅角させる必要がある場合が多々ある。
例えば、2サイクル機関においては、機関の高速時に点
火時期を遅角させることにより、高速領域でのIIII
IIの出力の低下を抑制することができる。
火時期を遅角させることにより、高速領域でのIIII
IIの出力の低下を抑制することができる。
また機関の過回転を防止するために、高速時に点火時期
を遅角させることが必要になることがある。
を遅角させることが必要になることがある。
一般に内燃機関用点火装置は、点火コイルと、半導体ス
イッチの動作により点火コイルの1次電流を制御して該
点火コイルの2次コイルに点火用の高電圧を誘起させる
1次電流制御回路と、内燃機関の点火時期に半導体スイ
ッチを動作させる点火信号を発生する点火信号発生回路
とを備えており、点火信号により半導体スイッチを動作
させることにより、点火コイルの1次電流を急変させて
該点火コイルの2次コイルに点火用の高電圧を誘起・ざ
「るようにしている。従ってこの種の点火装置において
は、信号発生回路が点火信号を発生する位相を制御する
ことにより、機関の点火時期を制御することができる。
イッチの動作により点火コイルの1次電流を制御して該
点火コイルの2次コイルに点火用の高電圧を誘起させる
1次電流制御回路と、内燃機関の点火時期に半導体スイ
ッチを動作させる点火信号を発生する点火信号発生回路
とを備えており、点火信号により半導体スイッチを動作
させることにより、点火コイルの1次電流を急変させて
該点火コイルの2次コイルに点火用の高電圧を誘起・ざ
「るようにしている。従ってこの種の点火装置において
は、信号発生回路が点火信号を発生する位相を制御する
ことにより、機関の点火時期を制御することができる。
ところで、最近、点火時期の制御を正確に行わせること
が要求される傾向にある。例えば、機関の高速時に点火
時期を遅角させる場合には、遅角開始回転数(rpm)
、遅角幅、遅角特性の勾配等が所定の大きさになるよう
に、正確に点火時期を制御することが必要とされる。そ
のため、信号発生回路として、積分回路及び比較回路を
用いた電子制御式の信号発生回路が多く用いられるよう
になった。
が要求される傾向にある。例えば、機関の高速時に点火
時期を遅角させる場合には、遅角開始回転数(rpm)
、遅角幅、遅角特性の勾配等が所定の大きさになるよう
に、正確に点火時期を制御することが必要とされる。そ
のため、信号発生回路として、積分回路及び比較回路を
用いた電子制御式の信号発生回路が多く用いられるよう
になった。
[発明が解決しようとする問題点]
積分回路を用いた従来の内燃機関用点火装置で遅角特性
を得る場合には、第7図に示したように、機関の最小進
角位置θ2から次の最大進角位置θ1まで第1の勾配で
上昇し、最大進角位置θ1から最小進角位置θ2まで第
1の勾配より大きい第2の勾配で上昇する積分電圧VC
を得、この積分電圧VCを基準電圧■rと比較して積分
電圧VCが基準電圧■「以上になった時に点火信号を発
生させるようにしていた。この様に積分電圧VCを基準
電圧Vrと比較すると、機関の回転速度が低速から高速
へN1→N2→N3と変化していくに従って角度θに対
する積分電圧VCの波形が第7図の破線、実線及び額絵
のように変化する為、積分電圧VCが基準電圧■rに達
する位置は、θi゛→θ11→θ12のように上死点T
DC側へ遅れて行く。ところが、この場合I11gQの
低速時の回転数N1においては、積分電圧Vcが基準電
圧■rに達する位置θi“が最大進角位置θ1より進ん
でしまうため、積分電圧VCを基準電圧Vrと比較して
得た信号をそのまま点火信号とすると、低速時に、許容
される最大進角位置より更に進角した位置まで点火時期
が進んでしまい、機関を正常に動作ささせることができ
なくなる。そのため、点火時期を最大進角位置と最小進
角位置との間に制限するように制御する回路を信号出力
回路に設けることが必要になり、回路構成が複雑になる
という問題があった。
を得る場合には、第7図に示したように、機関の最小進
角位置θ2から次の最大進角位置θ1まで第1の勾配で
上昇し、最大進角位置θ1から最小進角位置θ2まで第
1の勾配より大きい第2の勾配で上昇する積分電圧VC
を得、この積分電圧VCを基準電圧■rと比較して積分
電圧VCが基準電圧■「以上になった時に点火信号を発
生させるようにしていた。この様に積分電圧VCを基準
電圧Vrと比較すると、機関の回転速度が低速から高速
へN1→N2→N3と変化していくに従って角度θに対
する積分電圧VCの波形が第7図の破線、実線及び額絵
のように変化する為、積分電圧VCが基準電圧■rに達
する位置は、θi゛→θ11→θ12のように上死点T
DC側へ遅れて行く。ところが、この場合I11gQの
低速時の回転数N1においては、積分電圧Vcが基準電
圧■rに達する位置θi“が最大進角位置θ1より進ん
でしまうため、積分電圧VCを基準電圧Vrと比較して
得た信号をそのまま点火信号とすると、低速時に、許容
される最大進角位置より更に進角した位置まで点火時期
が進んでしまい、機関を正常に動作ささせることができ
なくなる。そのため、点火時期を最大進角位置と最小進
角位置との間に制限するように制御する回路を信号出力
回路に設けることが必要になり、回路構成が複雑になる
という問題があった。
また従来の点火装置では、最大進角位置及び最小進角位
置を検出する第1の信号及び第2の信号の位相差が大き
くないと大きな遅角幅を得ることができなかった為、信
号コイルを設ける信号発電機として磁極構造が特殊なも
のを用いる必要があり、信号発電機の構造が複雑になっ
てそのコストが高くなるという問題があった。
置を検出する第1の信号及び第2の信号の位相差が大き
くないと大きな遅角幅を得ることができなかった為、信
号コイルを設ける信号発電機として磁極構造が特殊なも
のを用いる必要があり、信号発電機の構造が複雑になっ
てそのコストが高くなるという問題があった。
本発明の目的は、簡単な回路構成で遅角特性を得ること
ができるようにした内燃機関用点火装置を提供すること
にある。
ができるようにした内燃機関用点火装置を提供すること
にある。
[問題点を解決するための手段]
本発明は、その実施例を示す第1図に見られるように、
点火コイル2と、半導体スイッチ3Cの動作により点火
コイルの1次電流を制御して該点火コイルの2次コイル
に点火用の高電圧を誘起させる1次電流制御回路3と、
内燃i閏の回転に同期して第1の信号Vs1と該第1の
信号より位相が遅れた第2の信号VS2とを出力する信
号発生手段5と、第1及び第2の信号を入力として内燃
機関の点火時期に半導体スイッチを動作させる点火信号
vgを発生する点火信号発生回路6とを備えた内燃II
l用点火装置において、信号発生手段及び点火信号発生
回路を以下に示すように構成したことを特徴とする。
点火コイル2と、半導体スイッチ3Cの動作により点火
コイルの1次電流を制御して該点火コイルの2次コイル
に点火用の高電圧を誘起させる1次電流制御回路3と、
