JPS6128743B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は非晶質磁性合金材料の処理方法に関す
るものである。 近年、新しいタイプの軟磁性材料として、非晶
質磁性合金が大きな注目を集め、活発な研究が行
われている。 金属は、通常、固体状態においては原子が規則
配列状態をとる結晶として存在しているものであ
るが、ある種の合金融液を、例えば10⁴〜10⁶℃/s
ｅｃという大きい速度で冷却凝固させた場合、固体
状態でも溶融状態に類似した原子配列をもつ非晶
質の合金が得られる。この非晶質合金は、Ｘ線回
折や電子線回折によつても、結晶構造を示すよう
な回折像は得られず、結晶質とは構造的に異なる
長範囲規則性を持たない原子配列を有するもので
ある。このような非晶質合金からなる磁性合金
は、通常の結晶質とは異なり結晶磁気異方性を有
さず、又、保磁力（Hc）が小さく、すぐれた軟
磁性が期待され、しかも電気抵抗が大きく、硬度
が高く、薄板加工等の加工性が良好で、製造方法
も容易かつ安価である等の、種々の軟磁性材料と
してのすぐれた特性と使用上の有利さをあわせ持
つものである。 従来、このような非晶質磁性合金としては、鉄
族元素成分としてFe、Co、Niを含み、これに
Si、Ｂ、Ｃ、Ｐ等のガラス化元素を含むものが知
られている。これはその組成に応じた特性を有
し、その特性に応じた用途が考えられ、一部実用
化されている。例えば、鉄族元素としてFeを主
成分とするFe系は、磁歪は大きいが、飽和磁束
密度（Bs）が大きく、又コストが安いという点
から、トランス材としての用途に適している。
又、鉄族元素としてCoを主成分とするCo系は、
Fe系よりもBsは低く、コストが高いが、磁歪零
の組成が得られるので、磁気ヘツド用材料に適し
ている。 しかし、このようなSi、Ｂ、Ｃ、Ｐ等の１種以
上のガラス化元素を含んでなる従来の非晶質磁性
合金は、その軟磁気特性が良好なものでは、結晶
化温度が比較的低く、その特性が活かせず、ある
いはそこに取扱いが困難であるという欠点があ
る。 これに対し、最近、ガラス化元素として、Zrを
単独、または他のガラス化元素を併用して含む非
晶質磁性合金材料が提案されている。その代表的
組成を挙げるならば、例えば（Co₀.₉Ni₀.₁）₉₀Zr₁₀
や、（Co₀.₂Fe₀.₈）₉₀Zr₁₀等である。このようなZr
をガラス化元素として含む非晶質磁性合金は、実
用上満足しうるBsを持つ組成が得られ、又磁歪
零の組成が得られ、しかも結晶化温度が従来のも
のと比べ格段と高く、上記のような欠点が改善さ
れたものである。 しかし、このようなガラス化元素としてZrを含
む非晶質磁性合金材料も、そのままの状態では、
透磁率あるいは磁気損失の点では、未だ充分満足
できる特性を得るには至つていない。 ところで、透磁率あるいは磁気損失は、その材
料に対する処理の履歴によつて変化することが知
られている。 従来行われてきた非晶質磁性合金材料に対する
処理法の一つとして、熱処理焼鈍がある。この熱
処理焼鈍は、液相から超急冷して非晶質磁性合金
材料を得た後に施すものであり、熱処理として
は、磁場中で、合金のキユリー点（Tc）以上、
結晶化温度（Tcry）未満の温度に加熱保持した
後冷却し、これにより、超急冷による薄板製造の
際の内部歪を除去するとともに、透磁率を高める
ものである。しかし、この熱処理は、Tc＞Tcry
の合金に対しては施すことができないという欠点
がある。この場合、特に、ガラス化元素としてZr
を含む非晶質磁性合金材料においては、例えば高
保磁力記録媒体に対する記録用磁気ヘツドに最低
限必要とされるBs＝10KG以上の組成ではTc＞
