JPS614232A - 半導体基板の洗浄方法 - Google Patents
半導体基板の洗浄方法Info
- Publication number
- JPS614232A JPS614232A JP59125760A JP12576084A JPS614232A JP S614232 A JPS614232 A JP S614232A JP 59125760 A JP59125760 A JP 59125760A JP 12576084 A JP12576084 A JP 12576084A JP S614232 A JPS614232 A JP S614232A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cleaning
- semiconductor substrate
- acid
- ozone
- hydrogen peroxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P70/00—Cleaning of wafers, substrates or parts of devices
- H10P70/10—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H10P70/15—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process by wet cleaning only
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
、本発明は半導体基板の洗浄方法に関するものである。
ＬＳＩ製造において、ウェハの洗浄工程は各プロセス間
にゴミ、汚れを除去する数多くの処理回数を必要とし、
製品の歩留シ向上に重要な技術となっている。この洗浄
工程で使われている生な液としてはアルカリ系と酸系に
大別される。公知の洗浄液としてはアンモニア水−過酸
化水素系、又は塩酸−過酸化水素系（通称ＲＣＡ洗浄と
もいう）。
にゴミ、汚れを除去する数多くの処理回数を必要とし、
製品の歩留シ向上に重要な技術となっている。この洗浄
工程で使われている生な液としてはアルカリ系と酸系に
大別される。公知の洗浄液としてはアンモニア水−過酸
化水素系、又は塩酸−過酸化水素系（通称ＲＣＡ洗浄と
もいう）。
さらに、硫酸−過酸化水素系、硫酸−硝酸系等の混酸溶
液が用いられている。溶液は通常６０〜１５０℃に加温
され、時には超音波を併用することもある。
液が用いられている。溶液は通常６０〜１５０℃に加温
され、時には超音波を併用することもある。
しかしながら、アンモニア−過酸化水素系や塩酸−過酸
化水素系では、過酸化水素がすぐにＨ２Ｏと発生期のＯ
に分解してしまうので、酸化力が劣化し、洗浄力が持続
せず間欠的に過酸化水素を補充する必要があり、工程と
しては繁雑になる。硫酸−過酸化水素系も同じ理由で不
利である。この硫酸−過酸化水素系や硫酸−硝酸系等は
廃液として処理する場合の問題がある。それは硫酸を廃
棄する場合、水と反応して１００℃以上な９安全上危険
があり、このため大量の水を必要とし、又硝酸を使う場
合は、窒素酸、化物等が発生し公害上規制される等、大
量に使うことはできないという不利な点がある。すなわ
ち、処理費用が高くなる。
化水素系では、過酸化水素がすぐにＨ２Ｏと発生期のＯ
に分解してしまうので、酸化力が劣化し、洗浄力が持続
せず間欠的に過酸化水素を補充する必要があり、工程と
しては繁雑になる。硫酸−過酸化水素系も同じ理由で不
利である。この硫酸−過酸化水素系や硫酸−硝酸系等は
廃液として処理する場合の問題がある。それは硫酸を廃
棄する場合、水と反応して１００℃以上な９安全上危険
があり、このため大量の水を必要とし、又硝酸を使う場
合は、窒素酸、化物等が発生し公害上規制される等、大
量に使うことはできないという不利な点がある。すなわ
ち、処理費用が高くなる。
又上記の酸−過酸化水素系に代る処理方法としての公知
例として特公昭５２−０１２０６３号の半導体基板のレ
ジスト膜除去方法がある。この方法は硫酸を用いて過酸
化水素の代りにオゾンを用いる方法であるが、この方法
では硫酸を廃液処理するのに大量の水（〜ｌＯ倍希釈）
を必要とする等、安全上、費用の点で問題があった。
例として特公昭５２−０１２０６３号の半導体基板のレ
ジスト膜除去方法がある。この方法は硫酸を用いて過酸
化水素の代りにオゾンを用いる方法であるが、この方法
では硫酸を廃液処理するのに大量の水（〜ｌＯ倍希釈）
を必要とする等、安全上、費用の点で問題があった。
本発明は安全上を高め、かつ低順な処理を行なうことが
できるようにした処理方法を提供するものである。
できるようにした処理方法を提供するものである。
本発明は有機酸を洗浄液として、槽内にオゾン／酸素を
バブルしてシリコンウェハの表面汚れを除去することを
特徴とする半導体基板の洗浄方法である。
バブルしてシリコンウェハの表面汚れを除去することを
特徴とする半導体基板の洗浄方法である。
有機酸のうちギ酸は強酸で、還元性をもっている。一方
、酢酸は弱酸であり、それぞれ重金属（Ｍ）と反応して
−ＣＯＯＨ基のＨを置換し、−ＣＯＯＭなる金属塩を作
る。
、酢酸は弱酸であり、それぞれ重金属（Ｍ）と反応して
−ＣＯＯＨ基のＨを置換し、−ＣＯＯＭなる金属塩を作
る。
−又オゾンをバブルすることによシ、有機汚染物質をオ
ゾンにより酸化し、分解除去することができる。
ゾンにより酸化し、分解除去することができる。
すなわち、水金明毎半導体基板（ウエノ為）上の重金属
はギ酸塩、又は酢酸塩を作り有機汚染物質はオゾンで分
解することにより、洗浄を行おうとするものである。
はギ酸塩、又は酢酸塩を作り有機汚染物質はオゾンで分
解することにより、洗浄を行おうとするものである。
次に本発明と従来例とを比較しながら説明する。
以下に本発明の一実施例について説明する。
本発明は洗浄槽に有機酸（例えばギ酸、酢酸）を入れ、
これを加温（１００〜１５０℃）し、この液内に半導体
基板を浸漬し、槽底部よりオゾン／酸素をバブルして該
基板にあてて洗浄を行うものである。
これを加温（１００〜１５０℃）し、この液内に半導体
基板を浸漬し、槽底部よりオゾン／酸素をバブルして該
基板にあてて洗浄を行うものである。
本発明で用いた洗浄槽はテフロン製のものを用い、液温
は投込型石英ヒーターで加熱・制御した。
は投込型石英ヒーターで加熱・制御した。
又オゾン／酸素は槽底部よりパイレックス製ガス分配器
によりバブルして行った。同型槽を用いて従来のＲＣＡ
