JPS61284936A - 集積回路装置に使用するプログラマブル・マクロセル - Google Patents
集積回路装置に使用するプログラマブル・マクロセルInfo
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- JPS61284936A JPS61284936A JP61127413A JP12741386A JPS61284936A JP S61284936 A JPS61284936 A JP S61284936A JP 61127413 A JP61127413 A JP 61127413A JP 12741386 A JP12741386 A JP 12741386A JP S61284936 A JPS61284936 A JP S61284936A
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- H03K19/02—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
- H03K19/173—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using elementary logic circuits as components
- H03K19/1733—Controllable logic circuits
- H03K19/1735—Controllable logic circuits by wiring, e.g. uncommitted logic arrays
- H03K19/1736—Controllable logic circuits by wiring, e.g. uncommitted logic arrays in which the wiring can be modified
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- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
- H03K17/693—Switching arrangements with several input- or output-terminals, e.g. multiplexers, distributors
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- H03K19/1733—Controllable logic circuits
- H03K19/1737—Controllable logic circuits using multiplexers
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- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔利用分野〕
本発明は、全体としてプログラマブル論理回路に関する
ものであシ、更に詳しくいえば、アーキテクチャ制御の
ためのプログラマブル集積回路論理アレイ装置における
EPROM )ランジスタ素子またはEEPROM )
?レジスタ素子の使用に関するものである。
ものであシ、更に詳しくいえば、アーキテクチャ制御の
ためのプログラマブル集積回路論理アレイ装置における
EPROM )ランジスタ素子またはEEPROM )
?レジスタ素子の使用に関するものである。
集積回路(IC)の使用においては、ICの動作を特定
の用途に合わせて調整するようにICをプログラムでき
ることが望ましい0更に、末端ユーザーが自己の特定の
用途に最も良く合うものを選択できる特徴の一覧表を用
意することも望ましい。
の用途に合わせて調整するようにICをプログラムでき
ることが望ましい0更に、末端ユーザーが自己の特定の
用途に最も良く合うものを選択できる特徴の一覧表を用
意することも望ましい。
一覧表から諸項目を選択することはICのアーキテクチ
ャを構成するものということができ、ICアーキテクチ
ャを選択する種々の手段が現在使用されている。一般に
使用されている方法として(11目的に合ったマスクを
用いること、(2)出力がアーキテクチャ制御として機
能するような「モード」レジスタ(記憶素子)または「
制御」レジスタを設けること、である。しかし、それら
の方法にはいくつかの欠点がある。
ャを構成するものということができ、ICアーキテクチ
ャを選択する種々の手段が現在使用されている。一般に
使用されている方法として(11目的に合ったマスクを
用いること、(2)出力がアーキテクチャ制御として機
能するような「モード」レジスタ(記憶素子)または「
制御」レジスタを設けること、である。しかし、それら
の方法にはいくつかの欠点がある。
第1の方法、すなわち、ICの製造に使用されるマスク
をプログラムする方法の欠点は、製造中にICの構成を
実現せねばならないことである。
をプログラムする方法の欠点は、製造中にICの構成を
実現せねばならないことである。
通常は、そのようなプログラミングはIC製造の金属マ
スキング工程中に行わなければならない。
スキング工程中に行わなければならない。
このや)方の欠点は、製造作業を終る前に構造選択を行
わなければならず、そのために製造着手から完成までに
長い時間がかかシ、製造、試験に伴う製造上の諸問題と
、特注IC装置の在庫に伴う在庫調査の問題がひき起さ
れることである。また、後で変更を求められると、半製
品を注文に沿った構成にすることを行5製造段階をこえ
て行われた全ての在庫調査が古くなシ、無駄になる0第
2の方法、すなわち、モードレジスタを使用する方法は
、製造が完了した後でIC部品を目的に合わせて構成で
きるから、製造着手から完成までに長い時間がかかる問
題と、製造の問題および在庫調査の問題が解決される。
わなければならず、そのために製造着手から完成までに
長い時間がかかシ、製造、試験に伴う製造上の諸問題と
、特注IC装置の在庫に伴う在庫調査の問題がひき起さ
れることである。また、後で変更を求められると、半製
品を注文に沿った構成にすることを行5製造段階をこえ
て行われた全ての在庫調査が古くなシ、無駄になる0第
2の方法、すなわち、モードレジスタを使用する方法は
、製造が完了した後でIC部品を目的に合わせて構成で
きるから、製造着手から完成までに長い時間がかかる問
題と、製造の問題および在庫調査の問題が解決される。
いいかえると、変更を求められた時に、モードレジスタ
に新しい値を書込むことによfi IC装置を再プロ
グラムできる。この方法の欠点は、装置への電力供給が
断たれた時にレジスタのデータが失われることである。
に新しい値を書込むことによfi IC装置を再プロ
グラムできる。この方法の欠点は、装置への電力供給が
断たれた時にレジスタのデータが失われることである。
その結果、そのような特徴を有する装置の用途が制限さ
れる。
れる。
したがって、本発明の目的は、プログラマブル論理アレ
イ装置において選択的にアーキテクチャ制御を行う改良
した方法および装置を得ることでおる。
