JPS6146422B2 - - Google Patents
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- JPS6146422B2 JPS6146422B2 JP8527181A JP8527181A JPS6146422B2 JP S6146422 B2 JPS6146422 B2 JP S6146422B2 JP 8527181 A JP8527181 A JP 8527181A JP 8527181 A JP8527181 A JP 8527181A JP S6146422 B2 JPS6146422 B2 JP S6146422B2
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- enamel
- zircon
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- zircon crystals
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- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
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Landscapes
- Resistance Heating (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Description
本発明は、優れた遠赤外線放射特性を有する琺
瑯の製造方法に関する。 従来、遠赤外線放射体の製造方法としては、ジ
ルコン（ＺrO2・ＳiO2）を主成分として酸化物等
を加えた混合物を磁器化温度で焼成する方法（特
公昭47−25010号公報参照）及びジルコンを溶融
した後、金属基体に吹きつけ溶着する方法ででき
たものがあつた。 前者の方法により得られた遠赤外線放射体は一
種の磁器である為、機械的に弱く、通電した際の
速熱性に劣る他長尺物の製作が不可能であるとと
もに500℃以上の冷熱使用でクラツクを生じ寿命
の点で好ましくなく、しかも10μ以上の波長にお
ける放射率が低くなるという欠点がある。 また後者の方法により得られた遠赤外線放射体
は、ライニング層が不均一となり、金属基体との
熱膨張率差が大きい為冷熱使用により剥離、クラ
ツク等を生じ寿命の点から好ましくない。更に、
後者の方法により得られた遠赤外線放射体は、放
射層の熱伝導率が大きく、冷熱使用等の熱衝撃に
対して強く、且つ機械的に強い等の特徴を有する
が３〜７μ及び15〜50μの範囲内における放射率
が小さく、強力な遠赤外線放射を行なうには不充
分である。 本発明は、機械的に強く、速熱性に優れ、剥
離、クラツク等の発生がなく、且つ広範囲に亘つ
て放射率を良好に保持し安価且つ容易に製造し得
る遠赤外線放射特性を有する琺瑯を提供すること
を目的とするものである。 そして、前記目的は粉末としたジルコン結晶を
琺瑯質被覆物に添加して琺瑯層放射体を形成する
ことにより達成されるのであり、このジルコン結
晶の添加は、フリツトを湿式粉砕してスリツプと
する前後の何れでもよいが、金属素地に施釉する
前でなければならない。また粉末のジルコンは、
所定量が結晶状態で琺瑯被覆物の組織中に留まる
ような量で加えるようにする。 金属素地への施釉に適したフリツト組成物は多
くの種類があり、また本発明の利用性は殆どフリ
ツト成分と関係がなく、これとは別個にジルコン
結晶を琺瑯被覆物中に混入することによつてジル
コンの結晶相を確保することを要旨とするもので
あるから、存在するジルコンの量は別として、使
用したフリツト又はフリツト類の組成もまたミル
添加物の組成も本発明の利用性に対して殆ど影響
を有しないことは明らかである。 従つて、本発明においては、ミル添加物として
添加するジルコン結晶の量を、焼成後少なくとも
添加したジルコンの一部が結晶状態のまゝで金属
素地上の琺瑯層中に残留し、優れた遠赤外線放射
特性を示すように選択することが必要である。 また、ジルコンをミル添加物として添加するよ
うにしたのは次の理由による。即ち、 フリツトを組成する原材料に直接ジルコンを添
加すると、フリツトの粘度を増加させ、また添加
量が多すぎると金属素地に使用する琺瑯フリツト
としては不適当なものとなることから約25重量％
以下にしなければならない。そしてこの場合、公
知の原料とジルコン結晶とを融解する際に長時間
に亘つて高温に保持されてジルコンが全てＺrO2
とＳiO2とになり、結晶状態のジルコンは全く残
留しないことになる為である。 第１図は、本発明の琺瑯を用いて製造した遠赤
外線放装置を示す一部切欠正面図であり、鉄パイ
プ、ステンレスパイプ等製の熱放射体１の内部
に、両端に電極２，２を有する発熱体３を挿通
し、ＭgＯ等耐熱絶縁性充填材４にて該発熱体３
を固定し、更に前記熱放射体１の両端部を気密材
５，５にてシールして成る、いわゆるシーズヒー
タにおいて熱放射体１の外表面に脱脂、酸洗、Ｎ
i付着、中和の前処理を施こした後、下地琺瑯
６′を施釉、焼成し、次いで遠赤外線放射効率の
良好な琺瑯を施釉し、短時間（約３分間）で焼成
することにより琺瑯層放射体６を形成する。 下地琺瑯６′及び琺瑯層放射体６に用いるフリ
