JPS6141094B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、カラー受像管の螢光面の内面に光
反射性金属薄膜を形成する方法に関するものであ
る。

通常のカラー受像管の螢光面は、管体の一部を
構成するガラスのフエースプレートの内面に被着
した螢光体膜上に、この螢光体膜から発した光を
有効にカラー受像管前方へ取り出すための光反射
性金属薄膜を形成した、いわゆるメタルバツク構
造が一般的である。このメタルバツク構造の螢光
面は、カラー受像管の輝度を増加させるととも
に、螢光体膜のイオン焼けの現象を防止するとい
う利点を有している。その製造工程を第１図を参
照して説明する。

第１図において、１はフエースプレート、２は
このフエースプレート１の内面に被着された螢光
体膜、３はこの螢光体膜２の表面を平滑にするた
めの有機物質を主成分とするフイルミング用ラツ
カー材料により形成された中間膜、４は光反射性
金属薄膜で、例えば、アルミニウム（Al）薄膜
である。このAl薄膜Ａは、中間膜３にAlを真空
中で蒸着させて形成し、しかる後にベーキング処
理により中間膜３を除去している。

従来、Al薄膜４を蒸着により形成するには、
第２図に示すように螢光体膜２、中間膜３を形成
したフエースプレート１を、３〜４本のタングス
テン線の撚り線により、バスケツト状とした１個
あるいは複数個の蒸発源５を有する真空外囲器６
内の所定の位置に支持し10^-4Torr.の真空中で、
Alを中間膜３上に蒸着させる方法が用いられて
いるが、蒸発源５としてタングステン線コイルを
用いているため、タングステン線表面がAlと合
金化して劣化し、寿命が短いという欠点があつ
た。

上記欠点を除去するためタングステン線コイル
に代えて抵抗加熱体を使用する手段が提案され実
用に供されている。この抵抗加熱体としては、窒
化硼素を主成分とするものが一般に用いられてい
る。この種の抵抗加熱体は、第３図に示すよう
に、直方体状の抵抗加熱体７の上面に蒸着物質載
置部となる凹部７ａを形成したいわゆるボード状
の構造としている。なお、凹部７ａを特に設けず
平面としたものもある。

この窒化硼素を主成分とするボード状の抵抗加
熱体（以下窒化硼素加熱体と略称する）７を蒸発
源として使用した場合の蒸着膜製作方法を第４図
を参照して説明する。

第４図において、１〜４および７は第１図〜第
３図と同一部分を示し、８は真空外囲器で、入口
室８ａ，Al蒸着室８ｂ、出口室８ｃから構成さ
れる。９は蒸着物質を自動的に挿入する自動挿入
器、１０は蒸着物質、例えばAl線（以下Al線を
用いて説明する）、１１，１２は仕切弁をそれぞ
れ示している。

中間膜３を形成したフエースプレート１を真空
外囲器８の入口室８ａに搬入し、真空ポンプ（図
示せず）などの排気機器により、入口室８ａおよ
び出口室８ｃを0.05〜0.01Torr.の真空に、Al蒸
着室８ｂは１〜２×10^-4Torr.の真空にする。次
に、仕切弁１２のみを開いてフエースプレート１
をAl蒸着室８ｂの所定の位置に搬送し、仕切弁
１２を閉じる。次に、入口室８ａと出口室８ｃを
大気圧にし、仕切弁１１を開いて中間膜３を形成
した別のフエースプレート１を入口室８ａに搬入
し、入口室８ａと出口室８ｃは、0.05〜
0.01Torr.の真空に、またAl蒸着室８ｂは１〜２
×10^-4Torr.の真空にする。Al蒸着室８ｂ内の底
部の所定位置に設置された窒化硼素加熱体７は、
約1350〜1500℃に加熱され、蒸着物質であるAl
線１０を自動挿入器９によりこの窒化硼素加熱体
７の凹部７ａに挿入すると、窒化硼素加熱体７の
発熱による温度上昇でAl線１０が蒸発し上方に
飛散する。この蒸発により中間膜３上にAl薄膜
４が形成される。蒸着が完了すると仕切弁１２を
開とし、Al蒸着室８ｂのフエースプレート１は
出口室８ｃへ、また入口室８ａに待機しているフ
エースプレート１は、Al蒸着室８ｂに搬送し仕
切弁１２を閉じた後、入口室８ａおよび出口室８
ｃを大気圧とし、出口室８ｃのフエースプレート
１は真空外囲器８外に搬出し蒸着工程を完了す
る。同時に入口室８ａには別のフエースプレート
１が搬入され前記工程を順次繰り返す。

以上のような工程において、Al蒸着室８ｂの
真空度は常に0.05Torr.以上に保たれているの
で、蒸着の完了したフエースプレート１の搬送あ
るいは未蒸着のフエースプレート１の搬入時で
も、特に窒化硼素加熱体７の温度を室温近くまで
下げる必要がなく、むしろ昇温時間を短縮するた
めに非蒸着時にも電力を供給して一定温度に保つ
のが好ましい。従つて、実際的に窒化硼素加熱体
７は常時1000℃前後の温度に加熱していて蒸着す
る時に約1350〜1500℃に昇温する方法をとつてい
る。