イ装置において選択的にアーキテクチャ制御を行う改良
した方法および装置を得ることでおる。
本発明の別の目的は、IC装置において選択的なアーキ
テクチャ制御を行えるようにするためにEPROM ま
たはEEPROMを用いる装置を得ることである。
テクチャ制御を行えるようにするためにEPROM ま
たはEEPROMを用いる装置を得ることである。
本発明の別の目的は、IC装置の回路アーキテクチャを
ユーザーが用途に合わせて構成できるようにするために
、IC装置に組込まれる選択可能な回路装置を得ること
である。
ユーザーが用途に合わせて構成できるようにするために
、IC装置に組込まれる選択可能な回路装置を得ること
である。
本発明の別の目的は、集積回路マクロセルの機能の消去
可能なプログラミングを行えるようKするために1その
マクロセルに含ませるEPROMアーキテクチャ制御回
路を得ることである。
可能なプログラミングを行えるようKするために1その
マクロセルに含ませるEPROMアーキテクチャ制御回
路を得ることである。
本発明の更に別の目的は、EPROM装置がプログラマ
ブル素子として使用されるプログラマブル・マクロセル
を得ることである。
ブル素子として使用されるプログラマブル・マクロセル
を得ることである。
要約すれば、本発明の好適な実施例は、IC装置におい
てアーキテクチャ制御を選択的に行うEPROM (ま
たはEEPROM) ) 7ンジスタを用いる回路装置
を含む。その基本回路はEPROM トランジスタと読
出し/書込み制御回路および検出回路の組合わせで構成
される。通常は、EPROM )ランジスタのドレイン
およびゲートは読出し/書込み制御回路により制御され
、そのトランジスタのソースは接地される。検出回路も
そのトランジスタのソースに接続されて、そのトランジ
スタのプログラムされた状態またはプログラムされてい
ない状態を決定し、それに応答してIC装置の他の回路
で使用される出力信号を発生する。
てアーキテクチャ制御を選択的に行うEPROM (ま
たはEEPROM) ) 7ンジスタを用いる回路装置
を含む。その基本回路はEPROM トランジスタと読
出し/書込み制御回路および検出回路の組合わせで構成
される。通常は、EPROM )ランジスタのドレイン
およびゲートは読出し/書込み制御回路により制御され
、そのトランジスタのソースは接地される。検出回路も
そのトランジスタのソースに接続されて、そのトランジ
スタのプログラムされた状態またはプログラムされてい
ない状態を決定し、それに応答してIC装置の他の回路
で使用される出力信号を発生する。
本発明の利点には、アーキテクチャ制御のためにEPR
OMトランジスタを使用することKよシ、従来の装置に
おける多くの問題を解決できることが含まれる。たとえ
ば特製の金属マスクの使用が不用であるから、特注品の
在庫を積増す必要はない。更に、EPROM (または
EEPROM) トランジスタは従来のモードレジス
タの代シをするが、ひとたびプログラムされると、 I
C装置への電力供給が断たれたとしてもそれらのトラン
ジスタはプログラミングを失うことがない。また、以前
のプログラムを消去し、 EPROMを再することによ
りブログラミングの変更を行うことができる。
OMトランジスタを使用することKよシ、従来の装置に
おける多くの問題を解決できることが含まれる。たとえ
ば特製の金属マスクの使用が不用であるから、特注品の
在庫を積増す必要はない。更に、EPROM (または
EEPROM) トランジスタは従来のモードレジス
タの代シをするが、ひとたびプログラムされると、 I
C装置への電力供給が断たれたとしてもそれらのトラン
ジスタはプログラミングを失うことがない。また、以前
のプログラムを消去し、 EPROMを再することによ
りブログラミングの変更を行うことができる。
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する0本発明
の説明に先立って、制御信号を発生するために本発明に
従って使用できる従来の周知のEP ROMスイッチン
グ回路が示されている第1図を参照する。この説明のた
めにNチャネル・トランジスタを代表的に示しているが
、Pチャネル・トランジスタも同様に使用できることが
わかるであろう。更に、また、EPROMという用語は
EP ROM装置とEPROM装置の両方を含むことを
意図していることも理解すべきである。第1図において
、トランジスタ10のゲート12が入力端子14に接続
され、ドレイン18が出力点20に接続されるとともに
、負荷抵抗22を介して電源端子24における電源電圧
Vecに接続される0このトランジスタの浮動ゲート1
3が最初はプログ2ムされていないと仮定すると、この
トランジスタは以下に述べるようにして動作することを
予測できる。あるしきい値電圧(Vt)より高い正の電
圧が制御ゲート12へ与えられると、そのトランジスタ
のゲート領域の下側にチャネルが常に誘起され、そのチ
ャネルによりトレイン領域とソース領域の間に電流が流
れることができるようになる。典型的なNチャネル浮動
ゲート装置においては、しきい値電圧Vtは約1.5ボ
ルトである。
の説明に先立って、制御信号を発生するために本発明に
従って使用できる従来の周知のEP ROMスイッチン
グ回路が示されている第1図を参照する。この説明のた
めにNチャネル・トランジスタを代表的に示しているが
、Pチャネル・トランジスタも同様に使用できることが
わかるであろう。更に、また、EPROMという用語は
EP ROM装置とEPROM装置の両方を含むことを
意図していることも理解すべきである。第1図において
、トランジスタ10のゲート12が入力端子14に接続
され、ドレイン18が出力点20に接続されるとともに
、負荷抵抗22を介して電源端子24における電源電圧
Vecに接続される0このトランジスタの浮動ゲート1
3が最初はプログ2ムされていないと仮定すると、この
トランジスタは以下に述べるようにして動作することを
予測できる。あるしきい値電圧(Vt)より高い正の電
圧が制御ゲート12へ与えられると、そのトランジスタ
のゲート領域の下側にチャネルが常に誘起され、そのチ
ャネルによりトレイン領域とソース領域の間に電流が流
れることができるようになる。典型的なNチャネル浮動
ゲート装置においては、しきい値電圧Vtは約1.5ボ
ルトである。
制御ゲートへ通常与えられる信号の値は通常はO〜5ボ
ルトである。入力端子14へ入力電圧が与えられないと
、トランジスタ10は非導通状態であシ、回路点20の
電位が負荷抵抗22を通じて電源電圧Vccへ引上げら
れ、したがって論理1状態になることがわかるであろう
。
ルトである。入力端子14へ入力電圧が与えられないと
、トランジスタ10は非導通状態であシ、回路点20の
電位が負荷抵抗22を通じて電源電圧Vccへ引上げら
れ、したがって論理1状態になることがわかるであろう
。
一方、入力電圧Vcc (公称5ボルト)がゲート12
へ与えられると、トランジスタ10は導通状態にされて
端子24とアースの間に負荷抵抗22を通じた電流路を
形成する。トランジスタ10が導通状態にある時に回路
点20に現われる制御信号が、その制御信号により制御