内燃i閏の回転に同期して第1の信号Vs1と該第1の
信号より位相が遅れた第2の信号VS2とを出力する信
号発生手段5と、第1及び第2の信号を入力として内燃
機関の点火時期に半導体スイッチを動作させる点火信号
vgを発生する点火信号発生回路6とを備えた内燃II
l用点火装置において、信号発生手段及び点火信号発生
回路を以下に示すように構成したことを特徴とする。
即ち、本発明で用いる信号発生手段5は、前記第2の信
号VS2が内燃機関の最大進角位置でスレショールドレ
ベル以上になるように構成されている。また信号発生回
路6は、第1の信号Vslがスレショールドレベル以上
になった時に第1の積分コンデンサC3を瞬時に充電し
該第1の信号が再びスレショールドレベル以上なるまで
の間該用1の積分コンデンサC3を所定の放電電流で放
電させる積分動作を行う第1の積分回路6aと、第2の
信号Vs2がスレショールドレベル以上になる位置で第
2の積分コンデンサC5を瞬時に充電してから該第2の
積分コンデンサを追加充電して該第2の積分コンデンサ
の端子電圧を所定の勾配で上昇させる積分動作を行う第
2の積分回路6bと、第1の積分コンデンサC3の端子
電圧と第2の積分コンデンサC5の端子電圧とを比較し
て第2の積分コンデンサの端子電圧が第1の積分コンデ
ンサの端子電圧に達した時に点火信号を発生する信号出
力回路6cとを備えたことを特徴とする。
号VS2が内燃機関の最大進角位置でスレショールドレ
ベル以上になるように構成されている。また信号発生回
路6は、第1の信号Vslがスレショールドレベル以上
になった時に第1の積分コンデンサC3を瞬時に充電し
該第1の信号が再びスレショールドレベル以上なるまで
の間該用1の積分コンデンサC3を所定の放電電流で放
電させる積分動作を行う第1の積分回路6aと、第2の
信号Vs2がスレショールドレベル以上になる位置で第
2の積分コンデンサC5を瞬時に充電してから該第2の
積分コンデンサを追加充電して該第2の積分コンデンサ
の端子電圧を所定の勾配で上昇させる積分動作を行う第
2の積分回路6bと、第1の積分コンデンサC3の端子
電圧と第2の積分コンデンサC5の端子電圧とを比較し
て第2の積分コンデンサの端子電圧が第1の積分コンデ
ンサの端子電圧に達した時に点火信号を発生する信号出
力回路6cとを備えたことを特徴とする。
また本願第2の発明は、上記信号発生手段及び第1の積
分回路の構成を更に具体的にしたもので、この第2の発
明では、信号発生手段5.とじて、内燃機関と同期回転
する信号発!Iff内に配置されて第1の極性の半サイ
クルの信号電圧と第2の極性の半サイクルの信号電圧と
を続いて出力する信号コイルを用い、該信号コイルが出
力する第1の極性の半サイクルの信号電圧及び第2の極
性の信号電圧をそれぞれ前記第1の信号及び第2の信号
とする。また第1の積分回路6aは、第1の信号がスレ
ショールドレベル以上になっている期間導通する第1の
スイッチ素子(T1)と、前記第1のスイッチ素子のオ
ンオフにより得られる矩形波信号を微分する微分回路と
、最大進角位置側で前記微分回路が出力するパルスによ
りトリガされて瞬時的に導通して前記第1の積分コンデ
ンサに直流電圧を印加する第2のスイッチ素子(T2)
と、第1の積分コンデンサC3を所定の電流で放電させ
る放電回路とにより構成する。
分回路の構成を更に具体的にしたもので、この第2の発
明では、信号発生手段5.とじて、内燃機関と同期回転
する信号発!Iff内に配置されて第1の極性の半サイ
クルの信号電圧と第2の極性の半サイクルの信号電圧と
を続いて出力する信号コイルを用い、該信号コイルが出
力する第1の極性の半サイクルの信号電圧及び第2の極
性の信号電圧をそれぞれ前記第1の信号及び第2の信号
とする。また第1の積分回路6aは、第1の信号がスレ
ショールドレベル以上になっている期間導通する第1の
スイッチ素子(T1)と、前記第1のスイッチ素子のオ
ンオフにより得られる矩形波信号を微分する微分回路と
、最大進角位置側で前記微分回路が出力するパルスによ
りトリガされて瞬時的に導通して前記第1の積分コンデ
ンサに直流電圧を印加する第2のスイッチ素子(T2)
と、第1の積分コンデンサC3を所定の電流で放電させ
る放電回路とにより構成する。
[発明の作用]
上記のように構成すると、遅角開始回転数未満の回転領
域では、最大進角位置マ第2の積分電圧が立上がると同
時に該第2の積分電圧が第1の積分電圧に達し、最大進
角位置より進んだ位置で第2の積分電圧が第1の積分電
圧以上になることはない。そのため遅角開始回転数未満
の回転領域において第1の積分電圧と第2の積分電圧゛
とを比較して第2の積分電圧が第1の積分電圧に達した
時に点火信号を発生させるようにしても最大進角位置よ
り進んだ位置で点火信号が発生する虞れはない。従って
、点火時期を最大進角位置と最小進角位置との間に制限
するための制御回路を信号出力回路に設ける必要がなく
なり、回路構成を簡単にすることができる。
域では、最大進角位置マ第2の積分電圧が立上がると同
時に該第2の積分電圧が第1の積分電圧に達し、最大進
角位置より進んだ位置で第2の積分電圧が第1の積分電
圧以上になることはない。そのため遅角開始回転数未満
の回転領域において第1の積分電圧と第2の積分電圧゛
とを比較して第2の積分電圧が第1の積分電圧に達した
時に点火信号を発生させるようにしても最大進角位置よ
り進んだ位置で点火信号が発生する虞れはない。従って
、点火時期を最大進角位置と最小進角位置との間に制限
するための制御回路を信号出力回路に設ける必要がなく
なり、回路構成を簡単にすることができる。
更に第1の信号は最大進角位置より位相が進んだ位置で
発生していればよく、第1の信号がスレショールドレベ
ル以上になる位置と第2の信号がスレショールドレベル
以上になる位置との間の角度幅は機関の遅角幅より狭く
ても良いので、信号発生手段としては、1回転当り1サ
イクルの信号牽発生する通常の信号発電機内の発電′コ
イルを用いることができ、信号発電機の構成を簡単にす
ることができる。
発生していればよく、第1の信号がスレショールドレベ
ル以上になる位置と第2の信号がスレショールドレベル
以上になる位置との間の角度幅は機関の遅角幅より狭く
ても良いので、信号発生手段としては、1回転当り1サ
イクルの信号牽発生する通常の信号発電機内の発電′コ
イルを用いることができ、信号発電機の構成を簡単にす
ることができる。
また上記のように構成すると、機関が逆回転した時に、
点火信号が発生する位置が上死点よりかなり遅れた位置
になるので、機関の逆回転を阻止することができる。
点火信号が発生する位置が上死点よりかなり遅れた位置
になるので、機関の逆回転を阻止することができる。
[実施例]
以下添附図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第1図は・本発明の一実施例を示したもので、同図にお
いて1は内燃機関により駆動される磁石発電機内に配置
