JPS6144370A - 静電気破壊試験方法 - Google Patents
静電気破壊試験方法Info
- Publication number
- JPS6144370A JPS6144370A JP16670384A JP16670384A JPS6144370A JP S6144370 A JPS6144370 A JP S6144370A JP 16670384 A JP16670384 A JP 16670384A JP 16670384 A JP16670384 A JP 16670384A JP S6144370 A JPS6144370 A JP S6144370A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- voltage
- semiconductor apparatus
- test method
- electrostatic breakdown
- Prior art date
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- Pending
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、半導体装置の静電気破壊試験方法に関する
ものである。
ものである。
従来、この池の装置としては第】図に示すものがあった
。第１図において、１は半導体装置、２はスイッチ、３
はコンデンサ、４を家前記コンデンサ３を充電するため
のＤＣ電圧源、５はリレー、６はカーブド／−サである
。
。第１図において、１は半導体装置、２はスイッチ、３
はコンデンサ、４を家前記コンデンサ３を充電するため
のＤＣ電圧源、５はリレー、６はカーブド／−サである
。
また、第２図は従来の方法において、カーブトレーサ６
忙現れた波形を示す図である。
忙現れた波形を示す図である。
次に動作について説明する。まず、第１図において、ス
イッチ２をＤＣ電圧源４側忙接続し、コンデンサ３を充
電する。次に、スイッチ２を半導体装＠１側に接続して
、コンデンサ３から半導体装置１に放電する。この時、
ＩＪＬ１５の接点は開いたままである。この動作を規定
回数繰り返した後、ＶＶ−Ｓの接点を閉じて、半導体装
ｆｌ１１の被測定端子とカーブトレーサ６とを接続する
。この時、カーブトレーサ６には、第２図に示したよう
な波形が観測される。この波形により、リーク。
イッチ２をＤＣ電圧源４側忙接続し、コンデンサ３を充
電する。次に、スイッチ２を半導体装＠１側に接続して
、コンデンサ３から半導体装置１に放電する。この時、
ＩＪＬ１５の接点は開いたままである。この動作を規定
回数繰り返した後、ＶＶ−Ｓの接点を閉じて、半導体装
ｆｌ１１の被測定端子とカーブトレーサ６とを接続する
。この時、カーブトレーサ６には、第２図に示したよう
な波形が観測される。この波形により、リーク。
ショート、オープンといった不良モードの有無を調べ、
故障の判定を行う。
故障の判定を行う。
しかしなから、このような従来の静電気破壊試験方法で
は、半導体装置１かリークしはじめたとき等の判定かあ
いまいで、試験を行う人の主観に左右されるという不具
合があった。また、微少なリークなどでは、半導体装ｌ
ｉ１をテスタ等で検査した場合、不良とならない場合も
あり、誤判定する場合もあった。
は、半導体装置１かリークしはじめたとき等の判定かあ
いまいで、試験を行う人の主観に左右されるという不具
合があった。また、微少なリークなどでは、半導体装ｌ
ｉ１をテスタ等で検査した場合、不良とならない場合も
あり、誤判定する場合もあった。
この発明は、上記のような従来のものの欠点を除去する
ためになされたもので、半導体装置に電源電圧を印加す
ることＫより、テスタ等で検査する項目と同等の内容に
ついて検査ｔできるようにするとともに、明確化されて
いる規格値で故障の判定を行うことを目的としている。
ためになされたもので、半導体装置に電源電圧を印加す
ることＫより、テスタ等で検査する項目と同等の内容に
ついて検査ｔできるようにするとともに、明確化されて
いる規格値で故障の判定を行うことを目的としている。
以下この発明の一実施例を図面について説明する。
第３図はこの発明の一実施例を示す回路図で、１〜４お
よび６は第１図と同じものを示し、５Ｗは２回路のリレ
ー、Ｔは前記半導体装［１１１１１源電圧を供給するた
めのＤＣＫＣ電圧源る。
よび６は第１図と同じものを示し、５Ｗは２回路のリレ
ー、Ｔは前記半導体装［１１１１１源電圧を供給するた
めのＤＣＫＣ電圧源る。
また、第４因は第３図のカーブドＬ／−サ６に現れた波
形図である。
形図である。
次に動作について説明する。まず、第３図においてスイ
ッチ２をＤＣ電圧源４＠に接続（２、コンデンサ３を充
電する。次に、スイッチ２を半導体装ｇｔ、１側に接続
し、コンデンサ３から半導体装置１に放電させる。この
時、２回路のリン−５Ｗの接点は開いたままである。こ
の動作を規定回数繰り返した後、リン−５Ｗの接点を閉
じて、半導体装ｇＬ１の電源端子とＤＣ電圧源Ｔおよび
半導体装置゛１の被測定端子とカーブトレーサ６とを接
続する。この時、半導体装１ｉｔ１の被測定端子が入力
端子であれば、カーブトレーサ６には第４図に一例を示
すような、＠Ｈ＃入力亀流 ＠ Ｌ ｎ入力電流、入力
クランプ電圧といったテスタによって検査される項目と
同じものが観測される。この値を、明確化されている規
格値と比較して故障の判定を行う。
ッチ２をＤＣ電圧源４＠に接続（２、コンデンサ３を充
電する。次に、スイッチ２を半導体装ｇｔ、１側に接続
し、コンデンサ３から半導体装置１に放電させる。この
時、２回路のリン−５Ｗの接点は開いたままである。こ
の動作を規定回数繰り返した後、リン−５Ｗの接点を閉
じて、半導体装ｇＬ１の電源端子とＤＣ電圧源Ｔおよび
半導体装置゛１の被測定端子とカーブトレーサ６とを接
続する。この時、半導体装１ｉｔ１の被測定端子が入力
端子であれば、カーブトレーサ６には第４図に一例を示
すような、＠Ｈ＃入力亀流 ＠ Ｌ ｎ入力電流、入力
クランプ電圧といったテスタによって検査される項目と
同じものが観測される。この値を、明確化されている規
格値と比較して故障の判定を行う。
なお、上記実施例では、半導体装置１０入力端子の場合
について説明したが、出力端子についても同様であり、
出力端子の状況により検査項目は変るか ＩＩＬＩＪあ
