JPS61293204A - 感光性組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は新規な合成方法によって製造されたポリアミド
化合物と、光活性物質とを含む感光性組成物に関する。

更に詳しくは、絶縁材料、成型材料等の電気、電子部品
材料、特に半導体の表面被覆材料、ＬＳＩの眉間絶縁膜
、耐熱性基板材料等の電子材料として有用な組成物を提
供するものである。

〔従来の技術〕

芳香族ジカルボン酸類から誘導されるポリアミドとして
は多数のものが知られている。例えば、デュポン社のポ
リアミド（Ｎ６ｍｅｘ■）は、その優れた抗張力、引裂
き強さ、屈曲性、強じん性、耐熱性、難燃性のゆえに、
繊維材料としての用途以外にも、汎用の絶縁材料として
の用途が広がっている。その用途は電動機や変圧機等の
絶縁材、コイルボビン等の各種の成形品や、難燃化の要
求にこたえテレビ等の部品など広い範囲に及んでいる。

これらのポリアミドの合成方法については、米国デュポ
ン社のモーガン−派によって、酸クロリドを用いる界面
重縮合や低温溶液重縮合法の組織的研究がなされ、ｌり
ｊｒ年には室温内外の条件下で簡便に合成できる方法が
確立したとされている。

Ｉｎｔｅｒｆａｃｉａｌ　ａｎｄ　５ｏｌｕｔｌｏｎ　
Ｍｅｔｈｏｄｓ　ｖ　（Ｉｎｔｅｒｓｅｌｅｎｃｓ、　
Ｎｅｗ　Ｙｏｒｋ。

ｌり４ｊ）に詳しい。これらの方法は以来ポリ°アミド
の合成方法として多用され、更Ｋ　Ｎｏｍｅｘ■やＫｅ
ｖｌａｒ［Ｆ］等のポリアミドの工業的な製造方法とし
ても採用されて、現在に至っている。

一方、近年、ポリイミドの半導体デバイスへの応用も進
歩している。例えば、佐藤らにょシ「機能材料」７月号
、タページ（１９１３年）Ｋその概略を示されているが
、特殊なポリアミドを半導体素子にコートして塗膜を形
成し、これを加熱によりポリイミド膜に変換せしめ、耐
熱性絶縁膜や表面保護膜とするもの等である。また、更
にこれらにマイクロリソグラフィー性を付与した技術も
注目される。例えば、ルブナーらＫよって特公昭ｊｊ−
≠ｌ弘２．２号公報に開示されているような、感光基を
エステル結合を介して持ったポリアミド、すなわち、感
光性ポリイミド前駆体が知られている。

これを用いるととＫより一般のリソグラフィープロセス
で、半導体素子上等に簡単にパターン化されたポリイミ
ドの表面保護膜、層間絶縁膜を形成せしめることができ
るものである。このポリアミドも基本的ＫＨ前述のモー
ガンらの合成方法を用いている。

〔発明が解決しようとする問題点〕 しかし、モーガンらの方法によって合成されたポリアミ
ドは塩素イオンを含み、これらの塩素イオンを含む材料
を含む組成物を、電子材料分野の表面被覆材料、層間絶
縁膜、ジャンクションコート膜等の素子や金属配線に直
接触れるような用途に用いると、その塩素イオンにより
、半導体やその金属の腐食あるいは電気特性への悪影響
が起こり、問題となっている。これらのことは、佐原ら
Ｋより機能材料、　／９♂ヶ年、ｊ月号、≠７頁にも解
説されている。

また、これらのポリマー、あるいはそれを含む組成物を
通常の方法で塩素イオン濃度が数−以下となるよう精製
するのは非常に困難である。

〔問題を解決する手段〕

本発明者らは以上の背景を踏まえ、塩素イオンを十分に
低い濃度しか含まない、ポリアミドを含む感光性組成物
の開発を進めた。

一般に感光性組成物に含まれる光開始剤、溶媒等のポリ
マー以外の成分は、低分子量化合物であり、比較的容易
に塩素イオンを除去することができる。したがって、組
成物の塩素イオン含量を下げるためには、ポリマーの塩
素イオン含量を下げればよい。以上の考え方に従い、本
発明者らは塩素イオ／を全く含まないポリアミドの合成
方法の開発を行なった。

種々の塩素を含まない脱水縮合剤を検討した結果、これ
らの中で、カルボジイミド類を用いた時に最も良い結果
を与えることを見い出し、本発明を完成させるに至った
。す表わち、本発明は、カルボジイミド類を縮合剤とし
て、芳香族ジカルボン醸類とジアミン類とから作られた
ポリアミド化合物、及び光活性物質を含む感光性組成物
を開示するものである。

以下、本発明の組成物に用いるポリアミドの合成方法に
ついて説明する。本発明の組成物に用いるポリアミドの
重縮合方法としては、溶融重縮合法、界面重縮合法、溶
液重縮合法等を選ぶことができるが、生成したポリアミ
ドの単離が容易であることなどから溶液重縮合法が最も
好ましい。この際に用いる具体的な好ましい溶媒の例と
しては、テトラヒドロ７ラン、ｒ−ブチロラクト／、ジ
オキサン、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、ジ
メチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ヘキサメ
チルホスホリルトリアミド、クロルベンゼン、アセトン
、メチルエチルケトン、メチルイノブチルケトン、シク
ロヘキサノ／、シクロペンタノン、塩化メチレン、クロ
ロホルム、／、Ｊ−ジクロロエタン、クロロセン、酢酸
エチル、ジエチルエーテル、ジメチルスルホキシド、テ
トラメチル尿素、ピリジンなどが挙げられる。これらの
うちでも、非プロトン性極性溶媒が生成したポリアミド
の溶解性及び副反応の起こりにくさ等からさらに好まし
い。

カルボジイミド類としては種々のものを用いることがで
きる。具体的な好ましい例としては、ジシクロベキジル
カルボジイミド、ンエチルヵルボジイミド、ジイソプロ
ピルカルボジイミド、エチルシクロヘキシルカルボジイ
ミド、ジフェニルカルボジイミド、ｌ−エチル−３−（
３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド、ｌ−シ
クロへキシル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カ
ルボジイミド塩酸塩、カルボジイミド等である。

