JPS61296794A - 電子装置の製造方法 - Google Patents
電子装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS61296794A JPS61296794A JP13777785A JP13777785A JPS61296794A JP S61296794 A JPS61296794 A JP S61296794A JP 13777785 A JP13777785 A JP 13777785A JP 13777785 A JP13777785 A JP 13777785A JP S61296794 A JPS61296794 A JP S61296794A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive paste
- substrate
- electronic device
- conductor layer
- main surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は電子装置、特に導電性ペーストを用いて電子部
品を基板に搭載する電子装置の製造方法に関する。
品を基板に搭載する電子装置の製造方法に関する。
混成集積回路(ハイブリッドIC)はICチップ等の裸
のチップ(ペアチップ)を始めとして多くの電子部品が
組み込まれている。このため、ハイブリッドICの組立
歩留り向上および信頼度向上のためには、基板に組み込
まれる電子部品の信頼性確保が望まれる。
のチップ(ペアチップ)を始めとして多くの電子部品が
組み込まれている。このため、ハイブリッドICの組立
歩留り向上および信頼度向上のためには、基板に組み込
まれる電子部品の信頼性確保が望まれる。
一方、チップ部品等電子部品の搭載方法としては、半田
付プロセスを用いる方法、導電性低融点ペースト(導電
性ペースト)を用いる方法、非導伝性接着材を用いる方
法、Au−3i共晶を用いる方法が知られている。従来
、IC等のペアチップとチップコンデンサー等の銀電極
を有する電子部品を混載するハイブリッドICにおいて
は、プロセスの単一化のため導電性ペーストを使用し、
全部品を搭載する方法が用いられてきた。導電性ペース
トとしては、たとえば、工業調査会発行「電子材料J
1983年3月号、昭和58年3月1日発行、P118
〜P124に記載されているように銀ペーストが知られ
ている。
付プロセスを用いる方法、導電性低融点ペースト(導電
性ペースト)を用いる方法、非導伝性接着材を用いる方
法、Au−3i共晶を用いる方法が知られている。従来
、IC等のペアチップとチップコンデンサー等の銀電極
を有する電子部品を混載するハイブリッドICにおいて
は、プロセスの単一化のため導電性ペーストを使用し、
全部品を搭載する方法が用いられてきた。導電性ペース
トとしては、たとえば、工業調査会発行「電子材料J
1983年3月号、昭和58年3月1日発行、P118
〜P124に記載されているように銀ペーストが知られ
ている。
他方、ハイブリッドICは、他の電子装置と同様に高密
度実装化が進んでいるまた、高密度実装化のため電子部
品もより小型となっている。
度実装化が進んでいるまた、高密度実装化のため電子部
品もより小型となっている。
ところで、複数の電極を有する電子部品を搭載した場合
、導電性ペーストが部品搭載時に押し潰されて流出した
り、あるいは導電性ペースト内の樹脂がベーキング時の
熱によって溶叶出して流出した際、部品底面と基板との
クリアランスが小さい結果、導電性ペースト全体あるい
は樹脂が毛細管現象で流動して電極間を繋ぐ現象が生じ
る。前者は直接的に電極間のショート不良を発生させ、
後者は樹脂内に銀が点在している状態であるため、初期
的には良品となるが、顧客での使用中に銀のマイグレー
ションを起こして動作不良を起こしたりする可能性があ
り、歩留りおよび信頼度の向上を妨げる因子となってい
ることが本発明者によってあきらかにされた。
、導電性ペーストが部品搭載時に押し潰されて流出した
り、あるいは導電性ペースト内の樹脂がベーキング時の
熱によって溶叶出して流出した際、部品底面と基板との
クリアランスが小さい結果、導電性ペースト全体あるい
は樹脂が毛細管現象で流動して電極間を繋ぐ現象が生じ
る。前者は直接的に電極間のショート不良を発生させ、
後者は樹脂内に銀が点在している状態であるため、初期
的には良品となるが、顧客での使用中に銀のマイグレー
ションを起こして動作不良を起こしたりする可能性があ
り、歩留りおよび信頼度の向上を妨げる因子となってい
ることが本発明者によってあきらかにされた。
本発明の目的は信顧性の高い電子装置の製造方法を提供
することにある。
することにある。
本発明の他の目的は電子装置の製造歩留りの向上が達成
できる電子装置の製造方法を提供することにある。
できる電子装置の製造方法を提供することにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、本発明によれば、導電性ペーストが印刷され
