JPS6146027A - パタ−ン位置合わせ方法 - Google Patents
パタ−ン位置合わせ方法Info
- Publication number
- JPS6146027A JPS6146027A JP59167485A JP16748584A JPS6146027A JP S6146027 A JPS6146027 A JP S6146027A JP 59167485 A JP59167485 A JP 59167485A JP 16748584 A JP16748584 A JP 16748584A JP S6146027 A JPS6146027 A JP S6146027A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alignment
- pattern
- alignment mark
- marks
- alignment marks
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はパターン位置合わせ方法に関し、特に半導体装
置の製造工程中に行なわれる複数回のパターン位置合わ
せ全目視による確認によって行うパターン位置合わせ方
法に関する。
置の製造工程中に行なわれる複数回のパターン位置合わ
せ全目視による確認によって行うパターン位置合わせ方
法に関する。
半導体装置等の製造においては各工程毎に光学露光法等
によりパターン形成が行なわれるが、各工程毎のパター
ンの重ね合わせは主に目視による位置合わせマークの確
認によυ行われている。位置合わせマークとしては第３
図および第４図のような十字あるいは正方形等の図形が
多く用いられ、例えば初めの工程で第３図に示す複数個
の位置合わせマーク２１ａ〜２１４を半導体ウェハ１１
上に形成し、後工程で用いるホトマスクには第４図に示
す位置合わせマーク５１ｃをホトマスク基板４１上に具
備せしめ、第３図中特定の所定の位置合わせマーク２１
ｃに対して第４図の位置合わせマーク５１ｃが重なり合
うようにウェハ１１とホトマスク基板４１との位置合わ
せが行なわれる。しかしながら、このような初めの工程
で形成される複数個の位置合わせマーク２１ａ〜２１ｄ
はそれぞれ互いに似通った形状である場合が多く、後工
程でこれら複数個のうちのどの位置合わせマークを位置
合わせの対象とすべきかを目視で確認することは容易で
はなく、時として対象を見誤ることさえ起こる。また製
造仕様書等により位置合わせマークに関する指示がなさ
れていても、光学露光機の位置合わせ用顕微鏡の限られ
た視野の中で互いに似通った形状の位置合わせマークの
中から位置合わせの対象とすべき位置合わせマークを捜
し出すことは容易ではなく、作業能率の低下を来たして
いた。
によりパターン形成が行なわれるが、各工程毎のパター
ンの重ね合わせは主に目視による位置合わせマークの確
認によυ行われている。位置合わせマークとしては第３
図および第４図のような十字あるいは正方形等の図形が
多く用いられ、例えば初めの工程で第３図に示す複数個
の位置合わせマーク２１ａ〜２１４を半導体ウェハ１１
上に形成し、後工程で用いるホトマスクには第４図に示
す位置合わせマーク５１ｃをホトマスク基板４１上に具
備せしめ、第３図中特定の所定の位置合わせマーク２１
ｃに対して第４図の位置合わせマーク５１ｃが重なり合
うようにウェハ１１とホトマスク基板４１との位置合わ
せが行なわれる。しかしながら、このような初めの工程
で形成される複数個の位置合わせマーク２１ａ〜２１ｄ
はそれぞれ互いに似通った形状である場合が多く、後工
程でこれら複数個のうちのどの位置合わせマークを位置
合わせの対象とすべきかを目視で確認することは容易で
はなく、時として対象を見誤ることさえ起こる。また製
造仕様書等により位置合わせマークに関する指示がなさ
れていても、光学露光機の位置合わせ用顕微鏡の限られ
た視野の中で互いに似通った形状の位置合わせマークの
中から位置合わせの対象とすべき位置合わせマークを捜
し出すことは容易ではなく、作業能率の低下を来たして
いた。
本発明の目的は上記従来の欠点を除去せしめたパターン
位置合わせ方法を提供することにある。
位置合わせ方法を提供することにある。
本発明は、複数回のパターン位置合わせを目視による位
置合わせマークの確認によって行なうパターン位置合わ
せ方法において、位置合わせマークの中もしくは近傍に
文字、記号、符号のいずれか、あるいはその組み合わせ
をパターンとして形成し、該パターンの形成によ！Ｉｌ
ｌ工程で位置合わせすべき対象となる位置合わせマーク
の確認を容易ならしめ、特に該文字、記号、符号にホト
マスクの名称あるいは番号の少なくとも一部を用いてそ
の確認を容易ならしめることを特徴とするパターン位置
合わせ方法である。
置合わせマークの確認によって行なうパターン位置合わ
せ方法において、位置合わせマークの中もしくは近傍に
文字、記号、符号のいずれか、あるいはその組み合わせ
をパターンとして形成し、該パターンの形成によ！Ｉｌ
ｌ工程で位置合わせすべき対象となる位置合わせマーク
の確認を容易ならしめ、特に該文字、記号、符号にホト
マスクの名称あるいは番号の少なくとも一部を用いてそ
の確認を容易ならしめることを特徴とするパターン位置
合わせ方法である。
以下半導体装置の製造工程を例にとり、図面を用いて本
発明の実施例について説明する。第１図および第２図は
本発明の一実施例を説明するための図面である。第１図
において、認は半導体ウェハ、２２ａ〜２２ｄは半導体
ウェハ上に前工程で形成された位置合わせマークで、該
位置合わせマーク２２＆〜２２ｄの近傍に、例えばアラ
ビア数字のパターン３２ａ〜３２ｄをそれぞれのマーク
２２ａ〜２２ｄに対応して同時に形成する。
発明の実施例について説明する。第１図および第２図は
本発明の一実施例を説明するための図面である。第１図
において、認は半導体ウェハ、２２ａ〜２２ｄは半導体
ウェハ上に前工程で形成された位置合わせマークで、該
位置合わせマーク２２＆〜２２ｄの近傍に、例えばアラ
ビア数字のパターン３２ａ〜３２ｄをそれぞれのマーク
２２ａ〜２２ｄに対応して同時に形成する。
第２図は後工程で用いるホトマスクの一部であり、ｏは
ホトマスク基板、５２ｃはホトマスク基板Ｃ上に形成さ
れた位置合わせマークである。該位置合わせマーク５２