される回路のしきい値電圧よシ低いように、負荷抵抗2
2とトランジスタ10は構成される。したがって、トラ
ンジスタ10が導通状態の時は、回路点2Gはアース電
位へ向って引下げられ、したがって論理0となる0 電荷を浮動ゲート13の上に捕えておくことにより)ラ
ンジスタ10の実効しきい値が変えられる。更に詳しく
いえば、高い電圧(典型的には21ボルト)を制御電極
とドレインに加えることにより、電子を浮動ゲート13
へ流すことができる。
へ与えられると、トランジスタ10は導通状態にされて
端子24とアースの間に負荷抵抗22を通じた電流路を
形成する。トランジスタ10が導通状態にある時に回路
点20に現われる制御信号が、その制御信号により制御
される回路のしきい値電圧よシ低いように、負荷抵抗2
2とトランジスタ10は構成される。したがって、トラ
ンジスタ10が導通状態の時は、回路点2Gはアース電
位へ向って引下げられ、したがって論理0となる0 電荷を浮動ゲート13の上に捕えておくことにより)ラ
ンジスタ10の実効しきい値が変えられる。更に詳しく
いえば、高い電圧(典型的には21ボルト)を制御電極
とドレインに加えることにより、電子を浮動ゲート13
へ流すことができる。
その高い電圧が除去されても、電荷は浮動ゲート13に
捕えられたままであシ、実効しきい値電圧を制御ゲート
12に通常与えられている電圧よシ高い電圧まで上昇さ
せる。そのような高い電圧の印加と、その後の浮動ゲー
ト上における電荷の捕獲は「プログラミング」と呼ばれ
る。
捕えられたままであシ、実効しきい値電圧を制御ゲート
12に通常与えられている電圧よシ高い電圧まで上昇さ
せる。そのような高い電圧の印加と、その後の浮動ゲー
ト上における電荷の捕獲は「プログラミング」と呼ばれ
る。
トランジスタ10がプログラムされ死後で、Veeのよ
うな5ボルト信号がゲート12に与えられたとすると、
ソースとドレインの間にチャネルが形成され、それらの
間には電流は流れない。したがって、トランジスタ10
は非導通状態を保って、回路点20は負荷抵抗22を通
じてvcCまで引上けられる。したがって、回路点22
に発生される制御信号は制御すべき回路のしきい値電圧
よシ高く、そのために論理1状態にあると考えられる0 したがって、EPROM装置はプログラム可能なスイッ
チと考えることができる。プログラムされてない状態に
おいては、制御電極12へのOボルトまたは5ボルトの
印加に応じてスイッチはそれぞれ開き、閉じる。一方、
プログラムされた状態においては、制御電極12へのO
ポルトまたは5ポルトの電圧の印加とは無関係に、スイ
ッチは開かれたままである。正常な環境条件の下におい
ては、電荷は浮動ゲート上に非常に長期間、典型的には
10年間以上、補えられた11である。
うな5ボルト信号がゲート12に与えられたとすると、
ソースとドレインの間にチャネルが形成され、それらの
間には電流は流れない。したがって、トランジスタ10
は非導通状態を保って、回路点20は負荷抵抗22を通
じてvcCまで引上けられる。したがって、回路点22
に発生される制御信号は制御すべき回路のしきい値電圧
よシ高く、そのために論理1状態にあると考えられる0 したがって、EPROM装置はプログラム可能なスイッ
チと考えることができる。プログラムされてない状態に
おいては、制御電極12へのOボルトまたは5ボルトの
印加に応じてスイッチはそれぞれ開き、閉じる。一方、
プログラムされた状態においては、制御電極12へのO
ポルトまたは5ポルトの電圧の印加とは無関係に、スイ
ッチは開かれたままである。正常な環境条件の下におい
ては、電荷は浮動ゲート上に非常に長期間、典型的には
10年間以上、補えられた11である。
次に、制御すべき論理回路またはその他の回路32に接
続されているアーキテクチャ制御回路30を含むマクロ
セル28を代表的に示すブロック図が示されている第2
図を参照する。本発明に従って、制御回路30はEPR
OM (またはEEPROM)トランジスタ34と、読
出し/書込み制御回路36と、検出回路38とで構成さ
れる。典型的にはトランジスタ34のドレイン40とゲ
ート42は読出し/書込み制御回路36によ多制御され
、ソースは接地される。検出回路40はドレイン40を
制御すべき回路32に接続する。更に、検出回路38は
トランジスタ34のプログラムされた状態またはプログ
ラムされてない状態を検出し、回路点46に対応する論
理1出力信号または論理0出力信号を発生する。それら
の出力信号は被制御回路32の1つまたはそれ以上の補
助回路を制御するために用いられる。
続されているアーキテクチャ制御回路30を含むマクロ
セル28を代表的に示すブロック図が示されている第2
図を参照する。本発明に従って、制御回路30はEPR
OM (またはEEPROM)トランジスタ34と、読
出し/書込み制御回路36と、検出回路38とで構成さ
れる。典型的にはトランジスタ34のドレイン40とゲ
ート42は読出し/書込み制御回路36によ多制御され
、ソースは接地される。検出回路40はドレイン40を
制御すべき回路32に接続する。更に、検出回路38は
トランジスタ34のプログラムされた状態またはプログ
ラムされてない状態を検出し、回路点46に対応する論
理1出力信号または論理0出力信号を発生する。それら
の出力信号は被制御回路32の1つまたはそれ以上の補
助回路を制御するために用いられる。
第2図には1つのEPROMアーキテクチャ制御回路3
0として示されているが、通常の場合には、参照符号3
2に示されているようなある特定の論理回路またはその
他の回路の動作を選択的に特徴づけることができるよう
にするために、そのような回路を複数個組合わせること
ができる。しかし、いくつかのアーキテクチャ制御回路
の所期の機能は被制御回路の特定のゲートへ論理1と論
理Oを入力して、それらの回路の動作特性を特定の用途
に合うように調整できるようにすることである。
0として示されているが、通常の場合には、参照符号3
2に示されているようなある特定の論理回路またはその
他の回路の動作を選択的に特徴づけることができるよう
にするために、そのような回路を複数個組合わせること
ができる。しかし、いくつかのアーキテクチャ制御回路
の所期の機能は被制御回路の特定のゲートへ論理1と論
理Oを入力して、それらの回路の動作特性を特定の用途
に合うように調整できるようにすることである。
次に伝送ゲートマルチプレクサ回路を制御するためにE
PROM制御回路が用いられる用途に用いられる、本発
明の一実施例の詳しい回路図が示されている第3図を参
照する。この実施例においては、マルチプレクサ回路3
2に組合わされた3個のアーキテクチャ制御回路30.
30’、30’が示されている。それはアンド−オア論
理アレイ40の出力と帰還およびIloの間の信号伝送
を制御するために使用される。全体のアーキテクチャ制
御装置は3個のアーキテクチャ制御回路30.30’。
PROM制御回路が用いられる用途に用いられる、本発
明の一実施例の詳しい回路図が示されている第3図を参
照する。この実施例においては、マルチプレクサ回路3
2に組合わされた3個のアーキテクチャ制御回路30.