る導体層部分は基板主面にあらかじめ形成された誘電体
からなる台座層上に印刷されるため、電子部品の底面と
基板主面間のクリアランスは、従来に比較して広くなり
、導電性ペーストの搭載時の押し潰しによる流出あるい
は導電性ペーストに含まれる樹脂のベーキング時の溶融
による流出によっても、これら流出部分が隣接する電極
間を繋ぐことがないので、ショート不良やマイグレーシ
ョンによるショート不良の発生が防止できるため、電子
装置の高信顛度化および製造歩留り向上が達成できる。
る導体層部分は基板主面にあらかじめ形成された誘電体
からなる台座層上に印刷されるため、電子部品の底面と
基板主面間のクリアランスは、従来に比較して広くなり
、導電性ペーストの搭載時の押し潰しによる流出あるい
は導電性ペーストに含まれる樹脂のベーキング時の溶融
による流出によっても、これら流出部分が隣接する電極
間を繋ぐことがないので、ショート不良やマイグレーシ
ョンによるショート不良の発生が防止できるため、電子
装置の高信顛度化および製造歩留り向上が達成できる。
第1図は本発明の一実施例による電子装置の一部を示す
断面図、第2図は同じくハイブリッドICの部品搭載例
を示す模式的斜視図、第3図は同じくセラミック基板の
主面に台座層および導体層を形成した状態を示す断面図
、第4図は同じく導体層の一部に銀ペーストを印刷した
状態のセラミック基板を示す断面図である。
断面図、第2図は同じくハイブリッドICの部品搭載例
を示す模式的斜視図、第3図は同じくセラミック基板の
主面に台座層および導体層を形成した状態を示す断面図
、第4図は同じく導体層の一部に銀ペーストを印刷した
状態のセラミック基板を示す断面図である。
ハイブリッドICは、第2図に示されるように、アルミ
ナ等の基板(セラミック基板)1の主面に多くのICチ
ップ2やチップコンデンサー3等の電子部品が実装され
ている。なお、この図では省略しであるが、基板1の主
面には所望のパターンの導体層が設けられている。そし
て、所定の導体層部分とICチップ2の電極とはワイヤ
4で電気的に接続されている。
ナ等の基板(セラミック基板)1の主面に多くのICチ
ップ2やチップコンデンサー3等の電子部品が実装され
ている。なお、この図では省略しであるが、基板1の主
面には所望のパターンの導体層が設けられている。そし
て、所定の導体層部分とICチップ2の電極とはワイヤ
4で電気的に接続されている。
つぎに、第3図および第4図ならびに第1図を参照しな
がら、電子部品、たとえば、電極間ショートが起き易い
チップコンデンサーの搭載方法について説明する。
がら、電子部品、たとえば、電極間ショートが起き易い
チップコンデンサーの搭載方法について説明する。
最初に、第3図に示されるように、アルミナ等のセラミ
ックからなる基板(セラミック基板)1が用意された後
、この基板(セラミック基板)1の主面には誘電体から
なる台座層5が印刷によって40〜60μmの厚さに形
成される。この台座層5は後述する電子部品の搭載用の
電極に対応した領域、換言するならば、第4図に示され
るように、銀ペーストのような導電性ペースト6が印刷
される領域に設けられる。また、この台座層5および基
板1上に亘って所望のパターンに導体層7が形成される
。その後、この基板1は焼成されて配線基板となる。
ックからなる基板(セラミック基板)1が用意された後
、この基板(セラミック基板)1の主面には誘電体から
なる台座層5が印刷によって40〜60μmの厚さに形
成される。この台座層5は後述する電子部品の搭載用の
電極に対応した領域、換言するならば、第4図に示され
るように、銀ペーストのような導電性ペースト6が印刷
される領域に設けられる。また、この台座層5および基
板1上に亘って所望のパターンに導体層7が形成される
。その後、この基板1は焼成されて配線基板となる。
つぎに、第4図に示されるように、基板1の主面の所望
箇所には導電性ペースト6が、たとえば、10μm程度
の厚さに印刷形成される。
箇所には導電性ペースト6が、たとえば、10μm程度
の厚さに印刷形成される。
つぎに、第1図に示されるように、チップコンデンサー
3の電極部分8が前記導電性ペースト6上に載るように
位置決めされて載置される。この際、第1図に示される
ように、チップコンデンサ−3の載置によって導体層7
上の導電性ペースト6は押し潰されるため、接合部分か
ら外み出す。
3の電極部分8が前記導電性ペースト6上に載るように
位置決めされて載置される。この際、第1図に示される
ように、チップコンデンサ−3の載置によって導体層7
上の導電性ペースト6は押し潰されるため、接合部分か
ら外み出す。
しかし、導電性ペースト6は基板1の主面から50〜7
0μmも高い位置にあることから、外み出した導電性ペ
ースト6は台座層5および台座層5上の導体層7の側面
にも付着するため、基板1のf面に到達する量は少ない
。また、基vilの主面とチップコンデンサー3の底面
との間のクリアランスは台座層5があることから、従来
の10μm程度から50〜70μmと太き(なることも
あって、導電性ペースト6は基板1の主面に長く張り出