ンカルボン酸類としては、組成物の使用目的に応じて程
々のものを用いることができるが、ポリアミドまたはそ
れから誘導されるポリイミドの耐熱性の高さから、芳香
族系のジカルボン酸を用いる。その具体的な好ましい例
としては、イソフタル酸、テレフタル酸、２．６−ナフ
タレンジカルボン酸、４弘−ナフタレンジカルボン酸、
メチルテレフタル醗、ビフェニル−コツ２′−ジカルボ
ン酸、ピフェニル−μ、ｌＩＬ／−ジカルボン酸、ジフ
ェニルメタン−ｔｔ＋ｔｔ’−ジカルボン酸、ジフェニ
ルエーテル−ψ、ｖ′−ジカルボン酸、ジフェニルスル
フオ／−μ、ｔＩ’−ジカルボン酸、／、　／、　／、
　３．！、Ｊ、−へキサフルオロ−２，２′−ビス（≠
−カルボΦジフェニル）フロパン等が挙げられる。また
、ジカルボン酸類として、下記の一般式 ％式％ （ＸＶｉｉ十ｍ価の芳香環基、または複素環基、Ｙ基ま
たはアミノ基を含まない基、ｍは／またはコ、更にここ
でＣＯＹとＣ０ＯＨは互いにオルト位またはペリ位の関
係にある。） で示されるものを用いれば、ポリアミドを使用する際に
、後の工程で加熱環化してイミド環にすることができ、
非常に高い耐熱性を持つポリアミドイミドまたはポリイ
ミドの前駆体となる。その具体的な好ましい例としては
、トリメリド酸−２−エチルエステル、トリメリド醸−
／−ジエチルアミド、ピロメリト５１−　Ｊ、ｊ−ジメ
チルエステル、ピロメリト酸−２，４（−ジエチルエス
テルとピロメリト酸−コ、ｊ−ジエチルエステルの混合
物、ナフタレン−八＜’、ｊ＋　Ｊ’−テトラカルボン
酸−／、ｊ−ジエチルエステル、ナフタレン−Ｊ、　３
．４．７−テトラカルボン酸−コ、６−ピスジメチルア
ミド％　ＪＩＪ’１μ。

μ′−ジフェニルテトラカルボン酸−７，４（’−ジイ
ソプロピルエステル、／、　／、　／、　Ｊ、３．３−
へキサ°フルオローコ１．２−ビス（Ｊ、＜４−ジカル
ボキシフェニル）フロパンジエチルエステル、ベンゾフ
エ／　ｙ　−Ｊ。

Ｊ’、４ｃ、弘′−テトラカルボン藪ジエチルエステル
、ビス（ｊ、Ｆ−ジカルボキシフェニル）エーテルジメ
チルエステル、ビス（Ｊ、Ｆ−ジカルボキシフェニル）
スル７オンジフエニルエステル、エチレンテトラカルボ
ン酸ジエチルエステル、シ３−ジカルボエトキシー／１
μｍブタンジカルボンｆｌｌ、３．ｌＩ−ジカルボメト
キシアジビン雪、３−カルボキシグルタル酸−ｌ−エチ
ルエステル等が挙げられる。

また、本発明の組成物に含まれるポリアミドにおいて、
炭素−炭素二重結合等の感光性基を持ったジカルボン酸
を用いることＫより、別に感光性基を持った化合物を加
えることなく、可視光線、紫外線、Ｘ線、電子線等によ
って硬化させ、フォトリソグラフィーの手法によってパ
ターンを描くことができる。その具体的な好ましい例と
しては、弘−カルボキシケイ皮酸、ｐ−フ二二レンジア
クリ　ル酸、　　ト　リ　メ　リ　ト　酸　ア　リ　ル
、　　ト　リ　メ　リ　ト　酸　（−２−アクリロキシ
エチル）、ゲ、ψ′−ジカルボキシカルコン、ジ（クー
カルボキシベンジリデン）アセトン等を挙げることがで
きる。

また、前述の感光性基がカルボン酸のオルト位またはべ
り位にカルボン酸エステル結合を介して置換されている
と、感光性ポリイミド前駆体となシ、加工性、耐熱性、
耐電圧などの特性が最も良いものとなる。その具体的な
好ましい例としては、ピロメリト酸−４≠−ジアリル、
ビｐメリト酸−４μｍジ（コーアクリロキシエチル）、
ピロメリト酸−４≠−ジ（コーメタクリロキシエチル）
とピロメリト酸−２，≠−ジ（コーメタクリロキシエチ
ル）の混合物、ベンゾフェノン−Ｊ、　ｊ、’μ、μ′
−テトラカルボン酸ジアリル、Ｊ、！’、Ｉ１．ｖ′−
ベンゾフェノンテトラカルボン！　−，３，３’または
グ、弘′または３゜μ′−ジ（コーメタクリロキシエチ
ル）混合物等を挙げることができる。

これらのジカルボン酸類は一種または二糧以上を混合し
て用いることができる。

ジアミン類としては、組成物の使用目的に応じて種々の
ものを用いることができる。例えば、脂肪族ないし脂環
族系のジアミンを用いることができ、その具体的な好ま
しい例としては、エチレンジアミン、４３−プロピレン
ジアミン、４コープロピレンジアミン、４弘−ブタンジ
アミン、λ、２−ジメチルー４３−プロピレンジアミン
、ヘキサメチレンジアミン、４≠−シクロヘキサンジア
ミン、３−メトキシへキサメチレンジアミン、デカメチ
レンジアミン、ビス（３−アミノプロピル）スルフィド
、ビス（弘−アミノシクロヘキシル）メタン、ピペラジ
ン岬を挙げることができる。また、芳香族ジアミンを用
いると耐熱性の高いポリアミドを製造でき、その具体的
な好ましい例としテハ、メタ−フェニレンジアミン、パ
ラ−７二二レンジアミン、ｐ、ｐ’−ジアミノジフェニ
ルプロパン、μ、４Ｉ′−ジアミノジフェニルメタン１
．？、Ｊ’−ジアミノジフェニルスルフォン、ジ≠′−
ジアミノジフェニルスルフォン、ａ、ａ！−ジアミノジ
フェニルスルフィド、ベンチジン、ψ、弘′−ジアミノ
ジフェニルエーテル、４！−ジアミノナフタレン、メタ
−トルイジン、！、３′−ジメチルベ／チジ／、３，３
′−ジメトキシペンチジン、３．μ′−ジアミノジフェ
ニルエーテル、Ｊ、Ｊ’−ジメトキシペンチジン、オル
ト−トルイジンスルフォン、フェニルインダンジアミン
、／、　／、　／、　ｊ、　ｊ、　ｊ、−へキサフルオ
ローコ、コービス（ψ−アミノフェニル）プロパン、／
、　／、　／、　ｊ、　ｊ、　ｊ。