ｃの近傍には第１図に示された４個の位置合わせマーク
２２ａ〜２２ｄのうちのどの位置合わせマークを本工程
の位置合わせの対象とすべきかを指示するだめのパター
ン６２ｃを設置する。
ホトマスク基板、５２ｃはホトマスク基板Ｃ上に形成さ
れた位置合わせマークである。該位置合わせマーク５２
ｃの近傍には第１図に示された４個の位置合わせマーク
２２ａ〜２２ｄのうちのどの位置合わせマークを本工程
の位置合わせの対象とすべきかを指示するだめのパター
ン６２ｃを設置する。
実施例では位置合せマーク２２ｃを指示するパターン６
２ｃをパターン３２ｃの表示に対応してアラビア数字「
３」にて指示した例を示している・この表示は数字によ
る文字に限らず、記号、符号あるいはこれらの組合せに
よって指示してもよい。他のマーク２２ａ 、 ２２ｂ
、 ２２ｄなどを指示する場合も全く同じである。こ
のように文字、記号、符号によるパターンを位置合せマ
ークとともにホトマスク基板に付すことにより、対象と
すべき位置合わせマークの選択、確認を容易に行なうこ
とができる。
２ｃをパターン３２ｃの表示に対応してアラビア数字「
３」にて指示した例を示している・この表示は数字によ
る文字に限らず、記号、符号あるいはこれらの組合せに
よって指示してもよい。他のマーク２２ａ 、 ２２ｂ
、 ２２ｄなどを指示する場合も全く同じである。こ
のように文字、記号、符号によるパターンを位置合せマ
ークとともにホトマスク基板に付すことにより、対象と
すべき位置合わせマークの選択、確認を容易に行なうこ
とができる。
以上説明した如く本発明によれば、目視確認によるパタ
ーン位置合わせ作業において、パターン位置合わせ■対
象とすべき位置合わせマークの選択、・確認が短時間で
、且つ容易に行なうことができ、作業能率を飛躍的に向
上でき、また対象とすべき位置合わせマークの選択を誤
ることもない・なお、実施例においては、前工程および
後工程のいずれの位置合わせマークの近傍にも文字のパ
ターンを設置した場合について述べたが、露光作業者に
理解しやすい文字、記号、符号等を選べば必ずしも全工
程、全ホトマスク上の位置合わせマークの近傍に文字、
記号、符号を設置する必要はない、また該文字、記号、
符号がホトマスクの名称あるいは番号の少なくとも一部
であれば露光作業者の理解を格段に向上せしめることが
できる。
ーン位置合わせ作業において、パターン位置合わせ■対
象とすべき位置合わせマークの選択、・確認が短時間で
、且つ容易に行なうことができ、作業能率を飛躍的に向
上でき、また対象とすべき位置合わせマークの選択を誤
ることもない・なお、実施例においては、前工程および
後工程のいずれの位置合わせマークの近傍にも文字のパ
ターンを設置した場合について述べたが、露光作業者に
理解しやすい文字、記号、符号等を選べば必ずしも全工
程、全ホトマスク上の位置合わせマークの近傍に文字、
記号、符号を設置する必要はない、また該文字、記号、
符号がホトマスクの名称あるいは番号の少なくとも一部
であれば露光作業者の理解を格段に向上せしめることが
できる。
第１図および第２図は本発明の一実施例を示すもので、
第１図は半導体ウェハの斜視図、第２図はホトマスク基
板の斜視図、第３図、第４図は従来例を示すもので、第
３図は半導体ウェハの斜視図、第４図はホトマスク基板
の斜視図である。 １２・・・半導体ウェハ、２２ａ〜２２ｄ・・・半導体
ウェハ上に形成された位置合わせマーク、３２ａ〜３２
ｄ・・・半導体ウェハ上に形成された文字パターン、Ｃ
・・・ホトマスク基板、５２ｃ・・・ホトマスク基板上
に設けられた位置合わせ々−り、６２ｃ・・−ホトマス
ク上に設ケラれた文字パターン 第１図 第２図 第３図 第４図
第１図は半導体ウェハの斜視図、第２図はホトマスク基
板の斜視図、第３図、第４図は従来例を示すもので、第
３図は半導体ウェハの斜視図、第４図はホトマスク基板
の斜視図である。 １２・・・半導体ウェハ、２２ａ〜２２ｄ・・・半導体
ウェハ上に形成された位置合わせマーク、３２ａ〜３２
ｄ・・・半導体ウェハ上に形成された文字パターン、Ｃ
・・・ホトマスク基板、５２ｃ・・・ホトマスク基板上
に設けられた位置合わせ々−り、６２ｃ・・−ホトマス
ク上に設ケラれた文字パターン 第１図 第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- （１）複数回のパターン位置合わせを目視による位置合
わせマークの確認によつて行なうパターン位置合わせ方
法において、位置合わせマークの中もしくは近傍に文字
、記号、符号のいずれか、あるいはその組み合わせをパ
ターンとして形成し、該パターンの形成により後工程で
位置合わせすべき対象となる位置合わせマークの確認を
容易ならしめたことを特徴とするパターン位置合わせ方
法。（２）前記文字、記号、符号にホトマスクの名称あ
るいは番号の少なくとも一部を用いたことを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載のパターン位置合わせ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59167485A JPS6146027A (ja) | 1984-08-10 | 1984-08-10 | パタ−ン位置合わせ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59167485A JPS6146027A (ja) | 1984-08-10 | 1984-08-10 | パタ−ン位置合わせ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6146027A true JPS6146027A (ja) | 1986-03-06 |
Family
ID=15850554
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59167485A Pending JPS6146027A (ja) | 1984-08-10 | 1984-08-10 | パタ−ン位置合わせ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6146027A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0610922A3 (en) * | 1993-02-12 | 1998-01-21 | Nec Corporation | Semiconductor memory device |