洗浄液のＮＨａＯＨＨａＯ□−Ｈ２０Ｃ１：１：５）で
、液温〜８０℃、１０分間洗浄を行った。
によりバブルして行った。同型槽を用いて従来のＲＣＡ
洗浄液のＮＨａＯＨＨａＯ□−Ｈ２０Ｃ１：１：５）で
、液温〜８０℃、１０分間洗浄を行った。
さらに本発明による方法では、前記の同じ槽を用いて同
一ロットのウェハを用いて該ウェハをギ酸又は酢酸溶液
に浸漬する。このとき、この溶液を１００〜１５０℃に
加温する。さらに槽底部よりオゾン／酸素をバブルして
〜ｌＯ分間洗浄を行った。
一ロットのウェハを用いて該ウェハをギ酸又は酢酸溶液
に浸漬する。このとき、この溶液を１００〜１５０℃に
加温する。さらに槽底部よりオゾン／酸素をバブルして
〜ｌＯ分間洗浄を行った。
従来法のＮＨ４ＯＨ−Ｈ２０□−Ｈ，Ｏ系溶液で洗浄し
たウェハと、本発明によるギ酸−オゾン−０２系溶液で
洗浄したウェハとをスチーム処理（９５０℃、１０分Ｈ
，−０２雰囲気）を行い、非接触法によるライフタイム
を測定した結果と、ＭＯＳ Ｃ−Ｖ法によシ評価したＶ
ＦＲ（フラットバンド電圧）とを表−１に示す。
たウェハと、本発明によるギ酸−オゾン−０２系溶液で
洗浄したウェハとをスチーム処理（９５０℃、１０分Ｈ
，−０２雰囲気）を行い、非接触法によるライフタイム
を測定した結果と、ＭＯＳ Ｃ−Ｖ法によシ評価したＶ
ＦＲ（フラットバンド電圧）とを表−１に示す。
表−１
〔発明の効果〕
第１表に示したように本発明による洗浄方法は従来のＲ
ＣＡ洗浄液に比べて、再結合ライフタイムの値が〜３倍
となシ、洗浄効果が優れている事を示している。又ＭＯ
８Ｃ−Ｖ法より求めたＶＦＲ（フラットハンド電圧）は
従来法のものと大きな違いはなく、−１，ＯＶであった
。
ＣＡ洗浄液に比べて、再結合ライフタイムの値が〜３倍
となシ、洗浄効果が優れている事を示している。又ＭＯ
８Ｃ−Ｖ法より求めたＶＦＲ（フラットハンド電圧）は
従来法のものと大きな違いはなく、−１，ＯＶであった
。
以上のように本発明の洗浄方法は従来法との洗浄効果と
比較して同等以上であり、充分に目的が達成される。
比較して同等以上であり、充分に目的が達成される。
又本発明は硫酸、硝酸等が水と反応して発熱する問題が
生じたり、公害上問題になることは少い・それはギ酸、
酢酸は高温（〜１５０°Ｃ）でｃｏ、 ｃｏ２゜Ｈ２Ｏ
等に分解し易ことと、オゾンによりさ′らに分解を促進
されるためである。とのため、本発明によれば、廃液す
るときには水にも容易に溶け、問題はなく、工業上安全
、且つ合理的に作業をすることができるばかシでなく、
処理に要する費用を削減することができる効果を有する
ものである。
生じたり、公害上問題になることは少い・それはギ酸、
酢酸は高温（〜１５０°Ｃ）でｃｏ、 ｃｏ２゜Ｈ２Ｏ
等に分解し易ことと、オゾンによりさ′らに分解を促進
されるためである。とのため、本発明によれば、廃液す
るときには水にも容易に溶け、問題はなく、工業上安全
、且つ合理的に作業をすることができるばかシでなく、
処理に要する費用を削減することができる効果を有する
ものである。
Claims (1)
- （１）半導体基板を有機酸にオゾン／酸素をバブルした
溶液中に浸漬し、処理することを特徴とする半導体基板
の洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59125760A JPS614232A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 半導体基板の洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59125760A JPS614232A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 半導体基板の洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS614232A true JPS614232A (ja) | 1986-01-10 |
Family
ID=14918138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59125760A Pending JPS614232A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 半導体基板の洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS614232A (ja) |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63274700A (ja) * | 1987-04-03 | 1988-11-11 | ワッカー・ジルトロニク・ゲゼルシャフト・フュア・ハルブライターマテリアリエン・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | スライスの鋸切断補助手段残片を除去する方法と除去剤 |
| JPH06260463A (ja) * | 1991-10-11 | 1994-09-16 | Air Prod And Chem Inc | 金属含有汚染物除去用洗浄剤と汚染物洗浄法 |
| WO1998054758A1 (en) * | 1997-05-29 | 1998-12-03 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for the removal of copper from polished boron doped silicon wafers |
| WO1998054759A1 (en) * | 1997-05-29 | 1998-12-03 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for the removal of copper and other metallic impurities from silicon |
| EP0867924A3 (en) * | 1997-02-14 | 1999-09-01 | Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw | Method for removing organic contaminants from a semiconductor surface |
| US6174817B1 (en) | 1998-08-26 | 2001-01-16 | Texas Instruments Incorporated | Two step oxide removal for memory cells |