ツトの組成は次のとおりである。 ＳiO2 36（重量％） Ｂa2O3 27 Ｎa2O 18 Ａl2O3 ７ ＣaＯ ４ K2O ４ ＣaF2 ２ ＭoO2 １ ＮiＯ 0.5 ＣpＯ 0.5 また、下地琺瑯６′及び琺瑯層放射体６のミル
配合は次表のとおりである。
瑯の製造方法に関する。 従来、遠赤外線放射体の製造方法としては、ジ
ルコン（ＺrO2・ＳiO2）を主成分として酸化物等
を加えた混合物を磁器化温度で焼成する方法（特
公昭47−25010号公報参照）及びジルコンを溶融
した後、金属基体に吹きつけ溶着する方法ででき
たものがあつた。 前者の方法により得られた遠赤外線放射体は一
種の磁器である為、機械的に弱く、通電した際の
速熱性に劣る他長尺物の製作が不可能であるとと
もに500℃以上の冷熱使用でクラツクを生じ寿命
の点で好ましくなく、しかも10μ以上の波長にお
ける放射率が低くなるという欠点がある。 また後者の方法により得られた遠赤外線放射体
は、ライニング層が不均一となり、金属基体との
熱膨張率差が大きい為冷熱使用により剥離、クラ
ツク等を生じ寿命の点から好ましくない。更に、
後者の方法により得られた遠赤外線放射体は、放
射層の熱伝導率が大きく、冷熱使用等の熱衝撃に
対して強く、且つ機械的に強い等の特徴を有する
が３〜７μ及び15〜50μの範囲内における放射率
が小さく、強力な遠赤外線放射を行なうには不充
分である。 本発明は、機械的に強く、速熱性に優れ、剥
離、クラツク等の発生がなく、且つ広範囲に亘つ
て放射率を良好に保持し安価且つ容易に製造し得
る遠赤外線放射特性を有する琺瑯を提供すること
を目的とするものである。 そして、前記目的は粉末としたジルコン結晶を
琺瑯質被覆物に添加して琺瑯層放射体を形成する
ことにより達成されるのであり、このジルコン結
晶の添加は、フリツトを湿式粉砕してスリツプと
する前後の何れでもよいが、金属素地に施釉する
前でなければならない。また粉末のジルコンは、
所定量が結晶状態で琺瑯被覆物の組織中に留まる
ような量で加えるようにする。 金属素地への施釉に適したフリツト組成物は多
くの種類があり、また本発明の利用性は殆どフリ
ツト成分と関係がなく、これとは別個にジルコン
結晶を琺瑯被覆物中に混入することによつてジル
コンの結晶相を確保することを要旨とするもので
あるから、存在するジルコンの量は別として、使
用したフリツト又はフリツト類の組成もまたミル
添加物の組成も本発明の利用性に対して殆ど影響
を有しないことは明らかである。 従つて、本発明においては、ミル添加物として
添加するジルコン結晶の量を、焼成後少なくとも
添加したジルコンの一部が結晶状態のまゝで金属
素地上の琺瑯層中に残留し、優れた遠赤外線放射
特性を示すように選択することが必要である。 また、ジルコンをミル添加物として添加するよ
うにしたのは次の理由による。即ち、 フリツトを組成する原材料に直接ジルコンを添
加すると、フリツトの粘度を増加させ、また添加
量が多すぎると金属素地に使用する琺瑯フリツト
としては不適当なものとなることから約25重量％
以下にしなければならない。そしてこの場合、公
知の原料とジルコン結晶とを融解する際に長時間
に亘つて高温に保持されてジルコンが全てＺrO2
とＳiO2とになり、結晶状態のジルコンは全く残
留しないことになる為である。 第１図は、本発明の琺瑯を用いて製造した遠赤
外線放装置を示す一部切欠正面図であり、鉄パイ
プ、ステンレスパイプ等製の熱放射体１の内部
に、両端に電極２，２を有する発熱体３を挿通
し、ＭgＯ等耐熱絶縁性充填材４にて該発熱体３
を固定し、更に前記熱放射体１の両端部を気密材
５，５にてシールして成る、いわゆるシーズヒー
タにおいて熱放射体１の外表面に脱脂、酸洗、Ｎ
i付着、中和の前処理を施こした後、下地琺瑯
６′を施釉、焼成し、次いで遠赤外線放射効率の
良好な琺瑯を施釉し、短時間（約３分間）で焼成
することにより琺瑯層放射体６を形成する。 下地琺瑯６′及び琺瑯層放射体６に用いるフリ
ツトの組成は次のとおりである。 ＳiO2 36（重量％） Ｂa2O3 27 Ｎa2O 18 Ａl2O3 ７ ＣaＯ ４ K2O ４ ＣaF2 ２ ＭoO2 １ ＮiＯ 0.5 ＣpＯ 0.5 また、下地琺瑯６′及び琺瑯層放射体６のミル
配合は次表のとおりである。
【表】
一方、実施例と同量のジルコンをフリツト中
に混入融解させたものを従来例として作成し、こ
れらの遠赤外線放射エネルギーを測定したとこ
ろ、実施例は従来例と比して広範囲に亘つて高
い遠赤外線放射エネルギーを示し、また実施例
は従来例と比して広範囲にわたつて極めて高い遠
赤外線放射エネルギーを示した（第２図参照）。
尚、第２図においては比放射エネルギーを縦軸と
しているが、比較の対象としてはＳiＣを用いた
ものである。また、このとき各遠赤外線放射装置
の温度は表面温度が500℃となるようにしている 以上から明らかなように、同量のジルコンを添
加してもミル添加する方が遠赤外線放射特性が良
好であり、しかもジルコン結晶の添加量が多いほ
ど優れた遠赤外線放射特性を示している。またジ
ルコン結晶の添加量が約30重量部以下になると従
来例とほゞ同等の遠赤外線放射エネルギーしか放
出しなかつた。 また、実施例、の遠赤外線放射体は、発熱
体３に通電し始めて約10分後に一定温度に飽和
し、速熱性に優れている。 また、下地琺瑯と金属製熱放射体１との間にお
ける結合は、機械的結合及び化学的結合によつて
行なわれる為密着性に優れ、実際に冷熱サイクル