30’、30’が示されている。それはアンド−オア論
理アレイ40の出力と帰還およびIloの間の信号伝送
を制御するために使用される。全体のアーキテクチャ制
御装置は3個のアーキテクチャ制御回路30.30’。
30〃を含み、それらの各アーキテクチャ制御回路は読
出し/書込み制御回路36.36’、36#と、EPR
OM 34 、34’、 34’と、検出回路38.3
8’、38〃を含む。
出し/書込み制御回路36.36’、36#と、EPR
OM 34 、34’、 34’と、検出回路38.3
8’、38〃を含む。
前記のように、被制御回路32はスイッチングトランジ
スタ50,52.54で構成された3人力伝送ゲートマ
ルチプレクサである。それらのスイッチングトランジス
タは、本願出願人が米国特許を受ける権利を有する、1
984年5月4日付の未決の米国特許出願筒06/60
7,018 に開示されているような種類のアンド−
オアアレイ・マクロセルの一部を構成する。図示のよう
に、トランジスタ50がアンド−オアアレイ40の出力
端子を帰還ループ内の増幅器56に接続し、トランジス
タ52がDフリップフロップ56の出力端子を増幅器5
6に選択的に接続し、トランジスタ54がI10パッド
64をI10ドライバ62を介して増幅器56に接続す
る。制御回路30により、図示のアレイを構成するため
にゲート50〜54の任意の組合わせを作動させること
ができることがわかるであろう。
スタ50,52.54で構成された3人力伝送ゲートマ
ルチプレクサである。それらのスイッチングトランジス
タは、本願出願人が米国特許を受ける権利を有する、1
984年5月4日付の未決の米国特許出願筒06/60
7,018 に開示されているような種類のアンド−
オアアレイ・マクロセルの一部を構成する。図示のよう
に、トランジスタ50がアンド−オアアレイ40の出力
端子を帰還ループ内の増幅器56に接続し、トランジス
タ52がDフリップフロップ56の出力端子を増幅器5
6に選択的に接続し、トランジスタ54がI10パッド
64をI10ドライバ62を介して増幅器56に接続す
る。制御回路30により、図示のアレイを構成するため
にゲート50〜54の任意の組合わせを作動させること
ができることがわかるであろう。
制御回路30は、書込み制御回路36がPチャネル負荷
トランジスタ102と、3個の引下げ(プルダウン)ト
ランジスタ103,104,105と、ブロッキング・
トランジスタ106と、3個のPチャネル・トランジス
タ107と108および109と2個のNチャネル・ト
ランジスタ110,111で構成されたレベル移動器す
なわち翻訳回路とで構成されることがわかるであろう。
トランジスタ102と、3個の引下げ(プルダウン)ト
ランジスタ103,104,105と、ブロッキング・
トランジスタ106と、3個のPチャネル・トランジス
タ107と108および109と2個のNチャネル・ト
ランジスタ110,111で構成されたレベル移動器す
なわち翻訳回路とで構成されることがわかるであろう。
引下げトランジスタ103.104,105のゲートは
アドレス端子111.122.123 に接続される0
前記翻訳回路の出力端子はEPROM 34のゲートに
接続される。書込み制御回路36はNチャネル・トラン
ジスタ 113とNチャネル・トランジスタ114も含
む。それらのトランジスタのゲートはプログラムデータ
入力端子112へ接続されて、その入力端子へ与えられ
た入力を反転する。書込み制御回路36はトランジスタ
115も含み、このトランジスタのゲートはトランジス
タ113,114のドレインに接続される。トランジス
タ115のソース116はEPROM34のドレインに
接続される。
アドレス端子111.122.123 に接続される0
前記翻訳回路の出力端子はEPROM 34のゲートに
接続される。書込み制御回路36はNチャネル・トラン
ジスタ 113とNチャネル・トランジスタ114も含
む。それらのトランジスタのゲートはプログラムデータ
入力端子112へ接続されて、その入力端子へ与えられ
た入力を反転する。書込み制御回路36はトランジスタ
115も含み、このトランジスタのゲートはトランジス
タ113,114のドレインに接続される。トランジス
タ115のソース116はEPROM34のドレインに
接続される。
検出回路38はゲート制御トランジスタ 132と、P
チャネル負荷装置134と、Pチャネル・トランジスタ
136とNチャネル・トランジスタ137〜139を含
むシュミット・トリガ回路135とを含む。このシュミ
ット・トリガ回路の出力点141がマルチプレクサ回路
32のトランジスタ50のゲートに接続される。
チャネル負荷装置134と、Pチャネル・トランジスタ
136とNチャネル・トランジスタ137〜139を含
むシュミット・トリガ回路135とを含む。このシュミ
ット・トリガ回路の出力点141がマルチプレクサ回路
32のトランジスタ50のゲートに接続される。
同様に、読出し/書込み制御回路36’、36’と、E
PROM )ランジスタ34’、34’および検出回路
38’、38#で構成された他の2つ(tたはそれ以上
)の制御回路がトランジスタ52.54のゲートにそれ
ぞれ接続される。各続出し/書込み制御回路36.36
’、36#は共通データ線112 と共通アドレス線1
21〜123を共用する。適切なアドレス線を読出し/
iF込み制御回路36’、36’にインターフェイスす
る丸めにインバータを使用することにより、プログラム
データ入力線上のデータ信号入力によりブログラムすべ
きEPROM 34’、 341 の特定の1つを選
択できるようにする。
PROM )ランジスタ34’、34’および検出回路
38’、38#で構成された他の2つ(tたはそれ以上
)の制御回路がトランジスタ52.54のゲートにそれ
ぞれ接続される。各続出し/書込み制御回路36.36
’、36#は共通データ線112 と共通アドレス線1
21〜123を共用する。適切なアドレス線を読出し/
iF込み制御回路36’、36’にインターフェイスす
る丸めにインバータを使用することにより、プログラム
データ入力線上のデータ信号入力によりブログラムすべ
きEPROM 34’、 341 の特定の1つを選
択できるようにする。
次に第2図および第3図に示す回路の動作を説明する。
EPROM )ランジスタ34.34’、34”が最初
は消去状態にあシ、ある値を浮動ゲートに書込みたいと
仮定する。ことでの説明のために、トランジスタ34の
みについての書込み動作を説明するが、トランジスタ3
4’、34’についてもその書込み動作は同様である。
は消去状態にあシ、ある値を浮動ゲートに書込みたいと
仮定する。ことでの説明のために、トランジスタ34の
みについての書込み動作を説明するが、トランジスタ3
4’、34’についてもその書込み動作は同様である。
書込み動作中はV p p/ V c c線がVcc(
典型的には21ボルト)へ切換えられる0トランジスタ
102は負荷トランジスタとして機能し、トランジスタ
103,104,105は3人カッアゲートを構成する
引下げトランジスタである0アドレス線121,122
,123が全て論理0であるとすると、回路点101へ
与えられるそのノアゲートの出力は論理1となる。トラ