さない。この結果、導体層7部分、すなわち、電極部分
が近接していても、導電性ペースト6は隣接状態にある
導体層7と接続しない。したがって、ICチップ2の搭
載時の導電性ペースト6の外み出しに起因するショート
不良は起き難(なる。
0μmも高い位置にあることから、外み出した導電性ペ
ースト6は台座層5および台座層5上の導体層7の側面
にも付着するため、基板1のf面に到達する量は少ない
。また、基vilの主面とチップコンデンサー3の底面
との間のクリアランスは台座層5があることから、従来
の10μm程度から50〜70μmと太き(なることも
あって、導電性ペースト6は基板1の主面に長く張り出
さない。この結果、導体層7部分、すなわち、電極部分
が近接していても、導電性ペースト6は隣接状態にある
導体層7と接続しない。したがって、ICチップ2の搭
載時の導電性ペースト6の外み出しに起因するショート
不良は起き難(なる。
つぎに、基板1は熱処理(ベーキング処理)が施され、
導電性ペースト6は硬化する。この結果、導電性ペース
ト6の硬化体は、チップコンデンサー3の電極部分8を
機械的および電気的に導体層7に接続する。この際、熱
によって導電性ペースト6中の樹脂が溶けても、チップ
コンデンサー3の底面と基板1の主面との間に外み出し
た導電性ペースト6の量が少ないことと、チップコンデ
ンサー3の底面と基板lの主面との間のクリアランスが
大きいことから、溶けた樹脂の流出があっても、流出樹
脂によって両電極は繋がらない。したがって、電子装置
使用時における銀のマイグレーションによるショート不
良も生じ難(なる。
導電性ペースト6は硬化する。この結果、導電性ペース
ト6の硬化体は、チップコンデンサー3の電極部分8を
機械的および電気的に導体層7に接続する。この際、熱
によって導電性ペースト6中の樹脂が溶けても、チップ
コンデンサー3の底面と基板1の主面との間に外み出し
た導電性ペースト6の量が少ないことと、チップコンデ
ンサー3の底面と基板lの主面との間のクリアランスが
大きいことから、溶けた樹脂の流出があっても、流出樹
脂によって両電極は繋がらない。したがって、電子装置
使用時における銀のマイグレーションによるショート不
良も生じ難(なる。
このような実装方法によれば、導電性ペースト6が導体
層7から大きく外み出すことがないことから、ベアーチ
ップおよびチップ抵抗等の電子部品が近接配置搭載され
ても、隣りの電極との接触障害は生じ難くなり、電子装
置の信頼度が向上する。
層7から大きく外み出すことがないことから、ベアーチ
ップおよびチップ抵抗等の電子部品が近接配置搭載され
ても、隣りの電極との接触障害は生じ難くなり、電子装
置の信頼度が向上する。
(1)電子装置の製造方法によれば、導電性ペースト6
を用いてチップ型電子部品を基板に固定した場合、導電
性ペースト6の外み出しがあっても、導電性ペースト6
は基板1主面に設けられた台座N5の側面に付着し、基
板1の主面上には多く流出しない構造となっているため
、導電性ペースト6の繋がりによる電極間ショート不良
は生じ難くなるという効果が得られる。
を用いてチップ型電子部品を基板に固定した場合、導電
性ペースト6の外み出しがあっても、導電性ペースト6
は基板1主面に設けられた台座N5の側面に付着し、基
板1の主面上には多く流出しない構造となっているため
、導電性ペースト6の繋がりによる電極間ショート不良
は生じ難くなるという効果が得られる。
(2)上記(1)により、電子装置の製造方法によれば
、製造の歩留り向上が達成できるという効果が得られる
。
、製造の歩留り向上が達成できるという効果が得られる
。
(3)上記(1)により、本発明の電子装置の製造方法
によれば、導電性ペースト6のベーキング処理による硬
化処理時、導電性ペースト6中の樹脂が溶けても、基板
1の主面とチップコンデンサー3の底面との間には導電
性ペースト6が僅かしか存在しないため、溶けた樹脂の
流出があっても、樹脂同志が繋がることもないため、樹
脂中に点在する銀のマイグレーションによるti間ショ
ート不良も生じ難くなるという効果が得られる。
によれば、導電性ペースト6のベーキング処理による硬
化処理時、導電性ペースト6中の樹脂が溶けても、基板
1の主面とチップコンデンサー3の底面との間には導電
性ペースト6が僅かしか存在しないため、溶けた樹脂の
流出があっても、樹脂同志が繋がることもないため、樹
脂中に点在する銀のマイグレーションによるti間ショ
ート不良も生じ難くなるという効果が得られる。
(4)上記(3)により、本発明の電子装置の製造方法
によって製造された電子装置は、使用時にマイグレーシ
ョンによって電極間ショートが生じないため、電子装置
の信頼度向上が達成できるという効果が得られる。
によって製造された電子装置は、使用時にマイグレーシ
ョンによって電極間ショートが生じないため、電子装置
の信頼度向上が達成できるという効果が得られる。
(5)本発明の電子装置の製造方法によれば、導電性ペ
ースト6が導体層7から大きく外み出すことがないこと
から、隣りの電極との接触障害は生じ難くなり、高密度