Tcryとなつてしまい、高Bs材の透磁率向上のた
めに技術とはなり得ないことになる。一方、Zr系
の合金であつてもTc＜Tcryのものはあり、それ
は実用材料として使用可能なものではあるが、そ
のような材料について、このような熱処理焼鈍を
施したとき、確かに透磁率は向上するものではあ
るが、熱処理後急冷したり、複雑な冷却温度コン
トロールを行つたりしなければならず、冷却時に
内部歪が生起し、このため特に初透磁率は、格段
すぐれた値が得られるわけではない。 これに対し、超急冷法によつて得られた薄板
を、磁温中で熱処理する技術が、特開昭51−
73923号公報、同52−114421号公報等に開示され
ており、この磁場中の熱処理により、最大透磁率
μｍが格段と向上する旨が記載されている。この
場合、熱処理温度は結晶化温度以下であり、磁界
は静磁界として一定の磁界軸方向のみから印加さ
れている。このように、熱処理にあたり一定方向
から磁界を印加すれば、非晶質磁性合金薄板中に
は磁界印加方向を容易軸とする一軸性の誘導磁気
異方性が生起する。このようなとき、誘起された
磁化容易軸に磁化は配向しやすく、このため残留
磁束密度（Br）は大きくなる。そこで、このと
き逆方向に磁界を印加すると、磁化と磁界のエネ
ルギーを減少させるため、180゜磁壁の移動によ
り、容易に磁化反転がおこり、保磁力（Hc）は
小さいものとなる。従つて、上記のごとく残留磁
束密度（Br）は大きくなるので、静磁化特性と
しての最大透磁率μｍ〓Br／Hcが増大するのは
当然のことである。しかし、Zr系の非晶質磁性合
金材料に対しこのような磁場中熱処理を施し、磁
気特性を測定したところ、交流下での透磁率は減
少することが確認された。すなわち、10ｍOe程
度の磁場下の透磁率（μ₁₀）、すなわち実効透磁
率も大きくは増大しないのである。又、磁気損失
もさして減少しない。 本発明はこのような実状に鑑みなされたもので
あつて、ガラス化元素としてZrを含む非晶質磁性
合金材料に対し、その透磁率、すなわちその動的
および静的特性値が向上し、又その磁気損失を減
少せしめることができ、Zr系材料を実用材料とし
て使用し得るようにすることのできる処理方法を
提供することを主たる目的とする。 本発明者は、このような目的につき鋭意研究を
行つた結果、ガラス化元素としてZrを含む非晶質
磁性合金材料に対し、所定の磁場中熱処理を施し
て、合金材料中の誘導磁気異方性を実質的に等方
的にしたとき、このような目的が実現することを
見出し、本発明をなすに至つたものである。 すなわち本発明は、下記式で示される組成を有
する非晶質磁性合金材料に対し、キユリー点およ
び結晶化温度より低い温度に保持した状態で、磁
場を印加または誘起せしめ、しかも誘導磁気異方
性が実質的に等方的になるように、この印加また
は誘起される磁場を回転させることにある。 式 Ｍ_pＴ_q（Zr_kY_l）_r ここに、ＭはFe、CoおよびNiから選択された
１種以上であり、Ｔは鉄族以外の遷移元素の１種
以上であり、Ｙはガラス化元素の１種以上であ
る。又、ｐ、ｑ、ｒ、ｋおよびｌは、ｐ＋ｑ＋ｒ
＝100at％、ｋ＋ｌ＝100％、ｏ≦ｑ≦10at％、５
≦ｒ≦30at％、ｏ＜ｋ≦100％なる関係を有す
る。 本発明によれば、合金材料中には磁気異方性が
局所的にも存在せず、それに伴い、磁壁移動の制
動係数が減少し、又局所的にも異方性がなくなる
結果、還流磁区構造をとりやすくなり、透磁率の
動的特性値、特に初透磁率、実効透磁率の減少が
阻止されるのみならず、逆に格段と向上し、又そ
の静的特性値も格段と向上する。しかも磁気損失
も格段と減少するものである。又、磁歪零組成
