JPS6141124A - 液晶配向膜の製造方法 - Google Patents
液晶配向膜の製造方法Info
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- JPS6141124A JPS6141124A JP16156584A JP16156584A JPS6141124A JP S6141124 A JPS6141124 A JP S6141124A JP 16156584 A JP16156584 A JP 16156584A JP 16156584 A JP16156584 A JP 16156584A JP S6141124 A JPS6141124 A JP S6141124A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は低絶縁抵抗のポリイミド系樹脂組成物を使用し
て液晶配向膜を製造する方法に関するものである。
て液晶配向膜を製造する方法に関するものである。
[従来技術]
液晶ディスプレイの配向層としてSiOxのような無機
物を蒸着する方法が知られているが、この方法は極めて
高価で生産性も悪い。
物を蒸着する方法が知られているが、この方法は極めて
高価で生産性も悪い。
又ポリビニルアルコールやポリイミドの様な有機高分子
フィルムを配向膜として使用する方法も知られている。
フィルムを配向膜として使用する方法も知られている。
特にポリイミドは各種の液晶を配向させる働きを有し耐
熱性に優れているため広く用いられている。
熱性に優れているため広く用いられている。
一般に液晶ディスプレイパネルは電極が形成された透明
基板にポリイミドプレポリマーを塗布し、次いで熱処理
及び配向処理を行い、配向層を形成し、この基板に液晶
を封入して成るものでり、基板間に電圧をかけることに
よって液晶に電界を生ぜしめ、液晶分子が配列すること
によって各種パターンを表示する機構となっている。
基板にポリイミドプレポリマーを塗布し、次いで熱処理
及び配向処理を行い、配向層を形成し、この基板に液晶
を封入して成るものでり、基板間に電圧をかけることに
よって液晶に電界を生ぜしめ、液晶分子が配列すること
によって各種パターンを表示する機構となっている。
実用化されている多くのディスブイ装置は消費電力を少
なくするため低電圧(2〜5VAC)で作動させるもの
が多い。
なくするため低電圧(2〜5VAC)で作動させるもの
が多い。
しかし一般にポリイミド配向層は体積抵抗率が1016
〜1017Ω−clllの高絶縁性皮膜であるため、電
圧をがけたとき液晶層に電圧低下が生ずる。
〜1017Ω−clllの高絶縁性皮膜であるため、電
圧をがけたとき液晶層に電圧低下が生ずる。
そのため配向層の厚みをできるだけ薄くする必要があり
、通常100〜5ooXの厚みで使用されでいるが、ポ
リイミド皮膜をこの厚みで均一に塗布することは技術的
に困難であり、又パターン化された電極層の厚みも50
0人程度であり、その上のポリイミド配向層の厚みが5
ooi以下であると電極層の・(ターンが透明配向層で
完全に遮蔽されず外観上好ましくないとり1う欠点があ
る。
、通常100〜5ooXの厚みで使用されでいるが、ポ
リイミド皮膜をこの厚みで均一に塗布することは技術的
に困難であり、又パターン化された電極層の厚みも50
0人程度であり、その上のポリイミド配向層の厚みが5
ooi以下であると電極層の・(ターンが透明配向層で
完全に遮蔽されず外観上好ましくないとり1う欠点があ
る。
E発明の目的1
本発明はポリイミド配向層を厚み5opX以上に形成し
ても、液晶層の電圧低下の少ない配向層を得んとして研
究した結果、ポリイミド皮膜の体積抵抗率を1015Ω
−cm以下にすることにより電圧低下が少なくなるとの
知見を得て本発明を完成するに至った。
ても、液晶層の電圧低下の少ない配向層を得んとして研
究した結果、ポリイミド皮膜の体積抵抗率を1015Ω
−cm以下にすることにより電圧低下が少なくなるとの
