JPS6145877B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6145877B2 JPS6145877B2 JP52147758A JP14775877A JPS6145877B2 JP S6145877 B2 JPS6145877 B2 JP S6145877B2 JP 52147758 A JP52147758 A JP 52147758A JP 14775877 A JP14775877 A JP 14775877A JP S6145877 B2 JPS6145877 B2 JP S6145877B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic substrates
- ceramic
- multilayer circuit
- unfired ceramic
- stacked
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は導体ペーストの回路パターンが表面に
印刷された未焼成セラミツク基板、所謂グリーン
シートを所定枚数積層して、該未焼成セラミツク
基板の積層体と導体ペーストを一体に焼成する方
式に係るセラミツク多層回路板の製造方法、具体
的には、焼成前のセラミツク積層体を構成する方
法に関する。
印刷された未焼成セラミツク基板、所謂グリーン
シートを所定枚数積層して、該未焼成セラミツク
基板の積層体と導体ペーストを一体に焼成する方
式に係るセラミツク多層回路板の製造方法、具体
的には、焼成前のセラミツク積層体を構成する方
法に関する。
この種のセラミツク多層回路板には、集積回路
素子等の半導体チツプを内部に収容すべき凹部を
有するものと、平坦な表面にのみ必要に応じて半
導体素子及び／あるいは他の電子部品を搭載する
ものとがある。いづれの場合も、積層される未焼
成セラミツクシート、即ちセラミツク生シートに
は各層の回路パターンを層間導通させるために、
必要に応じて円形のスルーホールが所望箇所に形
成され、この孔には表面回路パターンを印刷する
際に導体ペーストが充填される。パツケージタイ
プの多層回路板の場合には、生シートに前記スル
ーホールが穿設される他に半導体チツプを収容す
るための収容孔が穿設される。この収容孔は前記
スルーホールより有意に大きく、一般には半導体
チツプ形状に応じた四角形である。いづれにして
も生シートを積層する場合には、各シートの位置
合せを精度よく行わなければならない。
素子等の半導体チツプを内部に収容すべき凹部を
有するものと、平坦な表面にのみ必要に応じて半
導体素子及び／あるいは他の電子部品を搭載する
ものとがある。いづれの場合も、積層される未焼
成セラミツクシート、即ちセラミツク生シートに
は各層の回路パターンを層間導通させるために、
必要に応じて円形のスルーホールが所望箇所に形
成され、この孔には表面回路パターンを印刷する
際に導体ペーストが充填される。パツケージタイ
プの多層回路板の場合には、生シートに前記スル
ーホールが穿設される他に半導体チツプを収容す
るための収容孔が穿設される。この収容孔は前記
スルーホールより有意に大きく、一般には半導体
チツプ形状に応じた四角形である。いづれにして
も生シートを積層する場合には、各シートの位置
合せを精度よく行わなければならない。
従来の生シート積層体を提供する、所謂積層方
法は、位置合せされて積重ねられた未焼成セラミ
ツク基板群をホツトプレスにより一体化するもの
である。
法は、位置合せされて積重ねられた未焼成セラミ
ツク基板群をホツトプレスにより一体化するもの
である。
具体的には、表面に凹部を有する形状のセラミ
ツク多層回路板を例にとれば、第１図ａと第２図
ａに示すような配置をもつて積層される。両図は
異なる構造のセラミツク回路基板を示している。
図において、１は未焼成セラミツク基板、所謂グ
リーンシートであり、１０は該グリーンシートに
パンチングにより形成された収容孔である。スル
ーホールは必要に応じて形成されているが、図示
は省略してある。各グリーンシートには必要に応
じて半導体チツプ固着用ステージパターン２１、
配線用リードパターン２２、封止用キヤツプ固着
用フレームパターン２３、等の金属パターンが導
体ペーストで印刷されている。これらの生シート
群を位置合せして重積した後、この重積体にその