や、高Bs組成のTc＞TcryのZr系合金についても
本発明を適用することができ、そのとききわめて
大きい透磁率の向上と磁気損失を減少を図ること
ができる。このため、磁歪が小さく、高飽和密度
で高透磁率を有する等、磁気ヘツド用材料等の実
用材料としてきわめてすぐれた特性を得ることが
できる。更にTc＜TcryのZr系合金についても、
Tc以下の比較的低温における加熱処理が可能と
なり、しかも加熱処理後の徐冷が可能となり、そ
のような場合にも透磁率、磁気損失を格段と向上
せしめることができる。 以下本発明の処理方法を詳細に説明する。 本発明を適用する非晶質磁性合金材料は、ガラ
ス化元素として、Zrを単独または他のガラス化元
素と併用して含むものであり、上記の式で示され
る組成を有するものでである。 上記における各記号の示す意味は上述したとお
りであるが、少なくとも１種の鉄族以外の第１〜
第３遷移系列中の元素Ｔとしては、Nb、Mo、
Ti、Ｖ、Cr、Mn、Cu、Zn、Ta、Ｗ、Au、Ag、
Pd、Rh、Ru、等の１種以上を、その代表的な例
として挙げることができる。この場合、Ｔの原子
比ｑは、０〜5at％であることが好ましい。 一方、Ｙで表わされる１種以上のガラス化元素
しては、Si、Ｂ、Ｐ、Ｃ、Ge、Sn、Ga、In、
Sb、Al等の１種以上を挙げることができ、特に
Si、Ｐ、Ｂの１種以上であることが好ましい。こ
の場合、この他のガス化元素とZrとからなるガラ
ス化成分中の他のガラス化元素比ｌは、０％以上
100％未満の範囲で広範囲の数値の中から適宜選
択することができるが、概ね、０〜90％であるこ
とが好ましい。このような範囲においては、
Tcryが十分高く、高いTcryに起因する利点を亭
受することができるからである。 なお、ガラス化成分の原子比ｒとしては、５〜
30at％であるが、８〜30at％であることがより好
ましい。このようなとき、合金の非晶質化度が良
好となり、又Tcが十分大となるからである。そ
して、このとき、ＭはFe、CoおよびNiの１〜３
種からなり、その組成比は種々の組成比であつて
よい。 このような組成からなる非晶質磁性合金材料
は、細線あるいは薄膜であつてもよいが、通常は
５〜200μｍの厚さを有する薄板である。 このような非晶質磁性合金材料は、対応する材
料を、液相または気相から超急冷することによつ
て、実質的に非晶質の薄板、薄膜等として得られ
る。 液相から超急冷として非晶質磁性合金薄板を得
るには、対応する組成の合金を溶融して融液とな
し、この融液を溶融状態から概ね10⁴℃/sec以
上、通常10⁴〜10⁶℃/secの冷却速度で超急冷し、
冷却凝固させることによればよい。溶融状態の合
金融液を超急冷するには、公知の双ロール法、片
ロール法、あるいはインサイドインジエクシオン
法等種々の方式に従えばよい。従つて、合金の溶
融条件、合金融液の噴出条件、噴出条件、噴出の
際のノズルの形状、寸法等、双ロール等の冷却体
の形状、寸法、材質等は公知の超急冷法における
条件範囲の中から適宜決定すればよい。又、合金
の溶融に際して、アルゴン等の不活性ガス中で行
うか、あるいは不活性ガスを流入させながら行う
ことが好ましいが、この融液の噴出は、不活性ガ
スあるいは空気のいずれの雰囲気に対して行つて
もよい。 なお、このような非晶質磁性合金薄板は、上述
のように一般に５〜200μｍ、特に20〜60μｍ程
度の厚さであればよく、通常連続薄板状である
が、その寸法は種々であつてよい。 一方、後述する本発明の処理を施される非晶質
磁性合金材料は、気相から超急冷され薄膜として
形成されたものであつてもよい。気相から超急冷
するには、種々の基板、例えば石英ガラス、アル
ミナ、岩塩等の上に、スパツタリングにより非晶
