JPS6149459A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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Publication number
JPS6149459A
JPS6149459A JP59171874A JP17187484A JPS6149459A JP S6149459 A JPS6149459 A JP S6149459A JP 59171874 A JP59171874 A JP 59171874A JP 17187484 A JP17187484 A JP 17187484A JP S6149459 A JPS6149459 A JP S6149459A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
chip
semiconductor device
temperature
laser trimming
Prior art date
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Pending
Application number
JP59171874A
Other languages
English (en)
Inventor
Katsuhiko Tsuura
克彦 津浦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electronics Corp filed Critical Matsushita Electronics Corp
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Publication of JPS6149459A publication Critical patent/JPS6149459A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers

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  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、同一基板上に半導体回路と薄膜回路とを有す
る半導体集積回路の製造方法に関する。
従来例の構成とその問題点 従来、半導体回路と薄膜回路とからなるモノリシック半
導体装置は、レーザートリミングの手法をもって機能修
正、精度向上が、ウェハ一段階、パッケージ段階ではか
られている。レーザートリミングは、チップが最終的に
納められるパッケージの中に納められた後に行なわれる
、いわゆる、パッケージ段階の方が熱的環境の面から望
ましい。
しかしながら、このような従来方法は、パッケージのレ
ーザートリミング装置への投入、取り出し時間と、位置
補正時間とが個々の半導体装置ごとに必要な事、および
パッケージが、セラミックパッケージという高価なもの
を使用する事から、製造コストがかかる欠点がある。一
方、ウェハ一段階で、レーザートリミングする場合、レ
ーザートリミング装置への投入、取り出し時間と、位置
補正時間とが、１ウエハーごとに行なえる事から有利で
はあるが、チップが最終的に封止される熱的環境でレー
ザトリミングが行なえないという問題点がある。この為
、封止後の半導体装置の特性シフトにより、高精度が保
てない事が多い。
発明の目的 半導体回路と薄膜回路からなるモノリシック半導体装置
を、高精度な特性でかつ安価に製造する方法を提供する
事にある。
発明の構成 本発明は、レーザートリミング装置のウエハーを固定す
るウェハーチャックに、発熱体と、温度検出体を、装備
し、ウエノ・−チャックの温度を制御できるようにする
ことで、ウェハーチャック櫓上のウェハーの温度を制御
しながら、半導体装置のレーザートリミングを行うこと
を特徴とするもので、これによシ、熱的環境を制御して
、封止後の特性シフトのない集積回路が得られる。
実施例の説明 半導体装置の通常の動作時における、内部チソ　プの温
度は、封止構造と封止材質による熱抵抗と内部チップの
発熱量から求められ、約１００°Ｃ前後である。ウェハ
一段階でレーザートリミングする時間、ウェハーは、ウ
ェハーチャック上に置か扛、ウェハーの裏面を真空でひ
かれる事で固定される。ウェハーチャックの温度を約１
００°Ｃ前後に保てるように、発熱体と、温度検出体を
ウェハーチャック内部に装備し、ウェハーチャック上に
ご　　　　　　　固定されたウェハーの温度を約１００
”Ｃ前後に保ちながら、チップのレーザートリミングを
行う。
チップの温度を、実動作する熱環境にする事で、封止後
の半導体装置の電気特性は、ウエノ・一段階で修正され
た特性と比べ、差を少なくする事ができる〇 また実動作が水冷などで、チップ温度を低いものとする
場合は、実動作温度が実現できるようにウェハーチャッ
クの低温の温度制御をして、レーザートリミングするこ
とで、封止後の半導体装置の特性を良好なものにする事
ができる。
発明の効果 本発明によれば、半導体装置をウエノ・−状態でチップ
封止後の熱環境に近すけて、レーザートリミングできる
事により、高精度でかつ安価な半導体装置を製造する事
ができる。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 同一基板上に半導体回路と薄膜回路とからなる半導体集
    積回路の回路要素を形成し、機能修正のために行なうレ
    ーザートリミングの過程を、ウェハーの加熱状態で行な
    うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
JP59171874A 1984-08-17 1984-08-17 半導体装置の製造方法 Pending JPS6149459A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62200023U (ja) * 1986-06-12 1987-12-19

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS62200023U (ja) * 1986-06-12 1987-12-19

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