一方、この窒化硼素加熱体７の凹部７ａへの
Al線１０の供給は、昇温と同時に自動挿入器９
から繰出しを開始し、蒸着が完了して温度を下降
させ始めると同時に繰出しを停止するようにして
いた。

しかしながら窒化硼送加熱体７の温度が1350〜
1500℃から1000℃前後に降下するまでには十数秒
の時間がかかり、この間にも蒸発は進み凹部７ａ
のAlがなくなつてしまう。そうすると、次の蒸
着開始に伴つてAl線１０が凹部７ａに挿入され
てきても、即時に溶解せず、窒化硼素加熱体７の
表面上をすべつて窒化硼素加熱体７からはみ出
し、蒸着ができなくなることが起る。このような
事態が発生すると装置を分解して再調整を行わね
ばならず、従つて調整時間および真空復帰に無駄
な時間を費やしていた。

この発明は、上記の欠点を除去するためになさ
れたもので、窒化硼素を主成分とするボート状の
抵抗加熱体を蒸発源として用いた場合にAl線が
容易に溶解し、蒸着工程が確実に進むようなカラ
ー受像管の蒸着膜形成方法を提供しようとするも
のである。以下、この発明を第４図を用いて説明
する。

上述の如き問題の起る原因は、窒化硼素加熱体
７の表面に溶解したAlがなくなつた時に挿入さ
れてくるAl線１０を窒化硼素加熱体７の表面と
の接触面積が小さくなる結果、Alを溶解するに
充分な熱量がAl側に供与されず、溶解速度とAl
挿入速度が合致しないためである。

そこでこの発明では、窒化硼素加熱体７の凹部
７ａ中に常時溶解したAlを残存させて自動挿入
器９より繰り出されたAl線１０が窒化硼素加熱
体７の溶解したAl中に浸入し、この溶解したAl
とAl線１０との接触面積を増加させ、Al線１０
の昇温を迅速にするようにしたものである。

具体的には、この蒸着工程において螢光面とし
て必要なAl蒸着量に達すると、窒化硼素加熱体
７の温度を約1000℃まで急激に低くするが、この
間にもAl線１０を自動挿入器９により溶解しな
くなる直前まで挿入し停止する。そして、次のフ
エースプレート１にAl薄膜４を形成する時に電
流値を再び上げて加熱温度を1350〜1500℃に上昇
する。

しかるに前述した工程を繰り返しても、窒化硼
素加熱体７の凹部７ａには、Al線１０の溶解液
があるため、再度蒸着時にAl線１０を自動挿入
してもスムーズに窒化硼素加熱体７の凹部７ａに
溶解して拡がり蒸発する。

なお、上記実施例は、Al薄膜４の蒸着法の場
合について説明したが、この方法は窒化硼素加熱
体７を蒸発源とし、低真空で黒化Al膜を蒸着す
る蒸着膜形成においても応用することが可能であ
る。

以上説明したようにこの発明によれば、窒化硼
素加熱体の加熱温度を蒸着時以外は、蒸着時以下
の加熱温度にして蒸着時以下の加熱温度までAl
線を窒化硼素加熱体に挿入するという簡単な手段
でありながら、Al線と発熱した窒化硼素加熱体
のなじみがよくなるので、従来のような再調整時
間や真空復帰時間の無駄がなくなる。従つて装置
の稼動率が向上し、蒸着膜厚分布が安定する等の
利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はカラー受像管の螢光面部の製造工程を
説明するための断面図、第２図は従来の蒸着装置
の概略的構成図、第３図は窒化硼素を主成分とす
るボート状の抵抗加熱体の斜視図、第４図はこの
発明の一実施例を説明するために用いた蒸着装置
の一例を概略的に示す構成図である。 図中、１はフエースプレート、２は螢光膜、３
は中間膜、４はAl薄膜、７は窒化硼素加熱体、
７ａは凹部、８は真空外囲器、８ａは入口室、８
ｂはAl蒸着室、８ｃは出口室、９は自動挿入
器、１０はAl線、１１，１２は仕切弁である。
なお、図中の同一符号は同一または相当部分を示
す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 平面または凹面の蒸着物質載置部を有する抵
   抗加熱体を蒸発源として用いた真空装置により間
   欠的に蒸着室に搬入されるカラー受像管の螢光面
   部の中間膜上に光反射性金属薄膜を真空蒸着する
   蒸着膜製作法において、前記抵抗加熱体の温度を
   蒸着時と非蒸着時に選定しておき、蒸着時に前記
   光反射性金属薄膜の金属材料を前記抵抗加熱体上
   に供給し蒸着完了に伴い前記抵抗加熱体の温度を
   前記非蒸着時の温度に降下させ、前記非蒸着時の
   温度になる時間まで、前記金属材料の供給を継続
   せしめることを特徴とするカラー受像管の蒸着膜
   形成方法。