されたエキサイタコイル、2は一端が接地された1次コ
イル2a及び2次コイル2bを有する点火コイル、3は
点火コイル2の1次電流を制御する1次電流制御回路で
ある。この例で示した1次電流制御回路3はコンデンサ
放電式の回路で、エキサイタコイル1の非接地側端子に
アノードが接続されたダイオード3aと、一端がダイオ
ード3aのカソードに接続され他端が1次コイル2aの
非接地側端子に接続されてエキサイタコイル1の出力で
図示の極性に充電される点火エネルギー蓄積用コンデン
サ3bと、コンデンサ3bの一端と接地間にカソードを
接地側に向けて接続された1次電流制御用半導体スイッ
ヂとしてのサイリスタ3Cと、サイリスタ3Cのゲート
カソード間に接続された抵抗3dと、1次コイル2a′
の両端にカソードを接地側に向けて接続されたダイオー
ド3eとからなっていて、点火コイル2の2次コイル2
bに点火プラグ7が接続されている。
いて1は内燃機関により駆動される磁石発電機内に配置
されたエキサイタコイル、2は一端が接地された1次コ
イル2a及び2次コイル2bを有する点火コイル、3は
点火コイル2の1次電流を制御する1次電流制御回路で
ある。この例で示した1次電流制御回路3はコンデンサ
放電式の回路で、エキサイタコイル1の非接地側端子に
アノードが接続されたダイオード3aと、一端がダイオ
ード3aのカソードに接続され他端が1次コイル2aの
非接地側端子に接続されてエキサイタコイル1の出力で
図示の極性に充電される点火エネルギー蓄積用コンデン
サ3bと、コンデンサ3bの一端と接地間にカソードを
接地側に向けて接続された1次電流制御用半導体スイッ
ヂとしてのサイリスタ3Cと、サイリスタ3Cのゲート
カソード間に接続された抵抗3dと、1次コイル2a′
の両端にカソードを接地側に向けて接続されたダイオー
ド3eとからなっていて、点火コイル2の2次コイル2
bに点火プラグ7が接続されている。
この1次電流制御回路3はコンデンサ放電式の −回路
として知られているもので、サイリスタ3Cの導通によ
りコンデンサ3bの電荷を1次コイル2aに放電させて
点火コイルの2次コイル2bに点火用の高電圧を誘起さ
せ、該高電圧を点火プラグ7に印加して点火火花を生じ
させる。即ち、この点火装置では、サイリスタ(1次電
流制御用半導体スイッチ)3Gの導通時期が点火時期と
なる。
として知られているもので、サイリスタ3Cの導通によ
りコンデンサ3bの電荷を1次コイル2aに放電させて
点火コイルの2次コイル2bに点火用の高電圧を誘起さ
せ、該高電圧を点火プラグ7に印加して点火火花を生じ
させる。即ち、この点火装置では、サイリスタ(1次電
流制御用半導体スイッチ)3Gの導通時期が点火時期と
なる。
4はエキサイタコイル1の出力を整流平滑して直流電圧
を出力する電源回路で、この電源回路は、ダイオード4
a及び抵抗4bと、エキサイタコイル1の出力でダイオ
ード4a及び抵抗4bを通しそ充電される電源用コンデ
ンサ4Cと、コンデンサ4Cの両端電圧を一定に制限す
るツェナーダイオード4dとからなっている。
を出力する電源回路で、この電源回路は、ダイオード4
a及び抵抗4bと、エキサイタコイル1の出力でダイオ
ード4a及び抵抗4bを通しそ充電される電源用コンデ
ンサ4Cと、コンデンサ4Cの両端電圧を一定に制限す
るツェナーダイオード4dとからなっている。
5は内燃機関と同期回転する信号発電機内に配置された
信号発生手段としての信号コイルである。
信号発生手段としての信号コイルである。
この信号コイルは内燃機関の最大進角位置より位相が進
んだ位置θ2及び最大進角位置θ1でそれぞれ所定のス
レショールドレベル以上になる第1の信号Vs1及び第
2の信号Vs2を発生する。なお、水用a書及び図面第
5図において、各回転角度位置に示した符号(θに所定
の添字を付しである。)は機関の上死点TDCから各位
置まで進角側に図った角度を示している。この例では、
第5図(a)に示したように、第1の信号Vs1が負極
性の半サイクルの信号からなり、第2の信号Vs2が正
極性の半サイクルの信号からなっているシ ロは第1及び第2の信号Vs1及びVS2を入力として
内燃機関の点火時期に半導体スイッチとしてのサイリス
ク3Cを動作させる点火信号を発生する点火信号発生回
路で、この点火信号発生回路6は、第1の積分回路6a
と、第2の積分回路6bと、信号出力回路6Cとからな
っている。
んだ位置θ2及び最大進角位置θ1でそれぞれ所定のス
レショールドレベル以上になる第1の信号Vs1及び第
2の信号Vs2を発生する。なお、水用a書及び図面第
5図において、各回転角度位置に示した符号(θに所定
の添字を付しである。)は機関の上死点TDCから各位
置まで進角側に図った角度を示している。この例では、
第5図(a)に示したように、第1の信号Vs1が負極
性の半サイクルの信号からなり、第2の信号Vs2が正
極性の半サイクルの信号からなっているシ ロは第1及び第2の信号Vs1及びVS2を入力として
内燃機関の点火時期に半導体スイッチとしてのサイリス
ク3Cを動作させる点火信号を発生する点火信号発生回
路で、この点火信号発生回路6は、第1の積分回路6a
と、第2の積分回路6bと、信号出力回路6Cとからな
っている。
第1の積分回路6aは、信号コイル5が出力する負極性
の第1の信号Vs1が最大進角位置より位相が進んだ位
置θ2でスレショールビレベルVt以上になった時にコ
ンデンサC1及び抵抗R1の並列回路とダイオードD1
とを通してベース電流が与えられて導通する第1のスイ
ッチ素子としてのトランジスタT1と、トランジスタT
1が導通した時にコンデンサC2を通してベース電流が
与えられて導通する第2のスイッチ素子左してのトラン
ジスタT2と、トランジスタT2が導通した時に電源回
路4の出力電圧(コンデンサ4Cの両端電圧)Elによ
りトランジスタT2を通して瞬時に充電される第1の積
分コンデンサC3と、コンデンサC3の両端に並列接続
された抵抗R3と、コンデンサC2の電荷を放電させる
為に設けられた抵抗R2及びダイオードD2とからなっ
ている。
の第1の信号Vs1が最大進角位置より位相が進んだ位
置θ2でスレショールビレベルVt以上になった時にコ
ンデンサC1及び抵抗R1の並列回路とダイオードD1
とを通してベース電流が与えられて導通する第1のスイ
ッチ素子としてのトランジスタT1と、トランジスタT
1が導通した時にコンデンサC2を通してベース電流が
与えられて導通する第2のスイッチ素子左してのトラン
ジスタT2と、トランジスタT2が導通した時に電源回
路4の出力電圧(コンデンサ4Cの両端電圧)Elによ
りトランジスタT2を通して瞬時に充電される第1の積
分コンデンサC3と、コンデンサC3の両端に並列接続
された抵抗R3と、コンデンサC2の電荷を放電させる
為に設けられた抵抗R2及びダイオードD2とからなっ
ている。
この実施例では、コンデンサC2,抵抗R2及びダイオ
ードD2により微分回路が構成され、トランジスタ(第