| EP1123826A2 (en) | 2000-02-10 | 2001-08-16 | Mitsuba Corporation | Sunroof driving device |
| US7355187B2 (en) | 2002-05-31 | 2008-04-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Position detection apparatus, position detection method, exposure apparatus, device manufacturing method, and substrate |
-
1984
- 1984-08-10 JP JP59167485A patent/JPS6146027A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0610922A3 (en) * | 1993-02-12 | 1998-01-21 | Nec Corporation | Semiconductor memory device |
| EP1037283A1 (en) * | 1993-02-12 | 2000-09-20 | Nec Corporation | Semiconductor memory device |
| EP1123826A2 (en) | 2000-02-10 | 2001-08-16 | Mitsuba Corporation | Sunroof driving device |
| US7355187B2 (en) | 2002-05-31 | 2008-04-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Position detection apparatus, position detection method, exposure apparatus, device manufacturing method, and substrate |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4568189A (en) | Apparatus and method for aligning a mask and wafer in the fabrication of integrated circuits | |
| US5498500A (en) | Overlay measurement mark and method of measuring an overlay error between multi patterns in a semiconductor device using the measurement mark | |
| EP0061536A1 (en) | Method of manufacturing a semiconductor device having improved alignment marks and alignment marks for said method | |
| US5665495A (en) | Method for fabricating a semiconductor with a photomask | |
| US4442188A (en) | System for specifying critical dimensions, sequence numbers and revision levels on integrated circuit photomasks | |
| US4343878A (en) | System for providing photomask alignment keys in semiconductor integrated circuit processing | |
| US6828071B2 (en) | Method of aligning a wafer and masks | |
| JPS6146027A (ja) | パタ−ン位置合わせ方法 | |
| US7749690B2 (en) | Die identification systems and methods | |
| US6724096B2 (en) | Die corner alignment structure | |
| JPS62157035A (ja) | マスク板の製造方法 | |
| JPS6327847B2 (ja) | ||
| JPH0276214A (ja) | ホトリソグラフィー工程におけるガラスマスク | |
| CN121232519A (zh) | 掩膜版组、芯片标识的形成方法及晶圆 | |
| JPS62235952A (ja) | 半導体装置用マスク | |
| JPH0766113A (ja) | レチクル及び位置合わせ用バーニアの形成方法 | |
| JPH0132044Y2 (ja) | ||
| KR20020012409A (ko) | 반도체 장치 제조용 얼라인 키 | |
| KR100297888B1 (ko) | 반도체 포토마스킹 공정의 공정 진행 확인용 마크 표시 방법 | |
| JPS58111037A (ja) | ホトマスク基板 | |
| KR20040059251A (ko) | 하나의 레이어에 다수의 박스형 마크를 갖는 중첩측정용정렬마크 | |
| JPH02186618A (ja) | 集積回路の製造方法 | |
| US20040137649A1 (en) | Method of fabricating semiconductor device comprising superposition inspection step | |
| JPS61223744A (ja) | 半導体装置用レ−ザマ−ク捺印マスク | |
| KR100270476B1 (ko) | 반도체 소자 제조용 얼라인 키 |