−へキサフルオローコ、コービス（弘−アミノフエノキ
シフエール）プロパン、ビスＣμｍアミノフエノキシフ
エエル）スルフォン、４μｍヒＸ（４Ａ−アミノフェノ
キシ）ベンゼン、／、３−ビス（弘−アミノフェノキシ
）ベンゼン、り、タービスＣμｍアミノフェニル）フル
オレン、μ＋’ｌ’−ジアミノベンズアニリド、ビス（
クーβ−アミノ−ｔ−ブチルフェニル）エーテル、メタ
キシリレンジアミン等を挙げることができる。

更に１接着性を向上させるためＫ、耐熱性を低下させな
い範囲で、シロキサン構造を有するジアミノを共重合す
ることもできる。好ましい例として次の構造式で示され
るものなどが挙げられる。

これらのジアミン類は一種または二種以上を混合して用
いることができる。

本発明の組成物に用いるポリアミドを製造する反応条件
は特に限定的ではなく、公知の条件を採用できる。反応
温度は反応が進行する条件であれば特に制限はないが、
反応速度及び副生成物の発生の問題から一コＯ℃から１
０℃が好ましく、−１０℃から３０℃がさらに好ましい
。縮合剤の比率はカルボ／酸またはアミンの少ないほう
に対して当量以上あればよく、過剰に存在してもＩｌ！
ｉＫ大きな問題はない。通常ｌ当量から／、！当量程度
用いるのが好ましい。溶剤の量は縮合剤１モルに対して
ｊＯＯ−ないし１０１であることが好ましい。反応時間
は７０分ないし１００時間が好ましく、１時間ないしコ
ダ時間がさらに好ましい。また、反応時にｌ−ヒドロキ
シベンゾトリアゾール、Ｎ−ヒドロキシコハク酸イミド
、ピリジン等の添加物を用いて反応を円滑に行なうとと
も好ましい。試薬の添加順序はどのような順序でもよい
が、溶媒及びジカルボン酸類を入れておき、次いでカル
ボジイミド類を加えた後、ジアミン類を加えるという方
法によったほうが、より高分子量で安定性の良いポリア
ミド、を合成することができることから好ましい。ジカ
ルボン酸類とジアミン類のモル比は／、　０付近である
ことが好ましいが、目的とするポリアミドの分子量に応
じてＱ、７ないし／、３とすることもできる。を九、反
応時に単官能性のアルコール、アミン等を添加して分子
量を制御することもできる。反応の停止は反応液を希釈
すること、生成したポリアミドを単離すること、アルコ
ール等で活性な反応末端を不活性化すること、等の公知
の方法を用いることができる。

本発明の組成物に用いるポリアミドの単離は、生成した
ポリアミドの性状及び使用した縮合剤の性状に応じて、
−過、洗浄、水または有機溶剤による再沈殿、留去等の
公知の方法を用いて溶媒、残存縮合剤、縮合剤からの生
成物である尿素類等を除去することＫよって行なうこと
ができる。

本発明の言う光活性物質とは、光開始剤、アジド化合物
、及びジアゾ化合物である。

本発明の組成物に用いるアジド化合物としては種々のも
のが選びうる。その具体的な好ましい例トシては、４≠
−ベンゼンビススルフォンアジド、弘−スルフォンアジ
ドフェニルブレインイミド、帽μ′−ジアジドカルコン
、４３−ビス（弘−アシトベンザル−）アセトン、２．
６−ビス（弘−アシトヘンザル−）シクロヘキサン、２
．ｔ−ビス（≠−アジドベンザルー）ｔＩ−メチルシク
ロヘキサンなどが挙げられる。

本発明の組成物に用いるジアゾ化合物としては、糧々の
ものが選びうる。その具体的な好ましい例としては、≠
−ジアゾーＮ−エチルーＮ−β−ヒドロキシエチルアニ
リン、／、コーナフトキノンジアジドー≠−スルフォン
酸、ｐ−ぺ／フキノンジアジド−ｐ−ジアゾフェニルア
ミンなどが挙げられる。

本発明の組成物に用いる光開始剤としては種々のものが
選びうる。その具体的な好ましい例としては、ベンゾフ
ェノン、０−ベンゾイル安息香酸メチル、ｐ、４ｔ’−
ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン、≠、４ｔ′−
ビス（ジエチルアミン）ヘンシフエノン、弘、ψ′−ジ
クロロベ／シフエノン、グーベンソイル−μ′−メチル
ジフェニルケトン、ジベンジルケトン、フルオレノン等
ベンゾフェノン誘導体。２，２′−ジェトキシアセトフ
ェノ／、ノーヒドロキシ−２−メチルグロピオフエノン
、Ｐ−１−ブチルジクロロアセトフェノン等アセトフェ
ノン誘導体。ｌ−ヒドロキシシクロへキシルフェニルケ
トン。チオキサントン、２−メチルチオキサントン、２
−クロロチオキサントン、２−イングロビルチオキサン
トン、ジエチルチオキサントン等チオキサントン銹導体
。ベンジル、ベンジルジメチルケタール、ベンジル−β
−メトキシエチルアセタール等ぺ／ジル誘導体。ベンゾ
イン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインイソブチ
ルエーテル轡べ／ジイン誘導体。アントラキノン、コー
ｔ−ブチルアントラキノン、コーアミルアントラキノン
、β−クロルアントラキノン等アントラキ／７１１導体
。アントロン、ベンズアンスロン、ジペンゾスペロン、
メチレンアントロン等アントロン誘導体。／−フェニル
−４コープロパンジオン−Ｊ−（ｏ−エトキシカルボニ
ル）オキシム、ｌ−フェニル・−４２−ブロパンジオン
ー２−（ｏ−ベンゾイルオキシム）、α−ベンゾインオ
キシム等オキシム類、ナフタレンスルホニルクロライド
、キノリンスルホニルクロライド、Ｎ−フェニルチオア
クリドン、ψ、弘′−アゾビスイソブチロニトリル、ジ
フェニルジスルフィド、ベンズチアゾールジスルフィド
、トリフェニルホスフィン、カンファーキノン、四臭化
炭素、トリブロモフェニルスルホン、過酸化ヘンジイル
、及び、エオシン、メチレンブルー等光還元性色素とア
スコルビン酸、トリエタノールアミン等の還元剤の組み
合わせ等である。