1のスイッチ素子>TIのオンオフにより生じる矩形波
電圧Vq1を微分する微分回路が構成され、第1の信号
VS1がスレショールドレベル以上になった時にこの微
分回路が発生するパルスIs (第5図d参照)によ
りトランジスタ(第1のスイッチ素子)T2が瞬時的に
導通するようになっている。
ードD2により微分回路が構成され、トランジスタ(第
1のスイッチ素子>TIのオンオフにより生じる矩形波
電圧Vq1を微分する微分回路が構成され、第1の信号
VS1がスレショールドレベル以上になった時にこの微
分回路が発生するパルスIs (第5図d参照)によ
りトランジスタ(第1のスイッチ素子)T2が瞬時的に
導通するようになっている。
第2の積分回路6bは、信号コイル5が出力する正極性
の第2の信号VS2がスレショールドレベル以上になっ
た時に抵抗R4及びコンデンサC4の並列回路とダイオ
ードD3とを通してベース電流が与えられて導通ずるト
ランジスタT3と、トランジスタT3が導通した時に抵
抗R5を通してベース電流が与えられて導通するトラン
ジスタT4と、トランジスタT4のコレクタエミッタ間
回路を介して電源回路4の出力端子間に接続された抵抗
R6及びR7の直列回路と、トランジスタT4のコレク
タにコレクタが接続され抵抗R6及びR7の接続点にベ
ースが接続されてトランジスタT4の導通時に抵抗R6
を通してベース電流が与えられて導通するトランジスタ
T5と、トランジスタT4及びトランジスタT5を通し
て充電電流が与えられる第2の積分コンデンサC5と、
トランジスタT5のコレクタエミッタ間に接続された抵
抗R8とからなっている。
の第2の信号VS2がスレショールドレベル以上になっ
た時に抵抗R4及びコンデンサC4の並列回路とダイオ
ードD3とを通してベース電流が与えられて導通ずるト
ランジスタT3と、トランジスタT3が導通した時に抵
抗R5を通してベース電流が与えられて導通するトラン
ジスタT4と、トランジスタT4のコレクタエミッタ間
回路を介して電源回路4の出力端子間に接続された抵抗
R6及びR7の直列回路と、トランジスタT4のコレク
タにコレクタが接続され抵抗R6及びR7の接続点にベ
ースが接続されてトランジスタT4の導通時に抵抗R6
を通してベース電流が与えられて導通するトランジスタ
T5と、トランジスタT4及びトランジスタT5を通し
て充電電流が与えられる第2の積分コンデンサC5と、
トランジスタT5のコレクタエミッタ間に接続された抵
抗R8とからなっている。
信号出力回路6Cは、プログラマブルユニジャンクショ
ントランジスタ(以下PLITという。)Plと抵抗R
10及びR11とからなっている。PUTのアノードは
第2の積分コンデンサC5の非接地側端子に接続され、
ゲートは抵抗RIOを介して第1の積分コンデンサC3
の非接地側端子に接続されている。そしてPUTのカソ
ードが抵抗R11を介して1次電流制御回路3のサイリ
スタ(1次電流制御用半導体スイッチ)3cのゲート(
制御信号入力端子)に接続され、PUT PIの導通
時にサイリスタ3Cに点火信号■gが与えられて該サイ
リスタが導通する(点火動作が行なわれる)ようになっ
ている。
ントランジスタ(以下PLITという。)Plと抵抗R
10及びR11とからなっている。PUTのアノードは
第2の積分コンデンサC5の非接地側端子に接続され、
ゲートは抵抗RIOを介して第1の積分コンデンサC3
の非接地側端子に接続されている。そしてPUTのカソ
ードが抵抗R11を介して1次電流制御回路3のサイリ
スタ(1次電流制御用半導体スイッチ)3cのゲート(
制御信号入力端子)に接続され、PUT PIの導通
時にサイリスタ3Cに点火信号■gが与えられて該サイ
リスタが導通する(点火動作が行なわれる)ようになっ
ている。
次に上記実施例の動作を説明する。最大進角位置θ1よ
り進んだ位置θ2で第1の信号Vs1がスレショールド
レベル以上になると、トランジスタT1が導通し、該第
1の信号■S1がスレショールドレベル未満になるとト
ランジスタT1が遮断する。従って、トランジスタT1
のコレクタエミッタ間には第5図すに示すような、第1
の信号VSIがスレショールドレベル以上になっている
期間持続する矩形波信号VQ1が得られる。
り進んだ位置θ2で第1の信号Vs1がスレショールド
レベル以上になると、トランジスタT1が導通し、該第
1の信号■S1がスレショールドレベル未満になるとト
ランジスタT1が遮断する。従って、トランジスタT1
のコレクタエミッタ間には第5図すに示すような、第1
の信号VSIがスレショールドレベル以上になっている
期間持続する矩形波信号VQ1が得られる。
トランジスタT1が導通した時に電源回路4からトラン
ジスタT2のエミッタベース間を通してコンデンサC2
に電流が流れ、該コンデンサC2が充電される。このコ
ンデンサC2に充電電流が流れている間だけトランジス
タT2にベース電流が流れて該トランジスタT2が瞬時
的に導通する。
ジスタT2のエミッタベース間を通してコンデンサC2
に電流が流れ、該コンデンサC2が充電される。このコ
ンデンサC2に充電電流が流れている間だけトランジス
タT2にベース電流が流れて該トランジスタT2が瞬時
的に導通する。
このトランジスタT2の導通により、第1の積分コンデ
ンサC3が電源回路4の出力電圧E1まで瞬時に充電さ
れる。トランジスタT2が遮断すると、第1の積分コン
デンサC3の電荷は抵抗R3を通して所定の放電電流で
放電する。従って、第1の積分コンデンサC3の端子電
圧の波形は第5図(e)または(q)に示すように、角
度θ2の位置で立上がった後所定の勾配で下降して行く
波形となる。
ンサC3が電源回路4の出力電圧E1まで瞬時に充電さ
れる。トランジスタT2が遮断すると、第1の積分コン
デンサC3の電荷は抵抗R3を通して所定の放電電流で
放電する。従って、第1の積分コンデンサC3の端子電
圧の波形は第5図(e)または(q)に示すように、角
度θ2の位置で立上がった後所定の勾配で下降して行く
波形となる。
一方第2の積分回路6bでは、信号コイル5が出力する
第2の信号Vs2がRWJの最大進角位置θ1でスレシ
ョールドレベル以上になった時にトランジスタT3が導
通し、該第2の信号VS2がスレショールドレベル未満
になった時にトランジスタT3が遮断する。従ってトラ
ンジスタT3のコレクタエミッタ間の電圧VQ2の波形
は、第5図(C)に示すように、第2の信号VS2がス
レショールビレベルVt以上になっている期間持続する
矩形波となる。
第2の信号Vs2がRWJの最大進角位置θ1でスレシ
ョールドレベル以上になった時にトランジスタT3が導
通し、該第2の信号VS2がスレショールドレベル未満
になった時にトランジスタT3が遮断する。従ってトラ
ンジスタT3のコレクタエミッタ間の電圧VQ2の波形
は、第5図(C)に示すように、第2の信号VS2がス
レショールビレベルVt以上になっている期間持続する
矩形波となる。
この矩形波電圧V(12が発生している期間トランジス
