JPS6132097B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はダイ及びダイを作る方法に関する。ダ
イは金属フオイルから回路パターンの回路要素を
打抜き同時にそれを基板に接着させるように作ら
れる。より詳しくはこれは、比較的厚いフオイル
から回路要素の幅及びそれらの間隔が比較的小さ
い寸法の回路板を作ることのできる高い精度のダ
イである。

回路板を打抜きするダイを作る方法と題された
本発明と同じ発明者による米国特許第3758350号
の明細書には、回路要素が比較的小さくまたその
間隔が小さいコンパクトな回路板を形成するのに
特に適した改良されたダイを形成するためダイブ
ロツクをエツチングする方法が開示されている。
この方法において、初めに間に凹所を有した平面
ダイ要素を有する一般的な平面ダイが作られ、こ
れは普通の方法で作ることができる。次いで凹所
は耐酸性エポキシで詰められ、ダイ要素の外周部
に重なり各々のダイ要素の中央部は露出するよう
にエポキシ上にホトレジストが付される。ダイは
次いでエツチング媒体に露出され各々のダイ要素
中の中央部に凹陥部が形成されその縁部には肩が
形成される、次いで耐酸性物質は取除かれ凹所を
充填するエポキシはそのまま残つた状態でダイ面
は短時間再びエツチングされる。１つの形態にお
いて各々のダイ要素の縁部の内側がいく分丸めら
れる変形したダイ要素縁部を提供する方法で最終
的エツチングがなされ、他の例では最終的エツチ
ングはナイフエツジを提供する方法で行われる。

上述の方法は回路板の高生産性に有用な正確な
ダイの作製に非常に有効であることが確認された
が、ダイの作製工程により以上の改良がさらに望
まれる。多くの工業的応用において、作られる回
路要素の信頼性及びより高電流を扱う能力を高め
るため、回路板の要素をより厚いフオイルから作
ることが望まれる。さらに、個々の回路要素及び
それらの間の間隔をよりせまくすることを意味す
るより高度のコンパクト性に対する要求も存在し
続けている。

回路板製造作用において、フオイルから回路要
素を形成することとこれら要素を絶縁性基板接着
することを１つの打抜き工程で行うことが望まし
い。これは通常フオイルと基板との間に熱接着性
のコーテイングを用い打抜きに先がけてダイを加
熱することにより達成される。加熱ダイがフオイ
ルに係合すると、ダイ要素はフオイル内に押込ま
れ回路要素をフオイルから分離しこれらを基板に
強く係合させ同時にその下の接着剤層を加熱し回
路要素を基板に接着する。ダイ要素に隣接する余
分なフオイルは基板には接着されずこれはダイが
完成した回路板から離された後基板よりはがされ
る。

しかし、要素の幅及び間隔が非常に小さいまま
より重い即ち厚いフオイルを用いて回路板を作ろ
うとする場合、この回路要素の形成と接着を同時
に正しく行なう問題は非常にむずかしくなる。第
１に個々のダイ要素に関しては、フオイルの全厚
みを貫いて分離するに充分な高さを各々のダイ要
素の縁部が備える必要がある。第２に、余分なフ
オイルが打抜き工程中基板に接着することなく凹
所内に存在することができるように凹所領域の深
さが充分でなければならない。この意図しない余
分なフオイルの接着の問題に関しては、ダイのバ
ツクグラウンド領域とダイ及び形成される回路板
の分離領域との差異を明らかとしておくことが必
要である。分離領域は２つの隣接する回路要素間
に存在するものでここで考えている回路板の型式
ではこのような分離領域は0.38〜1.27mmの幅であ
る。バツクグラウンド領域は作られる回路要素の
一群のもの同志を分離するかなり大きい寸法のも
のである。ダイの分離領域及びバツクグラウンド
領域は共に余分のフオイルを収容するに充分なだ
け凹陥される必要がある。しかしバツクグラウン
ド領域においては、余分なフオイルの大きな切片
が打抜き工程間に曲がり基板に対する意図しない
接着が生じる傾向があるためさらに深くする必要
がある。

形成される凹所のより深いものを得るためにエ
ツチングを用いようとすると、高度の正確さを維
持する上で特に予め選定したパターンに対し非常
に小さな誤差で一致させることが困難となる。ブ
ロツクの面上に耐酸物のパターンが付されその面
にエツチング液が加えられると、エツチング液は
露出された領域において下方にだけでなく耐酸物
のパターンの下方の材料を横方向にアンダーカツ
トする。しかし、このようなアンダーカツトの程
度は常に均一ではない。第１に腐食される材料の
均一性のなさ及びその中の不純物（例えば鋼内に
おけるカーボン粒子）はある領域においてエツチ
ング媒体の腐食進行を妨げる。第２にアンダーカ
ツト部にオーバーハング状となる耐酸物はある領
域では破壊することがありより露出の大きくなつ
たアンダーカツト領域が、オーバーハングがエツ
チング媒体の材料への接近を耐酸物のすぐ下で妨
げている領域より早い率で腐食し持去られる結果
となる。従つてダイ要素の最終形状は作られるべ
きダイに応じた元の描写物のパターンからそれる
傾向がある。この同じ問題はダイ要素の面により
深い凹所を得ようとするときも存在し、この場
合、エツチング媒体のアンダーカツトはダイ要素
の立上つた縁部の最終形状により大きな不正確さ
を生じる。

この問題はフオイルから例えば0.25mm程度の小
さな幅の回路要素を打抜く機能を正しく発揮させ
得るように、個々のダイ要素の縁部を非常に小さ
な誤差で（例えば0.025mm以下）形成することを
意図する場合非常に重要なものとなる。この正確
さの重要性はダイの始めの形成のみでなくダイの
維持に関してもそうである。個々のダイ要素の縁
部が摩耗すると再び鋭くする工程が必要となり、
非常に小さな寸法のものが含まれているのでこの
再び鋭くする工程はエツチングで行うことが一番
都合が良い。この再鋭化は回路要素の始めの形成
が適正な誤差内にある場合に限り正しく行なわれ
得る。

従つて本発明の目的は、比較的厚いフオイルか
ら回路要素及びそれらの間隔が小さな回路板を形
成するのに特に適した非常に小さな誤差の改良さ
れたダイ及びそれを作る方法を提供することであ
る。

本発明の具体例は厚いフオイルから各々が輪郭
線を有する予め選ばれた基本パターンに対し小さ
な誤差で対応する複数の回路要素を有する回路板
を形成するのに特に適した正確なダイ及びそれを
作る方法を提供する。本発明はまた回路要素間の
間隔及び要素の幅自体が0.020〜0.51mmの細さで
ある回路をより薄い（例えば1/2〜１オンス銅）
フオイルより作るのに都合よく用いることができ
る。パターンは比較的近くに隔置された回路要素
を分離する分離領域とより広く隔置された回路要
素又は回路要素の群を分離するより幅の広い少く
とも１つのバツクグラウンド領域とを有する。ダ
イはフオイルに係合して回路要素を形成するダイ
要素を有し、ダイ要素の各々は対応するパターン
の形状の輪郭に小さい誤差で対応する縁部を有し
た面を有し、側壁はその縁部からその両側の隣接
する凹所につながる。