光開始剤には適当な増感剤を加えることもできる。増感
剤の例としては、トリエチルアミン、ジェタノールアニ
リン、ミヒラーズケトン、ジメチルアミノ安息香酸イン
アミル、ジエチルアミノ安息香酸エチルの＃１か、増感
性色素等がある。

これらの光活性物質は、単独または数種類の混合物で用
いられる。感光性組成物としてこれらの開始剤はポリア
ミドに対してｏ、１−ａｏ％添加畜れる。

本発明の組成物には、必ｔ！に応じて炭素−炭素二重結
合を有する化合物を添加することができる。

この炭素−炭素二重結合を有する化合物は添加すること
Ｋより光重合反応を容易にするような化合物であって、
このようなものとしては、−一エチルへキシルアクリレ
ート、コーヒドロキシエチルアクリレート、Ｎ−ビニル
−２−ピロリド／、カルピトールアクリレート、テトラ
ヒドロフルフリルアクリレート、インボルニルアクリレ
ート、ｔ６−ヘキサンジオールジアクリレート、ネオペ
ンチルグリコールジアクリレート、エチレングリコール
ジアクリレート、ポリエチレンクリコールジアクリレー
ト、ペンタエリスリトールジアクリレート、トリメチロ
ールプロパントリアクリレート　、　　ぺ　／　タ　エ
　リ　ス　リ　　ト　−　ル　ト　リ　ア　り　リ　し
　−　ト　、　　ジペンタエリスリトールへキサアクリ
レート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、
上記のアクリレートをメタ・クリレートに変えたもの、
メチレンビスアクリルアミド、Ｎ−メチロールアクリル
アミド、ジ（アクリルアミノメチル）エーテル、上記の
アクリルアミドをメタクリルアミドに変えたもの、Ｎ−
フェニルマレインイミド、ジフェニルメタン−ψ、ｔＡ
／−ビスマレインイミド、トリメチロールプロパントリ
アリルエーテル、ペンタエリスリトールトリアリルエー
テルなどが挙げられ、これらの中で好ましいものは、λ
つ以上の炭素−炭素二重結合を有する化合物である。

これらの炭素−炭素二重結合を有する化合物はポリアミ
ドに対して、必要に応じて３０％以下の範囲で添加する
ことができる。

また、上記の炭素−炭素二重結合を有する化合物として
アリルエーテル系の化合物を用いる場合、及びポリアミ
ドとして炭素−炭素二重結合の感応基を持つジカルボン
酸より合成されたポリアミドのうち、感応基がアリル基
であるものを用いる場合には、光活性物質としてアジド
化合物を組み合わせるか、あるいは光開始剤と、ポリチ
オール化合物を含む組成物として用いることが好ましい
。

これらポリチオール化合物は、一般式 ％式％） （ただし、Ｒｓと８２は「反応性」不飽和炭素−炭素結
合基を含まない有機基であり、ｎは２以上の整数である
）で示される。ここで「反応性炭素−炭素不飽和結合基
」という語は、適当な条件下でチを生じる基を意味する
。

本発明に適切なポリチオール化合物の例には、チオグリ
コール酸（Ｈ８−ＣＨ２ＣＯＯＨ）、α−メルカプトプ
ロピオン酸（Ｈ８−ＣＨ（ＣＨｓ）−ＣＯＯＨ）及びβ
−メルカプトプロピオン酸（Ｈ８ＣＨｚＣＨｚＣＯＯＨ
）とグリコール、トリオール、テトラオール、ペンタオ
ール、ヘキサオール等のよう表ポリヒドクキシ化合物と
のエステルが含まれるが、それらに限定されるわけでは
ない。適切なポリチオールの特定の例には、エチレング
リコールジチオグリコレート、エチレングリコールジ（
３−メルカプトプロピオネート）、トリメチロールプロ
パントリチオグリコレート、トリメチロールプロパント
リ（３−メルカプトプロピオレート）、ペンタエリスリ
トールテトラチオグリコレート、ペンタエリスリトール
テトラ（３−メルカプトプロピオネート）、トリメチロ
ールエタントリチオグリコレート、トリメチロールエタ
ントリ（３−メルカプトプロピオネート、ジペンタエリ
スリトールヘキサ（３−メルカプトプロピオネート）等
が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

これらのポリチオール化合物は、ポリアミドに対して、
必要に応じて０〜３０％添加される。

また、本発明の組成物に重合禁止剤を添加することＫよ
り、組成物の安定性を向上させることができる。禁止剤
の具体的な好ましい例としては、ヒドロキノン、Ｎ−二
トロンジフェニルア°ミン、ｐ−ｔ−ブチルカテコール
、フェノチアジン、Ｎ−フェニルナフチルアミン、Ｊ、
Ａ−ジーｔ−ブチル−ｐ−メチルフェノールなどが挙げ
られる。

更に、本発明組成物にメルカプタン化合物を添加するこ
とにより、光感度を更に向上させることができる。メル
カプタン化合物の例としては、例えば、コーメルカブト
ベンズイミダゾール、−一メルカブトベンゾチアゾール
、／−フェニル−！−メルカプトー／Ｈ−テトラゾール
、−−メルカプトチアゾリン、λ−メルカプドーリーフ
ェニルチアゾール、−一アミノー！−メルカプ）　−／
、　Ｊ。

μｍチアジアゾール、コーメルカブトイミダゾール、２
−メルカプト−よ−メチル−／、　ｊ、　弘−チアジア
ゾール、ｊ−メルカプ）−／−メチル−／Ｈ−テトラゾ
ール、　Ｊ、弘、ｊ−トリメルカプト−１−トリアジン
、２−ジブチルアミノ−μ、ｔ−ジメルカプトー８−ト
リアジン１．２．ｊ−ジメルカプト−４３、グーチアジ
アゾール、！−メルカプトー／、３゜グーチアジアゾー
ル、／−エチｋ　−ｊ　−メｓ、カブ）−／、２．ｊ、
４’・−テトラゾール、コーメルヵグトー乙−二トロチ
アゾール、コーメルカブトベンゾオキサゾール、グーフ
ェニルーコーメルカブトチアゾール、メルカプトピリジ
ン、−一メルヵプトキノリン、／−メチル−一−メルカ
プトイミダゾール、コーメルカブトーβ−ナフトチアゾ
ール々どが挙げられる。

以下に本発明の組成物の使用法を述べる。

本発明の組成物は、該組成物中のすべての成分を溶解し
うる溶媒に溶解して所定の基体上に塗布する。この際、
シリコン半導体・−等の基体との密着性を高めるために
は、例えば、トリエトキシビニルシラン、トリ（メトキ
シエトキシ）ビニルシラン、γ−グリシドキシプロビル
トリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミ
ノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル
）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシランなどのシ
ランカップリング剤を添加するか、基体にプレコートす
ることが好まり、イ。