タT4が導通する。第2の積分コンデンサC5は、トラ
ンジスタT4が導通した時に先ず電源電圧E1を抵抗R
6及びR7で分圧した電圧値E2(<El)まで瞬時に
充電され、次いで抵抗R8を通して追加充電される。こ
の第2の積分コンデンサC5の端子電圧Vc2の波形は
第5図(e)または(’lに示すようになる。
タT4が導通する。第2の積分コンデンサC5は、トラ
ンジスタT4が導通した時に先ず電源電圧E1を抵抗R
6及びR7で分圧した電圧値E2(<El)まで瞬時に
充電され、次いで抵抗R8を通して追加充電される。こ
の第2の積分コンデンサC5の端子電圧Vc2の波形は
第5図(e)または(’lに示すようになる。
尚、第5図(e)に示した第1及び第2の積分電圧VC
1及びVc2の波形は、点火時期が遅れていく回転領域
(遅角領域)における波形である。また第5図(Q)に
破線で示した波形は、点火時期の遅角が開始される設定
回転数以下の回転領域における波形であり、第5図i)
に実線で示した波形は、遅角が終了して点火時期が一定
に・なる回転領域での波形である。
1及びVc2の波形は、点火時期が遅れていく回転領域
(遅角領域)における波形である。また第5図(Q)に
破線で示した波形は、点火時期の遅角が開始される設定
回転数以下の回転領域における波形であり、第5図i)
に実線で示した波形は、遅角が終了して点火時期が一定
に・なる回転領域での波形である。
上記の点火装置において機関が遅角開始回転数未満の回
転数で回転しているとすると、第5図(Q)に破線で示
したように、第2の積分電圧■C2が最大進角位置θ1
で第1の積分電圧MCIに達するため、該最大進角位置
でPUT PIのアノード電圧がゲート電圧以上にな
る。従って遅角開始回転数以下の回転領域では、最大進
角位置θ1で該PLJTが導通してサイリスタ3Cにト
リガ信号が与えられ、該最大進角位置θ1で点火が行わ
れる。
転数で回転しているとすると、第5図(Q)に破線で示
したように、第2の積分電圧■C2が最大進角位置θ1
で第1の積分電圧MCIに達するため、該最大進角位置
でPUT PIのアノード電圧がゲート電圧以上にな
る。従って遅角開始回転数以下の回転領域では、最大進
角位置θ1で該PLJTが導通してサイリスタ3Cにト
リガ信号が与えられ、該最大進角位置θ1で点火が行わ
れる。
機関の回転数が遅角開始回転数N1以上になって遅角領
域に入ると、第5図(e)に示したように、最大進角位
置θ1より遅れた位置θdで第2の積分電圧Vc2が第
1の積分電圧VC1に達するため、最大進角位置より遅
れた位置θdでPUTPlのアノード電圧がゲート電圧
以上になり、該PUTが導通してサイリスタ3cにトリ
ガ信号が与えられる。従って遅角領域では、最大進角位
置θ1より遅れた位置θdで点火が行われる。機関の回
転数が上昇していくと、コンデンサC3の放電時間が短
くなっていくため、第1の積分電圧VC1が高くなって
いき、第2の積分電圧VC2が第1の積分電圧Vc1に
達する位相が遅れて行く。従って点火時期は回転数の上
昇に伴って遅角して行く。
域に入ると、第5図(e)に示したように、最大進角位
置θ1より遅れた位置θdで第2の積分電圧Vc2が第
1の積分電圧VC1に達するため、最大進角位置より遅
れた位置θdでPUTPlのアノード電圧がゲート電圧
以上になり、該PUTが導通してサイリスタ3cにトリ
ガ信号が与えられる。従って遅角領域では、最大進角位
置θ1より遅れた位置θdで点火が行われる。機関の回
転数が上昇していくと、コンデンサC3の放電時間が短
くなっていくため、第1の積分電圧VC1が高くなって
いき、第2の積分電圧VC2が第1の積分電圧Vc1に
達する位相が遅れて行く。従って点火時期は回転数の上
昇に伴って遅角して行く。
機関の回転数が遅角終了回転数N2まで上昇すると、第
5図(g)に示したように、最小進角位置θ3で第2の
積分電圧Vc2が第1の積分電圧VC1に達するように
なり、この最小進角位置θ3で点火動作が行われるよう
になる。この遅角終了回転数以上の回転領域では、第2
の積分電圧VC2が第1の積分電圧VC1に達すること
ができなくなるため、点火信号は発生せず、機関の点火
動作が行なわれなくなる。従って、機関の点火時期θi
の回転数N(rom)に対する特性は第6図に示すJ:
うになる。
5図(g)に示したように、最小進角位置θ3で第2の
積分電圧Vc2が第1の積分電圧VC1に達するように
なり、この最小進角位置θ3で点火動作が行われるよう
になる。この遅角終了回転数以上の回転領域では、第2
の積分電圧VC2が第1の積分電圧VC1に達すること
ができなくなるため、点火信号は発生せず、機関の点火
動作が行なわれなくなる。従って、機関の点火時期θi
の回転数N(rom)に対する特性は第6図に示すJ:
うになる。
上記実施例において、この遅角終了回転数を適当に設定
しておくと、機関の過回転防止を図ることができる。尚
機関の回転を制限しない場合には、遅角終了回転数を十
分高い値に設定しておく。
しておくと、機関の過回転防止を図ることができる。尚
機関の回転を制限しない場合には、遅角終了回転数を十
分高い値に設定しておく。
また上記の実施例において、最大遅角位置で信号出力回
路6Cとは別個の経路からサイリスタ3Cのゲートに点
火信号を供給するようにすると、遅角領域以上の回転領
域で点火時期を一定にする特性を得ることもできる。例
えば、上記実施例において、矩形波電圧Vq2の立下り
を微分して得たパルスをサイリスタ3dのゲートに供給
することにより、遅角領域以上の回転領域で点火時期を
角度θ4の位置に固定することができる。
路6Cとは別個の経路からサイリスタ3Cのゲートに点
火信号を供給するようにすると、遅角領域以上の回転領
域で点火時期を一定にする特性を得ることもできる。例
えば、上記実施例において、矩形波電圧Vq2の立下り
を微分して得たパルスをサイリスタ3dのゲートに供給
することにより、遅角領域以上の回転領域で点火時期を
角度θ4の位置に固定することができる。
上記実施例において、コンデンサC1及びC5の静電容
aをそれぞれ同じ符号で表すものとし、機関の回転数を
N1第1の積分コンデンサC3の放電が開始する位置か
ら第2の信号Vs2がスレショールドレベル以上になる
位置θ1までの角度をα、角度θ1の位置から点火時期
までの角度をβ、第1の積分コンデンサC3の放電電流
を11、第2の積分コンデンサC5の充電電流を12と
すると、 ・第1の積分電圧Vc1及び第2の積分電圧VC2は、
Vcl −El −(11(α+β)/(6NC3))
・・・(1) Vc2=E2 + (I2 β)/ (6NC5)
・ (2) ”Vc2=VC1となった時に
点火動作が行なわれるため、上記の2式において、V
c2= V clとおき、βを求めると、 β−((C3C5)/ (I2 C3+ It C3)
) X(6N (El −E2)−(11/C5)α)
・・・(3) ここで、N=N1の時、β=Oとおくと、6 (El
