JPS614274A - 画像情報読み取り装置 - Google Patents

画像情報読み取り装置

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Publication number
JPS614274A
JPS614274A JP59125994A JP12599484A JPS614274A JP S614274 A JPS614274 A JP S614274A JP 59125994 A JP59125994 A JP 59125994A JP 12599484 A JP12599484 A JP 12599484A JP S614274 A JPS614274 A JP S614274A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photodiode
light
image information
photoelectric conversion
information reading
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59125994A
Other languages
English (en)
Inventor
Nobuhiro Dobashi
土橋 伸弘
Masaaki Ueda
昌明 上田
Nobuo Nakayama
中山 信男
Hideo Koseki
小関 秀夫
Yuuko Toyonaga
豊永 由布子
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP59125994A priority Critical patent/JPS614274A/ja
Publication of JPS614274A publication Critical patent/JPS614274A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10Integrated devices
    • H10F39/12Image sensors
    • H10F39/18Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors

Landscapes

  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Facsimile Heads (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、ファクシミリ、複写機等に適用される画像情
報読み取り装置に関する。
従来例の構成とその問題点 今日、ファクシミリ、複写機等の分野で微小信号をでき
るだけ高速で読み取る事ができる画像情報読み取シ装置
への要望が一段と高まっている。
現在の画像情報読み取り装置の信号読み取り機構は、光
電変換部分で発生した光電流を、電気的にスイッチして
やることによって検出回路部分に導いたシ遮断したりし
て制御している。ところが、一般にこの出力信号は微弱
であるため、高速で電気的にスイッチしてやるとスイッ
チングノイズ等による影響が大きくなるためスイッチン
グ速度を速くすることができず画像情報の読み取りに時
間がかがシ過ぎるという問題があった。また通常、光電
変換装置の部分はアレイ状になっており、これらの信号
はマトリクス結線により外部に取り出されているため、
もし光電変換装置に逆漏れがあれば、様々な信号が重な
シ合ってしまうため、個々の光信号を検出することは非
常に困難であった。
発明の目的 本発明は、画像信号を高速で読み取ることができる画像
情報読み取シ装置を提供することを目的とする。
発明の構成 本発明の画像情報読み取シ装置は、光電変換装置に、こ
れと電気的に直列になるように光導電体或いはフォトダ
イオードを形成した構造をしておシ、この光導電体或い
はフォトダイオードに照射する光を制御することにより
、画像信号を高速で読み取ることが出来るようにすると
ともに、逆漏れを防ぐ働きを持たせたことを特徴として
いる。
実施例の説明 以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する0 第1図は、本発明を適用した画像情報読み取り装置の一
実施例の断面図である。まず、透光性基板1上に透明電
極2、光電変換素子3、上部電極4からなる光電変換装
置を形成する。ここで、光電変換素子3は、光導電体、
フォトダイオード、フォトトランジスタ等光信号を電気
信号に変換するものであればいずれでもよい。そして、
基板上で上部電極4と電気的に接続されている電極S上
に光導電体或いはフォトダイオード6を形成し、更−に
その上に透明電極7を形成する・1献透明電極2及び透
明電極7は、外部の検出回路へ電気的に接続されている
ものとする。ここで、光信号8が光電変換素子3へ入射
している時、もし光導電体或いはフォトダイオード6に
外部からの光9が照射されていないならば、この光導電
体或いはフォトダイオード6の抵抗は非常に大きいので
、検出回路と電気的に遮断された形となり光信号8によ
って生じた光電流は検出回路へ到達できない。
この時、光導電体或いはフォトダイオード6に、外部か
らレーザ光或いはレンズ等で収束した光9が照射される
と、光導電体或いはフォトダイオードの抵抗が小さくな
って、光電流が検出回路に流れることになる。このよう
なスイッチング機能は、今までは電極2及び了に接続さ
れている外部回路の中にあるスイッチング回路によって
行われていたため、スイッチング時のノイズ等が光電流
に重畳されてしまい光電流特に微小な光電流を高速でス
イッチしながら検出することは困難であった。
しかし、この方式にすると外部から照射する光9によっ
てこのようなスイッチレグ機能が制御されているため、
スイッチングノイズ等の影響が低減され、高速でスイッ
チを行っても微小な信号を読み取ることができるのであ
る。また、光導電体光伝導体或いはフォトダイオードら
は、光9が照射されていない時は高抵抗で、照射されて
いる時のみ低抵抗となるため、同時に逆漏れ防止とじて
の働きもしているのである。
発明の効果 以上、説明のように本発明の画像情報読み取り装置は、
光電変換装置に、これと直列になるように光導電体或い
はフォトダイオードを形成してあり、この光導電体或い
はフォトダイオードに向けて外部から照射する光を制御
することにより、光電流を検出回路へ導いたり遮断した
りしているため、スイッチングノイズ等の影響が低減さ
れ、高速でスイッチを行っても微小な信号を読み取るこ
とができると同時に、この光導電体或いはフォトダイオ
ードは、逆漏れ防止としての働きもしているのである。
特に、光電変換装置がアレイ状に配列されている光電変
換装置アレイに本発明を適用すれば、個々の光電変換装
置の情報を順次スキャンしながら読み取る時、スイッチ
ングノイズ、逆漏れ電流等の影響を受け々くなるためス
キャンスピードを速くしても信号を検出でき、画像情報
読み取シが短時間でできるという優れた特徴を持つので
ある。
【図面の簡単な説明】
図は、本発明の一実施例である画像情報読み取り装置の
断面図である。 1・・・・・透光性基板、2,7・・・・・・透明電極
、3・・・・・・光電変換素子、4・・・・・・上部電
極、5・・・山電極、6・・・・・・フォトダイオード
、8・・・・・・光信号、9・川・・光。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)光電変換装置と、これと電気的に直列になるよう
    に形成した光導電体或いはフォトダイオードとを持つ事
    を特徴とする画像情報読み取り装置。
  2. (2)光導電体或いはフォトダイオードに照射する光を
    制御することを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
    画像情報読み取り装置。
JP59125994A 1984-06-19 1984-06-19 画像情報読み取り装置 Pending JPS614274A (ja)

Priority Applications (1)

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JP59125994A JPS614274A (ja) 1984-06-19 1984-06-19 画像情報読み取り装置

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JP59125994A JPS614274A (ja) 1984-06-19 1984-06-19 画像情報読み取り装置

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JPS614274A true JPS614274A (ja) 1986-01-10

Family

ID=14924086

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JP59125994A Pending JPS614274A (ja) 1984-06-19 1984-06-19 画像情報読み取り装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5051789A (en) * 1990-10-11 1991-09-24 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Device having two optical ports for switching applications

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5623899U (ja) * 1979-07-30 1981-03-04

Patent Citations (1)

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JPS5623899U (ja) * 1979-07-30 1981-03-04

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5051789A (en) * 1990-10-11 1991-09-24 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Device having two optical ports for switching applications

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