前記溶媒としては極性溶媒が好ましく、例えばジメチル
ホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルアセト
アミド、ジグライム、酢酸イソブチル、シクロペンタノ
ンなど沸点が高すぎないものが望ましい。更に、アルコ
ール、芳香族炭化水素、エーテル、ケトン、エステルな
どの溶媒を成分を析出させない範囲で加えることもでき
る。

基体上に塗布する方法としては、前記のようにして得ら
れた溶液を、フィルターで一過した後＼スピンコーター
、バーコーター、フレードコーター、スクリーン印刷法
などで基体に塗布する方法、基体を該溶液に浸漬する方
法、該溶液を基体に噴霧する方法など種々の方法を用い
ることができる。

基体としては、金属、ガラス、シリコン半導体、金ＩＸ
醒化物絶縁体、９化ケイ素膜、ポリエステルフィルム、
ガラスエポキシ板など種々の材料を選ぶことができる。

次に、このようにして得られた塗膜を風乾、加熱乾燥、
真空乾燥などを組み合わせて乾燥したのち、露光を行な
う。この際、用いる活性光線としては、例えば、紫外線
、Ｘ線、電子線などが挙げられ、これらの中で紫外線が
好ましく、その光源としては、例えば、低圧水釧灯、高
圧水銀灯、超高圧水銀灯、・・ロゲンランプ、殺菌灯な
どが挙げられる。これらの光源の中で超高圧水銀灯が好
適である。また、露光は窒素雰囲気下で行なうことが好
ましい。この露光の際に、フォトマスクを用いる、縮少
投影装置を用いる、などの公知のプロセスを用いて、必
要とするパターンに従って露光を行なう。

このようにして露光したのち、未照射部を除去すべく、
浸漬法やスプレー法などを用いて現像を行なう。この除
用いる現僧液としては、未露光膜な適当な時間内に完全
に溶解除去しうるようなものが好ましく、例えば、Ｎ−
メチルピロリドン、Ｎ−アセチルーコービロリドン、Ｎ
、Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセト
アミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホリ
ックトリアミド、Ｎ−べ／ジルーコーピロリドン、γ−
ブチロラクトンなどの非プロトン性極性溶媒を単独で用
いてもよいし、あるいはこれらに第２成分として、例え
ば、エタノール、イソプロパノ−１ｆｋどのアルコール
、ヘキサン、シクロヘキサンなどの脂肪族炭化水素、ト
ルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素化合物、メチル
エチルケトン、メチルイソブチルケト／などのケトン、
酢酸エチル、プロピオン酸メチルなどのエステル、テト
ラヒドロフラン、ジオキサンのようなエーテルなどの溶
媒を混合して用いてもよい。更に、現像直後に前記第２
成分として示したような溶媒でリンスすることが好１１
−い。

このようにして得られた、ポリアミドを主成分とする画
像を、乾燥後、レジスト、絶縁膜、保饅膜等の用途に用
いる。この際に必要に応じて加熱による不要成分の除去
、ポリアミドの化学構造の変換、などの処理を行なう。

〔作　　用〕

本発明の組成物においては、塗膜形成後、活性光線を用
いて分子間に架橋反応を起こし、有機溶媒等に対する溶
解速度の架橋部と未架橋部との差を利用して画像を得る
ものである。

また、本発明の組成物は、塩素イオンの含量が低いため
、塩素イオンに触媒される金属の腐食が進行せず、種々
の用途の保膿膜として用いる際の信頼性等の性能が向上
する。

更に、塩素イオンは系内に水が存在すると、ポリアミド
の加水分解を促進し、ポリアミド溶液の保存安定性に悪
影醤を与えるが、本発明の組成物は塩素イオンの含有が
低いため、良好な保存安定性を有する。

〔発明の効果〕

本発明の組成物は、原料のポリアミドの合成に塩素を含
んだ縮合剤等を用いないため検出限界以上の塩素イオン
は含まれず、金属腐食等の問題も起こらないため、広く
電子材料、半導体分野に適用することができる。

また、本発明の組成物の溶液は、良好な保存安定性を有
し、使用の際の管理が容易であることなどの実用上の利
点を持っている。

〔実施例〕

以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこれに限定さ
れるものではない。

合成例／ ３θＯ−容のセパラブルフラスコに１イソフタル＠ｔ６
．４ｇ、Ｎ−メチルビ０１７　）’　７１００ｄ、ｐ、
　ｅ’　−ジアミノジフェニルエーテル−ｏ、ｏｇ、ピ
リジンｏ、ｔｇを入れ、水冷下、攪拌しながら、ジシク
ロヘキシルカルボジイミド弘／、　、２　ｑ　　のＮ−
メチルピロリドンｌ１０−の溶液を３０分間で滴下した
。更に室温で２≠時間攪拌した後、エタノールｊ−を加
えて更にψ時間攪拌した後、沈殿をｐ遇し、得られた溶
液を攪拌下ｉｏ１のエタノールに加え、生成した沈殿を
一過しエタノールで洗浄した後、真空乾燥して、白色粉
末（２ｚｏ９１を得た。得られた粉末の濃硫酸中、３０
℃、０．Ｊ９／ｄｔでの固有粘度〔η］　ｕ　ｏ、ｓｏ
　ｄＶ９であった。ゲルパーミェーションクロマトグラ
フィー（ＧＰＣ）によって求めた重量平均分子量はｓ　
ｏ、ｏ　ｏ　ｏであった。これをＰＡ−／と称する。以
上を合成法人と称する。

比較合成例１ ３θＯ−容のセパラブルフラスコに、ジアミノジフェニ
ルエーテル／９．１９、Ｎ−メチルピロリドンｔｏｏｗ
ｌ、ピリジン／７．０９’に入れ、水冷下、攪拌しなカ
ライノフタル酸ジクロライトコ０．３９を７５分間で滴
下した。更に室温で２１時間攪拌した後、エタノールｊ
−を加えて更にμ時間攪拌した。得られた溶液を攪拌下
、１０１の水に滴下し、生じた沈殿を一過し、水及びエ
タノールで洗浄した後真空乾燥して、白色粉末（２ｔ、
０９’）ｔ−得た。得られた粉末の濃硫酸中、３０℃、
０．　！　９／ｄｌでの固有粘度［Ｖ）は０．１ＩＩｄ
ｌ／ｇであった。ＧＰＣによって求めた重量平均分子量
はａＺｏｏｏであった。これをＰＡ　−一と称する。