知見を得て本発明を完成するに至った。
更にポリイミド樹脂の優れた配向特性及び緒特性を劣化
させることなく、体積抵抗率を低下させる方法につし1
て種々検討した結果、ポリイミドプレポリマーに有機金
属キレート化合物を添加することによって目的を達成す
ることができた。
させることなく、体積抵抗率を低下させる方法につし1
て種々検討した結果、ポリイミドプレポリマーに有機金
属キレート化合物を添加することによって目的を達成す
ることができた。
[発明の構I11.1
本発明は一般式
で表わされるポリイミドプレポリマー及び一般式Me(
OR)n(R’ )m で表わされる有機金属キレート化合物を成分とする溶液
を透明基板に塗布し、次いで熱処理し体積抵抗率が10
′5Ω−CIIl以下の皮膜を形成させ、該皮膜を配向
処理することを特徴とする液晶配向膜の製造方法である
。
OR)n(R’ )m で表わされる有機金属キレート化合物を成分とする溶液
を透明基板に塗布し、次いで熱処理し体積抵抗率が10
′5Ω−CIIl以下の皮膜を形成させ、該皮膜を配向
処理することを特徴とする液晶配向膜の製造方法である
。
本発明に使用するポリイミドプレポリマーはテトラカル
ボン酸ジ無水物とジアミンとを極性有機溶剤中で反応さ
せることにより得られる。
ボン酸ジ無水物とジアミンとを極性有機溶剤中で反応さ
せることにより得られる。
テトラカルボン酸ジ無水物とジアミンとの組合せによっ
て各種の構造のプレポリマーが得られるが液晶配向膜と
して使用した場合、特に良好な配向性を示すものとして
、ピロメリッF酸ジ無水物及びジアミノジフェニルエー
テルとの組合せ、又はベンゾフェノンテトラカルボン酸
ジ無水物とジアミノジフェニルエーテルとの組合せで得
られるプレポリマーがあげられる。
て各種の構造のプレポリマーが得られるが液晶配向膜と
して使用した場合、特に良好な配向性を示すものとして
、ピロメリッF酸ジ無水物及びジアミノジフェニルエー
テルとの組合せ、又はベンゾフェノンテトラカルボン酸
ジ無水物とジアミノジフェニルエーテルとの組合せで得
られるプレポリマーがあげられる。
本発明に使用する有機金属キレート化合物はポリイミド
皮膜の体積抵抗率を下げるために必要である。
皮膜の体積抵抗率を下げるために必要である。
これらのキレート化合物は一般式 Me(OR)n(R
’ )a+で表わされるもので金属としてはAI、Ba
、Ca、Go、Cd。
’ )a+で表わされるもので金属としてはAI、Ba
、Ca、Go、Cd。
Cr1CutFetIn+M8.Mr+yNi+Ti+
Zn等であり、これらは金属のアルコラード化合物から
誘導される。
Zn等であり、これらは金属のアルコラード化合物から
誘導される。
キレート結合の形成方式には種々のものがあるが、例え
ば酸素配位タイプのものとしてβ−ジケトン類、ケトエ
ステル類、グリコール類、ヒドロキシカルボン酸類、ケ
トアルコール類などがあげられる。
ば酸素配位タイプのものとしてβ−ジケトン類、ケトエ
ステル類、グリコール類、ヒドロキシカルボン酸類、ケ
トアルコール類などがあげられる。
この内本発明においで効果があり、取扱いが容易なもの
としては、A1.Sn、Tiをアセチルアセトンよりキ
レート化しtこβ−ジケトン類があげられる。
としては、A1.Sn、Tiをアセチルアセトンよりキ
レート化しtこβ−ジケトン類があげられる。
これらは有機溶剤に可溶であり、しかも着色してり1な
いためポリイミドプレポリマーへの混合が容易で、硬化
後の皮膜の透明性もそこなわない。
いためポリイミドプレポリマーへの混合が容易で、硬化
後の皮膜の透明性もそこなわない。
本発明に用いる有機金属キレート化合物の配合量はポリ
イミドプレポリマー固形分100重量部に対し、1〜2
00重量部好ましくは5〜100重量部である。
イミドプレポリマー固形分100重量部に対し、1〜2
00重量部好ましくは5〜100重量部である。
有機金属キレート化合物が1重量部以下では得られるポ