−E2)= (α/N1) (11/C3)・・・(4
) (4)式を(3)式に代入してβを求めると、β= (
II C5)/ (I2 C3+ 11 C3)Xα(
(N/N1)−1) ・・・(5)定数に= (11
C5)/ (12G3 +II C5)とおくと、 β=にα((N/N111 ) (6)
(6)式より、回転数Nの変化量に対して点火時期βの
変化量を大きくするためには、角度αを大きくすれば良
いことが分る。上記の実施例のように、第1の積分回路
6aに微分回路を設けて、第1の信号VSIがスレショ
ールドレベル以上になった後直ぐに第1の積分コンデン
サの放電を開始させるようにすれば、信号幅の広い正弦
波状の信号Vs1を用いても角度αを大ぎくすることが
できるので、特殊な磁極構造の信号発電機を用いること
無く遅角曾を大きくとることができる。
aをそれぞれ同じ符号で表すものとし、機関の回転数を
N1第1の積分コンデンサC3の放電が開始する位置か
ら第2の信号Vs2がスレショールドレベル以上になる
位置θ1までの角度をα、角度θ1の位置から点火時期
までの角度をβ、第1の積分コンデンサC3の放電電流
を11、第2の積分コンデンサC5の充電電流を12と
すると、 ・第1の積分電圧Vc1及び第2の積分電圧VC2は、
Vcl −El −(11(α+β)/(6NC3))
・・・(1) Vc2=E2 + (I2 β)/ (6NC5)
・ (2) ”Vc2=VC1となった時に
点火動作が行なわれるため、上記の2式において、V
c2= V clとおき、βを求めると、 β−((C3C5)/ (I2 C3+ It C3)
) X(6N (El −E2)−(11/C5)α)
・・・(3) ここで、N=N1の時、β=Oとおくと、6 (El
−E2)= (α/N1) (11/C3)・・・(4
) (4)式を(3)式に代入してβを求めると、β= (
II C5)/ (I2 C3+ 11 C3)Xα(
(N/N1)−1) ・・・(5)定数に= (11
C5)/ (12G3 +II C5)とおくと、 β=にα((N/N111 ) (6)
(6)式より、回転数Nの変化量に対して点火時期βの
変化量を大きくするためには、角度αを大きくすれば良
いことが分る。上記の実施例のように、第1の積分回路
6aに微分回路を設けて、第1の信号VSIがスレショ
ールドレベル以上になった後直ぐに第1の積分コンデン
サの放電を開始させるようにすれば、信号幅の広い正弦
波状の信号Vs1を用いても角度αを大ぎくすることが
できるので、特殊な磁極構造の信号発電機を用いること
無く遅角曾を大きくとることができる。
上記の実施例において、機関が逆回転させられようとし
た場合を考えると、信号コイル5に誘起する信号電圧の
波形は第5図(a)に破線で示したようになり、点火時
期はG1゛の位置となる。この点火位置θ1°は機関の
逆転時には上死点TDCよりかなり遅れた位置となる。
た場合を考えると、信号コイル5に誘起する信号電圧の
波形は第5図(a)に破線で示したようになり、点火時
期はG1゛の位置となる。この点火位置θ1°は機関の
逆転時には上死点TDCよりかなり遅れた位置となる。
従って機関は正常に点火されず、逆回転が維持されるの
が阻止される。
が阻止される。
上記の実施例においては、第1の信号VS1を負極性と
し、第2の信号Vs2を正極性としたが、第1の信号V
siを正極性とし、第2の信号Vs2を負極性としても
、同様の回路を構成することができる。
し、第2の信号Vs2を正極性としたが、第1の信号V
siを正極性とし、第2の信号Vs2を負極性としても
、同様の回路を構成することができる。
上記の実施例においては、第1の積分コンデンサC3を
抵抗R3を通して放電させているが、この第1の積分コ
ンデンサC3を定電流回路を通して放電させるようにし
てもよい。
抵抗R3を通して放電させているが、この第1の積分コ
ンデンサC3を定電流回路を通して放電させるようにし
てもよい。
また上記の実施例においては、第2の積分コンデンサC
5を抵抗R8を通して充電するとしたが、定電流回路を
通してこのコンデンサC5を充電するようにしてもよい
。
5を抵抗R8を通して充電するとしたが、定電流回路を
通してこのコンデンサC5を充電するようにしてもよい
。
上記の実施例では、信号出力回路6Cを構成する比較回
路としてPUTを用いたが、通常の電圧比較器を用いて
信号出力回路を構成することもできる。
路としてPUTを用いたが、通常の電圧比較器を用いて
信号出力回路を構成することもできる。
上記の実施例のように、最大進角位置より進んだ位置で
一定の電圧まで立上がった後一定の勾配で下降する波形
の第1の積分電圧VC1と、最大進角位置θ1で一定の
電圧まで立上がった後一定の勾配で上昇していく波形の
第2の積分電圧VC2とを得て両積分電圧を比較し、第
2の積分電圧が第1の積分電圧に達した時に点火信号を
出力させるようにすると、遅角開始回転数未満の回転領
域において両積分電圧間に点火信号を発生させる条件が
成立する位置が最大進角位置より進むことがない。従っ
て遅角開始回転数未満の回転領域において点火時期が最
大進角位置より進まないようにするだめの制御回路を信
号出力回路に設ける必要がなくなり、信号出力回路の構
成を簡単にすることができる。
一定の電圧まで立上がった後一定の勾配で下降する波形
の第1の積分電圧VC1と、最大進角位置θ1で一定の
電圧まで立上がった後一定の勾配で上昇していく波形の
第2の積分電圧VC2とを得て両積分電圧を比較し、第
2の積分電圧が第1の積分電圧に達した時に点火信号を
出力させるようにすると、遅角開始回転数未満の回転領
域において両積分電圧間に点火信号を発生させる条件が
成立する位置が最大進角位置より進むことがない。従っ
て遅角開始回転数未満の回転領域において点火時期が最
大進角位置より進まないようにするだめの制御回路を信
号出力回路に設ける必要がなくなり、信号出力回路の構
成を簡単にすることができる。
上記実施例で用いる電源回路4は、第2図に示す回路で
も良い。この電源回路においては、エキサイタコイル1
の負の極性の(コンデンサ3の充電に寄与しない、即ち
点火エネルギーの供給には寄与しない半サイクルの)出
力電圧でコンデンサ4gがダイオード4e及び4fを通
して図示の極性に充電される。コンデンサ4qの充電が
終了するとこのコンデンサ4Qの電荷がダイオード4a
を通してコンデンサ4Cに移行し、該コンデンサ4Cが
図示の極性に充電される。・このコンデンナ4Cの端子
電圧はツェナーダイオード4dにより一定1iE1に制
限される。抵抗4hはコンデンナの放電用である。
も良い。この電源回路においては、エキサイタコイル1
の負の極性の(コンデンサ3の充電に寄与しない、即ち
点火エネルギーの供給には寄与しない半サイクルの)出
力電圧でコンデンサ4gがダイオード4e及び4fを通
して図示の極性に充電される。コンデンサ4qの充電が
終了するとこのコンデンサ4Qの電荷がダイオード4a
