JPS6151259B2 - - Google Patents
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- JPS6151259B2 JPS6151259B2 JP56038763A JP3876381A JPS6151259B2 JP S6151259 B2 JPS6151259 B2 JP S6151259B2 JP 56038763 A JP56038763 A JP 56038763A JP 3876381 A JP3876381 A JP 3876381A JP S6151259 B2 JPS6151259 B2 JP S6151259B2
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
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- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Description
本発明は、耐衝撃性に優れ、そのため信頼性及
び製造歩留りが高い感ガス素子の製造方法に関す
る。 酸化物半導体の表面に特定のガスが接触すると
酸化物半導体の表面における比抵抗が変化するこ
とを利用した感ガス素子が知られている。例えば
Ｎ型半導体性を示すZnO、SnO2、Fe2O3等に還元
性ガスが接触すると抵抗値が減少し、酸化性ガス
が接触すると逆に増加する。またｐ型半導体性を
示す酸化物半導体の場合には抵抗値の増減が逆の
関係になる。かかる金属酸化物半導体の各種ガス
との反応性即ち選択性は半導体表面温度、表面電
子レベルの状態、気孔率及び気孔の大きさ等によ
り決まるが、一般に酸化物半導体のみでは感ガス
素子としての感度が小さく、選択性も低く実用上
問題があつた。 そこで、Pt、Pd等の貴金属などの触媒をガス
感応体である酸化物半導体中に添加含有せしめる
ことにより、感度を向上させることが試みられ
た。しかし、このように、触媒を含有する状態で
酸化物半導体によりガス感応体を製造するには、
両者を混合し、成形、焼成する必要があるが、酸
化物半導体と触媒とはそれぞれ最適焼成温度が異
なる（一般に触媒の最適焼成温度の方が低い）た
め、両者の働きをともに十分発揮させ得るような
焼成温度を選択することは極めて難しいことであ
つた。更に焼成により高温にさらされると、触媒
が酸化物半導体中に固溶化し、所期の感度が得ら
れないことがあつた。また、このような感ガス素
子は、酸化物半導体の表面を数百度Ｃに保つて使
用するとより高い感度が得られ好ましいが、かか
る高温条件下でも前記の固溶化が起り次第に感度
が低下するという不都合があつた。 このような高温における不安定性を解消するた
めに、触媒を酸化物半導体中に含有させずに、酸
化物半導体のみからガス感応体を形成し、その外
周表面に触媒層を設ける試みが行われている。か
かる感ガス素子の場合には、はじめに酸化物半導
体から成るガス感応体を焼成、形成し、しかる後
にその上に触媒層を焼成、形成することができる
から、酸化物半導体と触媒のそれぞれについて最
適な焼成温度を選ぶことができる。また、両者は
混合状態にないから、高温にさらされても固溶化
は極めて少なく、それに伴う感度の低下も起らな
い。したがつて、経時的にも高い感度を安定して
示して寿命が長いという長所がある。 ところが、上記の感ガス素子は、耐衝撃性が低
く、特に触媒層部分が損なわれ易いという難点が
あり、製造中、使用中などの落下による衝撃や振
動により剥離、ひび割れなどの破損をきたし、使
用不能になつたり、測定値の信頼性が低くなるこ
とがあつた。またそのような理由で、製造歩留り