| EP1088603A1 (en) * | 1999-09-30 | 2001-04-04 | Purex Co.Ltd. | Method of removing contamination adhered to surfaces and apparatus used therefor |
| US6551409B1 (en) | 1997-02-14 | 2003-04-22 | Interuniversitair Microelektronica Centrum, Vzw | Method for removing organic contaminants from a semiconductor surface |
| US6701941B1 (en) | 1997-05-09 | 2004-03-09 | Semitool, Inc. | Method for treating the surface of a workpiece |
| US6830628B2 (en) | 1997-05-09 | 2004-12-14 | Semitool, Inc. | Methods for cleaning semiconductor surfaces |
| US6837252B2 (en) | 1997-05-09 | 2005-01-04 | Semitool, Inc. | Apparatus for treating a workpiece with steam and ozone |
| US6867148B2 (en) * | 2001-05-16 | 2005-03-15 | Micron Technology, Inc. | Removal of organic material in integrated circuit fabrication using ozonated organic acid solutions |
| US7264680B2 (en) | 1997-05-09 | 2007-09-04 | Semitool, Inc. | Process and apparatus for treating a workpiece using ozone |
| US7378355B2 (en) | 1997-05-09 | 2008-05-27 | Semitool, Inc. | System and methods for polishing a wafer |
| US7404863B2 (en) | 1997-05-09 | 2008-07-29 | Semitool, Inc. | Methods of thinning a silicon wafer using HF and ozone |
| US7767586B2 (en) | 2007-10-29 | 2010-08-03 | Applied Materials, Inc. | Methods for forming connective elements on integrated circuits for packaging applications |
-
1984
- 1984-06-19 JP JP59125760A patent/JPS614232A/ja active Pending
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63274700A (ja) * | 1987-04-03 | 1988-11-11 | ワッカー・ジルトロニク・ゲゼルシャフト・フュア・ハルブライターマテリアリエン・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | スライスの鋸切断補助手段残片を除去する方法と除去剤 |
| JPH06260463A (ja) * | 1991-10-11 | 1994-09-16 | Air Prod And Chem Inc | 金属含有汚染物除去用洗浄剤と汚染物洗浄法 |
| EP0867924A3 (en) * | 1997-02-14 | 1999-09-01 | Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw | Method for removing organic contaminants from a semiconductor surface |
| US6551409B1 (en) | 1997-02-14 | 2003-04-22 | Interuniversitair Microelektronica Centrum, Vzw | Method for removing organic contaminants from a semiconductor surface |
| US6869487B1 (en) | 1997-05-09 | 2005-03-22 | Semitool, Inc. | Process and apparatus for treating a workpiece such as a semiconductor wafer |
| US7264680B2 (en) | 1997-05-09 | 2007-09-04 | Semitool, Inc. | Process and apparatus for treating a workpiece using ozone |
| US7404863B2 (en) | 1997-05-09 | 2008-07-29 | Semitool, Inc. | Methods of thinning a silicon wafer using HF and ozone |
| US6701941B1 (en) | 1997-05-09 | 2004-03-09 | Semitool, Inc. | Method for treating the surface of a workpiece |
| US6817370B2 (en) | 1997-05-09 | 2004-11-16 | Semitool, Inc. | Method for processing the surface of a workpiece |
| US6830628B2 (en) | 1997-05-09 | 2004-12-14 | Semitool, Inc. | Methods for cleaning semiconductor surfaces |