質磁性合金膜を形成すればよい。スパツタリング
における諸条件は、公知の条件における中から適
宜決定して用いればよい。これにより、基板上に
は、厚さ500Å〜２mm程度の非晶質磁性合金薄膜
が形成される。このようにして得られる薄膜は次
の工程においてそのまま用いることができるが、
場合によつては薄膜を基板から剥離して用いるこ
ともできる。 この後、このようにして得られた薄板または薄
膜等を、そのキユリー点以下でしかも結晶化温度
以下の温度に保持した状態で磁場を印加し、ある
いは誘起せしめ、しかもこの印加または誘起せし
められた磁場を回転させ、誘導磁気異方性が実質
的に等方的となるようにして、しかる後冷却す
る。 この場合、このような磁場中熱処理を施す非晶
質磁性合金材料は、上に述べたようにして得られ
た長尺の連続薄板であつてもよく、又、所定長に
裁断され、あるいは所定形状となした薄板や薄膜
であつてもよく、更には薄板から筒状に巻かれ、
例えば巻磁心として形成した後の薄板であつても
よく、その被処理時の形態は種々のものが可能で
ある。 本発明におけるこのような磁場中熱処理の温度
としては、上に述べた方法によつて得られた薄板
または薄膜状等の非晶質磁性合金の結晶化温度よ
り低い温度に保持しなければならない。非晶質磁
性合金としての軟磁気特性が失われてしまうため
である。同時に、その保持温度は、キユリー点よ
り低い温度でなければはらない。キユリー点以上
では自発磁化が発生せず、誘導磁気異方性が発生
しないからである。一方、保持温度の下限として
は、一般に100℃以上、より好ましくは150℃以上
とすることが好ましい。 又、保持時間は、一般に500時間以内、好まし
くは１分〜500時間程度である。加熱方式として
は、抵抗型の電気炉中で行う他、高周波加熱や赤
外線加熱を施したり、その他種々の方式が可能で
ある。 このような温度保持の条件下で、薄板または薄
膜には磁場を印加または誘起せしめる。この場
合、印加または誘起せしめる磁場は、その磁場強
度が直流状である場合であつても又、交流的に変
化する場合であつてもよく、更には連続的に発生
してもパルス的に発生するものであつてもよい。
又、印加または誘起せしめる磁場は、磁場発生源
が２以上あり、その２以上の発生源からの合金磁
場が非晶質磁性合金材料に印加または誘起せしめ
られるようにしてもよい。一方、印加または誘起
せしめる磁場、あるいはこれが２つ以上あるとき
にはその合成磁場は、後述する磁場の回転にあた
り、薄板または薄膜の上面または下面の面方向と
ほぼ平行とすることが効率その他の点から一般的
である。ただ、このような磁場はこの上面または
下面における面方向成分を有すればよいので、磁
場としては、これらに対し傾斜して印加してもよ
い。ただし、面方向と直角にしたときには、面方
向成分が存在しないので、所定の効果を期待する
ことはできない。又、誘起または印加せしめる磁
場、あるいはそれらの合成磁場の強度としては、
一般に、磁性合金をその長手方向においてほぼ飽
和される200Oe程度またはそれ以上を実効的に印
加することがよい。ただ薄板巾方向においてはこ
れ以下の磁場で飽和し、又その長手方向において
は、薄板または薄膜の厚みや、その表面に存在す
る凹凸に基づく反磁界を考慮に入れると、概ね
500Oe以上、より好ましくは1000Oe程度以上と
することが好ましい。 なお、磁場発生源としては、公知の電磁石、ヘ
ルホルツコイル、ソレノイドコイル、永久磁石等
の外部磁界の１つまたは２つ以上を用いる他、薄
板等に電池を通ずることにより磁場を誘起せしめ
る等の方法が可能である。 本発明においては、上に述べた印加または誘起