輪郭に適合した中子５がセツトされ、この状態で
重積体は40〜120〔℃〕の温度にて100〜300
〔Kg／cm2〕の圧力でホツトプレスされる。
ツク多層回路板を例にとれば、第１図ａと第２図
ａに示すような配置をもつて積層される。両図は
異なる構造のセラミツク回路基板を示している。
図において、１は未焼成セラミツク基板、所謂グ
リーンシートであり、１０は該グリーンシートに
パンチングにより形成された収容孔である。スル
ーホールは必要に応じて形成されているが、図示
は省略してある。各グリーンシートには必要に応
じて半導体チツプ固着用ステージパターン２１、
配線用リードパターン２２、封止用キヤツプ固着
用フレームパターン２３、等の金属パターンが導
体ペーストで印刷されている。これらの生シート
群を位置合せして重積した後、この重積体にその
輪郭に適合した中子５がセツトされ、この状態で
重積体は40〜120〔℃〕の温度にて100〜300
〔Kg／cm2〕の圧力でホツトプレスされる。
第１図ｂと第２図ｂは夫々このホツトプレスに
より得られた積層体を示している。この積層体は
1400〜1600〔℃〕で焼成された後、これに第１図
ｃと第２図ｃに夫々示すように半導体チツプ２が
収容され、該半導体チツプ２と前記リードパター
ン２２との間に必要なリード線接続を行つてか
ら、前記フレームパターン２３により固着された
蓋３で気密封止される。なお、第１図に示す例で
は、半導体チツプは底板付きステージ４に搭載さ
れるが、第２図に示す例ではステージパターン２
１に搭載される。このようにして表面に凹部を有
するセラミツク多層回路板が得られる。ところ
で、前述の中子５はゴム製の弾性体であり、これ
が存在することにより、複雑な生シート重積体の
輪郭が所定寸法通りに維持されて全体としてホツ
トプレスし得る。もし中子が存在しなければ、ホ
ツトプレスにより得られた積層体は、加圧成形で
あるだけに所望の形状とシートの整合が破壊され
る。
より得られた積層体を示している。この積層体は
1400〜1600〔℃〕で焼成された後、これに第１図
ｃと第２図ｃに夫々示すように半導体チツプ２が
収容され、該半導体チツプ２と前記リードパター
ン２２との間に必要なリード線接続を行つてか
ら、前記フレームパターン２３により固着された
蓋３で気密封止される。なお、第１図に示す例で
は、半導体チツプは底板付きステージ４に搭載さ
れるが、第２図に示す例ではステージパターン２
１に搭載される。このようにして表面に凹部を有
するセラミツク多層回路板が得られる。ところ
で、前述の中子５はゴム製の弾性体であり、これ
が存在することにより、複雑な生シート重積体の
輪郭が所定寸法通りに維持されて全体としてホツ
トプレスし得る。もし中子が存在しなければ、ホ
ツトプレスにより得られた積層体は、加圧成形で
あるだけに所望の形状とシートの整合が破壊され
る。
ところが、ホツトプレス法においては、該弾性
中子が加圧、加温により変形し、これに伴つてグ
リーンシート自体や導体パターンに変形を生じて
しまう。その結果、歩留り向上を妨げている。こ
の種の変形はグリーンシート外形の複雑さと回路
パターンの密度により許容できない場合がある。
中子が加圧、加温により変形し、これに伴つてグ
リーンシート自体や導体パターンに変形を生じて
しまう。その結果、歩留り向上を妨げている。こ
の種の変形はグリーンシート外形の複雑さと回路
パターンの密度により許容できない場合がある。
そこで、グリーンシートの上下両面に可塑剤あ
るいはバインダーを塗布して、これを整合して重
積し、静圧にて、即ち、ホツトプレスせずに、そ
のまま放置することにより一体の積層体を提供す
る方法が提案されている。この方法では確かに中
子による前記不都合が回避されるが、各グリーン
シートに前記の接着剤が塗布されることから、重
積される各グリーンシート間相互の位置合せに融
通性がない。即ち、グリーンシートは互いに接合
しやすい状態にあるので、位置合せのために、グ
リーンシートを相対的に移動させて調整すること
が難しくなる。一方、半導体チツプの収容孔、即
ち凹部が存在しない場合には前述のような中子は
使用されない。しかし、ホツトプレスは弾性シー
トを介在させて行われる。
るいはバインダーを塗布して、これを整合して重
積し、静圧にて、即ち、ホツトプレスせずに、そ
のまま放置することにより一体の積層体を提供す