ンジスタ106のゲートにvCCが与えられるとそのト
ランジスタは導通状態にされ、論理1が回路点117へ
通じる。トランジスタ106のゲートへ電圧Vaaが印
加されているから、回路点117における最初の電圧は
Vae−Vt すなわち約4ボルトである。この電圧は
トランジスタ110を導通状態にするKは十分高いが、
Pチャネル・トランジスタ108を導通状態にするため
には不十分である。
典型的には21ボルト)へ切換えられる0トランジスタ
102は負荷トランジスタとして機能し、トランジスタ
103,104,105は3人カッアゲートを構成する
引下げトランジスタである0アドレス線121,122
,123が全て論理0であるとすると、回路点101へ
与えられるそのノアゲートの出力は論理1となる。トラ
ンジスタ106のゲートにvCCが与えられるとそのト
ランジスタは導通状態にされ、論理1が回路点117へ
通じる。トランジスタ106のゲートへ電圧Vaaが印
加されているから、回路点117における最初の電圧は
Vae−Vt すなわち約4ボルトである。この電圧は
トランジスタ110を導通状態にするKは十分高いが、
Pチャネル・トランジスタ108を導通状態にするため
には不十分である。
トランジスタ110が導通状態であると、回路点118
がアース電位へ向って引下げられ始める0そうするとP
チャネル・トランジスタ107が導通状態にされ、回路
点117をVPpにする。そのVpPによりトランジス
タ108は十分に非導通状態にされる。回路点118が
アース電位であると、Nチャネル・トランジスタ111
が非導通状態で、Pチャネル・トランジスタ109が導
通状態にされ、そのために回路点119がvppへ引上
げられる。これはEPROM )ランジスタ3Bの希望
するプログラミング・ゲート電圧である。線112はプ
ログラムすべきデータを含む。線112上のデータが論
理0であると、トランジスタ115が導通状態にされ、
EPROM トランジスタ34のドレイン133がN
チャネル・トランジスタ115を通じてvppに引下げ
られるから、EPROM )ランジスタ34はプログラ
ムされる。線112における信号入力が論理1であると
、トランジスタ115は非導通状態のままであj7 、
EPROM )ランジスタはプログラムされない。
がアース電位へ向って引下げられ始める0そうするとP
チャネル・トランジスタ107が導通状態にされ、回路
点117をVPpにする。そのVpPによりトランジス
タ108は十分に非導通状態にされる。回路点118が
アース電位であると、Nチャネル・トランジスタ111
が非導通状態で、Pチャネル・トランジスタ109が導
通状態にされ、そのために回路点119がvppへ引上
げられる。これはEPROM )ランジスタ3Bの希望
するプログラミング・ゲート電圧である。線112はプ
ログラムすべきデータを含む。線112上のデータが論
理0であると、トランジスタ115が導通状態にされ、
EPROM トランジスタ34のドレイン133がN
チャネル・トランジスタ115を通じてvppに引下げ
られるから、EPROM )ランジスタ34はプログラ
ムされる。線112における信号入力が論理1であると
、トランジスタ115は非導通状態のままであj7 、
EPROM )ランジスタはプログラムされない。
EPROM )ランジスタ34がプログラムされると
、そのプログラムされた状態が検出回路38により検出
される。プログラミング後の正常な動作においては、線
112が論理1にされて、Vpp/VeeがvCCにさ
れ、線121,122,123が論理OKされるから、
回路点119はVccレベルにされる。
、そのプログラムされた状態が検出回路38により検出
される。プログラミング後の正常な動作においては、線
112が論理1にされて、Vpp/VeeがvCCにさ
れ、線121,122,123が論理OKされるから、
回路点119はVccレベルにされる。
次の検出回路38の動作を説明する。まず、EPROM
トランジスタ34が消去状態にあると仮定する。そのト
ランジスタのゲートに5ボルトが印加されるとそのトラ
ンジスタは導通状態にされる。
トランジスタ34が消去状態にあると仮定する。そのト
ランジスタのゲートに5ボルトが印加されるとそのトラ
ンジスタは導通状態にされる。
Pチャネル・トランジスタ134はパスケート・トラン
ジスタ132を介してトランジスタ34のための負荷素
子として機能する。EPROM )う/ラスタ34が消
去状態にある時に回路点140の電位がアース電位(論
理0)に近いように、トランジスタ132 、134お
よびEPROM トランジスタ34の容量が選択される
。その回路点140の電位はシュミットトリガ回路13
5により検出される。回路点140の電位が論理0であ
ると回路点141の電位は論理1である。
ジスタ132を介してトランジスタ34のための負荷素
子として機能する。EPROM )う/ラスタ34が消
去状態にある時に回路点140の電位がアース電位(論
理0)に近いように、トランジスタ132 、134お
よびEPROM トランジスタ34の容量が選択される
。その回路点140の電位はシュミットトリガ回路13
5により検出される。回路点140の電位が論理0であ
ると回路点141の電位は論理1である。
次に、EPROM )ランジスタ34がプログラムされ
て、非導通状態になっていると仮定する。そうすると、
そのトランジスタのゲートに5ボルトが印加されて、そ
のトランジスタは依然として非導通状態にある。その状
態はシュミトトリガ回路135により検出され、論理O
が回路点141において検出される。したがって、プロ
グラムされたEPROM )ランジスタは回路点141
に論理0を発生する。
て、非導通状態になっていると仮定する。そうすると、
そのトランジスタのゲートに5ボルトが印加されて、そ
のトランジスタは依然として非導通状態にある。その状
態はシュミトトリガ回路135により検出され、論理O
が回路点141において検出される。したがって、プロ
グラムされたEPROM )ランジスタは回路点141
に論理0を発生する。
同様にして、EPROM )ランジスタ34’、34N
がそれぞれの読出し/書込み制御回路36’、36’に
よりブログラムできる08280Mトランジスタ34.
34’、34”がプログラムされると、線142.24
2,34.2に発生された制御信号を用いて伝送マルチ
プレクサ(TMUX) を制御する。典型的には、T
MUXにおいてはただ1つの信号路だけが動作する。た
とえば、トランジスタ5oのゲートが論理1であシ、ト
ランジスタ52.54のゲートが論理Oであると仮定す
ると、アンド/オア論理アレイ40からのデータが線4
2とトランジスタ50を通って回路点44へ与えられ、
その回路点においてマルチプレクサ増幅器56にょシ増
幅され、(この実施例においては)アンド/オアアレイ
40へ戻る。(トランジスタ50ではなくて)トランジ
スタ52が選択されたとすると、Dフリップ70ツブ6
0からのデータがアンド/オアアレイ40へ帰還される
。トランジスタ54が選択されたものとすると、I10
バッドデータが増幅器56を通ってアンド/オア論理ア
レイ40へ送られる。
がそれぞれの読出し/書込み制御回路36’、36’に
よりブログラムできる08280Mトランジスタ34.