参考例／ 無水ピロメリト酸１００ｇを３００ｔｎｔ容のフラスコ
に入れ、エタノール２００−を加えて７０℃に７時間加
熱した。冷却後、生成した結晶をｐ別し、エタノールで
再結晶してピロメリト酸−４≠−ジエチルエステル（’
Ｉ’１．０９’）を得た。この化合物の核磁気共鳴スペ
クトルは次の吸収を示した。δ値／、１１０三重線、ｉ
＜Ｈ相当；り、≠０１四重線、４（Ｈ相当；Ｊ’、０３
、−重線、コＨ相当”、／／、ＩＯ，幅広、コＨ相当。

合成例コ ３００ｍ１容のセパラブルフラスコに、ピロメリト！！
−／、　＜Ｚ−ジエチルエステルｊ１．０９、γ−ブチ
ロラクトン／、００ｍ１．ピリジンｔｙｏ９を入れ、水
冷下撹拌しながらジシクロへキシルカルボジイミドμ／
、Ｊりのγ−ブチロラクト／参〇ｗｔの溶液′ｆ：ＩＯ
分間で滴下した。更に水冷下グ、μ′−ジアミノジフェ
ニルメタンλＯ６θりのγ−ブチロラクト７１００ｍ１
の溶液を７５分間で滴下した。更に１０℃でｔ時間攪拌
１−た後、エタノールｌｄを加えて、更に室温で≠時間
攪拌し、沈殿を一過して得られた溶液を撹拌下１０１の
インプロパツールに加工、生成した沈殿を一過、洗浄し
た後、真空乾燥して淡赤色粉末（弘−１０９）を得た。

得られた粉末のＮ−メチルピロリドン中、３０℃、／　
９７ｄｌでの固有粘度〔η〕は０．３０ｄｅ１９であっ
た。ＧＰＣＫよって求めた重量平均分子量はコ’ｙ、ｏ
ｏｏであった。これをＰＩ−／と称する。以上を合成法
Ｂと称する。

参考例λ かきまぜ機、乾燥管を付けた還流冷却器、温度計を備え
た四つロフラスコに、アリルアルコール３ｔＩ９９　、
！：　３，３’−ＩＩ、ＩＩ’−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物ｊｏｏ９を加え、油浴中でｉｏｏ℃
で３時間かきまぜた。放冷の後、反応混合物から工バボ
レーターによりアリルアルコールを留去し、真空乾燥し
て６７グクの固体を得た。この生成物をＣ−／とする。

Ｃ−／の核磁気共鳴スペクトル（１００Ｍ比、溶媒Ｃｌ
）　ＣＩ、　）は、次の吸収を示した。

（δ値グ、♂−２二重線、４ＡＨ相当分）、（よ／〜よ
４多重線、μＨ）、（よ７〜乙、コ、多重線、コＨ）、
（７１Ｎｊｒ、ｊ、　多重線、６Ｈ）、ＣＩ！、９．−
１線１，２Ｈ）６ 合成例３ 一〇〇−容のセパラブルフラスコに、Ｃ−／ＪＪ、２ｑ
、γ−ブチロラクトン７／、弘−、ピリジン！／ｄ及び
≠、ψ′−ジアミノジフェニルエーテルｒｙ　ｔ−加え
、室温で３０分間かきまぜて均一な溶液とし九この溶液
に氷／水による冷却下、ジシクロへキシルカルボジイミ
ドＪＯ，１９を加え、３時間かきまぜた後、エタノール
ｊ−を加え、更に／時間かきまぜた。反応混合物を一過
しｐ液を攪拌しているコｌのメタノールに滴下し、デカ
ンテーションにより生成した沈殿を分離した。この沈殿
を、／Ｉｔ、ｒｄのＴＨＦＫ溶かし、かきまぜている／
、　ｔ　ｌのイオン交換水に滴下した。生成した沈殿ｔ
−ｐ遇、風乾後真空乾燥し２２．０９の赤色粉末を得た
。Ｎ−メチルピロリドン中、３０℃、１９／ｄｉでの固
有粘度〔ワ〕は０、／≠であった。ＧＰＣＫよって求め
た重量平均分子、　量は／Ａ、０００　であった。これ
をＰＩ−，２と称する。

以上を合成法Ｃと称する。

合成例ぐ ｊｏｏ−容のセパラブルフラスコに１　ピロノ９　）酸
無水物！４♂り、−一ヒドロキシエチルメタクリレート
コｚＯり、ｒ−ブチロラクト／１００−を入れ、氷冷下
、攪拌しながらピリジンｔ　７．ｏ９を加えた。

室温で！ｉｐ時間攪拌した後、ジシクロへキシル力。　
ルポジイミド幻−９のγ−ブチロラクト７ｕＯｄの溶液
を水冷下、１０分間で加え、続いて弘、弘′−ジアミノ
ジフェニルエーテル／ｌ、Ｏｇｔ　／　１分間で加えた
。水冷下、３時間攪拌した後、エタノールｊ−を加えて
更に７時間攪拌し、沈＊ｔ’ｔｐ遇した後、得られた溶
液を１０１ｆのエタノールに加え、生成した沈ｌｉをエ
タノールで洗浄１．た後、真空乾燥して淡かつ色の粉末
を得た。得られた粉末のＮ−メチルピロリドン中、３０
℃、７ｇ／ｄｔでの固有粘度〔η〕は０．ココであった
。ＧＰＣＫよって求めた重量平均分子量は／３．θθＯ
であった。核磁気共鳴スペクトルの代表的な吸収値は、
δ値でＯ９り〜ｔ、ｒｃｆｆｊｉ広）：／、Ｊｒ（ｍｓ
４Ｈ相当）　：　ｔｔ、Ｓ　（幅広、ｄ％ｇＨ相当）；
よＡ（ｍ、２Ｈ相当）：／＋、Ｏ（ｓ、ａＨ相当）；７
０（ｄ、　弘Ｈ相当）ニア７（ｄ、４！Ｈ相当）ニア７
〜ｆ、ｆ（ｍ、コＨ相当）であった。ここで、８は一重
線、ｄは二重線、ｍは多重線の一吸収であることを示す
。