が低いという難点もあつた。 本発明の目的は、酸化物半導体からなるガス感
応体の表面に触媒層を設けてなる感ガス素子の前
述の長所を生かしつつ、耐衝撃性等の機械的特性
が劣るという欠点を解消し、耐衝撃性に優れ、信
頼性及び製造歩留りの高い感ガス素子の製造方法
を提供することにある。 これまで、酸化物半導体からなるガス感応体の
上に触媒層を設ける際には、通常熱処理済の触媒
粉末に水やアルコール等の溶媒を加えて泥漿と
し、これをガス感応体の上に塗布後、焼成すると
いう方法が行われていた。 これに対し、本発明者らは、触媒粉末の泥漿を
調製する際に水やアルコール等の溶媒のほかに、
セルロース系有機バインダーを添加して調製し、
これを用いて塗布、焼成すると耐衝撃性に優れた
触媒層を形成し得ることを見出した。 即ち、本発明の感ガス素子の製造方法は、金属
酸化物半導体から成り一対の電極を備えたガス感
応体と、前記ガス感応体の外周面上に設けられた
１又は２以上の触媒層とを具備する感ガス素子の
製造方法において、前記触媒層を形成するに当
り、触媒粉末にセルロース系有機バインダー及び
溶媒を加えて成る泥漿を、前記ガス感応体の外周
面上に塗布後焼成することを特徴とする。 本発明において用いられるセルロース系有機バ
インダーとしては、例えばメチルセルロース、酢
酸セルロース、エチルセルロースなどが好適であ
り、２種以上を混合して用いてもよい。 本発明の方法は種々の触媒に適用することがで
きる。例えば、Al2O3、SiO2、SiO2−Al2O3、ケ
イソウ土、シリガゲル、活性白土、ムライト、な
どの担体に、Rh、Pd、Pt、Au等貴金属元素、
Ｖ、Ｖ−Mo、Ｖ−Ｗ、Ｖ−Ｗ−Mo、Ｖ−Ｘ（Ｘ
は、Rh、Pd、Pt、Auの少なくとも１種を表す）
さらには、Cr、Co、Cu、Ni、Mn、Mo、Ｗなど
を単独あるいは複合して担持させて成る触媒があ
げられる。これらの触媒は、担持させる成分の水
溶液に担体を浸漬放置し、その後乾燥、焼成する
という方法で作製できる。 泥漿を調製するには、前記の触媒の粉末に、セ
ルロース系有機バインダーを適当な溶媒に溶かし
た溶液を加えて撹拌、混合すればよい。溶媒はセ
ルロース系有機バインダーの種類（メチルセルロ
ース、エチルセルロース、酢酸セルロース等）に
応じて選択すればよく、例えば水、メタノール、
エタノール、ブタノール、などがあげられ、セル
ロース系有機バインダーの使用量は溶媒に対して
0.5〜2.0重量％程度である。触媒層はその成分と
ともに、気孔率も問題となるが、気孔率は用いる
セルロース系有機バインダーにより影響されるの
で、この点も考慮して使用量、種類を決定すべき
である。 触媒層を形成するには、前記のようにして調製
した泥漿をガス感応体の外周面に塗布し、乾燥後
焼成する。焼成温度は通常400〜800℃であるが、
用いられる触媒の種類、これと組合わせる酸化物
半導体の種類を考慮してセルロース系有機バイン
ダーを選定した上で、バインダーの揮散または分
解が起る温度も考慮して決定する。触媒層を重ね
て２層以上形成する場合は前記のようにして第１
層を形成した後に、更にその上に同様にして第２
の触媒層を形成するというぐあいに次々に触媒層
を形成してゆけばよい。 本発明の方法により製造した感ガス素子は、耐
衝撃性に優れており、製造中や使用中に機械的衝
撃や振動が加わつても触媒層がひびわれたり、剥
離することが極めて少ない。したがつて、そのよ
うな思いがけない衝撃や振動などにより、感度や
応答性などの特性が劣化することもほとんどな
く、長期にわたり安定して使用することができ、
測定値の信頼性も高い。また、製造中の破損も極
めて少ないので製造歩留りが高い。 更に、従来の水やアルコールのみを触媒に加え
