JPS61294632A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ■　発明の青畳 技術分野 本発明は、磁気記録媒体に関するものである。

先行技術とその問題点 近年、磁気記録媒体において高密度化が要求されており
、それに応えるものとして垂直記録方式が提案されてい
る。　そして、この垂直記録方式においては、膜面の垂
直方向に磁化容易軸を有する媒体が必要となる。

この垂直記録方式の磁気記録媒体は基体上にスパッタリ
ング法、真空蒸着法、イオンブレーティング法等により
、強磁性薄膜を数百〜１００００人の膜厚になるよう形
成することにより作製される。

このように形成された強磁性薄膜は膜面に垂直に配向し
た柱状結晶粒の集合体であり、はぼ平滑な表面状態とな
っている。

そして、このような磁気記録媒体は垂直記録方式の磁気
テープ、磁気ディスク等に用いた場合１強磁性薄膜の表
面が平滑すぎるため摩擦係数が高く、磁気ヘッドとの走
行安定性および走行耐久性、さらには磁気ヘッドの偏摩
耗、ヘッド目づまり等の問題点がある。

■　発明の目的 本発明の目的は１表面摩擦係数が低く走行性能が優れ、
かつ磁気特性の良好な磁気記録媒体を提供することにあ
る。

■　発明の開示 このような目的は下記の本発明によって達成される。

すなわち、本発明は高分子基体上にコバルトおよびクロ
ムを含有する強磁性薄膜を有する磁気記録媒体において
１強磁性薄膜表面に２０〜１１０ｎｍの平均粒径をもつ
粒子が析出していることを特徴と−する磁気記録媒体で
ある。

■　発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。

本発明の磁気記録媒体は、基体上に、膜面にほぼ垂直に
配向した柱状結晶粒の集合体からなる強磁性薄膜を有す
る。

この強磁性薄膜を形成する柱状結晶粒の平均粒径は７０
０−之１００人、より好ましくは９００〜１９００人で
あることが好ましい。

また、強磁性薄膜の膜厚は０．１〜１．５ｇ、ｍ、より
好ましくは０．２〜１．０Ｂｍである。

このような強磁性薄膜を構成する組成としてはＣｏ−Ｃ
ｒが好ましい。

Ｃｏ−Ｃｒ膜としては、磁気特性上、総膜組成としてＣ
ｒが１８〜２３ｗｔ％であることが好ましい。

なお、ＣｏおよびＣｒに加え、５ｗｔ％以下の範囲でＦ
ｅ、Ｎｉ、Ｃ，Ｏ等が含有されていてもよい。

この強磁性薄膜の表面には、平均粒径２０〜１１０ｎｍ
の粒子が析出している。

平均粒径２０ｎｍ以下では本発明の効果がなく、１１０
ｎｍをこえると、保磁力が低下する。

そして、この粒子の強磁性薄膜表面からの高さは１０〜
５０．ｎｍであることが好ましい。

１０ｎｍ未満では本発明の効果がなく、５゜ｎｍをこえ
ると耐久性が悪く、粒子が脱落するようになる。

また１粒子の析出密度は５０〜５００個／ＪＬｒｎ′、
より好ましくは１００〜４００個／ルコである。

５０個／ＩＬｍ′未満では本発明の効果がなく、５００
個／μｍｌをこえると保磁力が低下してしまう。

用いる基体は、ポリエステル（ＰＥＴ）、ポリアミド、
ポリイミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリサルフ
ォン、全芳香族ポリエステル、ポリエーテルエーテルケ
トン、ポリエーテルサルフォン、ポリエーテルイミド等
の樹脂からなる。

これらの基体の形状はテープ、ディスク等種々可能であ
り、その厚さについても、特に制限はない。

このような基体の強磁性薄膜形成面側は、通常イオンボ
ンバード処理が施されることが好ましい。

イオンボンバード処理により、粒子の析出量は増大する
。　イオンボンバード処理と析出との関係は明確ではな
いが、おそらく、ボンバード中の放電によって、基体の
表面に面粗れが生じたり、分解した基体成分が再吸着し
て核となることによると推定される。

このイオンボンバード処理は２　Ｘ　Ｉ　Ｏ”Ｂ　Ｔｏ
ｒｒまで排気した後Ｉ　Ｘ　１０−”Ｔｏｒｒまでアル
ゴンガスを導入した真空槽内で冷却キャンの周側面に沿
って基体を０．１〜１ｍ／分の速度で走行させ行う・　
このときの高周波出力は２００〜４００Ｗ、周波数は１
３．５６ＭＨ２程度、冷却キャンの電圧は−３００〜−
５００ｖであり、放電回数は１０〜１．００回／ｓｅｃ
である。