本発明の方法においては、ダイ要素が形成され
る作用面を有したダイブロツクを初めに用意す
る。このダイブロツクに一定のエツチングをなす
ため各々が元の基本パターンに形状が一致した基
本領域と基本パターンの輪郭を越えてほぼ均一な
幅だけ延びる拡大縁部とを有する複数の変形され
た付着用パターンが作られる。望ましい具体例に
おいては付着用パターンは (a) 対応するバツクグラウンド領域の半分の幅よ
り小さな大きな拡大縁部を有する第１のバツク
グラウンドパターンと； (b) 短い距離で隔置された回路要素の間隔の半分
より小さな中位の幅の拡大縁部を有する第２の
分離パターンと； (c) 基本パターンに非常に近い小さな幅の拡大縁
部を有する第３の仕上げパターンとを含む。

ダイブロツクは上述の３つのパターンに対応す
る保護被覆を順に用いて３つのエツチング作用を
受ける。第１のバツクグラウンドパターンに対応
する第１の保護被覆がダイブロツクの面に付さ
れ、ダイブロツクは次いでエツチング媒体中にお
かれ、少くともバツクグラウンド領域において凹
所が形成されダイ要素が形成されるべきダイブロ
ツクの部分を含む第１の隆起した領域が作られ
る。

ダイブロツクの作用面は次いで第２のパターン
に対応する第２の被覆により被われバツクグラン
ド領域のより大きな部分を露出しまたダイブロツ
クの分離領域の少くとも一部を露出する。ダイブ
ロツクの面は再びエツチング媒体に露出されバツ
クグラウンド領域からさらに材料が取去られまた
ダイブロツクの分離領域に凹所が形成される。

第３のエツチングのために、ダイの作用面は第
３の仕上げパターンに対応する第３の被覆で被わ
れる。これは回路要素が最終的に形成される部分
のダイの領域を保護すると共にその縁部を越えて
すこし延びる。ダイの作用面は次いで第３の時間
間隔だけエツチング媒体中におかれ、基体パター
ンに非常に近い形状にダイ要素が形成される。あ
る場合には、バツクグラウンドエツチングを省略
し中間のエツチングから始め仕上げエツチングに
移してもよい。

次いで個々のダイ面素の面は各々、中央の凹陥
部を設けられダイ要素のフオイルと係合する立上
がる縁部が残される。これをなす１つの方法は米
国特許第3758350号明細書に開示されている。こ
れを簡単に説明すれば、ダイ要素間の凹所はエポ
キシ樹脂のような保護材料で充填され次いでダイ
要素の作用面はエツチング媒体にさらされ中央部
が凹陥され凹所内の保護材料に隣接して立上がつ
た縁部を形成する。これは保護材料を個々のダイ
要素の縁部に被覆しその後第１のエツチングをな
し、次いで保護コーテングを取除きダイ要素の露
出した面を第２の時間間隔だけエツチング媒体に
さらし立上つた縁部からさらに材料を取去りダイ
要素のフオイル係合縁を形成するという２つの段
階で行うことが望ましい。代替的にこの第２の材
料取去り段階は、ダイ面にサンドブラストを用い
るようにしてあるいは工具を用いて手作業で微小
な研摩剤を当てて達成することができる。

ダイ要素に中央の凹陥部を形成するために、こ
の凹陥部をより深いものとしたい場合には第２の
方法が用いられる。これは多段階工程であり複数
の縮小パターンが用いられる。ここで述べる望ま
しい具体例では、変形されたパターンが元の基本
パターンよりわずかな幅だけ均一に縮小された輪
郭を有する第１のわずかに縮小されたパターン
と、パターンの輪郭がさらに縮小された第２の中
位に縮小されたパターンと、パターンの輪郭が最
も縮小されている第３の大きく縮小されたパター
ンとが用意される。

ダイ要素間の凹所がエポキシ樹脂により充填さ
れれた後、大きく縮小されたパターンに対応する
第１の保護被覆がダイの面に付され、その後ダイ
面はエツチング液にさらされダイ要素の露出した
面に凹陥部を形成する。次いでダイ面に保護被覆
を形成するため中位に縮小されたパターンが用い
られ、これは再びエツチング液にさらされダイ要
素の凹陥部をより深くし、立上つた縁部を元の基
本パターンの形状により近づける。最後にわずか
に縮小されたパターンに対応する第３の被覆が付
されさらにエツチングが行われダイ要素の凹陥部
をより深くする。

次いで第１の方法と同様に耐酸物の被覆が取除
かれダイブロツクは次いで一定の期間エツチング
液に露出され、各々のダイ要素の立上つた縁部即
ち肩部がナイフエツジに成形される。代替的に前
述の如く、これは微小の研摩剤を用いサンドブラ
ストにより又はある場合には工具を用いて行うこ
とができる。

本発明のダイは比較的厚いフオイルから複数の
個々の回路要素を形成し同時にそれらを絶縁性基
板に接着させるのに特に適している。回路要素は
予め選定した基本パターンに非常に近いものとな
る。このダイは各々が形成される回路要素の輪郭
に対応する立上つたフオイル係合縁部を備えたフ
オイル係合面を有する複数のダイ要素を含む。

ダイ要素のいくつかは非常に接近し基本パター
ンの分離領域に位置が対応する分離凹所を有す
る。ダイはまた基本パターンのバツクグラウンド
領域に位置が対応する少くとも１つのバツクグラ
ウンド凹所を有する。バツクグラウンド凹所の深
さは分離凹所のそれより大である。従つて回路板
を作るためダイがフオイルに押圧されると、分離
凹所における余分なフオイルは基板に付着するこ
となしにバツクグラウンド凹所内に入ることがで
きる。

ダイ要素の各々は隣接する凹所を形成する側壁
を有し、望ましい具体例ではほぼ均一な傾斜を有
する。従つてダイ要素の立上つた縁部をエツチン
グで鋭くする場合、ダイ要素の鋭くされた縁部が
ほぼ均一な高さとなるようにエツチングはより均
一に行われる。

本発明のより広い範囲において、予め選ばれた
基本パターンに非常に近いダイ要素を有する正確
なダイを作る方法が提供される。広く考えればこ
の方法は、基本パターンに形状が対応する基本領
域と基本パターンの輪郭を越えて所定の均一な幅
だけ延びた拡大縁部を有するパターン領域を各々
有した変形した複数の付着パターンを用意するこ
とを含む。これはより幅の広い拡大縁部を有する
第１のパターンと、よりせまく基本パターンによ
り近い拡大縁部を有する第２のパターンとを少く
とも含む。

ダイブロツクの作用面は第１のパターンに対応
する第１の保護被覆により被われ第１のパターン
の被覆の下のダイブロツクの面を保護し他は露出
したままで残す。ダイの作用面は次いでエツチン
グ媒体にさらされダイの作用面の露出部において
凹所を形成し第１のパターンにほぼ対応する第１
の隆起部が残される。次いでダイの作用面は第２
のパターンに対応する第２の保護被覆により被わ
れ、第１の隆起部の第２の被覆の下の部分が保護
され第２の残りの部分が露出したままにされる。
ダイの作用面は再びエツチング媒体に露出されダ
イブロツクから材料が取去られ、隆起部はダイが
それに応じて作られるべき基本パターンにより近
いダイ要素の形状に形成される。