による磁場、あるいはそれらの合成磁場の、薄板
または薄膜の面方向、すなわち薄板または薄膜の
上面または下面と平行な面方向における成分を、
上述の加熱温度に実質的に保持されている状態に
おいて、少なくとも180゜回転させ、誘導磁気異
方性を実質的に等方的にする。この回転は、磁場
の面方向成分が全体で少なくとも１回転しさえす
れば、磁界の面方向成分が一定方向のみに所定角
ずつ連続的または間けつ回転する場合のみなら
ず、正逆アトランダムに連続的または間けつ回転
変化し、結果として少なくとも180゜回転するよ
うな場合であつてもよい。すなわち、印加または
誘起される磁場あるいはそれらの合成磁場が連続
的または間けつ的に少なくとも半回転すれば、結
果として誘導磁気異方性軸は連続的または間けつ
的に１回転し、その回転の結果、誘導磁気異方性
が等方的となり、このため、正逆アトランダムに
回転させてもその目的は達せられるからである。
ただ用いる装置の構成の簡易さという点では、一
定方向に連続的または間けつ的に回転するように
構成した方がよく、そのとき加熱保持中における
上記180゜を単位とする回転数としては、１回以
上ならどうであつてもよい。 なお、このような回転を連続的にではなく、間
けつ的に行うには、磁場の保持時間に対し、磁場
の回転移動時間を十分大とする必要がある。 このような磁場の回転を行うには、印加または
誘起せしめる磁場、あるいはこれらが２以上ある
ときにはその合成磁場を回転させてもよく、又薄
板等の材料を回転させてもよく、更には両者を回
転させてもよい。この場合、薄板等の面に対する
印加磁場の入射角は、通常この回転に際し、一定
に保持することになるが、場合によつては入射角
を回転に際し連続的に変化させてもよい。 このような磁場中加熱処理を施すには種々の態
様によることができる。例えば、薄板を所定長あ
るいは所定形状となし、これに薄板面とほぼ平行
な磁場軸を有する外部磁場を印加しつつ、薄板を
連続的または間けつ的、好ましくは連続的に回転
したり、あるいは外部磁場の磁場軸を連続的また
は間けつ的、好ましくは連続的に回転したり、更
には両者を併用したりすることもできる。あるい
は、通常直交する２つの外部磁場中を、長尺連続
薄板を連続的に移動せしめ、その際２つの外部磁
場の大きさを所定のごとく変えることによつて、
２つの外部磁場の合成磁界の向きを好ましくは連
続的に回転させる等の方法によつてもよい。又、
薄板から巻磁心を形成したのち、例えば巻磁心お
よび外部磁場相方を回転させ、上記のような回転
を行つたり、例えば巻磁心に巻線を施し、同時に
巻磁心に通電し、巻線または巻磁心に通電する電
流を変化させ、この巻線による印加磁場と通電に
よつて誘起される磁場との合成磁場を回転させる
等の方法によつてもよい。更には、薄板を巻磁心
となし、巻磁心に巻線を施し、又巻線を施した巻
磁心を外部磁場中に配置し、巻線通電電流と外部
磁場との少なくとも一方を所定のごとく変化さ
せ、巻線により発生する磁場と、外部磁場との合
成磁場を回転させる方法によることもできる。 以上詳述したようにして、加熱保持状態におい
て磁場処理を行つた後、薄板または薄膜は冷却さ
れる。この冷却は磁場印加を停止した後行つても
よいが、上に述べた磁場中で行うことが好まし
い。又、冷却速度としては種々変更可能である
が、一般に徐冷することが好ましい。 なお、以上詳述したような磁場中熱処理は真空
中で行つても、不活性ガス中で行つても、更には
空気中で行つてもよい。又、処理を施す試料薄板
または薄膜等の形状、寸法には種々変更が可能で
あるが、処理効率という点からは形状異方性の少
ない形状、例えば円板形状あるいは巻磁心形状等
とすることが好ましい。 以上詳述した本発明の磁場中熱処理に用いる装
