JPS614255A - 集積回路パツケ−ジ - Google Patents

集積回路パツケ−ジ

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JPS614255A
JPS614255A JP59124460A JP12446084A JPS614255A JP S614255 A JPS614255 A JP S614255A JP 59124460 A JP59124460 A JP 59124460A JP 12446084 A JP12446084 A JP 12446084A JP S614255 A JPS614255 A JP S614255A
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JP
Japan
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chip
heat
heat sink
chip carriers
fiber
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JP59124460A
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JPH0326543B2 (ja
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Toshihiko Watari
渡里 俊彦
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPS614255A publication Critical patent/JPS614255A/ja
Publication of JPH0326543B2 publication Critical patent/JPH0326543B2/ja
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W40/00Arrangements for thermal protection or thermal control
    • H10W40/70Fillings or auxiliary members in containers or in encapsulations for thermal protection or control
    • H10W40/77Auxiliary members characterised by their shape
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W40/00Arrangements for thermal protection or thermal control
    • H10W40/20Arrangements for cooling
    • H10W40/25Arrangements for cooling characterised by their materials
    • H10W40/257Arrangements for cooling characterised by their materials having a heterogeneous or anisotropic structure, e.g. powder or fibres in a matrix, wire mesh or porous structures
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/851Dispositions of multiple connectors or interconnections
    • H10W72/874On different surfaces
    • H10W72/877Bump connectors and die-attach connectors

