JPS6130257U - 圧接形半導体装置 - Google Patents

圧接形半導体装置

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Publication number
JPS6130257U
JPS6130257U JP11433184U JP11433184U JPS6130257U JP S6130257 U JPS6130257 U JP S6130257U JP 11433184 U JP11433184 U JP 11433184U JP 11433184 U JP11433184 U JP 11433184U JP S6130257 U JPS6130257 U JP S6130257U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pressure contact
semiconductor device
control electrode
conductor
type semiconductor
Prior art date
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Pending
Application number
JP11433184U
Other languages
English (en)
Inventor
真志 平野
聰 石橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Meidensha Corp
Original Assignee
Meidensha Corp
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Filing date
Publication date
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Publication of JPS6130257U publication Critical patent/JPS6130257U/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】 第１図は本考案の一実施例を示す断面図、第２図ａ〜第
２図Ｃはともに第１図の要部を説明する構成図、第３図
ａはゲートターンオフサイリスクのゲートドライ，ブ回
路の一例を示す回路図、第３図ｂは第３図ａの回路を説
明する為の電流、電圧特性図、第４図ａ， ｂはともに
トランジスタの保護回路図である。 １・・・ｙ−トターンオフサイリスタ、２・・・カソー
ト補償板、３・・・ゲート電極、４・・・カソード銅ポ
スト、５・・・ゲート圧接導体、６・・・ゲート引出し
用薄片導体、７・・・保護素子、８・・・外部ゲート電
極部、９・・・絶縁ポスト、１０・・・導電性座板、１
１・・・導電性バネ、１２・・・アノード銅ポスト、１
３・・・カソード電極、１４・・・アノード熱補償板、
１６・・・凹部、１７・・・切欠き溝。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 少なくとも２つの主電極と少なくとも１つの制御電極を
    有する半導体素子の各主電極部にそれぞれ導電性の圧接
    板を配設し、これらの圧接板により前記半導体素子を所
    要の圧力で圧接してなる圧接形半導体装置において、前
    記制御電極側に位置する一方の圧接板の該制御電極に対
    向する部位に所定深さを有する凹部を設けるとともに、
    該凹部に連通ずる外部引き出し用通路を形成し、前記凹
    部に前記半導体素子保護用の保護素子と導電性の弾性部
    材を収設し、前記制御電極と前記保護素子の間に外部引
    き出し用導体を介挿するとともに該導体を前記通路を介
    して外部に引き出したことを特徴とする圧接形半導体装
    置。
JP11433184U 1984-07-27 1984-07-27 圧接形半導体装置 Pending JPS6130257U (ja)

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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5080781A (ja) * 1973-11-13 1975-07-01
JPS5242070B2 (ja) * 1972-05-02 1977-10-21
JPS58127376A (ja) * 1982-01-25 1983-07-29 Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd Ｇｔｏサイリスタ
JPS599560B2 (ja) * 1974-01-17 1984-03-03 スアミ テツオ ニトロソニヨウソユウドウタイ ノ セイゾウホウ

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5242070B2 (ja) * 1972-05-02 1977-10-21
JPS5080781A (ja) * 1973-11-13 1975-07-01
JPS599560B2 (ja) * 1974-01-17 1984-03-03 スアミ テツオ ニトロソニヨウソユウドウタイ ノ セイゾウホウ
JPS58127376A (ja) * 1982-01-25 1983-07-29 Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd Ｇｔｏサイリスタ

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