置の好ましい１例が第１図に示される。第１図に
おいて非晶質磁性合金材料、すなわちその薄板ま
たは薄膜１は架台５上に載置される。架台５は、
図示しないモータにより、図失印ａ方向に連続回
転可能となされている。一方、架台５は電気炉４
中に収納され、電気炉４により架台５上の非晶質
磁性合金材料１は一定の温度に加熱保持可能とな
してある。更に、電気炉４外部には、電磁石の磁
板２１，２３が配置され、非晶質磁性合金１の面
方向に磁場印加可能となしてある。 このような構成において、電気炉４に通電し、
非晶質磁性合金１を所定の温度に加熱保持し、し
かも架台５を矢印ａ方向に連続的に回転しつつ、
所定時間電磁石２１，２３により磁場を印加す
る。この後、電気炉を断となし冷却すれば、非晶
質磁性合金中に誘起される磁気異方性は、局所的
にも等方的となり、本発明所定の効果が実現する
ことになる。 一方、第２図には別の例が示される。 第２図においては、非晶質磁性合金材料として
長尺の連続薄板１５を用い、これに対し本発明の
処理を連続的に施している。この場合、ソレノイ
ドコイル２６と、ヘルムホルツコイル２５１，２
５２とが図示のように配置され、この両コイル２
６，２５１，２５２内には電気炉４が配置され、
この電気炉４内を連続薄板１５が図矢印ｂ方向に
連続的に移送される。従つて、電気炉４内におい
て、連続的に移送される薄板１５の面内巾方向に
は、ヘルムホルツコイル２５１，２５２により磁
場H₁が、又面内長手方向には、ソレノイドコイ
ルにより磁場H₂が、それぞれ連続的に印加され
ることになる。一方、この磁場H₁および磁場H₂
は、それぜれのコイルへの通電電流i₁，i₂を例え
ば正弦波的に変化させ、しかも両者の位相を例え
ばπ／２異ならしめることにより、それぞれ第４
図に示されるような同周期で、しかもπ／２位相
の異なる正弦波状に変化する磁場として印加され
る。 このような構成において、電気炉４、ヘルムホ
イツコイル２５１，２５２およびソレノイドコイ
ル２６に通電し、連続薄板１５を図失印ｂ方向に
連続的に等速度で移送すれば、薄板１５の所定部
分は、電気炉４内を通過する際に所定のごとく加
熱され、しかも第４図のように変化する磁場
H₁，H₂の合成磁場は連続的に一定周期で回転し
ているので、連続回転するこの合成磁場が薄板１
５の所定部分に連続的に印加されることになる。
この後、薄板１５は電気炉４を通過した後冷却さ
れ、この結果、薄板面内の誘導磁気異方性は局所
的にも等方的となり、本発明所定の効果が実現す
ることになる。 第３図には、更に別の例が示される。第３図に
おいては、非晶質磁性合金材料としては、やはり
長尺の連続薄板１５を用い、これを例えば巻磁心
として、その長手方向に例えば円輪状に巻き、こ
の巻回された薄板１５に本発明の処理が施され
る。この場合、この円輪状に巻かれた薄板１５
は、電磁石２１，２３内に配置され、又この電磁
石２１，２３には正弦波電流i₁が通電可能とさ
れ、そのとき巻回された薄板１５は、例えば第４
図に示されるような磁場H₁がその巾方向、すな
わち巻軸と平行に印加される。他方巻回された薄
板１５には、巻線３が巻装され、巻線３には、上
記i₁と同周期でπ／２位相の異なる正弦波電流i₂
が通電可能とされ、そのとき薄板１５の長手方向
には、第４図に示されるような磁場H₂が発生す
るようにされる。 このような構成において、電気炉４に通電し、
しかも電磁石２１，２３には正弦波電流i₁を、又
巻線３には正弦波電流i₂を通電すれば、巻回され
た薄板１５には、その長手方向に第４図の交流磁
場H₂が、又その巾方向に第４図の交流磁場H₂が
印加され、H₁とH₂の合成磁場は一定方向に一定