以下本発明の具体例を添付図面を参照して説明
する。

第１図において、本発明の方法により作られた
ダイにより加工されたプリント回路板のパターン
描写物の典型例の平面図が示されている。この描
写物１０は最終製品として作られるべき回路板の
回路要素の正確な表示である不透明な形状即ちパ
ターン１４を描かれた透明なシート１２を含む。
形状１４は最終製品に望まれるものに対し加工公
差（例えばプラス・マイナス0.076mm）内になく
てはならない。

上部パターンの用意 ダイブロツクからダイを作るための物理的作用
をなす前にエツチング作用を次になすための１組
の被覆パターンを設ける予備工程がある。これら
を第２図より第８図を参照し説明する。

第１段階は第１図に示したパターン描写物１０
よりネガ像を用意することである。描写物１０
は、一方の面に写真用乳剤を有したガラス板上に
置かれる。正確な再現のため、描写物１０のパタ
ーン１４が描かれた方の側をガラス板の乳剤を有
した方の側と直接接触させるべきである。次いで
第３図に示されるように、光源１８から光が描写
物１０を通してガラス板１６の乳剤に当てられ
る。ガラス板上の乳剤は次いで一般的な写真技術
によつて現像され描写物１０のネガ像を作る。こ
のようなネガ像の一部が第４図に２０で示されて
おり、ここでは回路要素の像２２は透明であり不
透明の部分２４がそれを取巻いている。ガラス板
のネガ像１６は次いで各々第６，７及び８図に２
５ａ，２５ｂ及び２５ｃで示された一連の被覆パ
ターンを作るために用いられる。これらパターン
はいずれも描写物１０の変形された再現像であ
る。これをなす装置は第５図に示されており米国
特許第3758350号明細書に詳しく説明されてい
る。写真フイルムが基板２６上に置かれそしてガ
ラス板１６がその乳剤側を下にして基板２６の写
真フイルムに接するように置かれる。フレーム２
８は１組の４つの回転する偏心部材３０に取付け
られこれらは同時に回転させられるとフレーム及
びそれに取付けられた板１６に方向は変わらない
円形運動を与える。光源はフレーム２８及び板１
６に向け下向きとされる。

ガラス板１６上の像はパターン１４が透明に見
える描写物１０のネガ像であるので、板１６に与
えられる円形運動はパターン１４の各々の像を偏
心部材３０の偏心半径に等しい量だけ拡大し拡大
パターンを作る。第６，７及び８図を見れば判る
ように、これらには３つのパターンの各々の一部
が拡大されて記されており、これらに対しては３
つの異なる半径の偏心部材が用いられている。第
６図のパターン２５ａを作るには、比較的大きい
半径の（0.76mm程度）偏心部材３０が用いられ、
第７図のパターン２５ｂを作るにはより小さな半
径の（0.25mm程度）偏心部材が用いられ、第８図
のパターン２５ｃを作るには、非常に小さな半径
の（0.076〜0.101mm程度）偏心部材３０が用いら
れる。

比較のため、パターン２５ａ，２５ｂ，２５ｃ
の各々において、基本パターンと考えられる元の
描写物のパターンは１４ａとして鎖線で示されて
いる。パターン１４の各々（第６，７及び８図で
は１４ａで示されている）は長片部３２と端子部
３４とを有する。例示の目的で長片部３２の全幅
は約0.38mm（0.015インチ）としまた２つのパタ
ーン１４における長片部３２間の最小間隔は0.76
mm（0.030インチ）と仮定する。作るべき最終の
回路板において、２つの隣接する導電性長片部間
の絶縁性領域（即ち分離領域）は第６，７及び８
図において２つのパターン１４ａ間で３６で示さ
れた領域に対応する。さらに第６図にはパターン
１４のグループの２つのものの間の間隔のかなり
大きな幅の領域である基部領域３８が示されてい
る。

第６図に示されたパターン全体を検討するに、
ここには不透明領域４０と透明領域４２がある。
不透明領域４０は第１図に示された元の描写物１
０の各々のパターン１４に対応する基本パターン
１４ａを含んでいる。さらに各々のパターン１４
ａについてその輪郭をほぼ均一な幅で越えて延び
る拡大縁部４４がある。第６図の例においては、
この幅は0.76mmである。２つのパターン１４ａ間
の間隔が1.52mm以下であるとパターン１４ａ間の
分離領域は完全にパターン２５ａの不透明領域４
０内となる。

第７図のパターン２５ｂにおいては、不透明領
域４０′の中に基本パターン１４a′が第６図のパ
ターン２５ａよりもかなり小さな幅の拡大縁部４
４′を有して存在している。これは２つのパター
ン１４a′間の分離領域３６′の一部が透明領域４
２′の一部となる結果となる。

次に第８図のパタンにおいて、拡大縁部４４″
は第８図の全パターンが第１図のものとほぼ同じ
で基本パターン１４ａが全ての幅方向においてほ
んの少し（例えば0.1mm程度）拡大されているに
すぎない程せまい幅である。

変形されたパターンを用いてのダイブロツクの凹
所のエツチング 第６，７及び８図に示された３つの被覆パター
ン２５ａ，２５ｂ，２５ｃは次に示す３段階のエ
ツチング工程に用いられる。

１ バツクグラウンドのエツチング 第６図のパターンは成形されるべきダイのバ
ツクグラウンド部の凹所を形成するため材料を
除去するのに用いられる。

２ 分離エツチング 第７図のパターンはダイの分離領域内の材料
をエツチングで除去し個々のダイ要素の概略的
輪郭を形成しかつバツクグラウンド部の材料を
さらに除却するために用いる。

３ 仕上エツチング 第８図のパターンは形成されつつあるダイ要
素の側壁の材料をエツチングで除去しそれらを
第１図に示される描写物に非常に近い形状にす
るのに用いられる。

これら３段階を第９図より第１５図を参照し次
に説明する。初めに、ダイ素材（即ち低カーボン
鋼又は空気あるいは油焼入れ鋼等の適宜な材質の
矩形のブロツク材４６）がダイ面となるべき平面
を機械加工で設けられる。この平面は研摩剤及び
水で清浄にされ次いでホトレジストを保持するた
めの粗さを与えるため適宜な溶液（例えば塩化第
２鉄）を用いて短時間エツチングされ、次いで研
摩剤及び水で再び清浄化されそして空気乾燥され
る。次ぎにホトレジスト４８（例えばコダツク社
の金属用レジストであるKMER）が希釈されダ
イ面に0.0128〜0.025mm（0.0005〜0.001インチ）
の厚さで単層で塗布される。これは約10分間空気
乾燥され次いで約30分間オーブン内で約120℃
（250〓）で焼かれ次いで空冷される。これは黄色
の安全光を用いた部屋で行われる。

