JPS61292402A - マイクロ波集積回路 - Google Patents
マイクロ波集積回路Info
- Publication number
- JPS61292402A JPS61292402A JP60134544A JP13454485A JPS61292402A JP S61292402 A JPS61292402 A JP S61292402A JP 60134544 A JP60134544 A JP 60134544A JP 13454485 A JP13454485 A JP 13454485A JP S61292402 A JPS61292402 A JP S61292402A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- copper
- conductor layer
- paste
- resistor
- inexpensive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
Landscapes
- Waveguides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、マイクロ波帯で用いられる集積回路に関する
・ものである。
・ものである。
従来の技術
近年、情報の高度化、情報量の増加に伴い通信周波数の
高域化が進み、西星放送受信などマイクロ波帯での実用
化が始まっている。これらマイクロ波域で用いられる送
・受信機などの回路ユニットは、小形化と低廉化の面で
、厚膜ハイブリッド回路構成によシ一体化したマイクロ
波集積回路（以下ＭＩＣとよぶ）が主流となりつつある
。
高域化が進み、西星放送受信などマイクロ波帯での実用
化が始まっている。これらマイクロ波域で用いられる送
・受信機などの回路ユニットは、小形化と低廉化の面で
、厚膜ハイブリッド回路構成によシ一体化したマイクロ
波集積回路（以下ＭＩＣとよぶ）が主流となりつつある
。
以下図面を参照しながら、上述した従来のマイクロ波集
積回路について説明する。
積回路について説明する。
第２図は、トランジスタＴＲ，ストリップラインＬｊ＋
Ｌ２１ Ｌ５ ＊抵抗Ｒ１〜Ｒ６＋容量Ｃ９誘電体共
振器ＤＲからなるドレン接地型のマイクロ波発振回路を
示しており、この発振回路を厚膜技術によりＭＩＣで形
成した場合構造の断面図を第３図に示す。
Ｌ２１ Ｌ５ ＊抵抗Ｒ１〜Ｒ６＋容量Ｃ９誘電体共
振器ＤＲからなるドレン接地型のマイクロ波発振回路を
示しており、この発振回路を厚膜技術によりＭＩＣで形
成した場合構造の断面図を第３図に示す。
従来の厚膜ＭＩＣは、アルミナなどのセラミック基板１
ｏに、銀、銀−白金、金などの貴金属導体からなる導体
ペーストをスクリーン印刷し、空気中の７６０°Ｃ〜９
００ ”Ｃの温度で焼成し、接地導体層３０および配線
導体層３１〜３６を形成する。次いで、直流バイアス抵
抗（”ｌ ＋ ”２ ） ＋終端抵抗Ｒ３，減衰器抵抗
Ｒ４〜Ｒ６などの抵抗素子として、酸化ルテニウム Ｒ
ｕ０２−ガラス系のグレーズ抵抗ペーストを導体層３１
，３２．３３に一部重なるようにスクリーン印刷し、空
気中の７５０’Ｃ〜９００°Ｃの温度で焼成しグレーズ
抵抗膜６０゜６１を形成し必要に応じて抵抗をトリミン
グする。
ｏに、銀、銀−白金、金などの貴金属導体からなる導体
ペーストをスクリーン印刷し、空気中の７６０°Ｃ〜９
００ ”Ｃの温度で焼成し、接地導体層３０および配線
導体層３１〜３６を形成する。次いで、直流バイアス抵
抗（”ｌ ＋ ”２ ） ＋終端抵抗Ｒ３，減衰器抵抗
Ｒ４〜Ｒ６などの抵抗素子として、酸化ルテニウム Ｒ
ｕ０２−ガラス系のグレーズ抵抗ペーストを導体層３１
，３２．３３に一部重なるようにスクリーン印刷し、空
気中の７５０’Ｃ〜９００°Ｃの温度で焼成しグレーズ
抵抗膜６０゜６１を形成し必要に応じて抵抗をトリミン
グする。
このあと、誘電体共振器ＤＲやコンデンサチップＣ１や
、トランジスタチップＴＨなどのチップ部品を半田付な
どにより搭載し、ワイヤボンデング用のワイヤ４ｏなど
によつて結線して完成させる。
、トランジスタチップＴＨなどのチップ部品を半田付な
どにより搭載し、ワイヤボンデング用のワイヤ４ｏなど
によつて結線して完成させる。
（列えば、「厚膜ＭＩＣ化ＳＨＦテレビ地上放送用受信
コンバータ」昭和５４年、テレビジョン学会全国大会、
１３−１７．上野 ら） 発明が解決しようとする問題点 上述のような従来のＭＩＣは、形状が小型で高性能でし
かも生産しやすいものであるが、導体材料、抵抗材料と
してムＵなどの貴金属を多量に使うため決して安価であ
るとは言えない。１配線の導体損失を増やさず、また安
価な他の導体材料として銅Ｃｕが考えられるが、銅は酸
化されやすいため、空気中での導体形成ができない。ま
た逆に、窒素中でＣｕを形成したとしても、抵抗体の酸
化ルテニウムＲｕＯ２が還元されやすいため窒素中では