なお、イオンボンバード処理条件と粒子析出との関係は
容易に実験的に求めることができる。

このような基体上には、垂直磁化膜である前記の強磁性
薄膜が形成される。

このような強磁性薄膜はスパッタリング法、真空蒸着法
、ＲＦ法によるイオンブレーティング法、アーク放電イ
オンブレーティング法等のいずれの方法で形成してもよ
゛い。

また、成膜レートは蒸着法による場合。

１００〜２００００λ／ｓｅａ、より好ましくは２００
〜１０００λ／ｓｅｃである。　成膜レートが１００λ
／ｓｅａ未満では残留ガスの影響で粒子析出の再現性、
均一性が悪くなり。

２００００人／ｓｅｃをこえると析出が少なくなる傾向
にある。

以上のように−して作製した磁気記録媒体は垂直方向の
保磁力Ｈｃｆ８００〜１２０００ｅであり、その強磁性
薄膜表面に有する粒子により０．３５以下の良好な摩擦
係数（ａｔ２０℃）を示す。

なお、本発明の強磁性薄膜上には公知の種々のトップコ
ート層を設けてもよい。

また、基体裏面に公知の種々のバックコート層を設けた
り、基体と強磁性薄膜間に中間層、例えば、パーマロイ
等の高透磁率薄膜を設けることもできる。

■　発明の具体的作用効果 本発明によれば、基体上に形成した強磁性薄膜の表面に
粒子が析出して存在していることにより、摩擦係数が低
く走行性能が優れ、しかも良好な磁気特性を有する磁気
記録媒体が得られる。

■　発明の具体的実施例 以下に本発明の具体的実施例を示す。

支ム１ 厚さ２５ｐ−ｍ、巾１００ｍｍのポリエチレンテレフタ
レート（ＰＥＴ）ベースを直径２５ｃｍの冷却キャンに
１周巻きつけた。　また、粒ＩＩ・〜３ｍｍの顆粒状の
Ｃｏ−Ｃｒ合金（Ｃｒ含有量２２ｗｔ％）を水冷銅ハー
スに収納し、真空槽を２ＸＩＯ（ｌＴｏｒｒまで排気し
た。

ついで、冷却キャンを回転しながら２×１Ｏ−３↑ｏｒ
ｒまでアルゴンガスを導入し４００Ｗ、　　１３　、５
６ＭＨｚのＲＦによって１０分間イナン永ンバーＶ帆Ｎ
か軒う伽− このとき、冷却キャンを一５００Ｖに保持することによ
り、１秒間に数十回の放電が確認された。

ついで、キャン温度７０℃、入射角−２５゜〜４５°蒸
発源〜蒸着位置距離３０ｃｍ、圧力２Ｘ１０’Ｔｏｒｒ
にて蒸着を行い、膜厚０．６〜０．７４ｍのＣｏ−Ｃｒ
強磁性薄膜を形成した。

膜厚は成膜レートとキャン回転スピードを調節し、イオ
ン化発光方式の膜厚コントローラーを用いて一定となる
ようにした。

このようにして作成したサンプルの成膜レートと強磁性
薄膜表面に析出し、た粒子の直径、高さ、密度を表１に
示す。

また、これらのサンプルを１／２インチ幅に切断し、垂
直方向の保磁力ＨＣ上と２０℃における粗さ０．２Ｓに
荏上げたステンレスのピンに対する摩擦係数ｐの測定結
果を表１に示す。

表１から明らかなように析出粒子径が２０〜１１０ｎｍ
の領域で良好なＨｃ上、鉢が得られる。

さらに、耐熱−性基体でも上述と同じ結果となることが
確認された。

以上より、本発明の効果は明らかである。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）高分子基体上にコバルトおよびクロムを含有する
   強磁性薄膜を有する磁気記録媒体において、強磁性薄膜
   表面に２０〜１１０ｎｍの平均粒径をもつ粒子が析出し
   ていることを特徴とする磁気記録媒体。
2. （２）粒子が強磁性薄膜表面から平均高さ１０〜５０ｎ
   ｍで突出している特許請求の範囲第１項に記載に磁気記
   録媒体。
3. （３）粒子の析出密度が５０〜５００個／μｍ＾２であ
   る特許請求の範囲第１項または第２項に記載の磁気記録
   媒体。
4. （４）Ｃｒ含有量が１８〜２３ｗｔ％である特許請求の
   範囲第１項ないし第３項のいずれかに記載の磁気記録媒
   体。
5. （５）強磁性薄膜の膜厚が０．１〜１．５μｍである特
   許請求の範囲第１項ないし第４項のいずれかに記載の磁
   気記録媒体。