JPS6148861B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6148861B2 JPS6148861B2 JP56013967A JP1396781A JPS6148861B2 JP S6148861 B2 JPS6148861 B2 JP S6148861B2 JP 56013967 A JP56013967 A JP 56013967A JP 1396781 A JP1396781 A JP 1396781A JP S6148861 B2 JPS6148861 B2 JP S6148861B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- humidity
- conductive film
- capacitance
- film
- electrodes
- Prior art date
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- Expired
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/22—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating capacitance
- G01N27/223—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating capacitance for determining moisture content, e.g. humidity
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Electrochemistry (AREA)
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- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、静電容量変化から湿度を測定する
ような感湿素子に関するものである。
ような感湿素子に関するものである。
従来、金属酸化物等を用いてその抵抗値変化か
ら湿度を測定する感湿素子、基板に高分子膜を形
成してその静電容量変化から湿度を測定する感湿
素子等が知られている。しかしながら抵抗値変化
と湿度変化とは非直線性関係にあり、その直線化
が困難であり、又、基板を用いた素子では、応答
性が悪く、高分子膜が高湿度下において膨潤によ
りはがれてしまいやすい欠点があつた。
ら湿度を測定する感湿素子、基板に高分子膜を形
成してその静電容量変化から湿度を測定する感湿
素子等が知られている。しかしながら抵抗値変化
と湿度変化とは非直線性関係にあり、その直線化
が困難であり、又、基板を用いた素子では、応答
性が悪く、高分子膜が高湿度下において膨潤によ
りはがれてしまいやすい欠点があつた。
この発明の目的は、以上の点に鑑み、高分子膜
のような非電導性フイルムの両側に真空蒸着にて
金属薄膜電極を形成し、その両側を中空枠体で強
固に保持し、電極間の静電容量変化から湿度を測
定するようにし、高信頼性化を図つた感湿素子を
提供することである。
のような非電導性フイルムの両側に真空蒸着にて
金属薄膜電極を形成し、その両側を中空枠体で強
固に保持し、電極間の静電容量変化から湿度を測
定するようにし、高信頼性化を図つた感湿素子を
提供することである。
第１図は、この発明の一実施例を示す断面構成
説明図である。図において、１は高分子フイルム
等よりなる薄い親水性の非電導性フイルム
（膜）、２１，２２は、この非電導性フイルム１の
両側に真空蒸着により形成された金等よりなる透
水性の金属薄膜電極、３１，３２は、金属薄膜電
極２１，２２のそれぞれの面に電導性ペースト、
低温ハンダ等の電導性接合材４１，４２により接
着し、互いに対向して設けられたAl、しんちゆ
う等の金属よりなる円環状の中空枠体、５１，５
２は、中空枠体３１，３２にハンダ付等で接続さ
れ、金属薄膜電極２１，２２間の静電容量を取り
出すための導線である。
説明図である。図において、１は高分子フイルム
等よりなる薄い親水性の非電導性フイルム
（膜）、２１，２２は、この非電導性フイルム１の
両側に真空蒸着により形成された金等よりなる透
水性の金属薄膜電極、３１，３２は、金属薄膜電
極２１，２２のそれぞれの面に電導性ペースト、
低温ハンダ等の電導性接合材４１，４２により接
着し、互いに対向して設けられたAl、しんちゆ
う等の金属よりなる円環状の中空枠体、５１，５
２は、中空枠体３１，３２にハンダ付等で接続さ
れ、金属薄膜電極２１，２２間の静電容量を取り
出すための導線である。
非電導性フイルム１の厚さをｄ，その誘電率を
ε、金属薄膜電極２１，２２の面積をＳとし、そ
のときの静電容量の値をＣとすれば次式が成り立
つ。
ε、金属薄膜電極２１，２２の面積をＳとし、そ
のときの静電容量の値をＣとすれば次式が成り立
つ。
Ｃ＝εＳ／ｄ ……(1)
そして、非電導性フイルム１の静電容量Ｃは、
湿度変化により水分が金属薄膜電極２１，２２を
透過して、その誘電率が変化するので、この静電
容量Ｃの変化を、金属薄膜電極２１，２２、中空
枠体３１，３２、導線５１，５２を通じて取り出
すことにより、湿度を知ることができる。なお水
分が侵入して非電導性フイルム１がはくりするの
を防止するため、中空枠体３１，３２の外周部に
疎水性材６でコーテイングするとよい。
湿度変化により水分が金属薄膜電極２１，２２を
透過して、その誘電率が変化するので、この静電
容量Ｃの変化を、金属薄膜電極２１，２２、中空
枠体３１，３２、導線５１，５２を通じて取り出
すことにより、湿度を知ることができる。なお水
分が侵入して非電導性フイルム１がはくりするの
を防止するため、中空枠体３１，３２の外周部に
疎水性材６でコーテイングするとよい。
第２図は、他の実施例を示し、同一符号は同一
構成要素を示す。この実施例では、非電導性フイ
ルム１の両面に形成される一方の金属薄膜電極２
１の面積を、他方の金属薄膜電極２２よりも小さ
く形成し、又、一方の中空枠体３１を他方の中空
枠体３２よりも小さく形成し、互いにずらして配
置するようにし、疎水性材６でコーテイングし、
両電極２１，２２間の短絡を防止している。
構成要素を示す。この実施例では、非電導性フイ
ルム１の両面に形成される一方の金属薄膜電極２
１の面積を、他方の金属薄膜電極２２よりも小さ
く形成し、又、一方の中空枠体３１を他方の中空
枠体３２よりも小さく形成し、互いにずらして配
置するようにし、疎水性材６でコーテイングし、
両電極２１，２２間の短絡を防止している。
又、第３、第４図は他の実施例を示し、同一符