次に第１の拡大されたパターン２５ａ（第６図
のもの）のネガ５０がホトレジスト４８の頂部に
置かれる。ネガの透明部は拡大されたパターン領
域４０に対応し、ネガの不透明部分はバツクグラ
ウンド領域３８に対応する。光源はネガに向けら
れレジスト４８の露出部を硬化する。ダイブロツ
ク４６は次いで約１分間レジスト現像液内に置か
れレジストの非現像部は流され次いで水中で洗わ
れ現像液が取除かれる。その結果基本パターン１
４ａと第６図のパターン２５ａの拡大された領域
４４とに対応する領域を被う耐酸物が上にのり、
バツクグラウンド部３８を露出した状態に残すこ
とになる。この付着物は第１０図において５２で
示される。

付着物５２が上にのつたダイブロツク４６はエ
ツチング機内に置かれこれはダイ面に酸をかけ
る。ここで示した基本パターンの幅の拡大が0.76
mmである特定の例においては、エツチングは約16
分続けられ約0.51mm（0.02インチ）の深さが得ら
れ及び耐酸性の付着物の下で横方向に約0.25mm
（0.01インチ）のアンダーカツトが生じる。最良
の結果を得るため、この16分のエツチング期間は
40秒毎の短時間部分づつなし、ダイブロツク４６
をエツチング液から取出しエツチング領域から微
小部分においてエツチング速度を減ずる不純物や
カーボン粒子を取除くため軟かいブラシを用いブ
ラシかけするとよい。この第１のバツクグラウン
ド・エツチング後のダイブロツク４６の形状は第
１１図に示されている。ここには第６図のパター
ン２５ａのバツクグラウンド領域３８にほぼ対応
する凹所５４が存在する。付着物５２の下の領域
は第６図のパターン２５ａの拡大領域４０にほぼ
対応した隆起領域５６である。

次にダイブロツクは分離エツチングである第２
のエツチング段階に；おかれる。これは第９〜１
１図を参照して説明した初めのバツクグラウン
ド・エツチングとほぼ同じ方法で行われる。第１
２図に示されるように、ダイブロツク４６のエツ
チング面には第７図のパターン２５ｂに対応する
耐酸性の付着がのせられる。これは初めに均一な
フオトレジストのコーテイングを付し、その上に
第２のパターン２５ｂであるネガを置き、露出さ
れたフオトレジストの領域に光を向けそれを硬化
させ次いで非現像部を洗い去ることにより行われ
る。第１２図に示されたダイブロツク４６のその
部分においては、結果として得られた付着パター
ンは第７図に示されたパターン４４′に対応する
２つの耐酸性部５８を有する。

ダイブロツク４６の加工面は上述したエツチン
グ工程とほぼ同じ方法で再び約10分間エツチング
液内におかれる。その結果、バツクグラウンドの
凹所５４は第１３図で５４′で示したように約
0.33mm（0.013インチ）だけより深くなり、また
ダイブロツクに形成された分離凹所はやはり約
0.33mmの深さに形成される。前述の如く、分離領
域は隣接する回路要素を分離するものであり、分
離凹所は回路板内のこのような分離領域に対応す
るブロツク４６内の部分である。この中間段階の
第１３図に示された分離凹所は６０で示され、こ
の凹所６０は第１１図に示された予め形成された
隆起部分５６を最終的に作られるダイ要素の形状
にほぼ対応する２つの隆起要素６２に分離するこ
とが判る。

第３のエツチング（即ち仕上げエツチング）は
前の２つのエツチング工程とほとんど同じ手法で
行われる。この仕上げエツングを行うため、耐酸
付着物６５は第８図に示されるパターン２５ｃに
応じて付される。ダイブロツク４６は次いでいく
短かい時間（例えば６分）エツチングされこれは
２つの要素６２の側壁６４を第１図に示された元
の描写物に非常に正確に対応する形状とするため
正確に制御される。この仕上げエツチング後に形
成された側壁は第１５図に示され６４で表示され
ている。この仕上げエツチングにおいて、言うま
でもなく前に形成された凹所６０及び５４がより
深くされる。

隆起した縁部と凹陥した中央とを有した個々のダ
イ要素を形成する第１の方法 上述したエツチング工程によるダイブロツク４
６の形状は第１６図に示される部分を有する。第
１６図において、分離凹所６８により互いに隔置
された２つのダイ要素がありこれらの両側に２つ
のバツクグラウンド凹所７０がある。各々のダイ
要素６６はダイブロツク４６の元に作用面とほぼ
同一面内にある平坦なダイ面７２を有する。ダイ
面の形状は基本パターン１４ａにわずかな差異で
対応し、該パターン１４ａは第１図に示された描
写物に対応する。

ここで、この具体例ではナイフエツジである隆
起した縁部を提供するため、面７２の中央部にお
いて各々のダイ要素６６から材料を取除くことが
必要である。これをなす１つの方法を第１６図よ
り第２４図を参照して次に示す。この方法は米国
特許第3758350号明細書に詳しく記載されている
ためここでは簡単に述べる。

初めにダイ要素６６の面７２は0.025mm程度研
摩され良好な作用面を得るようにすると共に最後
のエツチング工程によつて各々の面７２にその縁
部において形成されているであろうかぎ状部を除
去する。研摩装置は第１６図において７３で略示
されている。

次に第１７図に示されるように、ダイ要素６６
の面７２の非常に正確な再現が作られる。これは
ダイブロツク４６をその面を上にして普通の現像
液７６の容器内に置き、完全に現像された写真ガ
ラス板７４がダイブロツク４６に圧接されダイ要
素の面７２がガラス板７４と密着し一方現像液は
凹所７０及び６８に接するようにされる。この接
触は現像液に接したガラス板の部分が現像される
に充分な短い時間（例えば１分）維持される。次
いで写真ガラス板７４は現像液７６から取出され
すぐに水洗され現像液を除かれその後ガラス板は
約２分間定着液の中に置かれる。その結課ダイ要
素６６の面７２の正確な再現であるネガが得られ
る。

次の段階は写真ガラス板に印されたダイ要素の
パターンの変形した再現を作ることである。これ
は第５図に示す装置を用いてなされる。しかしこ
の方法は、写真ガラス板７４に印されたパターン
のポジが初めに作られ次いでフレーム２８に取付
られるという点で、前に第６，７及び８図を参照
し説明したものと異なる、この結果ダイ要素の面
７２の像の縁部が幅を減小された変形パターンが
得られる。

次にダイの凹所６８，７０は例えばオハイオ州
クリーブランドのウツドヒル・ケミカル・セール
ス社により作られるＥ―Pox―Ｅ接着剤のような
エツチングに耐えるエポキシ充填物７８により充
填される。エポキシ充填物はへらを用いて手でダ
イ面の少し上の高さまで加えられ気泡がダイ要素
より上に登るようにする。充填物が硬化した後そ
れは第１９図に示されるようにダイ要素６６の面
７２の水準まで研摩で落される。