34’、34”がプログラムされると、線142.24
2,34.2に発生された制御信号を用いて伝送マルチ
プレクサ(TMUX) を制御する。典型的には、T
MUXにおいてはただ1つの信号路だけが動作する。た
とえば、トランジスタ5oのゲートが論理1であシ、ト
ランジスタ52.54のゲートが論理Oであると仮定す
ると、アンド/オア論理アレイ40からのデータが線4
2とトランジスタ50を通って回路点44へ与えられ、
その回路点においてマルチプレクサ増幅器56にょシ増
幅され、(この実施例においては)アンド/オアアレイ
40へ戻る。(トランジスタ50ではなくて)トランジ
スタ52が選択されたとすると、Dフリップ70ツブ6
0からのデータがアンド/オアアレイ40へ帰還される
。トランジスタ54が選択されたものとすると、I10
バッドデータが増幅器56を通ってアンド/オア論理ア
レイ40へ送られる。
他の多くの回路も以上説明したようなEPROMアーキ
テクチャ制御回路により制御できる。たとえば、第4図
はEPROMアーキテクチャ制御回路70が制御線T2
に制御信号Cを発生するような反転制御回路を示す。制
御信号Cを排他的ノアゲート74の1つの入力端子へ与
えることにより、回路点T6における出力信号Yは、回
路点78における論理信号■と同じか、それの論理的に
反転されたものである。下記の表は信号C,I、Yの真
理値表を示す。
テクチャ制御回路により制御できる。たとえば、第4図
はEPROMアーキテクチャ制御回路70が制御線T2
に制御信号Cを発生するような反転制御回路を示す。制
御信号Cを排他的ノアゲート74の1つの入力端子へ与
えることにより、回路点T6における出力信号Yは、回
路点78における論理信号■と同じか、それの論理的に
反転されたものである。下記の表は信号C,I、Yの真
理値表を示す。
OOO
この表から、C=0の時はY=Iであシ、C=1の実は
Y=Iであることがわかるであろう。
Y=Iであることがわかるであろう。
第5図は、複数のEPROMアーキテクチャ制御回路8
0,81.82が制御信号CI、C2,・・・Cnを、
アンドゲート83,84.85で構成されているマルチ
プレクシフグ回路へ与えるデジタル・マルチプレクサを
示す。それらのアンドゲートの出力信号がオアゲート8
6表与えられる。オアゲート8Bの出力Yは全ての信号
II、I2.・・・xnの論理和である。それの制御信
号において制御信号CI、C2,・・・Cnは論理1に
セットされる。
0,81.82が制御信号CI、C2,・・・Cnを、
アンドゲート83,84.85で構成されているマルチ
プレクシフグ回路へ与えるデジタル・マルチプレクサを
示す。それらのアンドゲートの出力信号がオアゲート8
6表与えられる。オアゲート8Bの出力Yは全ての信号
II、I2.・・・xnの論理和である。それの制御信
号において制御信号CI、C2,・・・Cnは論理1に
セットされる。
この回路の論理式は次の通りである。
Y=C111+C2I2+ ・・・ Cn−1Inたと
えば、C1=O、C2=1 、03〜Cn−0とすると
Yミニ2である。
えば、C1=O、C2=1 、03〜Cn−0とすると
Yミニ2である。
第6図にはマルチプレクサ回路の別の例が示されている
。このマルチプレクサ回路においては、バスゲー)TI
、T2・・・TnがEPROMアーキテクチャ制御回路
87,88.89にょシ制御される。
。このマルチプレクサ回路においては、バスゲー)TI
、T2・・・TnがEPROMアーキテクチャ制御回路
87,88.89にょシ制御される。
伝送ゲートマルチプレクサと通常呼ばれるこの種の回路
においては、ただ1つのパスゲートをイネイプル状態に
でき、または回路点91に衝突が存在して、出力信号が
不定となる。ただ1つの制御信号、たとえばC1、が論
理1であると仮定すると回路は下記のように動作する。
においては、ただ1つのパスゲートをイネイプル状態に
でき、または回路点91に衝突が存在して、出力信号が
不定となる。ただ1つの制御信号、たとえばC1、が論
理1であると仮定すると回路は下記のように動作する。
トランジスタT1が導通状態にされ、トランジスタT2
〜Tnが非導通状態にされる。そうすると信号DSLが
回路点90へ送られる。その信号DSIが論理Oでちる
とすると、回路点90は論理Oに引下げられ、インバー
タ92の出力91は論理1であシ、その論理l出力91
によj5)ランジスタTPIが非導通状態にされる。し
たがって、インバータ93の出力93は論理Oである。
〜Tnが非導通状態にされる。そうすると信号DSLが
回路点90へ送られる。その信号DSIが論理Oでちる
とすると、回路点90は論理Oに引下げられ、インバー
タ92の出力91は論理1であシ、その論理l出力91
によj5)ランジスタTPIが非導通状態にされる。し
たがって、インバータ93の出力93は論理Oである。
次に、信号DSIが論理1になると仮定する。
最初に回路点90はVce−Vt (制御信号C1の
論理ルベルがVccであると仮定する)になるだけであ
る。回路点94の電位を低レベルに引下げることを開始
させるのにVa e −Vt が十分であるように、イ
ンバータ92は構成される。そうするとトランジスタT
pl導通状態にされ、回路点90はVceに引下げられ
る。そうすると、回路点94における論理0に応答して
出力Yが論理1になる。
論理ルベルがVccであると仮定する)になるだけであ
る。回路点94の電位を低レベルに引下げることを開始
させるのにVa e −Vt が十分であるように、イ
ンバータ92は構成される。そうするとトランジスタT
pl導通状態にされ、回路点90はVceに引下げられ
る。そうすると、回路点94における論理0に応答して
出力Yが論理1になる。
第7図には伝送ゲートマルチプレクサの特殊な例が示さ
れている。この伝送ゲートマルチプレクサにおいては、
反転制御を行うためにEPROMアーキテクチャ制御回
路95が用いられる。このEPROMアーキテクチャ制
御回路においては、EPROMアーキテクチャ制御ビッ
トCピット2つの伝送ゲートTI、T2が制御される。
れている。この伝送ゲートマルチプレクサにおいては、
反転制御を行うためにEPROMアーキテクチャ制御回
路95が用いられる。このEPROMアーキテクチャ制
御回路においては、EPROMアーキテクチャ制御ビッ
トCピット2つの伝送ゲートTI、T2が制御される。
反転制御線96の状態に応じて、伝送ゲー) TIがオ
ンで、T2がオフでらるか、T1がオフで、T2がオン
であるかのいずれかである。T1がオンであると、論理
信号2が回路点97へ送られ、その後で(第6図におけ
るように)マルチプレクサ増幅器を通って出力端子98
へ送られる。この場合には、出力98は入力2と同じ論
理値を有する。一方、 T2がオンであると、論理信号
2は反転ゲート99により反転されてから、回路点9T
を経て出力端子98へ送られる。この場合には、出力9
8は入力信号2の論理補数である。したがって、第7図
に示す回路はEPROM制御ピットにより制御されるプ
ログ2ム可能なインバータとして機能する。
ンで、T2がオフでらるか、T1がオフで、T2がオン
であるかのいずれかである。T1がオンであると、論理
信号2が回路点97へ送られ、その後で(第6図におけ
るように)マルチプレクサ増幅器を通って出力端子98
へ送られる。この場合には、出力98は入力2と同じ論
理値を有する。一方、 T2がオンであると、論理信号
2は反転ゲート99により反転されてから、回路点9T
を経て出力端子98へ送られる。この場合には、出力9
8は入力信号2の論理補数である。したがって、第7図
に示す回路はEPROM制御ピットにより制御されるプ
ログ2ム可能なインバータとして機能する。
以上、各種の回路のための制御手段として利用できる特
定の好適な実施例について本発明を説明したが、上記説
明を読むことにより、当業者であれば他の回路および他
の実用例を構成できることが明らかである。
定の好適な実施例について本発明を説明したが、上記説
明を読むことにより、当業者であれば他の回路および他
の実用例を構成できることが明らかである。
第1図はアーキテクチャ制御素子として使用するために
構成され九EPROM)ランジスタを示す回路図、第2
図は本発明のアーキテクチャ制御回路の基本的な部品を
示す全体的なブロック図、第3図は伝送ゲートマルチプ
レクサ回路で使用される本発明の一実施例のブロック回
路図、第4図は反転制御回路に本発明を使用している様
子を示すブロック図、第5図はデジタル・マルチプレク
サ回路における本発明の使用を示すブロック図、第6図
は伝送ゲートマルチプレクサ回路における本発明の使用
を示すブロック図、第7図は伝送ゲート反転制御回路に
おける本発明の使用を示すブロック図である。 28・・1111フロクラマプル・マクロセル、30.