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  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は高密度集積回路・母ツケージに関し、特に複数
個のICチップを高密度に搭載するのに適、した集積回
路ノ9ツケージに関するものである。
〔従来技術〕
近年のコンピュータ紘高性能化、高密度化に向って著し
い改善がなされている。これは主としてLCチッゾの高
集積化技術の進歩に負うところが大きく、高速論理回路
ICチップの集積度は、数年前には数百ゲート/チップ
であったものが、最近では1000〜2000ゲート/
チツゾのものまで実現されるにいたっている。ICチッ
プの高集積化は、シリコン基板上に能動受動素子を高密
度に形成し、かつこれらの素子間を微細な配線で結合で
きる微細加工技術の改良と共に、これらの素子の形成プ
ロセス技術の改良によるf−)、りたり消費電力の低減
によって達成されていると言える。
しかしながらこのような高集積化の実現に伴い。
高速度論理回路チップあたシの消費電力は、従来に比べ
むしろ上昇する傾向にある。この理由は。
ダート回路の高密度化によシアダート回路間の接続配線
長を可能な限シ短縮して配線fよって消耗する信号伝搬
スピード及び駆動エネルギーを最小にとどめようとする
設計技術者の当然の試みによるものである。従ってこれ
らのICチップを実装するパッケージ構造においては、
高電力のICチップが発生する熱を如何に効果的に放散
させるかが重要な技術課題となる。このような技術の1
例は特開昭57−134953号公報においてみること
ができる。すなわちその実施例によれば、ICチップの
発生する熱をファイバーガラスと熱硬化性プラスチック
樹脂からなるプリフォームを介してヒートシンクに伝達
し放散する方法である。しかしながら、このようなプラ
スチック樹脂の熱伝導特性は0.005 w/インチ・
℃のオーダであり。
無機材料に比べると−1柘悪い。例えばアルミナのよう
な金属酸化物の熱伝導率は0.7W/インチ・℃のオー
ダであり、銅の如き金属の場合は10W/インチ・℃の
オーダである。したがってこのような構造の場合、プラ
スチック樹脂の熱伝導特性によってICチップの冷却能
力の限界が決定されることになり、ICチップの側熱特
性およびヒートシンクの温度差による伸縮の機械的スト
レスの両面からみて、よシ高消費電力すなわち高発熱の
ICチップを搭載することが困難となる。
〔発明の目的〕
したがって9本発明の目的は、ICチップからヒートシ
ンクまでの熱伝導特性を向上させ、かつICチップの搭
載された配線基板とヒートシンクの温度差による熱伸縮
の機械的ストレスをも緩和させることがそきる集積回路
・母ソケージを提供することにある。
〔発明の構成〕
本発明によれば、内部上面にICチップを接着して収容
するチップキャリアを配線基板上に複数個設け、上部に
ヒートシンクを配置して前記ICチップからの発熱を放
散するようにした・ぐツケージ構造において、前記チッ
プキャリアとヒートシンクの間に2弾力性を持つシート
に導熱性の繊維を植え込んだ構成の熱コネクタが加圧状
態で挿入されていることを特徴とする集積回路パッケー
ジが得られる。
次に図面を参照して詳細に説明する。
以下余白 〔実施例〕 第1図は本発明の一実施例の構成を示す図であり、配線
基板1の上には平田接着部2を介して多数のチップキャ
リア3が接続配置されておシ、これらのチップキャリア
3とヒートシンク4との間には弾力性シートに導熱性樽
維を植え込んだ構造の熱コネクタ5が図にあられして々
いが導熱性繊維が若干折れ曲る程度に押圧された状態で
挿入されている。
第2図は第1図の一部を拡大して示した図であって、チ
ップキャリア3において、ICチップ11は先に述べた
ように高集積度の発熱量の大きいチップであシ、そのI
Cリード12はゼンデイング/−Pツド13を介してチ
ップキャリアサブストレー、 ト14に接続され、かつ
本体は熱伝導性のチップ接着剤15(例えば銀入シエデ
キシ)によってチップキャリアキャップ16に接着され
ている。チップキャリアキャップ16は特に熱伝導特性
の良好な材料例えばべIJ IJア(Bed)が用いら
れている。
チップキャリアキャップ16とヒートシンク4との間に
挿入されだ熱コネクタ5は比較的柔軟な絶縁物であるシ
リコンラバー17に導熱繊維であるベリリウム銅細線1
8を多数理め込んで形成されていて、チップキャリアキ
ャップ16とヒート7ンク4の間の良好な熱伝導経路を
構成する。図でベリリウム銅細線18は成るものは屈曲
し成るものは曲線のままであるが、これは単に種々の状
態があることを模型的に示したにすぎず、解放すればす
べての細線はほぼ垂直に向くものである。従ってICチ
ップ11が発生した熱はチップ接着剤15、チップキャ
リアキャップ16.熱コネクタ5、ヒートシンク4の経
路で放散される。
一方ICチップ11への給電及び入出力信号の供給や取
シ出しは、 I ’Cリード12.ピンディングツやラ
ド13.チツプキヤリアサブストレート14内の配線(
図示せず)、チップキャリア端子19゜半田接着剤、配
線基板端子21(19,20,21で平田接触部2を形
成する)および配線基板1内の電源配線と信号配線を順
次接続した系統で行なわれる。これによシICチップ1
1は他のチップキャリア内のICチップとの信号のやり
とりが可能となる。
ここで第1図に戻って2本発明の集積回路パフケージは
前記のよう々構成のICチップ11を配線基板3上に高
密度に実装したものであるが、熱コネクタ5はこのよう
表高密度ノやノケージにおいて非常に優れた特徴を発揮
するものである。すなわち、第1図に示すように配線基
板1上に複数個のチップキャリア3を配し、これらの発
生する熱を共通のヒートシンク4によって放散させよう
とする場合、ヒートシンク4をチップキャリア3に固着
してしまうと、配線基板1とヒートシンク4との熱膨張
係数の差によシチノデキャリア3と配線基板1の間の平
田接着部2にすシはがし力が働き、接着がはがれてしま
うおそれがあるが2本発明のように熱コネクタ5を介し
てチップキャリア3とヒートシンク4を接続した場合は
、ヒートシ、    714′!″f y 7”e −
y !J 7°&dE1i1!ltl[In7>Ip 
チップキャリア3と配線基板1との間にストレスが加わ
ることがなく、従ってチップキャリア3と配線基板1の
接続が確実に行なわれる。
さらに熱コネクタ5をヒートシンク4とチップキャリア
2との間に挿入した場合、単に放熱経路の一部を形成す
るだけでなく、導熱性繊維の弾力性によりヒートシンク
4とチップキャリア3の間のギャップのバラツキを十分
に吸収し、配線基板1とヒートシンク4との間の熱膨張
によるチップキャリア3の位置ずれを充分に吸収するこ
とができる。
力お以上の説明において柔軟な絶縁基板および導熱性繊
維材としておのおの一例を上げて示したが、他の材料で
あってもよいことはいうまでも力い。又導熱性繊維はふ
つう長さ1.5〜3mm直径0.2 an程度のものが
適当であるがこれに限定されるものではなく、要は繊維
が斜めに又は屈曲してほぼ全数がヒートシンク4とチッ
プキャリアキャップ16の両方に適度の圧力で接するよ
うにすればよい。
〔発明の効果〕
以上説明したように1本発明はチップキャリアキャップ
とヒートシンクとの間に熱コネクタを挿入した構造とす
ることにより、放熱特性の極めて良好な而も内部ストレ
スのない高密度集積回路パッケージを実現できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例である集積回路t42ケージの
構成を示す断面図、第2図は第1図の一部を拡大して示
した図である。 記号の説明=1は配線基板、2は平田接着部。 3はチップキャリア、4はヒートシンク、5は熱コネク
タ、11はICチップ、16はチップキャリアキャップ
、17はシリコンラバー、18はベリリウム銅線をそれ
ぞれあられしている。 り 矛2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、内部上面にICチップを接着して収容するチップキ
    ャリアを配線基板上に複数個設け、上部にヒートシンク
    を配置して前記ICチップからの発熱を放散するように
    したパッケージ構造において、前記チップキャリアとヒ
    ートシンクの間に、弾力性を持つシートに導熱性の繊維
    を植え込んだ構成の熱コネクタが加圧状態で挿入されて
    いることを特徴とする集積回路パッケージ。
JP59124460A 1984-06-19 1984-06-19 集積回路パツケ−ジ Granted JPS614255A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59124460A JPS614255A (ja) 1984-06-19 1984-06-19 集積回路パツケ−ジ