次に耐酸物８０がダイの面に付され、第５図の
装置を用いて写真的再現物７４より得られた８２
で示された変形パターンが耐酸物８０上に置かれ
る。耐酸物８０の露出部を現像するため光が耐酸
物に向けられ、その非現像部は洗い去され第２１
図に示されるような耐酸物パターン８４が残る。
このパターン８４はダイ要素の面７２に重なる部
分８６を有するが面７２の中央部は露出したまま
にする。

変形された耐酸物パターン８４を有したダイブ
ロツク４６は次いで焼かれ上述のものとほぼ同じ
方法でエツチングがなされる。エツチング液は第
２１図に示されるように凹所８８を約0.15mm
（0.006インチ）の深さにするように露出した面７
２にかけられる。前にも述べたようにこれは短時
間の区分のくり返しとしてなされその間に軟質の
ブラシによる清浄化が行われる。耐酸物パターン
８４は次いで取除かれその結果の形状は第２２図
に示されている。各々のダイ要素６６は中央の凹
所８８とその囲りの隆起した肩部９０を有する。
各々の肩部は耐酸物パターン８４のオーバラツプ
部８６の下におけるエツチング液のアンダーカツ
トによりその内縁においてかぎ状部を有する。

エポキシ充填物７８を凹所６８，７０に詰めら
れたまま（第２２図）のダイブロツク４６は次に
短時間再びエツチング液にさらされさらに凹所８
８を深くすると共に肩部９０を横方向にエツチン
グするようになされる。エツチング液は露出した
角部（各々の肩部９０のかぎ部９２のような部
分）により強く作用するためその結果としての形
状は第２３図で９４で示された２つの上向きのナ
イフエツジとなる。エポキシ充填物７８はここで
取去られる。これはダイ６６を加熱し充填物７８
を軟化させ針様のものを用いて多くの凹所６８，
７０よりはがし取ることにより非常に簡単に行え
る。

本発明の完成したダイの要素９６は第２４図に
示されている。ダイ要素９６は中央の凹陥部９８
とその両側の上向きのナイフエツジ１００とを有
するダイ面を有することが判ろう。ナイフエツジ
１００から下向きに延びているのはダイ要素９６
の２つの側壁１０２である。面１０２の上部はダ
イの面にほぼ垂直でありこれらの面１０２は徐々
に下方に向うに従つて外方に曲がり下方に行くに
従つて傾斜がゆるやかになつている。

この２つの側壁１０２の傾斜はほぼ対称でこれ
はダイ要素を鋭くする可能性を大きく強める。非
常に小さな寸法の部分が含まれているためナイフ
エツジをどのような機械加工で鋭くすることもほ
とんど不可能である。むしろこの鋭くすることは
第２２図を参照し説明したエツチング方法と同じ
方法により最も良く達成できる。ダイエレメント
に隣接した凹所はエポキシによりナイフエツジ９
４の頂部まで充填され次いでダイは短時間エツチ
ング液にさらされる。もし側壁１０２の傾斜がほ
ぼ対称でなければ、エツチング液はナイフエツジ
１００に対し横方向に不均一な切刃を生ずるよう
な態様で作用するであろう。しかし傾斜はほぼ均
一であるのでナイフエツジの高さが均一のままに
とどまる如き態様で鋭くする作用が行われる。さ
らに、バツクグラウンド領域の凹所７０は分離凹
所６８より深い。回路板形成工程中これはバツク
グラウンド領域内の過剰のフオイルが形成されて
いる回路板の基板に接着することなく凹所７０に
折込んで入れられることを可能とする。

隆起した縁部と凹陥した中央部とを有した個々の
ダイ要素を形成する第２の方法 第２４図に示されるもののようなダイ要素を有
するダイは多くの数の回路板を作る作業に満足す
べきものであるが、回路要素としてより重い即ち
厚いフオイルが使われる場合各々のダイ要素の中
央の凹陥をより深く成形することが望ましく、こ
のため各ダイエレメントの両側の中央の凹陥より
上に延びるナイフエツジは前述した方法によつて
なされるより大きな距離を有するようにしてこれ
を達成する。これをなす第２の方法は第２５図よ
り第３６図を参照し説明する。

第１の方法と同様に、第１〜１５図に関して説
明された工程によつて作られたダイブロツク４６
は第１６図に示されるように0.025mm削り落され
たダイ要素６６の面７２を有している。第１７図
に示されるように要素６６の面７２の非常に正確
な再現が作られそのポジのガラス板１０４が作ら
れてこのポジのガラス板１０４は第２５図に示さ
れている。第２５図に示されたポジのガラス板１
０４の一部はダイ要素６６の面７２に対向する形
状の不透明部１０６とそれを取巻く透明部１０８
とを含む。

次に段階はガラス板１０４のダイ要素のパター
ンから３つの変形した再現を作ることである。こ
れは第５図の装置を用いて第１の方法で述べられ
たのとほぼ同じ手法でなされる。しかしこれら変
形され再現を作る方法は、写真ガラス板１０４に
印されたパターンのポジが初めに作られ次いでそ
れがフレーム２８に取付けられる点で第６，７及
び８図を参照し述べた前のものとは異なる。結果
としてダイ面１０６の像の縁部の幅が減少された
変形したパターンが得られる。

これは板１０８をいく分小さい半径で（例えば
0.15mm）円形運動させ第２６図に示された少し小
さくしたパターン１１０ａとすることにより、第
１のパターンを用意することによりなされる。第
２の変形した再現はガラス板１０８を普通の半径
（例えば0.30mm）で円形運動させ第２７図に示さ
れた中程度に小さくしたパターン１１０ｂを作る
ことにより得られる。最後に板１０８は大きな半
径（例えば0.64mm）で円運動され第２８図に示さ
れたかなり減小されたパターン１１０ｃを得る。
この例示した半径は、1.52mm（0.060インチ）又
はそれよりある程度大きい最低幅を有するダイ要
素に適している。

比較のため、パターン１１０ａ、１１０ｂ及び
１１０ｃの各々において、基本パターンと考えら
れる元の描写物のパターンが１０６ａにおいて鎖
線で示されている。第２６図において、変形パタ
ーン１１０ａの輪郭はパターン１０６ａはそれよ
り小さな均一の幅0.15mmだけ内側に送られている
ことが判る。２つの輪郭の間の間隔は１１２ａで
示されている。同様にパターン１１０ｂの輪郭は
均一に0.30mmだけ減少されここでの２つの輪郭間
の間隔は１１２ｂで示されている。パターン１１
０ｃは均一に0.64mmだけ幅を減じられており２つ
の輪郭間の領域は１１２ｃで示されている。