抵抗を形成できない。このように、従来のＭＩＣは使用
材料が高価であるため低コスト化は難しく、また安価な
材料に置き換えることも難じいという致命的な欠点を有
していた。
コンバータ」昭和５４年、テレビジョン学会全国大会、
１３−１７．上野 ら） 発明が解決しようとする問題点 上述のような従来のＭＩＣは、形状が小型で高性能でし
かも生産しやすいものであるが、導体材料、抵抗材料と
してムＵなどの貴金属を多量に使うため決して安価であ
るとは言えない。１配線の導体損失を増やさず、また安
価な他の導体材料として銅Ｃｕが考えられるが、銅は酸
化されやすいため、空気中での導体形成ができない。ま
た逆に、窒素中でＣｕを形成したとしても、抵抗体の酸
化ルテニウムＲｕＯ２が還元されやすいため窒素中では
抵抗を形成できない。このように、従来のＭＩＣは使用
材料が高価であるため低コスト化は難しく、また安価な
材料に置き換えることも難じいという致命的な欠点を有
していた。
本発明は上記問題点に鑑み、安価な配線材料と抵抗材料
から構成された安価で高性能なＭＭＣを提供するもので
ある。
から構成された安価で高性能なＭＭＣを提供するもので
ある。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するために本発明のＭＩＣは、少なく
とも銅からなる導体層と、珪化物−非還元性ガラス系グ
レーズ抵抗体とで構成されたものである。
とも銅からなる導体層と、珪化物−非還元性ガラス系グ
レーズ抵抗体とで構成されたものである。
作用
本発明は上記した構成によって、導体層に安価な卑金属
である銅を用い、また、ＲｕＯ２に代る安価で還元され
にぐい珪化物と非還元性ガラスからなるグレーズを抵抗
として用いた事によって、従来と同等以上の回路性能を
有した安価なＭＩＣが実現できたものである。
である銅を用い、また、ＲｕＯ２に代る安価で還元され
にぐい珪化物と非還元性ガラスからなるグレーズを抵抗
として用いた事によって、従来と同等以上の回路性能を
有した安価なＭＩＣが実現できたものである。
実施例
以下本発明の一実施例を第１図をもとに説明する。なお
、第１図では、導体層２０〜２６が銅であり、グレーズ
抵抗膜６０．５１が珪化物−非還元性ガラス系グレーズ
抵抗体で構成されている点を除き、他の構成部品は第３
図と同じである。また実施列では、従来列と同じ構造（
パターン形状も同じ）での、マイクロ波発振回路につい
て行なった。
、第１図では、導体層２０〜２６が銅であり、グレーズ
抵抗膜６０．５１が珪化物−非還元性ガラス系グレーズ
抵抗体で構成されている点を除き、他の構成部品は第３
図と同じである。また実施列では、従来列と同じ構造（
パターン形状も同じ）での、マイクロ波発振回路につい
て行なった。
セラミック基板１ｏとして、アルミナ含有量が９８％、
厚みがＯ，Ｅｌ ｎで、２Ｏｆｆ角の薄板上の表面が平
滑なアルミナ基板を用いた。
厚みがＯ，Ｅｌ ｎで、２Ｏｆｆ角の薄板上の表面が平
滑なアルミナ基板を用いた。
この基板の片面全面に、銅に少量の添加”物成分を含む
銅ペーストを３２５メツシユのスクリーンで印刷１．１
２５°Ｃの乾燥機で１０分間乾燥し、・接地導体層２ｏ
を得た。
銅ペーストを３２５メツシユのスクリーンで印刷１．１
２５°Ｃの乾燥機で１０分間乾燥し、・接地導体層２ｏ
を得た。
次に、もう一方の面に、同じ鋼ペーストを印刷・乾燥し
て配線導体層２１〜２５を得た。これを、炉内の酸素濃
度が１０９ｐｌ！１以下の窒素雰囲気で、ピーク温度が
９００″Ｃで、１０分間保持された温度パター／を有す
る雰囲気厚膜ベルト炉に通して焼成した。この時のスｈ
ＩＪツブ・ラインの電気的特性を調べたところ、導体
厚みが１ｅ〜１８μｍで導体抵抗（直流）は２ｍＱ１０
で、６ＧＨｚでの導体損失は約ｏ、ｏｓｄａであった。
て配線導体層２１〜２５を得た。これを、炉内の酸素濃
度が１０９ｐｌ！１以下の窒素雰囲気で、ピーク温度が
９００″Ｃで、１０分間保持された温度パター／を有す
る雰囲気厚膜ベルト炉に通して焼成した。この時のスｈ
ＩＪツブ・ラインの電気的特性を調べたところ、導体
厚みが１ｅ〜１８μｍで導体抵抗（直流）は２ｍＱ１０
で、６ＧＨｚでの導体損失は約ｏ、ｏｓｄａであった。
次に、第１表に示す固形成分と、ビークルとをよく混練
した抵抗ペーストを２５０メツシユで乳厚が２０μｍの
スクリーンで印刷、乾燥し、銅導体層と同じ条件で焼成
し、グレーズ抵抗膜２１゜２２とした。このあと各抵抗
Ｒ１〜Ｒ６を必要な抵抗値にレーザ・トリミングによシ
合わせ、各チップ部品Ｃ，，ＴＲ、ＤＲを取り付けてＭ
ＩＣを完成させた。
した抵抗ペーストを２５０メツシユで乳厚が２０μｍの
スクリーンで印刷、乾燥し、銅導体層と同じ条件で焼成
し、グレーズ抵抗膜２１゜２２とした。このあと各抵抗
Ｒ１〜Ｒ６を必要な抵抗値にレーザ・トリミングによシ
合わせ、各チップ部品Ｃ，，ＴＲ、ＤＲを取り付けてＭ
ＩＣを完成させた。