（室温〜600℃の冷熱500サイクル）を行なつても
剥離、クラツク等の発生は見られなかつた。更
に、実施例、においては従来例と比し耐熱水
性も向上していると思われる。 以上のように本発明は従来の琺瑯層形成工程を
そのまゝ使用し、ジルコンをミル添加するのみで
量産性、低価格性を損わず、機械的強度、速熱性
に優れ且つ、優れた遠赤外線放射特性を有する琺
瑯である。
に混入融解させたものを従来例として作成し、こ
れらの遠赤外線放射エネルギーを測定したとこ
ろ、実施例は従来例と比して広範囲に亘つて高
い遠赤外線放射エネルギーを示し、また実施例
は従来例と比して広範囲にわたつて極めて高い遠
赤外線放射エネルギーを示した（第２図参照）。
尚、第２図においては比放射エネルギーを縦軸と
しているが、比較の対象としてはＳiＣを用いた
ものである。また、このとき各遠赤外線放射装置
の温度は表面温度が500℃となるようにしている 以上から明らかなように、同量のジルコンを添
加してもミル添加する方が遠赤外線放射特性が良
好であり、しかもジルコン結晶の添加量が多いほ
ど優れた遠赤外線放射特性を示している。またジ
ルコン結晶の添加量が約30重量部以下になると従
来例とほゞ同等の遠赤外線放射エネルギーしか放
出しなかつた。 また、実施例、の遠赤外線放射体は、発熱
体３に通電し始めて約10分後に一定温度に飽和
し、速熱性に優れている。 また、下地琺瑯と金属製熱放射体１との間にお
ける結合は、機械的結合及び化学的結合によつて
行なわれる為密着性に優れ、実際に冷熱サイクル
（室温〜600℃の冷熱500サイクル）を行なつても
剥離、クラツク等の発生は見られなかつた。更
に、実施例、においては従来例と比し耐熱水
性も向上していると思われる。 以上のように本発明は従来の琺瑯層形成工程を
そのまゝ使用し、ジルコンをミル添加するのみで
量産性、低価格性を損わず、機械的強度、速熱性
に優れ且つ、優れた遠赤外線放射特性を有する琺
瑯である。
図面は本発明の一実施例を示し、第１図は遠赤
外線放射装置を示す一部切欠正面図、第２図は本
発明琺瑯層放射体と従来琺瑯層放射体との遠赤外
線放射特性を示す図。
外線放射装置を示す一部切欠正面図、第２図は本
発明琺瑯層放射体と従来琺瑯層放射体との遠赤外
線放射特性を示す図。
Claims (1)
- １ 金属素地への施釉に適し且つフリツト化した
琺瑯組成物を湿式粉砕してスリツプとし、該スリ
ツプ中のフリツト100重量部に対して30重量部以
上に相当するジルコン結晶と微量の成型可塑剤を
含有する配合物をミル添加し、該ジルコン結晶を
ミル添加したスリツプを金属素地上に施釉し焼成
してジルコン結晶の一部をZrO2とSiO2として琺
瑯層中に溶解させ、残余のジルコン結晶の残部を
琺瑯層中に分散させてジルコン結晶相として残留
させて成ることを特徴とする遠赤外線放射特性を
有する琺瑯。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8527181A JPS57200562A (en) | 1981-06-02 | 1981-06-02 | Manufacture of far-infrared radiation enamel body |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8527181A JPS57200562A (en) | 1981-06-02 | 1981-06-02 | Manufacture of far-infrared radiation enamel body |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57200562A JPS57200562A (en) | 1982-12-08 |
| JPS6146422B2 true JPS6146422B2 (ja) | 1986-10-14 |
Family
ID=13853898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8527181A Granted JPS57200562A (en) | 1981-06-02 | 1981-06-02 | Manufacture of far-infrared radiation enamel body |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57200562A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63117928A (ja) * | 1986-11-07 | 1988-05-21 | Masao Yamamoto | 遠赤外線輻射琺瑯の製造方法 |
| JP7723426B2 (ja) * | 2023-01-25 | 2025-08-14 | 阪和ホーロー株式会社 | 琺瑯製品及び琺瑯用釉薬 |
-
1981
- 1981-06-02 JP JP8527181A patent/JPS57200562A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57200562A (en) | 1982-12-08 |
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