第２の方法のその後の段階は６６ａで示された
単一のダイ要素を参照し次に説明する。第２９図
示されているように、ダイ要素６６ａは第１７図
に示されたダイ要素７２の１つに同一であるかほ
ぼ等しい。前の方法と同様に要素６６ａの両側の
凹所６８ａはエツチングに耐えるエポキシ充填物
７８ａを詰められこれは硬化し次いで要素６６ａ
の面７２ａの水準まで研摩で落される。次いで第
２９図に示すように耐酸物８４ｃのパターンが前
の方法と同様にダイの面上に付される。この耐酸
物８４ｃのパターンは第２８図に１１０ｃで示し
た変形パターンにその形状が対応する。このよう
に、耐酸物８４ｃはダイ要素の面７２ａの縁部に
オーバーラツプする部分８６ｃを有する。これら
オーバーラツプ部８６ｃは第２８図の領域１１２
ｃに対応しダイ面７２ａの露出領域は変形パター
ン１１０ｃに対応する。ダイブロツクは次いでエ
ツチング液内に入れられ第３０図に示されるよう
にダイ要素６６ａの第１の凹所１１４を約0.36mm
（0.014インチ）の深さまで取去る。エツチングは
また１１６で示されるように約0.23mm（0.009イ
ンチ）だけオーバーラツプ部をアンダーカツトし
２つの上向きの縁部１１８が形成される。

次いで、第３１図に示されるように、耐酸物８
４ｃが取去られ第２の耐酸物８４ｂのパターンが
ダイ面７２ａの上に付される。この耐酸物８４ｂ
のパターンは第２７図の１１０ｂに形状が対応す
る。オーバーラツプ部８６ｂは第２７図の１１２
ｂの領域に対応し２つの上向きの肩部１１８の内
側と頂部の面を露出した状態とする。次いで第２
のエツチングがなされこれは凹所１１４の深さを
より増し全深さ約0.51mm（0.022インチ）の１２
０で示された第２の凹所を生ずる。この第２のエ
ツチングはまた約0.1mm（0.004インチ）だけオー
バーラツプ部をアンダーカツトし１１８ａで示し
た形状の上向きの縁部を形成する。

耐酸物８４ｂは次いで取去られ、第３の耐酸物
８４ａのパターンが付される。このパターンは第
２６図の１１０ａに対応する。耐酸物８４ａのパ
ターンのオーバーラツプ部８６ａは要素６６ａの
縁部１２２をほんのわずか越えるだけである。次
に約0.76mm（0.03インチ）の深さである第３４図
に１２４で示した形状にまで凹所１２０の深さを
増す第３のエツチングがなされる。このエツチン
グはオーバーラツプ部８６ａをアンーカツトし縁
部１１８ａがさらに幅を減じられ１１８ｂで示さ
れる形状にまでされる。

耐酸物８４ａのパターンは次いで取去され、エ
ポキシ充填物７８ａはそのまま凹所８４ａに詰め
られた状態で、タイブロツクは再び短時間エツチ
ング液に露出され第３５図に１２６で示される形
状までさらに凹所１２４の深さが増されまた１１
８ｂで示された肩部にも横方向にもエツチングが
される。エツチング液は各々の肩部１１８ｂのか
ぎ状部１２８のような露出した角部に強く作用す
る傾向があるため、結果として得られる形状は第
３５図に１３０で示した上向きの２つのナイフエ
ツジとなる。この工程は代替的に微小な研摩粒子
を用いたサイドブラスト方法やある場合には工具
を用いて行いて行うことができる。

エポキシ充填物７８ａは前の方法と同様に取去
られ、完成したダイは第３６図に示されている。
ダイ要素１３２は中央の凹陥部１２６と１２６の
面から約0.76mm（0.03インチ）延びた両側の上向
きのナイフエツジ１３０とを含むダイ面を有する
ことが判ろう。ダイ要素１３２の最終形状は、数
回のエツチング工程で凹陥部１２６の深さがかな
り深くなり従つて２つのナイフエツジ部１３０の
より大きな高さが得られるという点を除き第２４
図に示されたものに非常に似ている。しかし第２
５図より第３５図を参照して説明した多段階くり
返しエツチングを用いることにより、凹陥部１２
６のより深い形状が得られると共に２つのナイフ
エツジ１３０の形状において比較的高い正確度が
得られ、これらナイフエツジは元の描写物のパタ
ーンに非常に近接しそれら各々の側壁はその傾斜
が全く均一である。

本発明の方法をさらに検討するに、第９〜１５
図に関して述べた初めの３つのエツチング段階
は、元の描写物のパターンに非常に近接した平面
ダイ要素を提供するよう作用しダイ要素６６の側
壁は傾斜に関し非常に均一なものとなる。このこ
とはいくつかの長所を生み出す。第１の描写物の
パターンをダイ要素上に非常に小さな誤差で再現
できることが確実なため、回路要素の間隔は分離
に必要な最少限のものにほぼ等しくすることがで
きる。各々のダイ要素の側壁の頂面が作られる点
に関する正確さは、通常作られるものより高いダ
イ要素のナイフエツジの形成を可能とし、かつこ
のナイフエツジの均一さは小さな誤差内にとどめ
る。第３に、上述の如く、ダイ要素のエツジを鋭
くする作業はナイフエツジの均一さ即ち水平状態
を小さな誤差内に維持したまま都合よくなされ
る。第２５〜３６図に示した第２の例に関しては
正確な再現の同じ利益は得られかつ普通に行われ
ているものよりかなり高いナイフエツジが得られ
る。

本発明においてこれがどのようにして達成され
るかに関して述べると、エツチング液が面を腐食
する速さはエツチング液に露出されている度合に
よる。従つて露出された角部又は突出部は普通に
エツチング液に露出している平面より早く取去ら
れる。またいく分かくれた面（例えば耐酸性物質
のオーバーハング部の下にある面）はいく分遅く
取去られる。ここで述べた一定順序のエツチング
作用即ち耐酸物質のパターンは初め拡大されたパ
ターンで面上に付され次いで徐々に元の描写物に
近づくようにされる工程を採用することにより、
エツチング工程の一部の間における不均一さによ
り生じ得る不規則性が次のエツチング工程により
大きく減じられることが判ろう。結果として、ダ
イ要素の高度の正確さ及びその側壁の傾斜の均一
性を維持したまま比較的深い凹陥部をダイに設け
ることが可能となる。

本発明の工程は特別の必要性に応じ変化させる
ことを理解されたい。例えば、これらダイに対し
より深い凹陥部が必要なときは、中間のエツチン
グ工程をさらに追加することができる。さらにい
く分深さの小さい凹所又は最終製品の正確さある
いその両方が必要とされる場合、バツクグラウン
ドエツチングの工程を省略し分離エツチングから
始め仕上げエツチングをなすことができる。

例 １ 個々の要素の幅が約0.38mm、隣接する要素間の
平均的間隔が約1.27mmで第１図に関し説明したも
のと同様にして描写物が作られた。描写物のバツ
クグラウンド領域の幅は1.55mm以上で12.8mm以下
であつた。第６，７及び８図に示されるように３
つの変形された付着パターンが作られた。大きな
パターンは0.76mm拡大した縁部を有していた。中
間の変形パターンは0.25mm拡大した縁部を有して
いた。第３図の仕上げ用の変形パターンは0.076
mm拡大した縁部を有していた。