（以下余白）
この様にして得られた本発明のマイクロ波発振回路の代
表的特性を、従来のＭＩＣの発振回路のものとの比較を
第２表に示す。同表から伺えるように本発明のＭＩＣが
従来のＭＩＣに比べて優れた特性を有しているのは、配
線材料に低抵抗な銅を用いた事と、これに適合する厚膜
抵抗材料を形成した構成によるものである。また、本発
明のＭＩＣは、従来のムｇ、ムＵ導体に比べ、半田くわ
れなどによる接着の低下や、マイグレーションによる導
体特性の低下も見られないため、従来に比べて、極めて
製造しやすいものとなっている。
表的特性を、従来のＭＩＣの発振回路のものとの比較を
第２表に示す。同表から伺えるように本発明のＭＩＣが
従来のＭＩＣに比べて優れた特性を有しているのは、配
線材料に低抵抗な銅を用いた事と、これに適合する厚膜
抵抗材料を形成した構成によるものである。また、本発
明のＭＩＣは、従来のムｇ、ムＵ導体に比べ、半田くわ
れなどによる接着の低下や、マイグレーションによる導
体特性の低下も見られないため、従来に比べて、極めて
製造しやすいものとなっている。
第２表
発明の効果
以上のように本発明は、セラミック基板上に少なくとも
銅からなる導体層と、これに接触する珪化物−非還元性
ガラス系グレーズ抵抗体とよ多構成する事によシ、安価
で製造容易で且つ特性の優れたマイクロ波集積回路を提
供できるものであシ、これは工業上極めて重要なもので
ある。
銅からなる導体層と、これに接触する珪化物−非還元性
ガラス系グレーズ抵抗体とよ多構成する事によシ、安価
で製造容易で且つ特性の優れたマイクロ波集積回路を提
供できるものであシ、これは工業上極めて重要なもので
ある。
第１図は本発明のマイクロ波集積回路の一部の構造を示
す断面図、第２図はマイクロ波発振回路を示す図面、第
３図は従来のマイクロ波集積回路の一部の構造を示す断
面図である。 １０・・・・・・セラミック基板、２０．３０・・・・
・・接地導体層、２１〜２５．３１〜３５・・・・・・
配線導体層、４０・・・・・・ワイヤ、５０，５１ ．
６０．６１・・・・・・グレーズ抵抗膜。
す断面図、第２図はマイクロ波発振回路を示す図面、第
３図は従来のマイクロ波集積回路の一部の構造を示す断
面図である。 １０・・・・・・セラミック基板、２０．３０・・・・
・・接地導体層、２１〜２５．３１〜３５・・・・・・
配線導体層、４０・・・・・・ワイヤ、５０，５１ ．
６０．６１・・・・・・グレーズ抵抗膜。
Claims (1)
- 電気絶縁性セラミックよりなる基板上に少なくとも、
銅からなる導体層と、前記導体層に電気的に接触する珪
化物−非還元性ガラス系グレーズ抵抗体層とを形成して
なることを特徴とするマイクロ波集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60134544A JPS61292402A (ja) | 1985-06-20 | 1985-06-20 | マイクロ波集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60134544A JPS61292402A (ja) | 1985-06-20 | 1985-06-20 | マイクロ波集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61292402A true JPS61292402A (ja) | 1986-12-23 |
Family
ID=15130797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60134544A Pending JPS61292402A (ja) | 1985-06-20 | 1985-06-20 | マイクロ波集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61292402A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56153702A (en) * | 1980-04-30 | 1981-11-27 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Glazed resistor |
-
1985
- 1985-06-20 JP JP60134544A patent/JPS61292402A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56153702A (en) * | 1980-04-30 | 1981-11-27 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Glazed resistor |
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