る方法が提案されている。この方法では確かに中
子による前記不都合が回避されるが、各グリーン
シートに前記の接着剤が塗布されることから、重
積される各グリーンシート間相互の位置合せに融
通性がない。即ち、グリーンシートは互いに接合
しやすい状態にあるので、位置合せのために、グ
リーンシートを相対的に移動させて調整すること
が難しくなる。一方、半導体チツプの収容孔、即
ち凹部が存在しない場合には前述のような中子は
使用されない。しかし、ホツトプレスは弾性シー
トを介在させて行われる。
従つて、表面が平坦な形状を有するセラミツク
多層回路板の場合にも、前述の如き表面凹部を有
する多層回路板と同様に積層工程での生シートの
表面変形や回路パターンの変形が弾性シートの変
形に起因して起きやすい。
多層回路板の場合にも、前述の如き表面凹部を有
する多層回路板と同様に積層工程での生シートの
表面変形や回路パターンの変形が弾性シートの変
形に起因して起きやすい。
そこで本発明の目的は、上記問題点を解消する
新規な積層方法を実現することにある。
新規な積層方法を実現することにある。
本発明によれば、各所定形状の複数枚の未焼成
セラミツク基板に導体ペーストで所望回路パター
ンを形成した後、当該未焼成セラミツク基板を重
積し、次いで一体に接合する工程と得られた積層
体を焼成する工程を含むセラミツク多層回路体の
製造方法において、前記未焼成セラミツク基板を
順次重積してから、この重積体を該未焼成セラミ
ツク基板に含有される有機バインダーを溶解可能
な溶剤の雰囲気下に静置して、重積体の未焼成セ
ラミツク基板群を一体に接合する工程を有するこ
とを特徴とするセラミツク多層回路板の製造方法
が提供される。
セラミツク基板に導体ペーストで所望回路パター
ンを形成した後、当該未焼成セラミツク基板を重
積し、次いで一体に接合する工程と得られた積層
体を焼成する工程を含むセラミツク多層回路体の
製造方法において、前記未焼成セラミツク基板を
順次重積してから、この重積体を該未焼成セラミ
ツク基板に含有される有機バインダーを溶解可能
な溶剤の雰囲気下に静置して、重積体の未焼成セ
ラミツク基板群を一体に接合する工程を有するこ
とを特徴とするセラミツク多層回路板の製造方法
が提供される。
第３図と第４図は本発明に係る積層一体化方法
を示す工程説明図であり、第３図ＡとＢは夫々第
１図と第２図の構造に係るグリーンシートの重積
体を示している。
を示す工程説明図であり、第３図ＡとＢは夫々第
１図と第２図の構造に係るグリーンシートの重積
体を示している。
本発明では、パンチング処理され、必要な導体
ペーストで金属パターンの印刷されたグリーンシ
ート１が位置合せされてポリエステルフイルム６
の上に順次重積される〔第３図Ａ，Ｂ〕。この場
合、グリーンシートには、既述のような可塑剤や
バインダー等の接着剤は塗布されない。得られた
重積体Ａ，Ｂは支持フイルム６と一体化デシケー
タボツクス７に収容配置される。このボツクスに
はセラミツクグリーンシート中のバインダーを溶
解せしめる溶剤８、例えばブチラール系樹脂のバ
インダーにあつてはアルコール系やケトン類の溶
剤を予め収容しておきこのボツクス内を溶剤の雰
囲気にしておく。重積体はこのボツクスに１〜５
時間静置され、即ち静圧下に置かれ、それから取
り出されて恒温槽で乾燥される。これによつてグ
リーンシートの多層一体化がなされ、乾燥された
積層体が得られる。支持フイルム６は乾燥後剥離
される。この積層体は次に焼成工程に移され、従
来品と同様に焼成される。
ペーストで金属パターンの印刷されたグリーンシ
ート１が位置合せされてポリエステルフイルム６
の上に順次重積される〔第３図Ａ，Ｂ〕。この場
合、グリーンシートには、既述のような可塑剤や
バインダー等の接着剤は塗布されない。得られた
重積体Ａ，Ｂは支持フイルム６と一体化デシケー
タボツクス７に収容配置される。このボツクスに
はセラミツクグリーンシート中のバインダーを溶
解せしめる溶剤８、例えばブチラール系樹脂のバ
インダーにあつてはアルコール系やケトン類の溶
剤を予め収容しておきこのボツクス内を溶剤の雰
囲気にしておく。重積体はこのボツクスに１〜５
時間静置され、即ち静圧下に置かれ、それから取
り出されて恒温槽で乾燥される。これによつてグ
リーンシートの多層一体化がなされ、乾燥された
積層体が得られる。支持フイルム６は乾燥後剥離