を通してコンデンサ4Cに移行し、該コンデンサ4Cが
図示の極性に充電される。・このコンデンナ4Cの端子
電圧はツェナーダイオード4dにより一定1iE1に制
限される。抵抗4hはコンデンナの放電用である。
また上記実施例において電源回路として、第3図に示す
回路を用いることもできる。この電源回路においては、
エキサイタコイル1の負の極性の半サイクルの出力でダ
イオード4aを通してコンデンサ4cが図示の極性に充
電される。このコンデンサ4cの端子電圧が設定値に達
すると、ツェナーダイオード4dが導通してサイリスタ
4kに点弧信号を供給するため該サイリスタ4kが導通
してコンデンサ41の充電電流を該コンデンサ41から
側路し、コンデンサ41の端子電圧を一定[Elに制限
する。
回路を用いることもできる。この電源回路においては、
エキサイタコイル1の負の極性の半サイクルの出力でダ
イオード4aを通してコンデンサ4cが図示の極性に充
電される。このコンデンサ4cの端子電圧が設定値に達
すると、ツェナーダイオード4dが導通してサイリスタ
4kに点弧信号を供給するため該サイリスタ4kが導通
してコンデンサ41の充電電流を該コンデンサ41から
側路し、コンデンサ41の端子電圧を一定[Elに制限
する。
上記の実施例においては、コンデンサ放電式の1次電流
制御回路を備えた点火装置に本発明を適用したが、第4
図に示すような電流遮断式の1次′ 電流制御回路3が
用いられる点火装置にも本発明を適用することができる
。第4図に示す点火装置においては、エキサイタコイル
1に正の半サイクルの出力が発生すると、1次コイル2
aを通してトランジスタ3gにベース電流が流れ、該ト
ランジスタ3qが導通する。これによりエキサイタコイ
ル1からダイオード3f及びトランジスタ3qを通して
短絡電流が流れる。次いで1次電流制御用半導体スイッ
チとしてのサイリスク3cのゲートに点火信号が与えら
れると、該サイリスタ3cが導通し、トランジスタ3q
を遮断させる。これニヨリエキサイタコイル1を流れて
いた電流が遮断されるため、該エキサイタコイルに高い
電圧が誘起し、この電圧が点火コイル2により更に昇圧
されて点火プラグPに印加される。しがってこの点火装
置においても、サイリスタ3Cの導通時に点火動作が行
われる。
制御回路を備えた点火装置に本発明を適用したが、第4
図に示すような電流遮断式の1次′ 電流制御回路3が
用いられる点火装置にも本発明を適用することができる
。第4図に示す点火装置においては、エキサイタコイル
1に正の半サイクルの出力が発生すると、1次コイル2
aを通してトランジスタ3gにベース電流が流れ、該ト
ランジスタ3qが導通する。これによりエキサイタコイ
ル1からダイオード3f及びトランジスタ3qを通して
短絡電流が流れる。次いで1次電流制御用半導体スイッ
チとしてのサイリスク3cのゲートに点火信号が与えら
れると、該サイリスタ3cが導通し、トランジスタ3q
を遮断させる。これニヨリエキサイタコイル1を流れて
いた電流が遮断されるため、該エキサイタコイルに高い
電圧が誘起し、この電圧が点火コイル2により更に昇圧
されて点火プラグPに印加される。しがってこの点火装
置においても、サイリスタ3Cの導通時に点火動作が行
われる。
尚、1次電流制御用半導体スイッチとしてはサイリスタ
以外の素子を用いることもできる。例えば第4図のサイ
リスタ3cをトランジスタで置換えることもできる。
以外の素子を用いることもできる。例えば第4図のサイ
リスタ3cをトランジスタで置換えることもできる。
[発明の効果]
以上のように、本発明によれば、最大進角位置θ1より
位相が進んだ位置で一定の電圧まで立上がった後一定の
勾配で下降する波形の第1の積分電圧Vc1と、最大進
角位置θ1で一定の電圧まで立上がった後所定の勾配で
上昇する波形の第2の積分電圧Vc2とを得て両積分電
圧を比較し、第2の積分電圧が第1の積分電圧に達した
時に点火信号を出力させるようにしたので、遅角開始回
転数未満の回転領域において最大進角位置より進んだ位
置で2つの積分電圧間に点火信号を発生させる条件が満
されることはない。従って、点火時期を最大進角位置と
最小進角位置との間に制限するための制御回路を信号出
力回路に設ける必要がなくなるので、回路構成を簡単に
することができる利点がある。また第1の信号は最大進
角位置より位相が進んだ位置で発生していればよく、第
1の信号がスレショールドレベル以上になる位置と第2
の信号がスレショールドレベル以上になる位置との間の
角度幅は機関の遅角幅より狭くても良いので、信号発生
手段としては、1回転当り1サイクルの信号を発生する
通常の信号発電機内の発電コイルを用いることができ、
信号発電機の構成を簡単にすることができる。更に、本
考案によれば、lN11が逆回転させられようとした時
に、点火信号が発生する位置が上死点よりかなり遅れた
位置になるので、機関の逆回転を阻止することができる
利点もある。
位相が進んだ位置で一定の電圧まで立上がった後一定の
勾配で下降する波形の第1の積分電圧Vc1と、最大進
角位置θ1で一定の電圧まで立上がった後所定の勾配で
上昇する波形の第2の積分電圧Vc2とを得て両積分電
圧を比較し、第2の積分電圧が第1の積分電圧に達した
時に点火信号を出力させるようにしたので、遅角開始回
転数未満の回転領域において最大進角位置より進んだ位
置で2つの積分電圧間に点火信号を発生させる条件が満
されることはない。従って、点火時期を最大進角位置と
最小進角位置との間に制限するための制御回路を信号出
力回路に設ける必要がなくなるので、回路構成を簡単に
することができる利点がある。また第1の信号は最大進
角位置より位相が進んだ位置で発生していればよく、第
1の信号がスレショールドレベル以上になる位置と第2
の信号がスレショールドレベル以上になる位置との間の
角度幅は機関の遅角幅より狭くても良いので、信号発生
手段としては、1回転当り1サイクルの信号を発生する
通常の信号発電機内の発電コイルを用いることができ、
信号発電機の構成を簡単にすることができる。更に、本
考案によれば、lN11が逆回転させられようとした時
に、点火信号が発生する位置が上死点よりかなり遅れた
位置になるので、機関の逆回転を阻止することができる
利点もある。
第1図は本発明の一実施例を示す回路図、第2図及び第
3図はそれぞれ第1図の実施例で用いる電源回路の異な
る変形例を示した回路図、第4図は本発明を適用し得る
点火装置の他の例を示す回路図、第5図は第1図の実施
例の動作を説明するための各部の信号波形図、第6図は
第1図の実施例により得られる点火特性の一例を示した
線図、第7図は従来の電子制御式点火装置の動作を説明
する線図である。 1・・・エキサイタコイル、2・・・点火コイル、3・
・・1次電流制御回路、4・・・電源回路、5・・・信
号コイル、6・・・信号発生回路、6a・・・第1の積
分回路、6b・・・第2の積分回路、6C・・・信号出
力回路、VSl・・・第1の信号、VS2・・・第2の