周期で回転する。一定時間後電気炉４の通電を切
り、冷却すれば、薄板１５中に誘起される磁気異
方性は局所的にも等方的になり、本発明所定の効
果が実現する。 以上詳述してきた本発明の処理を施された非晶
質磁性合金材料は、実質的に磁気異方性を有しな
い等方的なものである。この場合、実質的に磁気
異方性を有しない等方的なものであるとは、巨視
的にみたときも、又微視的にみたときの100μｍ
程度の磁区内においても、実質的に等方的である
ということである。従つて本発明における非晶質
合金の薄板を試料として、常法に従い、強磁性共
鳴やトルク曲線の測定を行えば、巨視的に等方的
であることから、外部磁場の角度によつて共鳴線
の共鳴磁界が実質的に不変であり、共鳴磁界の角
度依存性は非常に小であり、又微視的にも等方的
であることから、共鳴線の半値巾は非常に小さく
なつている。この場合、通常は、強磁性共鳴は、
円板状の試料を強磁性共鳴キヤピテイ内にセツト
し、9.34GHzのマイクロ波を当て、又1300Oe程
度の外部磁場を詳料面内に印加し、磁場印加方向
を面内で回転させて測定すればよく、このとき、
共鳴磁界の角度依存性として、異方性磁界Haと
固有共鳴磁界Hoとの比Ha／Hoを測定すれば、本
発明の薄板材料ではHa／Hoは10％以下、特に５
％以下程度の値が得られる。これに対し、急冷直
後の薄板ではHa／Hoは概ね20％程度、又前記静
磁場中での熱処理を施した場合にはHa／Hoは概
ね15％程度である。又このとき共鳴線の半値巾△
ＨをHoで規格化した値△Ｈ／Hoは、本発明の処
理を施した薄板材料では約30％程度以下であり、
一方急冷直後および静磁場熱処理後の場合には、
それぞれ概ね50％以上および30〜40％程度であ
る。又、トルク磁力計を用い、試料薄板の面内ト
ルク曲線を測定し、回転角０〜180゜内における
ピーク数を観察したときには、明瞭なピークは全
く現われない。これに対し、急冷直後、無磁場中
での熱処理後、あるいは静磁界中での熱処理後に
おけるそれぞれの場合には、その大小に差がある
が、通常、明瞭なあるいは弱い１本のピークが現
われる。 以上詳述してきた本発明によつて得られる非晶
質磁性合金材料は、磁気ヘツド用、各種磁心用、
あるいはその他の種々の用途に用いて、きわめて
すぐれた特性を発揮する。 以下、本発明の実施例を掲げ、本発明を更に詳
細に説明する。 実施例 １ （Co₀.₉Ni₀.₁）₉₀Zr₁₀の組成となるように各原料
を秤量し、タンマン炉にて、アルゴンガス気流中
で溶解した。この溶解した合金を石英管で吸上
げ、急冷し合金を調整した。 次いで、この母合金を溶融後、10⁶℃/sec程度
の冷却速度で急冷して、厚さ30μｍ、幅３cmの長
尺の薄板を作成した。この薄板に対しＸ線回折お
よび電子線回折を行つたところ、結晶構造を示す
回折像は全く検出されなかつた。又、この薄板の
結晶化温度（Tcry）は490℃、キユリー点
（Tc）は550℃であり、そのBsは9.8KGであつ
た。 次に、得られた薄板を超硬合金の金形により、
20mmφの円板状に打抜いた。この打抜き円板に対
し、第１図に示される装置を用い、本発明の処理
を施した。すなわち、装置全体は10^-1Torr真空
下におき、電磁石２１，２３により10KOeの磁
場を印加しつつ、円板状の薄板１を10rpmで図矢
印ａ方向に連続的に回転した。一方、このような
回転を行いつつ、電気炉４に通電し、薄板１を
350℃に加熱保持し、この温度に40分間保持した
後、電気炉４の通電を止め、真空中で回転磁場を
印加しながら徐冷を行つた。 このようにして得た本発明の円板状薄板（試料
Ａ）に対し、トルク磁力計を用いトルク曲線を測