70.80〜82.87〜89.95−・・−アーキテ
クチャ制御回路、34・・・・EPROM )ランジス
タ、36・・・・読出し/書込み制御回路、38−・・
−検出回路、56・・・・マルチプレクサ増幅器、 1
35・・・・シュミットトリガ回路。
構成され九EPROM)ランジスタを示す回路図、第2
図は本発明のアーキテクチャ制御回路の基本的な部品を
示す全体的なブロック図、第3図は伝送ゲートマルチプ
レクサ回路で使用される本発明の一実施例のブロック回
路図、第4図は反転制御回路に本発明を使用している様
子を示すブロック図、第5図はデジタル・マルチプレク
サ回路における本発明の使用を示すブロック図、第6図
は伝送ゲートマルチプレクサ回路における本発明の使用
を示すブロック図、第7図は伝送ゲート反転制御回路に
おける本発明の使用を示すブロック図である。 28・・1111フロクラマプル・マクロセル、30.
70.80〜82.87〜89.95−・・−アーキテ
クチャ制御回路、34・・・・EPROM )ランジス
タ、36・・・・読出し/書込み制御回路、38−・・
−検出回路、56・・・・マルチプレクサ増幅器、 1
35・・・・シュミットトリガ回路。
Claims (14)
- (1)プログラム制御信号に応答し、それらの制御信号
により選択された特定のオペレーションを入力データ信
号に対して行い、相応する出力データ信号を発生するた
めに動作する電子回路装置と、1つまたはそれ以上のア
ーキテクチヤ制御回路を含むアーキテクチヤ制御装置と を備え、各アーキテクチヤ制御回路は、 プログラムされた時に第1の状態の論理信号を発生し、
プログラムされてない時に第2の論理信号を発生するプ
ログラマブルEPROM装置と、入力プログラムデータ
信号および対応するアドレス信号に応答して、プログラ
ミング電位を前記EPROM装置に与えることによりそ
のEPROM装置をプログラムするように動作する読出
しおよび書込み制御手段と、 前記EPROM装置のプログラムされた状態またはプロ
グラムされてない状態を検出し、前記電子回路装置へ入
力させる相応する制御信号を発生する検出手段と を備えることを特徴とする集積回路装置に用いるプログ
ラマブル・マクロセル。 - (2)特許請求の範囲第1項記載のプログラマブル・マ
クロセルであつて、ノアゲートを有する反転制御回路を
含み、前記ノアゲートの1つの入力端子は前記制御信号
を受け、前記ノアゲートの別の入力端子は前記入力デー
タ信号を受け、それにより前記反転制御回路は、関連す
るEPROM装置が前記第1の状態にある時に前記入力
データ信号を反転させ、前記EPROM装置が前記第2
の状態にある時に前記入力データ信号を反転させないこ
とを特徴とするプログラマブル・マクロセル。 - (3)特許請求の範囲第1項記載のプログラマブル・マ
クロセルであつて、前記電子回路装置は複数のアンドゲ
ートを有するデジタルマルチプレクサ手段を含み、各ア
ンドゲートは前記アーキテクチヤ制御回路装置により発
生された少くとも1つの入力データ信号と制御信号を受
け、前記アンドゲートの出力は出力オアゲートにおいて
一緒に論理和をとられ、その出力オアゲートは前記制御
信号の特定の1つにより選択された前記入力データ信号
の1つに対応する出力信号を発生することを特徴とする
プログラマブル・マクロセル。 - (4)特許請求の範囲第1項記載のプログラマブル・マ
クロセルであつて、前記電子回路装置は伝送ゲートマル
チプレクサ手段を含み、その伝送ゲートマルチプレクサ
手段はマルチプレクサ増幅器と、それぞれの入力データ
受信端子と前記マルチプレクサ増幅器の間に接続された
複数のトランジスタ・スイッチング手段とを有し、各ト
ランジスタ・スイッチング手段の各スイッチング素子の
ゲート電極は前記アーキテクチヤ制御回路装置から制御
信号を受けるようになつており、それにより対応するE
PROM装置をプログラミングすることによつて前記ス
イッチング手段の任意の1つを選択できることを特徴と
するプログラマブル・マクロセル。 - (5)特許請求の範囲第4項記載のプログラマブル・マ
クロセルであつて、前記各トランジスタ・スイッチング
手段は第1の並列回路を含み、この第1の並列回路の第
1の分岐は対応する入力データ受信端子と前記マルチプ
レクサ増幅器の間に結合された第1のトランジスタ・ス
イツチング素子を含み、この第1のトランジスタ・スイ
ッチング素子のゲート電極は信号反転手段を介して前記
アーキテクチヤ制御装置の出力端子に結合され、前記第
1の並列回路の第2の分岐は前記入力データ受信端子と
前記マルチプレクサ増幅器の間に直列接続された信号反
転手段と第2のトランジスタ・スイッチング素子を含み
、前記第2のトランジスタ・スイッチング素子のゲート
電極は前記アーキテクチヤ制御装置の前記出力端子に直
結され、それによりプログラムされたEPROM装置が
前記分岐の一方を導通させ、前記分岐の他方を非導通と
し、プログラムされてないEPROM装置が前記他方の
分岐を導通させ、前記一方の分岐を非導通にすることを
特徴とするプログラマブル・マクロセル。 - (6)特許請求の範囲第1項記載のプログラマブル・マ
クロセルであつて、前記読出し/書込み制御手段は、前
記プログラムデータ信号に応答して前記プログラミング
電位を関連するEPROM装置のドレインに与えるよう
に動作するプログラミング回路と、前記アドレッシング
信号に応答するノアゲートと、このノアゲートの出力に
応答して前記プログラミング電位を前記EPROM装置
のゲート電極に結合してそれのプログラミングを行うこ
とを特徴とするプログラマブル・マクロセル。 - (7)特許請求の範囲第6項記載のプログラマブル・マ
クロセルであつて、前記プログラミング回路は、前記プ
ログラミング電位を前記EPROM装置のドレインに結
合する第2のトランジスタ・スイッチング装置と、前記
プログラムデータ信号を反転するために前記EPROM
装置のゲート電極に結合される反転回路とを含むことを
特徴とするプログラマブル・マクロセル。 - (8)特許請求の範囲第7項記載のプログラマブル・マ
クロセルであつて、前記検出手段は前記EPROM装置
のドレイン電極に結合されて、そのEPROM装置のプ
ログラムされた状態またはプログラムされてない状態に
対応する制御信号を発生することを特徴とするプログラ
マブル・マクロセル。 - (9)特許請求の範囲第8項記載のプログラマブル・マ
クロセルであつて、前記アーキテクチヤ制御装置は、第
1の制御信号と第2の制御信号および第3の制御信号を
発生する3個のアーキテクチヤ制御回路を含み、 前記電子回路装置は、DフリップフロップのD入力端子
に結合される出力端子を有するアンド−オア論理アレイ
と、このアンド−オアアレイの出力端子とマルチプレク
サ増幅器の間に結合された第2のトランジスタ・スイッ
チング素子と、前記DフリップフロップのQ出力端子と
前記マルチプレクサ増幅器の入力端子に結合された第3