リイミド皮膜の体積抵抗率が1015Ω−cm以下にな
らず、又200重量部以上使用するとポリイミド皮膜が
もろくなり実用に適さない。
リイミド皮膜の体積抵抗率が1015Ω−cm以下にな
らず、又200重量部以上使用するとポリイミド皮膜が
もろくなり実用に適さない。
ポリイミドプレポリマーと有機金属キレート化合物を混
合する方法としてはポリイミドプレポリマーの有機溶剤
溶液に有機金属キレート化合物を添加して溶解せしめる
か、又は両者の有機溶剤溶液を混合する。
合する方法としてはポリイミドプレポリマーの有機溶剤
溶液に有機金属キレート化合物を添加して溶解せしめる
か、又は両者の有機溶剤溶液を混合する。
ポリイミドプレポリマーを溶解する有機溶剤としてはN
、N’−ジメチルホルムアミド、N、N’−ジメチルア
セトアミド、N−メチル−2ピロリドン等の極性溶剤を
用い、有機金属キレート化合物を溶解させる溶剤として
は、脂肪族炭化水素類としてヘキサン、シクロヘキサン
等、芳。
、N’−ジメチルホルムアミド、N、N’−ジメチルア
セトアミド、N−メチル−2ピロリドン等の極性溶剤を
用い、有機金属キレート化合物を溶解させる溶剤として
は、脂肪族炭化水素類としてヘキサン、シクロヘキサン
等、芳。
香族炭化水素類としてベンゼン、トルエン、キシレン等
、アルコール類としてエチルアルコール、ブチルアルコ
ール等、ケトン類としてアセトン、メチルエチルケトン
、メチルイソブチルケトン等、エステル類として酢酸エ
チル、酢酸ブチル等、エーテル類としてテトラヒドロフ
ラン、ノオキサン等を1種又は2種以上混合しで用いて
もよい。
、アルコール類としてエチルアルコール、ブチルアルコ
ール等、ケトン類としてアセトン、メチルエチルケトン
、メチルイソブチルケトン等、エステル類として酢酸エ
チル、酢酸ブチル等、エーテル類としてテトラヒドロフ
ラン、ノオキサン等を1種又は2種以上混合しで用いて
もよい。
この溶液を用いて液晶配向膜を製造する方法は溶液の固
形分濃度を1〜50%にし電極が形成された透明基板表
面に流延し、厚さ0.01〜jOμの範囲で均一に塗布
し、次いで乾燥基中で50〜400°Cの温度で必要に
より2段階もしくはそれ以上のステップで3分〜10時
間熱処理して樹脂皮膜を形成せしめる。
形分濃度を1〜50%にし電極が形成された透明基板表
面に流延し、厚さ0.01〜jOμの範囲で均一に塗布
し、次いで乾燥基中で50〜400°Cの温度で必要に
より2段階もしくはそれ以上のステップで3分〜10時
間熱処理して樹脂皮膜を形成せしめる。
樹脂溶液を流延させる装置としてはホイラー、スピンナ
ー、ロールコータ−、ドクターブレード、70−コータ
ー等を用いることか゛できる。
ー、ロールコータ−、ドクターブレード、70−コータ
ー等を用いることか゛できる。
熱処理には電熱、赤外線、蒸気、高周波あるいはそれら
を併用することができるが、一般には循環空気炉を使用
する。
を併用することができるが、一般には循環空気炉を使用
する。
皮膜形成後の配向処理は一般には脱脂綿、ブラシ等で皮
膜表面をラビングして数人程度の溝を同一方向に形成す
ることによって行なわれる。
膜表面をラビングして数人程度の溝を同一方向に形成す
ることによって行なわれる。
[実施例1
以下実施例で本発明を説明する。
実施例1
414゛−ジアミノンフェニルエーテル1.0モルとベ
ンゾフェノンテトラカルボン酸ジ無水物1.0モルをN
。
ンゾフェノンテトラカルボン酸ジ無水物1.0モルをN
。
N゛−ジメチルアセトアミド中で20℃で5時間反応さ
せ固有粘度1.2のポリイミドプレポリマー(ポリアミ
、ンク酸)を得た。
せ固有粘度1.2のポリイミドプレポリマー(ポリアミ
、ンク酸)を得た。
このプレポリマー溶液に、有機金属キレート化合物とし
てチタンテトラアセチルアセトン[Ti CQC(CH
b)CHCOCH,)、]を溶媒としてエチルアルコー
ル:トルエン10:90の混合溶媒に濃度10%になる
ように溶解した溶液を、ポリイミドプレポリマーと有機