| US6837252B2 (en) | 1997-05-09 | 2005-01-04 | Semitool, Inc. | Apparatus for treating a workpiece with steam and ozone |
| US6843857B2 (en) | 1997-05-09 | 2005-01-18 | Semitool, Inc. | Methods for cleaning semiconductor surfaces |
| US7378355B2 (en) | 1997-05-09 | 2008-05-27 | Semitool, Inc. | System and methods for polishing a wafer |
| WO1998054759A1 (en) * | 1997-05-29 | 1998-12-03 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for the removal of copper and other metallic impurities from silicon |
| WO1998054758A1 (en) * | 1997-05-29 | 1998-12-03 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for the removal of copper from polished boron doped silicon wafers |
| US6174817B1 (en) | 1998-08-26 | 2001-01-16 | Texas Instruments Incorporated | Two step oxide removal for memory cells |
| US6699330B1 (en) * | 1999-09-30 | 2004-03-02 | Nomura Micro Science Co., Ltd. | Method of removing contamination adhered to surfaces and apparatus used therefor |
| EP1088603A1 (en) * | 1999-09-30 | 2001-04-04 | Purex Co.Ltd. | Method of removing contamination adhered to surfaces and apparatus used therefor |
| US6867148B2 (en) * | 2001-05-16 | 2005-03-15 | Micron Technology, Inc. | Removal of organic material in integrated circuit fabrication using ozonated organic acid solutions |
| US7767586B2 (en) | 2007-10-29 | 2010-08-03 | Applied Materials, Inc. | Methods for forming connective elements on integrated circuits for packaging applications |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS614232A (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
| KR950013221B1 (ko) | 집적 회로 제조용 청정제 및 이의 사용방법 | |
| TW301762B (en) | Pre-thermal treatment cleaning process | |
| US5954885A (en) | Cleaning method | |
| JP3061470B2 (ja) | 表面処理方法及び処理剤 | |
| JP3046208B2 (ja) | シリコンウェハおよびシリコン酸化物の洗浄液 | |
| KR960002631B1 (ko) | 집적회로 및 반도체 표면으로부터 금속 함유의 오염물을 제거하기 위한 할로겐화된 카르복실산 세정제 및 이를 사용한 오염물 제거방법 | |
| EP0859404B1 (en) | Washing solution of semiconductor substrate and washing method using the same | |
| KR100629095B1 (ko) | 전자 재료의 세정 방법 | |
| US5332444A (en) | Gas phase cleaning agents for removing metal containing contaminants from integrated circuit assemblies and a process for using the same | |
| JP2868885B2 (ja) | シリコンウェハの研磨液及び研磨方法 | |
| JPH03219000A (ja) | シリコンウエハのエッチング方法および洗浄方法 | |
| KR960026331A (ko) | 반도체기판의 세정방법 및 반도체장치의 제조방법 | |
| CN109107974B (zh) | 一种太阳能电池制备用石英器件的清洗方法 | |
| JPS6125211B2 (ja) | ||
| JPH11121419A (ja) | 半導体基板の処理薬液及び半導体基板の薬液処理方法 | |
| KR0165730B1 (ko) | 산함유 유체로 반도체를 처리하는 방법 | |
| US12617681B2 (en) | Method of removing hydrogen peroxide from sulfuric acid | |
| US20230339754A1 (en) | Method of removing hydrogen peroxide from sulfuric acid | |
| JPH03218015A (ja) | 半導体基板の洗浄液及び半導体装置の製造方法 | |
| JPH04130100A (ja) | 半導体ウェハのエッチング方法および洗浄方法 | |
| CN111154565A (zh) | 一种硅料清洗剂 | |
| JP3274834B2 (ja) | 表面処理方法及び処理剤 | |
| JPH04114428A (ja) | 洗浄法 | |
| JPH0750281A (ja) | シリコンウェハーの洗浄方法 |