信号、VCI・・・第1の積分電圧、Vc2・・・第2
の積分電圧。
3図はそれぞれ第1図の実施例で用いる電源回路の異な
る変形例を示した回路図、第4図は本発明を適用し得る
点火装置の他の例を示す回路図、第5図は第1図の実施
例の動作を説明するための各部の信号波形図、第6図は
第1図の実施例により得られる点火特性の一例を示した
線図、第7図は従来の電子制御式点火装置の動作を説明
する線図である。 1・・・エキサイタコイル、2・・・点火コイル、3・
・・1次電流制御回路、4・・・電源回路、5・・・信
号コイル、6・・・信号発生回路、6a・・・第1の積
分回路、6b・・・第2の積分回路、6C・・・信号出
力回路、VSl・・・第1の信号、VS2・・・第2の
信号、VCI・・・第1の積分電圧、Vc2・・・第2
の積分電圧。
Claims (2)
- (1)点火コイルと、半導体スイッチの動作により前記
点火コイルの1次電流を制御して該点火コイルの2次コ
イルに点火用の高電圧を誘起させる1次電流制御回路と
、内燃機関回転に同期して第1の信号と該第1の信号よ
り位相が遅れた第2の信号とを出力する信号発生手段と
、前記第1及び第2の信号を入力として内燃機関の点火
時期に前記半導体スイッチを動作させる点火信号を発生
する点火信号発生回路とを備えた内燃機関用点火装置に
おいて、 前記信号発生手段は内燃機関の最大進角位置で前記第2
の信号をスレショールドレベル以上にするように構成さ
れ、 前記点火信号発生回路は、 前記第1の信号がスレショールドレベル以上になった時
に第1の積分コンデンサを瞬時に充電し該第1の信号が
再びスレショールドレベル以上になるまでの間該第1の
積分コンデンサを所定の放電電流で放電させる積分動作
を行う第1の積分回路と、 前記第2の信号がスレショールドレベル以上になる最大
進角位置で第2の積分コンデンサを瞬時に充電してから
該第2の積分コンデンサを追加充電して該第2の積分コ
ンデンサの端子電圧を所定の勾配で上昇させる積分動作
を行う第2の積分回路と、 第1の積分コンデンサの端子電圧と第2の積分コンデン
サの端子電圧とを比較して第2の積分コンデンサの端子
電圧が第1の積分コンデンサの端子電圧に達した時に点
火信号を発生する信号出力回路とを備えたことを特徴と
する内燃機関用点火装置。 - (2)点火コイルと、半導体スイッチの動作により前記
点火コイルの1次電流を制御して該点火コイルの2次コ
イルに点火用の高電圧を誘起させる1次電流制御回路と
、内燃機関の回転に同期して第1の信号と該第1の信号
より位相が遅れた第2の信号とを出力する信号発生手段
と、前記第1及び第2の信号を入力として内燃機関の点
火時期に前記半導体スイッチを動作させる点火信号を発
生する点火信号発生回路とを備えた内燃機関用点火装置
において、 前記信号発生手段は前記内燃機関と同期回転する信号発
電機内に配置されて第1の極性の半サイクルの信号電圧
と内燃機関の最大進角位置でスレショールドレベル以上
になる第2の極性の半サイクルの信号電圧とを続いて出
力する信号コイルからなっていて該第1の極性の半サイ
クルの信号電圧及び第2の極性の信号電圧がそれぞれ前
記第1の信号及び第2の信号とされ、 前記点火信号発生回路は、 前記第1の信号がスレショールドレベル以上になった時
に第1の積分コンデンサを瞬時に充電し該第1の信号が
再びスレショールドレベル以上なるまでの間該第1の積
分コンデンサを所定の放電電流で放電させる積分動作を
行う第1の積分回路と、 前記第2の信号がスレショールドレベル以上になる最大
進角位置で第2の積分コンデンサを瞬時に充電してから
該第2の積分コンデンサを追加充電して該第2の積分コ
ンデンサの端子電圧を所定の勾配で上昇させる積分動作
を行う第2の積分回路と、 第1の積分コンデンサの端子電圧と第2の積分コンデン
サの端子電圧とを比較して第2の積分コンデンサの端子
電圧が第1の積分コンデンサの端子電圧に達した時に点
火信号を発生する信号出力回路とを備え、且つ、 前記第1の積分回路は、前記第1の信号がスレショール
ドレベル以上になっている期間導通する第1のスイッチ
素子と、前記第1のスイッチ素子のオンオフにより得ら
れる矩形波信号を微分する微分回路と、前記第1の信号
がスレショールドレベル以上になった時に前記微分回路
が出力するパルスによりトリガされて瞬時的に導通して
前記第1の積分コンデンサに直流電圧を印加する第2の
スイッチ素子と、前記第1の積分コンデンサを所定の電
流で放電させる放電回路とを備えていることを特徴とす
る内燃機関用点火装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12578785A JPS61283765A (ja) | 1985-06-10 | 1985-06-10 | 内燃機関用点火装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12578785A JPS61283765A (ja) | 1985-06-10 | 1985-06-10 | 内燃機関用点火装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61283765A true JPS61283765A (ja) | 1986-12-13 |
Family
ID=14918849
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12578785A Pending JPS61283765A (ja) | 1985-06-10 | 1985-06-10 | 内燃機関用点火装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61283765A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5844272A (ja) * | 1981-09-09 | 1983-03-15 | Hitachi Ltd | 無接点点火装置 |
| JPS6085255A (ja) * | 1983-10-14 | 1985-05-14 | Nippon Denso Co Ltd | 内燃機関用点火時期制御装置 |
-
1985
- 1985-06-10 JP JP12578785A patent/JPS61283765A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5844272A (ja) * | 1981-09-09 | 1983-03-15 | Hitachi Ltd | 無接点点火装置 |
| JPS6085255A (ja) * | 1983-10-14 | 1985-05-14 | Nippon Denso Co Ltd | 内燃機関用点火時期制御装置 |
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