金属キレート化合物の重量比が100:20になるよう
に添加した。
てチタンテトラアセチルアセトン[Ti CQC(CH
b)CHCOCH,)、]を溶媒としてエチルアルコー
ル:トルエン10:90の混合溶媒に濃度10%になる
ように溶解した溶液を、ポリイミドプレポリマーと有機
金属キレート化合物の重量比が100:20になるよう
に添加した。
更にN、N’−ジメチルアセトアミドで希釈して粘度5
0cpsの溶液に調整し、電極か形成されているガラス
基板上にスピンナーを用いて塗布し、盾環空気炉中で1
5o’cで1時間、350°Cで1時間熱処理し厚み1
000Aの皮膜を形成させた。
0cpsの溶液に調整し、電極か形成されているガラス
基板上にスピンナーを用いて塗布し、盾環空気炉中で1
5o’cで1時間、350°Cで1時間熱処理し厚み1
000Aの皮膜を形成させた。
この皮膜の体積抵抗率は5X1012Ω−cmであった
。
。
皮膜表面をブラシで一定方向にこすってラビング処理を
行い配向層を形成させ、次いで液晶セルを組立ててピフ
ェニル系液晶を注入して液晶の配向性を調べた結果2\
・′の印加電圧で良好な配向性を示した。
行い配向層を形成させ、次いで液晶セルを組立ててピフ
ェニル系液晶を注入して液晶の配向性を調べた結果2\
・′の印加電圧で良好な配向性を示した。
又液晶パネルの長期寿命試験を行ったところ、耐湿試験
(80°C190%RH)で1000時間処理しても配
向特性の劣化かみられず、使用した電池1個の寿命は1
000時間以上であった。
(80°C190%RH)で1000時間処理しても配
向特性の劣化かみられず、使用した電池1個の寿命は1
000時間以上であった。
比較例1
同層を形成させた。
この皮膜の体積抵抗率はSX】016Ω−Ctnであっ
た。
た。
実施例1と同様に液晶パネルを組立て、液晶の配向性を
調べたところ、5vの印加電圧が必要であった。
調べたところ、5vの印加電圧が必要であった。
更に長期寿命試験を行なったところ電池の寿命は200
時間程度であった。
時間程度であった。
実施例2
4 、4 ’−ノ7ミ7シ゛フェニルメタン]、0モル
とビロメ1ノット酸ノ無水物1.0モルとをN−メチル
−2−ピコリドン中で反応させ固有粘度0.8のポリイ
ミドプレポリマーを得た。
とビロメ1ノット酸ノ無水物1.0モルとをN−メチル
−2−ピコリドン中で反応させ固有粘度0.8のポリイ
ミドプレポリマーを得た。
このプレポリマー溶液に、有機金属キレート化合物とし
てアルミニウムトリアセチルアセトン[Al(OC(C
Hs )CI−ICOCH3)31を溶媒としてキシレ
ンに溶解した溶液を、ポリイミドプレポリマーと有機金
属キレート化合物の重量比か100:25になるように
添加した。
てアルミニウムトリアセチルアセトン[Al(OC(C
Hs )CI−ICOCH3)31を溶媒としてキシレ
ンに溶解した溶液を、ポリイミドプレポリマーと有機金
属キレート化合物の重量比か100:25になるように
添加した。
更にN、N’−ジメチルアセトアミドで希釈して粘度2
00cpsの溶液に調整し、電極が形成されているガラ
ス基板上にロールコータ−を用いて塗布し、循環空気炉
中で100℃で30分、300℃で1時間熱処理し厚み
2000Aの皮膜を形成させた。
00cpsの溶液に調整し、電極が形成されているガラ
ス基板上にロールコータ−を用いて塗布し、循環空気炉
中で100℃で30分、300℃で1時間熱処理し厚み
2000Aの皮膜を形成させた。
この皮膜の体積抵抗率は1×1012Ω−emであった
。
。
実施例1と同様な方法で液晶セルを組立て、液晶の配向
性を調べたところ1.5■の印加電圧で良好な配向性を
示し、電池の特命は1000時間であった。
性を調べたところ1.5■の印加電圧で良好な配向性を
示し、電池の特命は1000時間であった。
比較例2
実施例2で得られたポリイミドプレポリマーのみを使用
して実施例2と同様な操作を行い2000人の配向層を
形成させた。