化が達成できるという効果が得られる。
ースト6が導体層7から大きく外み出すことがないこと
から、隣りの電極との接触障害は生じ難くなり、高密度
化が達成できるという効果が得られる。
(6)上記(1)〜(5)により、本発明によれば信頼
度が高くかつ高密度な電子装置を歩留り良く製造できる
ため、電子装置を安価に提供できるという相乗効果が得
られる。
度が高くかつ高密度な電子装置を歩留り良く製造できる
ため、電子装置を安価に提供できるという相乗効果が得
られる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である電子装置の製造技術
に適用した場合について説明したが、それに限定される
ものではない。
をその背景となった利用分野である電子装置の製造技術
に適用した場合について説明したが、それに限定される
ものではない。
本発明は少なくとも複数箇所を相互に接触することのな
いように基板等に接続する物品の接続技術には適用でき
る。
いように基板等に接続する物品の接続技術には適用でき
る。
第1図は本発明の一実施例による電子装置の一部を示す
断面図、 第2図は同じくハイブリッドICの部品搭載例を示す模
式的斜視図、 第3図は同じくセラミック基板の主面に台座層および導
体層を形成した状態を示す断面図、第4図は同じく導体
層の一部に銀ペーストを印刷した状態のセラミック基板
を示す断面図である。 1・・・基板(セラミック基板)、2・・・ICチップ
、3・・・チップコンデンサー、4・・・ペアチップ、
5・・・台座層、6・・・導電性箱 2 図 第 4 図
断面図、 第2図は同じくハイブリッドICの部品搭載例を示す模
式的斜視図、 第3図は同じくセラミック基板の主面に台座層および導
体層を形成した状態を示す断面図、第4図は同じく導体
層の一部に銀ペーストを印刷した状態のセラミック基板
を示す断面図である。 1・・・基板(セラミック基板)、2・・・ICチップ
、3・・・チップコンデンサー、4・・・ペアチップ、
5・・・台座層、6・・・導電性箱 2 図 第 4 図
Claims (1)
- 1、基板の主面に設けられた導体層上に導電性ペースト
を印刷した後、この導電性ペースト部分に電子部品の電
極部分が重なるようにして載せ、その後、前記導電性ペ
ーストの硬化処理によって電子部品を基板に固定する電
子装置の製造方法であって、前記導電性ペーストが印刷
される基板主面領域に誘電体からなる台座層を形成する
工程と、前記台座層を含む基板主面に導体層を形成する
工程と、前記台座層上の導体層上に導電性ペーストを印
刷する工程と、を有することを特徴とする電子装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13777785A JPS61296794A (ja) | 1985-06-26 | 1985-06-26 | 電子装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13777785A JPS61296794A (ja) | 1985-06-26 | 1985-06-26 | 電子装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61296794A true JPS61296794A (ja) | 1986-12-27 |
Family
ID=15206592
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13777785A Pending JPS61296794A (ja) | 1985-06-26 | 1985-06-26 | 電子装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61296794A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62204371U (ja) * | 1986-06-18 | 1987-12-26 | ||
| JP2010510644A (ja) * | 2006-11-16 | 2010-04-02 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | コンポーネント構造 |
-
1985
- 1985-06-26 JP JP13777785A patent/JPS61296794A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62204371U (ja) * | 1986-06-18 | 1987-12-26 | ||
| JP2010510644A (ja) * | 2006-11-16 | 2010-04-02 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | コンポーネント構造 |
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