JPS6130256U - 圧接形半導体装置 - Google Patents
圧接形半導体装置Info
- Publication number
- JPS6130256U JPS6130256U JP11432884U JP11432884U JPS6130256U JP S6130256 U JPS6130256 U JP S6130256U JP 11432884 U JP11432884 U JP 11432884U JP 11432884 U JP11432884 U JP 11432884U JP S6130256 U JPS6130256 U JP S6130256U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate electrode
- press
- auxiliary
- cathode
- electrode
- Prior art date
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- Granted
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- Thyristors (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第1図a, bおよび第2図はともに本考案の一実施例
を示し、第1図aは断面図、第1図bは圧接される半導
体素子の断面図、第2図は要部の分解斜視図、第3図は
従来の圧接形半導体装置の一例を示す断面図である。 101・・・増幅ゲート形GT0,103・・・カソー
ド熱補償板、104・・・主カソード電極、105・・
・補助ゲート電極、106・・・補助カソード電極、1
07・・・主ケート電LIIO・・・カソード銅ポスト
、111・・・外周皿バネ、113・・・内周皿バネ、
114・・・コイルバネ、115・・・ゲートポストガ
イドリング、116・・・外周絶縁ポストガイドリング
、117・・・内周絶縁ポストガイドリング、118・
・・橋絡リング、119・・・ゲート圧接リング、12
1・・・外周圧接リング、122・・・内周圧接リング
、124・・・アノード銅ポスト、127・・・ゲート
引き出しパイプ、130・・・凹部、131・・・鍔部
、132・・・切欠き溝。
を示し、第1図aは断面図、第1図bは圧接される半導
体素子の断面図、第2図は要部の分解斜視図、第3図は
従来の圧接形半導体装置の一例を示す断面図である。 101・・・増幅ゲート形GT0,103・・・カソー
ド熱補償板、104・・・主カソード電極、105・・
・補助ゲート電極、106・・・補助カソード電極、1
07・・・主ケート電LIIO・・・カソード銅ポスト
、111・・・外周皿バネ、113・・・内周皿バネ、
114・・・コイルバネ、115・・・ゲートポストガ
イドリング、116・・・外周絶縁ポストガイドリング
、117・・・内周絶縁ポストガイドリング、118・
・・橋絡リング、119・・・ゲート圧接リング、12
1・・・外周圧接リング、122・・・内周圧接リング
、124・・・アノード銅ポスト、127・・・ゲート
引き出しパイプ、130・・・凹部、131・・・鍔部
、132・・・切欠き溝。
Claims (1)
- 同一ウエハの中央部表面に設けられた補助ゲート電極お
よび補助カソード電極、これら電極から所定距離隔てた
前記ウエハの外周部表面に設けられた主ゲート電極およ
び主カソード電極とを有して成る半導体素子と、導電性
を有し前記半導体素子のアノードに配設されるアノード
圧接板と、導電性を有し前記半導体素子の主カソード電
極に配設されるカソード圧接板とを備え、これら圧接板
により前記半導体素子を所要の圧力で圧接して成る圧接
形半導体装置において、前記カソード圧接板の前記補助
ゲート電極および補助力ソート電極に対向する部位に凹
部を設け、前記カソード圧接板の前記主ゲート電極に対
向する部位に鍔部を設け、前記カソード圧接板に前記凹
部,と鍔部を連通ずる通路を形成し、前記凹部および鍔
部に、が前記補助ゲート電極に接触されるとともに他端
が前記通路を介して外部に引き出される第1の導体と、
一方が前記補助カソード電極に接触されるとともに他方
が前記通路を介して前記主ゲート電極に接触される第2
の導体とを配設し、前記凹部に、前記第1の導体の一端
を前記補助ゲート電極に圧接せしめる第1の弾性体と、
前記第2の導体の一方を前記補助カソード電極に圧接せ
しめる第2の弾性体とを収納し、前記鍔部に、前記第2
の導体の他方を前記主ゲート電極に圧接せしめる第3の
弾性体とを収納したことを特徴とする圧接形半導体装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11432884U JPS6130256U (ja) | 1984-07-27 | 1984-07-27 | 圧接形半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11432884U JPS6130256U (ja) | 1984-07-27 | 1984-07-27 | 圧接形半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6130256U true JPS6130256U (ja) | 1986-02-24 |
| JPH0328518Y2 JPH0328518Y2 (ja) | 1991-06-19 |
Family
ID=30673349
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11432884U Granted JPS6130256U (ja) | 1984-07-27 | 1984-07-27 | 圧接形半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6130256U (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54175278U (ja) * | 1978-05-29 | 1979-12-11 | ||
| JPS55149964U (ja) * | 1979-04-14 | 1980-10-29 | ||
| JPS5757561U (ja) * | 1980-09-22 | 1982-04-05 | ||
| JPS57111040A (en) * | 1980-12-27 | 1982-07-10 | Mitsubishi Electric Corp | Pressure contact type semiconductor device |
-
1984
- 1984-07-27 JP JP11432884U patent/JPS6130256U/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54175278U (ja) * | 1978-05-29 | 1979-12-11 | ||
| JPS55149964U (ja) * | 1979-04-14 | 1980-10-29 | ||
| JPS5757561U (ja) * | 1980-09-22 | 1982-04-05 | ||
| JPS57111040A (en) * | 1980-12-27 | 1982-07-10 | Mitsubishi Electric Corp | Pressure contact type semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0328518Y2 (ja) | 1991-06-19 |
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