るいは１Ｈ″出力電流の検査かでき、目的の破壊試験を
行うことかできる。
について説明したが、出力端子についても同様であり、
出力端子の状況により検査項目は変るか ＩＩＬＩＪあ
るいは１Ｈ″出力電流の検査かでき、目的の破壊試験を
行うことかできる。
以上説明したように、この発明は、半導体装置の故障判
定の検査に、コンデンサの充電々圧を規定回数印加した
後ＤＣ電圧源を電源端子に印加しながらその出力を判定
するよ５ＫＬ、たので、テスタで検査するのと同等なノ
ベルでの正確な判定かできる利点がある。
定の検査に、コンデンサの充電々圧を規定回数印加した
後ＤＣ電圧源を電源端子に印加しながらその出力を判定
するよ５ＫＬ、たので、テスタで検査するのと同等なノ
ベルでの正確な判定かできる利点がある。
第１図は従来の静電気破壊試験方法を説明するための回
路図、第２図は第１図の試験方法における故障判定を行
うカーブ）Ｌ／−サの波形を示す図、第３図はこの発明
の一実施ｌ１１′ｆｔ示す静電党破壊試験方法の回路図
、第４図は第３図の試験方法におけるカーブトレーサの
波形を示す図である。 図中、１は半導体装置、２はスイッチ、３はコンデンサ
、４はコンデンサ充電用のＤＣ１！圧［，５Ｗは２回路
のりノー、６はカーブトレーサ、７は半導体装置の電源
電圧供給用のＤＣ電圧源である。 なお１図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増雄 （外２名） 第１図 第２図 第３図 第４図 ２７Ｌ
路図、第２図は第１図の試験方法における故障判定を行
うカーブ）Ｌ／−サの波形を示す図、第３図はこの発明
の一実施ｌ１１′ｆｔ示す静電党破壊試験方法の回路図
、第４図は第３図の試験方法におけるカーブトレーサの
波形を示す図である。 図中、１は半導体装置、２はスイッチ、３はコンデンサ
、４はコンデンサ充電用のＤＣ１！圧［，５Ｗは２回路
のりノー、６はカーブトレーサ、７は半導体装置の電源
電圧供給用のＤＣ電圧源である。 なお１図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増雄 （外２名） 第１図 第２図 第３図 第４図 ２７Ｌ
Claims (1)
- 半導体装置にＤＣ電圧源により充電されたコンデンサの
放電により所定の電圧を規定回数繰り返し印加して前記
半導体装置の破壊の判定を行う静電気破壊試験方法にお
いて、前記半導体装置に前記コンデンサの放電による所
定の電圧を規定回数繰り返し印加した後、前記半導体装
置の電源端子に電源電圧を印加し、動作状態で前記半導
体装置の規格化されている電気的特性の検査によつて故
障の判定を行うことを特徴とする静電気破壊試験方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16670384A JPS6144370A (ja) | 1984-08-07 | 1984-08-07 | 静電気破壊試験方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16670384A JPS6144370A (ja) | 1984-08-07 | 1984-08-07 | 静電気破壊試験方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6144370A true JPS6144370A (ja) | 1986-03-04 |
Family
ID=15836188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16670384A Pending JPS6144370A (ja) | 1984-08-07 | 1984-08-07 | 静電気破壊試験方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6144370A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6316278A (ja) * | 1986-07-08 | 1988-01-23 | Nec Corp | 半導体装置静電破壊試験回路 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57163876A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-08 | Mitsubishi Electric Corp | Measuring method for latch-up dielectric strength of complementary mos integrated-circuit device |
| JPS58221175A (ja) * | 1982-06-16 | 1983-12-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路装置の試験方法 |
-
1984
- 1984-08-07 JP JP16670384A patent/JPS6144370A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57163876A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-08 | Mitsubishi Electric Corp | Measuring method for latch-up dielectric strength of complementary mos integrated-circuit device |
| JPS58221175A (ja) * | 1982-06-16 | 1983-12-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路装置の試験方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6316278A (ja) * | 1986-07-08 | 1988-01-23 | Nec Corp | 半導体装置静電破壊試験回路 |
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