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JP59124460A JPS614255A (ja) 1984-06-19 1984-06-19 集積回路パツケ−ジ

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Publication Number Publication Date
JPS614255A true JPS614255A (ja) 1986-01-10
JPH0326543B2 JPH0326543B2 (ja) 1991-04-11

Family

ID=14886066

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JP59124460A Granted JPS614255A (ja) 1984-06-19 1984-06-19 集積回路パツケ−ジ

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JP (1) JPS614255A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02501178A (ja) * 1988-03-01 1990-04-19 ディジタル イクイプメント コーポレーション 集積回路チップをパッケージ化及び冷却する方法及び装置
US5184211A (en) * 1988-03-01 1993-02-02 Digital Equipment Corporation Apparatus for packaging and cooling integrated circuit chips
USH1699H (en) * 1995-10-31 1997-12-02 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Thermal bond system
US7608324B2 (en) 2001-05-30 2009-10-27 Honeywell International Inc. Interface materials and methods of production and use thereof

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02501178A (ja) * 1988-03-01 1990-04-19 ディジタル イクイプメント コーポレーション 集積回路チップをパッケージ化及び冷却する方法及び装置
US5184211A (en) * 1988-03-01 1993-02-02 Digital Equipment Corporation Apparatus for packaging and cooling integrated circuit chips
USH1699H (en) * 1995-10-31 1997-12-02 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Thermal bond system
US7608324B2 (en) 2001-05-30 2009-10-27 Honeywell International Inc. Interface materials and methods of production and use thereof

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