Ｏｏり〜ｌ、ざの吸収の積分値からポリマーの末端の５
０％がアシルウレア構造をとっていると推定された。赤
外線吸収スペクトルの代表的な吸収値をＩＭ−”で示す
と、／７３θ、／１ｌｓＯ，／ｌ／θ、１１弘ｏ、　１
ｊｏｏ。

／１１１０、／’７１０、／３０θ、／Ｊ４ｔＯ，１１
４３％１１００であった。これをＰＩ−Ｊと称する。以
上を合成法りと称する。

比較合成例λ ｊｏｏｗｔ容の化バラプルフラスコに１ピロメリトｌｌ
鍼水物λｔ♂り、２−ヒドロキシエチルメタクリレ−ト
コ１０９　、γ−ブチロラクトン１００−を入れ、水冷
下、攪拌しながら、ピリジンＪ　Ｊ、０９を加えた。

室温で１６時間攪拌した後、チオニルクロライド、２３
．ｒｇを１０〜ｌｊ℃で３θ分間で加えた。／時間／、
ｔＣで放置した後、ｇ、４ｔ’−ジアミノジフェニルエ
ーテル１６．θｑをｒ−ブチロラクトンｊＯｗｄでスラ
リー状にしたものを水冷下３０分で滴下した。

ｌｔｃで２時間放置した後、ＩＯ−のエタノールを加え
、室温で／４時間放置した。得られた溶液ｔｒ−ブチロ
ラクトンでコ倍に薄めた後、ｉｏ６のイオン交換水中に
攪拌しながら滴下し、沈殿を一過、洗浄した後、テトラ
ヒドロフランｔ００ｍｌｌｆｃ再度溶解し、ｌＯｌのイ
オン交換水に滴下し、沈殿１！−一過、洗浄、乾燥して
淡黄色の粉末ｔｏ、ｏｇを得た。得られた粉末のＮ−メ
チルピロリド／中、３０℃、／９／ｄｉでの固有粘度〔
η〕はｏ、ｉｙでありた。

ＧＰＣで求めた重量平均分子量は／よθθθであった。

これをＰＩ−グと称する。

合成例Ｉ　Ｎ／　／ ／）　　３．ｉｔＡμ′−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸無水物、２）　　λ−ヒドロキシエチルメタクリレ
ート３）偶ψ−ジアミノジフェニルエーテル弘）トリメ
リド酸モノエチル（／−エチルと２−エチルの混合物）
ｊ）Ｊ、３：ｔＡ　４４’−ベンゾフェノンテトラカル
ボン酸ジエチルエステル参考例３　塩素イオン濃度の測
定 合成した全ポリマーにつき、少量の硫酸溶液を加えた有
機溶媒中にポリマーを溶解し、電気伝導度を測定しなが
ら硝酸調水溶液で滴定する方法で塩素イオン濃度を測定
した。ＰＡ−ｊには１Ｏｙａ、ＰＴ−μにはｒＯＰの塩
素イオンが含まれていたのに対し、その他のポリマーで
は塩素イオンは測定限界以下しか含まれていなかった。

なお、この測定方法の測定限界値は約／Ｐである。

実施例／ ＰＡ−／２１９、エチレングリコールジアクリレート　
１０ｇ、ミヒラーケト７Ｑ、１９、ベンゾフェノン０．
ｊｑ、ベンジルジメチルケタールｔ、ｏ９を、Ｎ−メチ
ルピロリドン　ｒｏ９に溶解して、均一溶液を得た。こ
の溶液を表面をパフ研磨によシ整面した鋼張ガラスエポ
キシ積層板上Ｋｍ布し、７０℃で３時間乾燥して、膜厚
１００μｍの均一な塗膜を得た。次いで、フォトマスク
及び超高圧水銀灯（♂ｍＷ／ｌｙｌ　）を用いて、窒素
雰囲気下、５分間露光を行ない、次いで、Ｎ、Ｎ−ジメ
チルアセトアミドとエタノールの等当混合液で３０秒間
スプレー現現金行なってポリアミドのパターンを得た。

これを窒素雰囲気下、Ｊ♂Ｏ℃で２時間乾燥したものは
、十分な表面硬度を持ち、ハンダ浴中、ＪｔＯ℃、ｉｏ
秒間の浸漬を行なっても、パターンには外観上何の変化
も見られなかった。また、このパターンを温度１０℃、
湿度ｒｊチの環境下に２００時間放置したが、塗膜下の
銅面には外観上何ら変化は生じなかった。

比較例１ ＰＡ−Ｊを用いて、他の条件は実施例／と全く同一にし
７てパターンを形成した。得られたパターンを、温度Ｊ
’θ℃、湿度ｒｒ％の環境下に、、２００時間放置した
ところ、塗膜下の銅の表面に腐食によると思われるくも
りを生じた。

実施例−〜７ ＰＡ−３、ＰＡ−μ、ＰＡ−ｊ％ＰＡＩ−／。

ＰＡＩ−１を用いて、実施例／と同一の条件でパターン
形成を行なった。それぞれのパターンにつき適当な温度
で熱処理を行なった後、実施例／と同参考例を 実施例／、！、グ及び比較例／の溶液を室温で放置し、
溶液粘度の変化を観察した。比較例／の溶液は３日後か
ら溶液粘度の低下が起こったが、他のものけ７日後でも
変化を生じなかった。

実施例ｇ ＰＡ−４，２０り、２．ｔ−ビス（ｔＩ−アンドペンザ
ル−）シクロヘキサンＯ３♂ｐｔ−一〇りのシクロヘキ
サノンに溶かし、均一な溶液を得た。これをシリコンウ
ェハー上にスピン塗布し、６０℃で１時間乾燥して、膜
厚１０μｍの塗膜を得た。次いでフォトマスク及び超高
圧水銀灯（♂ｍＷ／ｃｌＩ）を用いて、１０秒間露光し
た後、シクロヘキサノンとキシレンの混合溶媒系を用い
て現金を行ない、コＯＯ℃で２時間乾燥を行なって、パ
ターンを得た。パターンは７０μｍの解像度を有してい
た。

実施例り ｐＩ−，２を２ｊＬ７、ペンタエリスリトールテトラ（
３−メルカプトプロピオネート＞ｉ、ａｒｔ）、ミヒラ
ーケト１０ｊり、ワード中ブレンキ／ング社製カウンタ
ーキュアＰＤＯ／、（７り、及び／−フェニル−！−メ
ルカプトー／Ｈ−テトラゾール０．／２ｊりをＮ−メチ
ルピロリドン　ｌｊづとシクロペンタノン　ｌｊべの混
合溶液に加え、均一溶液を得た。