される。この積層体は次に焼成工程に移され、従
来品と同様に焼成される。
要するに、本発明方法は、未焼成セラミツク基
板、所謂グリーンシートが、セラミツク粉末、焼
結助剤、有機バインダー、分散剤及び可塑剤を含
むスラリーから成形されており、従つて有機バイ
ンダーを内部並びに表面に含有していることに着
目し、このバインダーを溶解する溶剤を雰囲気中
からシートへ滲透させることによりシート同士の
接合を行わせるものである。
板、所謂グリーンシートが、セラミツク粉末、焼
結助剤、有機バインダー、分散剤及び可塑剤を含
むスラリーから成形されており、従つて有機バイ
ンダーを内部並びに表面に含有していることに着
目し、このバインダーを溶解する溶剤を雰囲気中
からシートへ滲透させることによりシート同士の
接合を行わせるものである。
従つて、本発明によれば、ホツトプレス加工が
省略されるので、既述のような弾性中子や弾性シ
ートを使用する場合に生ずる弊害がなく、しかも
多層化に際し、各グリーンシートに可塑剤やバイ
ンダーを塗布することもないので、複数のグリー
ンシートの相互の位置合せが行い易い。しかも、
多層化されるグリーンシートの接合は静圧下で行
われるので、加圧によるグリーンシート自体の変
形や金属パターンの変形から本質的に解放され
る。
省略されるので、既述のような弾性中子や弾性シ
ートを使用する場合に生ずる弊害がなく、しかも
多層化に際し、各グリーンシートに可塑剤やバイ
ンダーを塗布することもないので、複数のグリー
ンシートの相互の位置合せが行い易い。しかも、
多層化されるグリーンシートの接合は静圧下で行
われるので、加圧によるグリーンシート自体の変
形や金属パターンの変形から本質的に解放され
る。
上記本発明方法は、図示実施例の如き表面に凹
部を有するセラミツク多層回路板に限らず、平坦
な表面を有するセラミツク多層回路板の形成工程
にも適用して有利であることは勿論である。
部を有するセラミツク多層回路板に限らず、平坦
な表面を有するセラミツク多層回路板の形成工程
にも適用して有利であることは勿論である。
第１図ａ，ｂ，ｃと第２図ａ，ｂ，ｃは二種の
セラミツク多層回路板を製造する従来方法を示す
工程図、第３図Ａ，Ｂと第４図は第１図と第２図
に示すタイプのセラミツク多層回路板を製造する
場合の本発明に係る積層工程を示す説明図であ
る。 図において、１は未焼成セラミツク基板、２は
ICチツプ、３は蓋、４は底板付きステージ、１
０はチツプ収容孔、２１，２２，２３は金属パタ
ーン、５は中子、６は支持フイルム、７はデシケ
ータボツクス、８は溶剤を示す。
セラミツク多層回路板を製造する従来方法を示す
工程図、第３図Ａ，Ｂと第４図は第１図と第２図
に示すタイプのセラミツク多層回路板を製造する
場合の本発明に係る積層工程を示す説明図であ
る。 図において、１は未焼成セラミツク基板、２は
ICチツプ、３は蓋、４は底板付きステージ、１
０はチツプ収容孔、２１，２２，２３は金属パタ
ーン、５は中子、６は支持フイルム、７はデシケ
ータボツクス、８は溶剤を示す。
Claims (1)
- １ 各所定形状の複数枚の未焼成セラミツク基板
に導体ペーストで所望回路パターンを形成した
後、当該未焼成セラミツク基板を重積し、次いで
一体に接合する工程と得られた積層体を焼成する
工程を含むセラミツク多層回路体の製造方法にお
いて、前記未焼成セラミツク基板を順次重積して
から、この重積体を該未焼成セラミツク基板に含
有される有機バインダーを溶解可能な溶剤の雰囲
気下に静置して、重積体の未焼成セラミツク基板
群を一体に接合する工程を有することを特徴とす
るセラミツク多層回路板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14775877A JPS5480557A (en) | 1977-12-10 | 1977-12-10 | Method of producing ceramic multiicircuit layer board |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14775877A JPS5480557A (en) | 1977-12-10 | 1977-12-10 | Method of producing ceramic multiicircuit layer board |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5480557A JPS5480557A (en) | 1979-06-27 |