のトランジスタ・スイッチング素子と、I/Oドライバ
回路と前記マルチプレクサ増幅器の間に結合された第4
のスイッチング素子とを含み、前記マルチプレクサ増幅
器の出力端子は前記アンド−オア論理アレイへ導く帰還
回路に接続され、前記第2のスイッチング素子のゲート
電極は前記第1の制御信号を受けるようにされ、前記第
3のスイッチング素子のゲート電極は前記第2の制御信
号を受けるようにされ、前記第4のスイッチング素子の
ゲート電極は前記第3の制御信号を受けるようにされる
ことを特徴とするプログラマブル・マクロセル。 - (10)特許請求の範囲第8項記載のプログラマブル・
マクロセルであつて、前記電子回路装置はノアゲートを
有する反転制御回路を含み、そのノアゲートの1つの入
力端子は前記制御信号を受け、前記ノアゲートの別の入
力端子は前記入力データ信号を受け、それにより前記反
転制御回路は、関連するEPROM装置が前記第1の状
態にある時に前記入力データ信号を反転させ、前記EP
ROM装置が前記第2の状態にある時に前記入力データ
信号を反転させないことを特徴とするプログラマブル・
マクロセル。 - (11)特許請求の範囲第8項記載のプログラマブル・
マクロセルであつて、前記電子回路装置は複数のアンド
ゲートを有するデジタルマルチプレクサ手段を含み、各
アンドゲートは前記アーキテクチヤ制御回路装置により
発生された少くとも1つの入力データ信号と制御信号を
受け、前記アンドゲートの出力は出力オアゲートにおい
て一緒に論理和をとられ、その出力オアゲートは前記制
御信号の特定の1つにより選択された前記入力データ信
号の1つに対応する出力信号を発生することを特徴とす
るプログラマブル・マクロセル。 - (12)特許請求の範囲第8項記載のプログラマブル・
マクロセルであつて、前記電子回路装置は伝送ゲートマ
ルチプレクサ手段を含み、その伝送ゲートマルチプレク
サ手段はマルチプレクサ増幅器と、それぞれの入力デー
タ受信端子と前記マルチプレクサ増幅器の間に接続され
た複数のトランジスタ・スイッチング手段とを有し、各
トランジスタ・スイッチング手段の各スイッチング素子
のゲート電極は前記アーキテクチヤ制御回路装置から制
御信号を受けるようになつており、それにより対応する
EPROM装置をプログラミングすることによつて前記
スイッチング手段の任意の1つを選択できることを特徴
とするプログラマブル・マクロセル。 - (13)特許請求の範囲第12項記載のプログラマブル
・マクロセルであつて、前記各トランジスタ・スイッチ
ング手段は第1の並列回路を含み、この第1の並列回路
の第1の分岐は対応する入力データ受信端子と前記マル
チプレクサ増幅器の間に結合された第1のトランジスタ
・スイッチング素子を含み、この第1のトランジスタ・
スイッチング素子のゲート電極は信号反転手段を介して
前記アーキテクチヤ制御装置の出力端子に結合され、前
記第1の並列回路の第2の分岐は前記入力データ受信端
子と前記マルチプレクサ増幅器の間に直列接続された信
号反転手段と第2のトランジスタ・スイッチング素子を
含み、前記トランジスタ・スイッチング素子のゲート電
極は前記アーキテクチヤ制御装置の前記出力端子に直結
され、それによりプログラムされたEPROM装置が前
記分岐の一方を導通させ、前記分岐の他方を非導通とし
、プログラムされてないEPROM装置が前記他方の分
岐を導通させ、前記一方の分岐を非導通にすることを特
徴とするプログラマブル・マクロセル。 - (14)特許請求の範囲第1項記載のプログラマブル・
マクロセルであつて、前記アーキテクチヤ制御装置は第
1の制御信号と第2の制御信号および第3の制御信号を
発生する3個のアーキテクチヤ制御回路を含み、 前記電子回路装置は、DフリップフロップのD入力端子
に結合される出力端子を有するアンド−オア論理アレイ
と、このアンド−オアアレイの出力端子とマルチプレク
サ増幅器の間に結合された第2のトランジスタ・スイッ
チング素子と、前記DフリップフロップのQ出力端子と
前 記マルチプレクサ増幅器の入力端子に結合された第3の
トランジスタ・スイッチング素子と、I/Oドライバ回
路と前記マルチプレクサ増幅器の間に結合された第4の
スイッチング素子とを含み、前記マルチプレクサ増幅器
の出力端子は前記アンド−オア論理アレイへ導く帰還回
路に接続され、前記第2のスイッチング素子のゲート電
極は前記第1の制御信号を受けるようにされ、前記第3
のスイッチング素子のゲート電極は前記第2の制御信号
を受けるようにされ、前記第4のスイッチング素子のゲ
ート電極は前記第3の制御信号を受けるようにされるこ
とを特徴とするプログラマブル・マクロセル。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US742089 | 1985-06-06 | ||
| US06/742,089 US4713792A (en) | 1985-06-06 | 1985-06-06 | Programmable macrocell using eprom or eeprom transistors for architecture control in programmable logic circuits |
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| JPS61284936A true JPS61284936A (ja) | 1986-12-15 |
Family
ID=24983437
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61127413A Pending JPS61284936A (ja) | 1985-06-06 | 1986-06-03 | 集積回路装置に使用するプログラマブル・マクロセル |
| JP007239U Pending JPH077225U (ja) | 1985-06-06 | 1994-05-30 | 集積回路に使用するプログラマブル・マクロセル |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP007239U Pending JPH077225U (ja) | 1985-06-06 | 1994-05-30 | 集積回路に使用するプログラマブル・マクロセル |
Country Status (5)
| Country | Link |
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| US (1) | US4713792A (ja) |
| EP (1) | EP0204300B1 (ja) |
| JP (2) | JPS61284936A (ja) |
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