コ（７）溶液を、ＮＵＣシＩＪ　＝ｙ　−ｙ社Ｉｔ！　
Ａ−／１７　テ前処理したシリコンウェハー上ｉｃ　１
０００回転、７秒間で回転塗布し、７０℃で３時間乾燥
することによシ、膜厚ｊθμの均−表塗膜を得た。つい
で、窒素雰囲気下、ざｍＷ／−の出力の超高圧水銀灯を
用いて≠１０ｍＪ／−の露光を行ない、ついでスプレ一
式現像機を用い、ｒ−ブチロラクトンとキシレンの等当
混合液で３００秒間現像行なった後、ＩＱ秒秒間キシン
／全スプレーてリンスを行ない、窒素スプレーによる乾
燥全行なったところ、露光を行なった部分のみの塗膜が
パターンとして得られた。この際、パター７は６０μの
ラインを解像していることが確認された。次いで、この
塗膜を窒素１￥囲気下、≠００℃で１時間熱処理し九と
ζろ、膜厚３♂μのポリイミドの塗膜のパターンが得ら
れた。

実施例１０ べ／タエリスリトールテトラ（３−メルカプトプロピオ
ネート）のかわりに、）リメチロールプロパントリチオ
グリコレートを７．７　ｊり用いる以外は実施例りと同
一の組成物を用い、これらをＩＩψ−〇Ｎ−メチルピロ
リドンに溶かして均一溶液を得た。この溶液を２００Ｏ
ｒｐｍの回転数で２０秒間スビンコートシ、得られた塗
膜を７０℃で３０分間乾燥した。その膜厚を接触式膜厚
計（タリステップ、テーラーボグンン社製）で測定した
ところ、ｑ、ｊμであった。次に実施例りと同様に露光
し、γ−ブチロラクトンとキシレンの等量混合液で５秒
間現像を行なった後、１０秒間キシレンでリンスし、窒
素スプレーにより乾燥した。その後、膜厚を各ステップ
露光量ととに測定した。この膜厚ｆ、露光前の膜厚で除
した値を１ＴＤ’とする。

感度の表示法として、ＴＤ＝０．ｊＩＩＣなる露光量を
ＤｇＤＯ］、ＴＤ＝０．ｒ　Ｋ　７！ｋ　ル露光量ｔＤ
ｇｃｒｏ〕と定義すると、本実施例では、Ｄｇ　ＣｊＯ
］　＝　ｊＯｍＪ／ｃＡ　。

Ｄ、Ｃ♂θ）＝７０ｍＪ／−であった。また、ｊμのラ
インを解像していることを確認した。ＴＴ　ｉ！　０．
７３であった。

実施例／／ ＰＩ−３を一！Ｏｇ、ミヒラーケトン　ｏ、ｔｔｇ、ψ
−アジドスル７オニルフエニルマレインイミトｏ、ｔｉ
−ｇをＮ−メチルピロリド７２２（ｊに加えて、均一な
溶液を得た。この溶液から実施例？と同様の方法で、膜
厚７０μの均一な塗膜が得られた。

この塗膜に実施例りと同様の処理を行なうととにヨッテ
、膜厚３コμ、解像度ｔｏμのポリイミド塗膜のパター
ンが得られた。

実施例／２ 実施例／ｌで得られたポリイミド塗膜を窒素雰囲気下で
示差熱天秤を用いて熱分解開始温度を測定したところｊ
μ０℃であった。また、ＰＩ−弘を実施例／／　と同様
に処理して、このポリイミド塗膜の熱分解開始温度全同
様にして測定したところ、グ３０℃であった。

実施例１３ ＰＩ−３ｆ：２０ｇ、）リメチロールプロパントリアク
リレート　／、０り、ワード・ブレンキンツブ社のカン
タキュアＰＤＯ／、Ｏｑ、ミヒラーケトンｏ、　ｊｇ及
びｌ−フェニル−！−メルカプトー／Ｈ−テトラゾール
Ｏ＋２ｇ、ジフェニルニトロノアミンｏ、ｏ、ｘ９を用
い、これらをｌｊ−のＮ−メチルピロリドンとｌｊ−の
シクロペンタノンの混合溶媒に溶かして均一溶液を得た
。この溶液を接着助剤Ａ　ｉｌｙ　（ＮＵＣシリコ−／
）で前処理したシリコーンウェハー上に滴下し、２００
０　ｒｐｍの回転数で２θ秒間スピンコートシ、得られ
た塗膜を７０℃で７時間乾燥１．た。その膜厚をダイヤ
ルゲージで測定したところ、／ｊμであった。次に、窒
素雰囲気下、超高圧水鍋灯（♂ｍＷ／ｍ　）と７オト１
スクを用いて、３０秒間露光した。次いで、スプレ一式
現俸機を用い、γ−ブチロラクトンとキシレ／の婢量混
合液で７０秒間現像を行なった後、ｌθ秒関キシレ／を
スプレーしてリンスを行ない、窒素スプレーによる乾燥
後、７０℃で乾燥を行表った。

パターンは十分な表面硬度を持っていた。次いでこのパ
ターンをｌ弘θ℃で２時間、弘ｏｏ℃で２時間加熱し、
ポリイミドのパターンを得た。得られたパターンｔ′ｉ
ｌＯμｍの解像度を有していた。

参考例よ ＰＩ−３、グ、ｊにつき、実施例１３と同様の方法で蒸
着直後のアルミニウムの鏡面上にポリイミドのパターン
を形成した。これを♂Ｏ℃、湿度ｑｏｑｂの条件下でｔ
０００時間放置したところ、ＰＩ−Ｊ及び！については
変化はなかったが、ＰＩ−≠についてはアルミニウムの
鏡面にくもりが発生した。

また、シリコンウェハー上に酸化ケイ素膜を形成し、そ
の上に幅３μ、厚さ／μのアルミニウム配線３００本を
形成し、この上ＫＰＩ−３、弘、ｊを用いて前述の方法
でポリイミドフィルムを形成した。これに２０Ｖの電圧
をかけ、ｔＯ℃、湿度りｏｑｂの条件下で１ｏｏｏ時間
放置したところ、ＰＩ−ｊ及びｊを用いたものＫついて
は変化はなかったが、ＰＩ−４を用いたものＫＦｉ／１
本の断線を生じた。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）カルボジイミド類を縮合剤として、芳香族ジカル
   ボン酸類とジアミン類とから作られたポリアミド化合物
   、及び光活性物質を含む、感光性組成物。