して実施例2と同様な操作を行い2000人の配向層を
形成させた。
この皮膜の体積抵抗率は8X1016Ω−cmであった
。
。
実施例2と同様に液晶パネルを組立て液晶の配向性を調
べたところ5Vの印加電圧が必要であり、長期寿命試験
を行なったところ電池の寿命は300時間程度であっ以
上に述べた如く、本発明で得られるポリイミド樹脂組成
物は従来のポリイミド樹脂の優れた液晶配向性を維持さ
せたま)で、低絶縁抵抗を持たせたことに特徴を有する
ものであり、この組成物を液晶配向膜として使用するこ
とによって、液晶の電圧低下が少なくなるため印加電圧
が従来より低くてすみ、又消費電流も少ないため作動さ
せる電池の寿命も従来より大巾に延びることが可能にな
った。
べたところ5Vの印加電圧が必要であり、長期寿命試験
を行なったところ電池の寿命は300時間程度であっ以
上に述べた如く、本発明で得られるポリイミド樹脂組成
物は従来のポリイミド樹脂の優れた液晶配向性を維持さ
せたま)で、低絶縁抵抗を持たせたことに特徴を有する
ものであり、この組成物を液晶配向膜として使用するこ
とによって、液晶の電圧低下が少なくなるため印加電圧
が従来より低くてすみ、又消費電流も少ないため作動さ
せる電池の寿命も従来より大巾に延びることが可能にな
った。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔ここでR_1、R_2はベンゼン環、縮合ベンゼン環
又は▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼〕 で表わされるポリイミドプレポリマー及び一般式Me(
OR)n(R′)_m 〔ここでMe;金属 R;有機基R′O、N元素を含む
キ基レート基、n、mは0以上の自然数〕で表わされる
有機金属キレート化合物よりなる溶液を透明基板に塗布
し、次いで熱処理を行い皮膜を形成させ、該皮膜を配向
処理することを特徴とする液晶配向膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16156584A JPS6141124A (ja) | 1984-08-02 | 1984-08-02 | 液晶配向膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16156584A JPS6141124A (ja) | 1984-08-02 | 1984-08-02 | 液晶配向膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6141124A true JPS6141124A (ja) | 1986-02-27 |
Family
ID=15737526
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16156584A Pending JPS6141124A (ja) | 1984-08-02 | 1984-08-02 | 液晶配向膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6141124A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6349735A (ja) * | 1986-08-20 | 1988-03-02 | Sanyo Electric Co Ltd | 液晶パネル用基板 |
-
1984
- 1984-08-02 JP JP16156584A patent/JPS6141124A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6349735A (ja) * | 1986-08-20 | 1988-03-02 | Sanyo Electric Co Ltd | 液晶パネル用基板 |
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