定したところ、明瞭なピークは全く存在しなかつ
た。 次いで、このような処理を施した円板から、エ
ツチングにより内径５mmφ、外径15mmφのリング
を得、このリング30枚を用い、層間絶縁を行い積
層した。この積層体に対し、保磁力Hc、残留磁
束密度Br、および1KHzでの10ｍOe磁場下の実効
透磁率μｅをそれぞれ測定した。結果を下記表１
に示す。 これに対し比較のため、急冷直後の薄板（試料
Ｂ）につき、上記同様のリングを得、上記と全く
同様にしてHc、Brおよびμｅを測定して、表１
に示される結果を得た。 更に比較のため、上記急冷直後の薄板から上記
同様のリングを得、これに巻線を施し、真空中で
リング周方向に20Oe磁場を印加しつつ、やはり
350℃、40分間の熱処理を施し、その後徐冷した
薄板（試料Ｃ）につき、上記と全く同様にして、
Hc、Brおよびμｅを測定したところ、表１に併
記される結果を得た。なお、このようにして静磁
場処理を施したリング（試料Ｃ）につき、リング
からエツチングにより５mmφの円板を抜き、その
トルク曲線を測定したところ、明瞭な一軸性の磁
気異方性が観察された。

【表】 表１の結果から、本発明の処理を施した材料
は、実効透磁率μｅが格段と向上していることが
わかる。 実施例 ２ （Co₀.₂Fe₀.₈）₉₀Zr₁₀の組成の30μｍ厚の非晶質
磁性合金材料の長尺薄板を実施例１と同様に作成
し、本発明の効果を確認した。なお、この合金の
Bsは15.7KG、Tcは380℃、Tcryは490℃であつ
た。 この場合、薄板から実施例１と同様に３種のリ
ング状試料（Ｄ〜Ｆ）を得た。このうち試料Ｄ
は、加熱処理が300℃、60分間である他は、実施
例１と全く同様に円板薄板に対し本発明の処理を
施した後リング状に抜いたものであり、更に試料
Ｆは、リング状に抜いた後、実施例１同様巻線を
施し、20Oeの周方向磁場を印加しつつ、300℃、
60分間の熱処理を施したものである。これら試料
Ｄ〜Ｆにつき、実施例１同様積層体を形成し、磁
気損失Ｗ、μｅ、BrおよびHcを測定した。結果
を下記表２に示す。

【表】 表２の結果から、磁気損失およびμｅの点で、
本発明の場合が最もすぐれていることがわかる。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図および第３図は、それぞれ本発
明における一態様において用いる装置の１例を示
す概略図であり、第４図は、例えば第２図および
第３図に示されるような装置を用いる場合、発生
せしめる２つの外部磁場H₁，H₂の磁場強度
（Ｈ）の時間（ｔ）に対する変化の１例を示す線
図である。 １，１５……非晶質磁性合金材料。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 下記式で示される組成を有する非晶質磁性合
   金材料に対し、キユリー点および結晶化温度より
   低い温度に保持した状態で、磁場を印加または誘
   起せしめ、しかも誘導磁気異方性が実質的に等方
   的となるように、当該印加または誘起される磁場
   を回転させ、下記式で示される組成を有し、しか
   も実質的に磁気異方性を有さず等方的である非晶
   質磁性合金材料を得ることを特徴とする非晶質磁
   性合金材料の処理方法。 式 Ｍ_pＴ_q（Zr_kY_l）_r 〔式中、ＭはFe、CoおよびNiから選択された１種
   以上であり、Ｔは鉄族以外の遷移元素の１種以上
   であり、Ｙはガラス化元素の１種以上である。
   又、ｐ、ｑ、ｒ、ｋおよびｌはｐ＋ｑ＋ｒ＝
   100at％、ｋ＋ｌ＝100％、０≦ｑ≦10at％、５≦
   ｒ≦30at％、ｏ＜ｋ≦100％なる関係を有する。〕