て調製した泥漿は作業中や放置しておいた時に水
やアルコールが急速に蒸発して行くため、使用に
適切な粘度にはせいぜい４〜６時間しか保持でき
なかつたが、セルロース系有機バインダーを併用
した泥漿では、短いものでも約10時間（メチルセ
ルロースと水を使用）、長いものでは約一週間
（エチルセルロースとブタノールを加えたもの）
という期間適切な粘度に保持することができる。
この保存性は製造における作業性を大きく改善す
る結果となつている。 以下、実施例をあげて本発明を具体的に説明す
る。 実施例 本発明の方法により、第１図及び第２図に示す
ごとき円筒状感ガス素子を製造した。第１図は円
筒状感ガス素子の横断面を表す図で、第２図はこ
の素子をピン足上に取付けた状態の斜視図であ
る。図中、１は円筒状絶縁基体、２は前記基体の
外周面上に付着形成された一対の電極、３は前記
基体及び電極の外周全体を被覆するように形成さ
れたガス感応体で金属酸化物半導体よりなる。そ
して、ガス感応体３の外周に形成された層４は触
媒層である。第２図において、５は電極用リード
線で、６は絶縁板で、７はヒータである。ヒータ
７はガス感応体３の表面温度を約450℃に保つこ
とにより、ガス感応体の感度を高めるためであ
る。上記の感ガス素子を次のようにして製造し
た。 まず、触媒を作成するために、バナジウム、モ
リブデン各標準水溶液を作成する。例えば、バナ
ジウム標準溶液はメタバナジン酸アンモニウムに
水を加え、加熱状態でシユウ酸を加えることによ
り所定濃度の標準溶液とする。モリブデン標準溶
液は所定濃度のモリブデン酸アンモニウム水溶液
を作成し標準溶液とする。また、バナジウム−モ
リブデン混合溶液は、各標準溶液を各々所定量採
取して混合溶液とする。 担体として、Al2O3を所定量採取して、Al2O3
に対してバナジウムが10wt％、さらにモリブデ
ンはバナジウムに対するｇ原子比（Ｍ／Ｖ）が
0.1となるように調製したバナジウム−モリブデ
ン混合溶液に加えて一昼夜放置した。放置後蒸発
乾固し粉砕して600℃で５時間焼成した。 一方、金属酸化物半導体としてZnO−Sb2O3
（2wt％添加）系を用い、この粉末に有機バイン
ダー（メチルセルロース）を加えてボールミルで
混合してペースト状にした。これを、第１図に示
すように、金ペースストを塗布、焼成して一対の
電極２を予め設けておいた絶縁基体１の表面に塗
布し、自然乾燥後焼成し、ガス感応体層３を形成
した。 次に、先に調製した触媒に濃度1.0重量％のメ
チルセルロース水溶液を触媒１mgに対して0.45c.c.
を加えて調製した触媒の泥漿を、前記のガス感応
体層３の上に塗布、乾燥後、約530℃にて焼成し
て触媒層４を形成し、本発明に係る感ガス素子
（実施例）を得た。 比較のために、触媒の泥漿として触媒にメチル
セルロースを用いずに水のみを加えて調製したも
のを用いたほかは、前記実施例と全く同様にして
感ガス素子（比較例）を製造した。 得られた実施例及び比較例に係る感ガス素子に
ついて、以下のように触媒層表面の走査型電子顕
微鏡写真撮影を行うとともに、落下に対する耐衝
撃性につき測定した。 (1) 電子顕微鏡写真 倍率：1000倍、第３図………実施例 第４図………比較例 従来法による比較例の素子では、触媒層表面
に大きなひび割れが生じているが、実施例では
ひび割れはほとんど生じていない。連続した一
様な状態であつた。 (2) 耐衝撃性試験 感ガス素子を高さ１ｍの位置から厚さ１cmの
杉板の上に落下させ、落下前後における触媒層
の剥離程度、感度、及び応答速度をそれぞれ測
定した。結果を下表に示す。 なお、感度の測定はフレオン−22に対する感度
を次のようにして行つた。フレオン−22