長さ17.8cm、幅15.2cm、厚さ1.9cmの低炭素鋼製
のダイブロツクが塩化第２鉄でその１つの面を清
浄化され、研摩剤及び水で磨かれ、水洗いされそ
して空気乾燥された。コダツク社の商品名
KMERで知られるホトレジストがダイ面に付さ
れた。ホトレジストの層は10分間空気乾燥され次
いでオーブン内で30分間120℃（250〓）で焼かれ
次いで空冷された。これは黄色安全光の室内でな
された。第１の拡大されたパターンから用意され
たネガがホトレジスト上に置かれネガとホトレジ
ストとの密着を得るためガラス板がネガの上に置
かれた。ガラス板の上方61cmに置かれたアークラ
ンプが点燈され約30分ネガが照射された。ホトレ
ジストを上にのせたダイブロツクはホトレジスト
現像液中に置かれ非現像部は洗い流されそして水
洗いされた。これは第１の拡大パターンに対応す
る耐酸物のコーテイングを生じた。

ダイブロツクの側面及び背面は被覆テープによ
り被われ、そしてブロツクは35ボーメ度（42ボー
メ度から水で希釈された）フイリツプ・エー・ハ
ウント・ケミカル社製の塩化第２鉄のエツチング
液を有したマスターモデルPC―32型エツチング
機内に置かれた。ブロツクは16分間で約0.51mmの
深さまで腐食され耐酸物の下のアンダーカツトは
約0.25mmであつた。このエツチングは40秒毎に中
断され、ブロツクはエツチング機から取出され露
出したエツチング面は軟質のブラツシで清浄化さ
れた。このダイブロツクの結果としての形状は、
元の描写物における近接した回路要素の群に対応
する領域が単一の隆起領域となつて生じ、描写物
のバツクグラウンド領域に対応する領域は約0.51
mmの深さに凹陥させられていた。

次いで耐酸物は上述と同様の手法でダイ面に付
着されたが、0.25mmの拡大幅を有する第２のパタ
ーンが用いられた。この耐酸物は約0.25mmだけ隆
起領域の縁から内方に間隔をあけていた。

ダイブロツクは再び前述のような手法で約10分
間エツチング液内におかれ約0.33mmの追加の深さ
がエツチングで得られた。前にエツチングされた
領域の結果としての深さは約0.84mmであり隣接す
る要素間に形成された凹陥部は約0.33mmであつ
た。耐酸物のパターンの下のアンダーカツトは約
0.15mmであつた。

第３の変形パターンを用い第３のエツチング工
程が行われた。このパターンの縁部はブロツク上
で隆起領域の縁から内方に約0.025mmだけ間隔を
あけていた。ブロツクは約６分間エツチングされ
隆起領域の側壁は元の描写物に非常に近くなつ
た。

次いでダイブロツクは平面研摩盤によつて平た
く研摩され、ダイブロツクの表面の材料が約
0.025mmだけ取除かれた。完全に露光された写真
ガラス板が現像液中に入れられダイの面に押圧さ
れ、ダイブロツクとガラス板が１分間現像液中で
接触を維持するようにされた。ガラス板及びブロ
ツクは現像液から取出されたガラス板はすぐに冷
水で洗われ定着液中に入れられた。ガラス板はこ
の定着液中に２分間放置された。結果としてダイ
ブロツクのダイ要素の面の正確な再現であるネガ
が得られた。

ネガからポジが作られポジは第５図に示した装
置内の露光していない写真ガラス板上に置かれ
た。ポジのガラス板を支持する板に0.102mmの偏
心半径で円形運動が与えられた。ポジの上方25cm
に置かれた紫外線ランプが10秒間点燈され写真ガ
ラス板はダイパターンの変形されたネガを作るべ
く現像された、このネガからポジが作られた。結
果として得られパターンは描写物に対応するがそ
れらの縁に沿つて約0.102mm細くした回路要素に
対応するものであつた。

次いでウツドヒル・ケミカル・スケール社製の
Ｅ―Pox―Ｅ接着剤のEPX―１型の耐酸物がへら
を用いて手操作でダイ面のわずか上の高さまで塗
布され気泡がダイ要素の上まで昇るようにされ
た。ダイ面はダイ要素の高さまで硬化したエポキ
シを削り落すため研摩された。前述したような耐
酸物のコーテイングがダイ面に付された。変形さ
れたパターンのポジがホトレジスト層の上に置か
れ、ホトレジスト層上の紫外線ランプが点燈され
ホトレジストの露出部を硬化した。現像されたホ
トレジストのパターンを上に置かれたダイは非常
露光部を取去るため現像液中におかれた。

変形されたホトレジストのパターンを有したダ
イブロツクはオーブン内に置かれ約30分間120℃
で焼かれた。ブロツクは上述の手法でエツチング
されこのエツチングは約４分間続けられた。ダイ
はエツチング液から取出されコーテイングは研削
により落された。ダイは約４分間エツチング液中
に再び置かれた。次いでダイは加熱板上に置か
れ、ダイ要素間の凹所内のエポキシ充填物を軟化
させるため77℃（170〓）に加熱されまた針状物
が凹所に通されエポキミ充填物をそこから取去つ
た。結果として得られたのは約1.02mmの深さとな
つたバツクグラウンドの凹所と約0.46mmの深さの
分離凹所とを有するダイであつた。各々のダイ要
素はその縁部における隆起したナイフエツジと約
0.127mmの深さの中央の凹陥部とを有していた、
各々のダイエレメントのナイフエツジに隣接にす
る側壁は下方に延びかつ垂直よりわずかに外方に
傾いていた。元の描写物と得られたダイとを比較
すると、ダイ要素は元の描写物に対し約プラス・
マイナス0.051mm以内であつた。

例 ２ ダイ要素の凹陥部を形成するため、単一の耐酸
物のパターンの代りに第２６，２７及び２８図に
示された３つの変形されたパターンを用いる点を
除き例１と同じ方法が行われる。第２６図に示さ
れたものに対応する第１のわずかに縮小されたパ
ターンは0.15mm減じられたダイ要素の輪郭を有し
ていた。第２７図のものに対応する中位に縮小さ
れたパターンは0.30mm減じたダイ要素の輪郭を有
していた。第２８図のものに対応する大きく縮小
されたパターンは0.64mm減じられたダイ要素の輪
郭を有していた。

大きく縮小されたパターンに対応する耐酸物が
ダイ面に付されダイは約９分間エツチング液にさ
らされダイ要素の中央の凹陥部は約0.35mmの深さ
となつた。中位に縮小されたパターンに対応する
第２の耐酸物がダイ面に加えられダイは約５分間
エツチング液にさらされた。このダイ要素のさら
に深くされた凹陥部は約0.56mmの深さであつた。
最後に大きく縮小されたパターンに対応する耐酸
物がダイの面に付されダイは約９分間エツチング
液にさらされた。これはダイ要素の凹陥部の深さ
を約0.76mmとした。