| JPS6145877B2 true JPS6145877B2 (ja) | 1986-10-09 |
Family
ID=15437483
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14775877A Granted JPS5480557A (en) | 1977-12-10 | 1977-12-10 | Method of producing ceramic multiicircuit layer board |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5480557A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6023766Y2 (ja) * | 1982-07-08 | 1985-07-16 | 富士通株式会社 | 磁気ヘツドの消磁装置 |
-
1977
- 1977-12-10 JP JP14775877A patent/JPS5480557A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5480557A (en) | 1979-06-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6432239B1 (en) | Method of producing ceramic multilayer substrate | |
| US5601672A (en) | Method for making ceramic substrates from thin and thick ceramic greensheets | |
| US4802945A (en) | Via filling of green ceramic tape | |
| JP2857552B2 (ja) | 積層電子部品及びその製造方法 | |
| JPS6145877B2 (ja) | ||
| JPS6145876B2 (ja) | ||
| JPH06283375A (ja) | 積層電子部品の製造方法 | |
| JPS5841800B2 (ja) | セラミック多層基板の形成方法 | |
| US6231707B1 (en) | Method of forming a multilayer ceramic substrate with max-punched vias | |
| JPH09181449A (ja) | セラミック多層基板の製造方法 | |
| JP2002118194A (ja) | フリップチップ用セラミック多層基板の製造方法 | |
| JPH0629145A (ja) | セラミックグリーンシート積層圧着方法及びその装置 | |
| JP3104680B2 (ja) | 半導体装置の封止用キャップ及びその製造方法 | |
| JP2893116B2 (ja) | セラミック多層配線基板の製造方法 | |
| JPH02239697A (ja) | 回路基板の製造方法 | |
| JP3266986B2 (ja) | セラミック多層基板の製造方法 | |
| JP2006286941A (ja) | 積層セラミック電子部品の製造方法 | |
| WO1988002928A1 (en) | Via filling of green ceramic tape | |
| JP2002368426A (ja) | 積層型セラミック電子部品およびその製造方法ならびに電子装置 | |
| JPH05175064A (ja) | 積層電子部品の製造方法 | |
| JP2514667B2 (ja) | 多層基板の製造方法 | |
| JP2003347708A (ja) | 電極パターンの転写方法および複合電子部品の製造方法 | |
| JPH04356997A (ja) | 多層配線基板の製造方法 | |
| JP2002299835A (ja) | 多層回路基板前駆体、および多層回路基板の製造方法 | |
| JPS63288094A (ja) | セラミック多層基板及びその製造方法 |