（CHClF2）を500ppm含有する空気中における素
子の抵抗値Rgとフレオン−22を含有しない普通
の空気中における素子の抵抗値Roをそれぞれ測
定し、Ro／Rgの値を感度とした。この値が大き
いほど感度は大きいことになる。 応答速度は、感ガス素子を普通の空気中から急
激にフレオン−22を500ppm含有する空気中にさ
らしたときに、素子の抵抗値がRoから0.9Rgまで
変化するのに要する時間として測定した。
び製造歩留りが高い感ガス素子の製造方法に関す
る。 酸化物半導体の表面に特定のガスが接触すると
酸化物半導体の表面における比抵抗が変化するこ
とを利用した感ガス素子が知られている。例えば
Ｎ型半導体性を示すZnO、SnO2、Fe2O3等に還元
性ガスが接触すると抵抗値が減少し、酸化性ガス
が接触すると逆に増加する。またｐ型半導体性を
示す酸化物半導体の場合には抵抗値の増減が逆の
関係になる。かかる金属酸化物半導体の各種ガス
との反応性即ち選択性は半導体表面温度、表面電
子レベルの状態、気孔率及び気孔の大きさ等によ
り決まるが、一般に酸化物半導体のみでは感ガス
素子としての感度が小さく、選択性も低く実用上
問題があつた。 そこで、Pt、Pd等の貴金属などの触媒をガス
感応体である酸化物半導体中に添加含有せしめる
ことにより、感度を向上させることが試みられ
た。しかし、このように、触媒を含有する状態で
酸化物半導体によりガス感応体を製造するには、
両者を混合し、成形、焼成する必要があるが、酸
化物半導体と触媒とはそれぞれ最適焼成温度が異
なる（一般に触媒の最適焼成温度の方が低い）た
め、両者の働きをともに十分発揮させ得るような
焼成温度を選択することは極めて難しいことであ
つた。更に焼成により高温にさらされると、触媒
が酸化物半導体中に固溶化し、所期の感度が得ら
れないことがあつた。また、このような感ガス素
子は、酸化物半導体の表面を数百度Ｃに保つて使
用するとより高い感度が得られ好ましいが、かか
る高温条件下でも前記の固溶化が起り次第に感度
が低下するという不都合があつた。 このような高温における不安定性を解消するた
めに、触媒を酸化物半導体中に含有させずに、酸
化物半導体のみからガス感応体を形成し、その外
周表面に触媒層を設ける試みが行われている。か
かる感ガス素子の場合には、はじめに酸化物半導
体から成るガス感応体を焼成、形成し、しかる後
にその上に触媒層を焼成、形成することができる
から、酸化物半導体と触媒のそれぞれについて最
適な焼成温度を選ぶことができる。また、両者は
混合状態にないから、高温にさらされても固溶化
は極めて少なく、それに伴う感度の低下も起らな
い。したがつて、経時的にも高い感度を安定して
示して寿命が長いという長所がある。 ところが、上記の感ガス素子は、耐衝撃性が低
く、特に触媒層部分が損なわれ易いという難点が
あり、製造中、使用中などの落下による衝撃や振
動により剥離、ひび割れなどの破損をきたし、使
用不能になつたり、測定値の信頼性が低くなるこ
とがあつた。またそのような理由で、製造歩留り
が低いという難点もあつた。 本発明の目的は、酸化物半導体からなるガス感
応体の表面に触媒層を設けてなる感ガス素子の前
述の長所を生かしつつ、耐衝撃性等の機械的特性
が劣るという欠点を解消し、耐衝撃性に優れ、信
頼性及び製造歩留りの高い感ガス素子の製造方法
を提供することにある。 これまで、酸化物半導体からなるガス感応体の
上に触媒層を設ける際には、通常熱処理済の触媒
粉末に水やアルコール等の溶媒を加えて泥漿と
し、これをガス感応体の上に塗布後、焼成すると
いう方法が行われていた。 これに対し、本発明者らは、触媒粉末の泥漿を
調製する際に水やアルコール等の溶媒のほかに、