号は、同一構成要素を示す。この実施例では、金
属薄膜電極２１，２２を非電導性フイルム１の全
体ではなく、所定の面積にわたつて形成し、互い
に異なつた簡所より取出部２１０，２２０を形成
し、金属薄膜電極２１，２２と重ならないよう絶
縁性の中空枠体３１，３２が設けられている。そ
して、この中空枠体３１，３２の取出部２１０，
２２０に接する部分は導電性接合材で接着され、
ピン７１，７２が垂直に設けられ、ネジ８１，８
２，８３，８４等で非電導性フイルムを強固には
さんでいる。そして中空枠体３１，３２の取出部
２１０，２２０に接する箇所に設けられたピン７
１，７２に接続する導線５１，５２より、金属薄
膜電極２１，２２の対向面積に対応した静電容量
変化を取り出すことができる。
号は、同一構成要素を示す。この実施例では、金
属薄膜電極２１，２２を非電導性フイルム１の全
体ではなく、所定の面積にわたつて形成し、互い
に異なつた簡所より取出部２１０，２２０を形成
し、金属薄膜電極２１，２２と重ならないよう絶
縁性の中空枠体３１，３２が設けられている。そ
して、この中空枠体３１，３２の取出部２１０，
２２０に接する部分は導電性接合材で接着され、
ピン７１，７２が垂直に設けられ、ネジ８１，８
２，８３，８４等で非電導性フイルムを強固には
さんでいる。そして中空枠体３１，３２の取出部
２１０，２２０に接する箇所に設けられたピン７
１，７２に接続する導線５１，５２より、金属薄
膜電極２１，２２の対向面積に対応した静電容量
変化を取り出すことができる。
以上述べたように、この発明は、非電導性フイ
ルムの両側に真空蒸着にて金属薄膜電極を形成
し、更に中空枠体で両側を保持し、電極間の静電
容量変化から湿度を測定するようにした感湿素子
である。
ルムの両側に真空蒸着にて金属薄膜電極を形成
し、更に中空枠体で両側を保持し、電極間の静電
容量変化から湿度を測定するようにした感湿素子
である。
従つて、薄い非電導性フイルムは、真空蒸着に
て金属薄膜電極が形成され、更に中空枠体で強固
に保持されているので、フイルムのはくりのおそ
れもなく、応答性も速く、製造が容易で、湿度と
容量の変化もほぼリニアなので測定が容易で、高
信頼性なものとなる。
て金属薄膜電極が形成され、更に中空枠体で強固
に保持されているので、フイルムのはくりのおそ
れもなく、応答性も速く、製造が容易で、湿度と
容量の変化もほぼリニアなので測定が容易で、高
信頼性なものとなる。
第１図、第２図、第３図、第４図は、それぞれ
この発明の一実施例を示す構成説明図である。 １……非電導性フイルム、２１，２２……金属
薄膜電極、３１，３２……中空枠体、４１，４２
……電導性接合材、５１，５２……導線、６……
疎水性材。
この発明の一実施例を示す構成説明図である。 １……非電導性フイルム、２１，２２……金属
薄膜電極、３１，３２……中空枠体、４１，４２
……電導性接合材、５１，５２……導線、６……
疎水性材。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 薄い親水性の非電導性フイルムと、この非電
導性フイルムの両側に真空蒸着により形成された
透水性の金属薄膜電極と、この金属薄膜電極のそ
れぞれの面の一部に対向して設けられ前記非電導
性フイルムを保持する上下１対の中空枠体と、こ
の中空枠体を介して金属薄膜電極間の静電容量を
取り出す導線とを備え、前記金属薄膜電極間の静
電容量変化から湿度を測定することを特徴とする
感湿素子。 ２ 前記中空枠体を互いにずらして配置したこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の感湿素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1396781A JPS57127840A (en) | 1981-02-02 | 1981-02-02 | Humidity sensitive element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1396781A JPS57127840A (en) | 1981-02-02 | 1981-02-02 | Humidity sensitive element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57127840A JPS57127840A (en) | 1982-08-09 |
| JPS6148861B2 true JPS6148861B2 (ja) | 1986-10-27 |
Family
ID=11847980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1396781A Granted JPS57127840A (en) | 1981-02-02 | 1981-02-02 | Humidity sensitive element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57127840A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002088693A1 (en) * | 2001-04-27 | 2002-11-07 | Yamatake Corporation | Capacitive sensor |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61176844A (ja) * | 1985-02-01 | 1986-08-08 | Nisshinbo Ind Inc | 感湿素子 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5111789A (ja) * | 1974-07-17 | 1976-01-30 | Kojin Kk | Pirazoropirimijinjudotaino seizohoho |
-
1981
- 1981-02-02 JP JP1396781A patent/JPS57127840A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002088693A1 (en) * | 2001-04-27 | 2002-11-07 | Yamatake Corporation | Capacitive sensor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57127840A (en) | 1982-08-09 |
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