次いで耐酸物は取除かれダイは約４分間エツチ
ング液にさらされた。結果として得られたダイの
形状は例１により作られたものとほぼ同様の形状
だが各々のダイ要素のナイフエツジの高さは0.76
mmであつた。また個々のダイ要素の幅は少くとも
1.52mmであつた。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による方法に用いるパターンと
して用いる描写物の平面図；第２図は写真用乳剤
を有したガラス板にのせられた描写物の斜視図；
第３図は第２図に示した積重ね体が光にさらされ
その再現を作られているところを示す側面図；第
４図は第３図に示した工程より得られるネガの一
部の拡大平面図；第５図は第４図に示したネガよ
り変形されたパターンを作る装置の斜視図；第６
図、第７図及び第８図は第５図の装置により得ら
れた３つの拡大パターンの拡大平面図；第９図よ
り第２３図は最終的完成ダイを作るため本発明の
工程におかれるダイブロツクの断面図；第２４図
は本発明により作られたダイの１つのダイ要素の
拡大断面図；第２５図は第１７図に関して説明さ
れる工程により作られ、そして本発明の第２の方
法に用いられるポジの平面図；第２６図、第２７
図及び第２８図は本発明の第２の方法により第５
図の装置を用いて作られた３つの変形した縮小パ
ターンの部分的な拡大平面図；第２９図より第３
５図は完成ダイを作るため本発明の第２の方法の
工程におかれているダイブロツクの１つのダイ要
素の一部の部分断面図；第３６図は本発明の第２
の方法により作られたダイ要素の断面図である。 １０……パターン図、１６……写真用乳剤を有
したガラス板、１４ａ……基本パターン、２２…
…回路要素の像、２４……不透明部、２５ａ，２
５ｂ，２５ｃ……変形パターン、２８……フレー
ム、３０……偏心部材、３６……分離領域、３８
……バツクグラウンド領域、４４……拡大縁部、
４６……ダイブロツク、４８……ホトレジスト、
５２，５８，６５……保護被覆、５４……バツク
グラウンド凹所、５６，６２……隆起領域、６０
……分離凹所、６６……ダイ要素、７４……写真
ガラス板、７８……エポキシ充填物、８０……ホ
トレジスト、８２……変形パターン、８４ａ，８
４ｂ，８４ｃ……保護被覆、８８……凹陥部、１
００……ナイフエツジ、１０６ａ……基本パター
ン、１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃ……変形パタ
ーン、１１４，１２４，１２６……凹陥部、１３
０……ナイフエツジ。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ パターン図の予め選ばれた基本パターンであ
   り輪郭線を有したものに小さな誤差で対応する複
   数の回路要素を有する回路板をフオイルのシート
   から形成するのに特に適したダイであり、前記パ
   ターンは比較的近接した回路要素を分離している
   分離領域と回路要素をより広く分離する広い寸法
   の少くとも１つのバツクグラウンド領域を有する
   ことを特徴とし、前記ダイは前記フオイルに係合
   して回路要素をそこから形成するダイ要素を有し
   該ダイ要素は各々対応するパターン図の外形線に
   小さな誤差で対応した縁部を有する面とこの縁部
   からその両側の隣接する凹所につながる側壁とを
   有しているダイを作る方法において、 (a) ダイ要素を形成すべき作用面を有するダイブ
   ロツクを用意する段階と； (b) 基本パターンに対応する形状の基本領域と基
   本パターンの輪郭より一定のほぼ均一な幅だけ
   越えて延びる拡大縁部とより成る透明パターン
   領域を各々有する複数の変形パターンであり、
   バツクグランド領域の幅の半分より小さな幅の
   比較的大きな拡大縁部を有するバツクグラウン
   ドパターンと、近接して隔置された回路要素の
   間隔の半分より小さな幅の中位の大きさの拡大
   縁部を有する分離パターンと基本パターンにほ
   ぼ近づいている比較的小さな幅の拡大縁部を有
   する仕上げパターンとを含む複数のパターンを
   用意する段階と； (c) ダイブロツクの作用面にホトレジスト層を付
   着させ該ホトレジスト層上に前記バツクグラウ
   ンドパターンを置き該パターンを介して光を照
   射しその後に非照射部のホトレジストを取去る
   ことにより、該作用面を前記バツクグラウンド
   パターンの透明パターン領域に対応する領域に
   おいて被覆する段階と； (d) ダイの作用面をエツチング媒体に露出し少く
   ともバツクグラウンド領域に凹所を作り、回路
   要素が形成されるべきダイブロツクの領域を含
   む第１の隆起領域を作る段階と； (e) 前記作用面からホトレジスト層を取除いた後
   新たなホトレジスト層を付着させ、該ホトレジ
   スト層上に前記分離パターンを置き該パターン
   を介して光を照射しその後に非照射部のホトレ
   ジストを取去ることにより、該作用面を前記分
   離パターンの透明パターン領域に対応する領域
   において被覆する段階と； (f) ダイブロツクの作用面を再びエツチング媒体
   に露出しバツクグラウンド領域からさらに材料
   を取去りまたダイブロツクの分離領域において
   も凹所を形成する段階と； (g) 前記作用面からホトレジスト層を取除いた後
   新たなホトレジスト層を付着させ、該ホトレジ
   スト層上に前記仕上げパターンを置き該パター
   ンを介して光を照射しその後に非照射部のホト
   レジストを取去ることにより、該作用面を前記
   仕上げパターンの透明パターン領域に対応する
   領域において被覆する段階と； (h) ダイの作用面をエツチング媒体に対し再び露
   出し予め選ばれた基本パターンに非常に近接し
   た形状にダイ要素を形成する段階と； を含むダイの製造方法。 ２ (a) 輪郭を描く縁部の線を有する頂面を各々
   有する複数の隆起したダイ要素と、該ダイ要素
   を分離する凹所とを有するダイブロツクを用意
   する段階と； (b) 形状が各々ダイ要素のパターンに対応しかつ
   その各々が予め決められたほぼ均一の幅だけダ
   イ要素の輪郭より内側に間隔をあけた輪郭を有
   する不透明パターン領域を有する少くとも第１
   と第２の縮少パターンであり、第１の縮小パタ
   ーンのパターン領域は第２の縮小パターンのパ
   ターン領域より内側により大きな距離だけ間隔
   をあけた輪郭を有している複数の変形された縮
   小パターンを用意する段階と； (c) 前記ダイ要素の頂面にホトレジスト層を付着
   させ該ホトレジスト層上に前記第１の縮小パタ
   ーンを置き該パターンを介して光を照射しその
   後に非照射部のホトレジストを取去ることによ
   り前記頂面を前記第１の縮小パターンの不透明
   パターン領域に対応する領域において露出する
   段階と； (d) ダイ要素の頂面をエツチング媒体に露出しダ
   イ要素に凹陥部を形成しかつ立上る縁部をダイ
   要素に形成する段階と； (e) 前記頂面からホトレジスト層を取除いた後新
   たなホトレジスト層を付着させ、該ホトレジス
   ト層上に前記第２の縮小パターンを置き該パタ
   ーンを介して光を照射しその後に非照射部のホ
   トレジストを取去ることにより前記頂面を前記
   第２の縮小パターンの不透明パターン領域に対
   応する領域において露出する段階と； (f) ダイ要素の頂面を再びエツチング媒体に露出
   し前記凹陥部をより深くかつより広くし前記立
   上るダイ要素の縁部を高度の均一性を有したま
   まダイ要素の形状に一致するより細い形状とす
   る段階と； を含むダイの製造方法。