セルロース系有機バインダーを添加して調製し、
これを用いて塗布、焼成すると耐衝撃性に優れた
触媒層を形成し得ることを見出した。 即ち、本発明の感ガス素子の製造方法は、金属
酸化物半導体から成り一対の電極を備えたガス感
応体と、前記ガス感応体の外周面上に設けられた
１又は２以上の触媒層とを具備する感ガス素子の
製造方法において、前記触媒層を形成するに当
り、触媒粉末にセルロース系有機バインダー及び
溶媒を加えて成る泥漿を、前記ガス感応体の外周
面上に塗布後焼成することを特徴とする。 本発明において用いられるセルロース系有機バ
インダーとしては、例えばメチルセルロース、酢
酸セルロース、エチルセルロースなどが好適であ
り、２種以上を混合して用いてもよい。 本発明の方法は種々の触媒に適用することがで
きる。例えば、Al2O3、SiO2、SiO2−Al2O3、ケ
イソウ土、シリガゲル、活性白土、ムライト、な
どの担体に、Rh、Pd、Pt、Au等貴金属元素、
Ｖ、Ｖ−Mo、Ｖ−Ｗ、Ｖ−Ｗ−Mo、Ｖ−Ｘ（Ｘ
は、Rh、Pd、Pt、Auの少なくとも１種を表す）
さらには、Cr、Co、Cu、Ni、Mn、Mo、Ｗなど
を単独あるいは複合して担持させて成る触媒があ
げられる。これらの触媒は、担持させる成分の水
溶液に担体を浸漬放置し、その後乾燥、焼成する
という方法で作製できる。 泥漿を調製するには、前記の触媒の粉末に、セ
ルロース系有機バインダーを適当な溶媒に溶かし
た溶液を加えて撹拌、混合すればよい。溶媒はセ
ルロース系有機バインダーの種類（メチルセルロ
ース、エチルセルロース、酢酸セルロース等）に
応じて選択すればよく、例えば水、メタノール、
エタノール、ブタノール、などがあげられ、セル
ロース系有機バインダーの使用量は溶媒に対して
0.5〜2.0重量％程度である。触媒層はその成分と
ともに、気孔率も問題となるが、気孔率は用いる
セルロース系有機バインダーにより影響されるの
で、この点も考慮して使用量、種類を決定すべき
である。 触媒層を形成するには、前記のようにして調製
した泥漿をガス感応体の外周面に塗布し、乾燥後
焼成する。焼成温度は通常400〜800℃であるが、
用いられる触媒の種類、これと組合わせる酸化物
半導体の種類を考慮してセルロース系有機バイン
ダーを選定した上で、バインダーの揮散または分
解が起る温度も考慮して決定する。触媒層を重ね
て２層以上形成する場合は前記のようにして第１
層を形成した後に、更にその上に同様にして第２
の触媒層を形成するというぐあいに次々に触媒層
を形成してゆけばよい。 本発明の方法により製造した感ガス素子は、耐
衝撃性に優れており、製造中や使用中に機械的衝
撃や振動が加わつても触媒層がひびわれたり、剥
離することが極めて少ない。したがつて、そのよ
うな思いがけない衝撃や振動などにより、感度や
応答性などの特性が劣化することもほとんどな
く、長期にわたり安定して使用することができ、
測定値の信頼性も高い。また、製造中の破損も極
めて少ないので製造歩留りが高い。 更に、従来の水やアルコールのみを触媒に加え
て調製した泥漿は作業中や放置しておいた時に水
やアルコールが急速に蒸発して行くため、使用に
適切な粘度にはせいぜい４〜６時間しか保持でき
なかつたが、セルロース系有機バインダーを併用
した泥漿では、短いものでも約10時間（メチルセ
ルロースと水を使用）、長いものでは約一週間
（エチルセルロースとブタノールを加えたもの）
という期間適切な粘度に保持することができる。
この保存性は製造における作業性を大きく改善す
る結果となつている。 以下、実施例をあげて本発明を具体的に説明す
る。 実施例 本発明の方法により、第１図及び第２図に示す
ごとき円筒状感ガス素子を製造した。第１図は円
筒状感ガス素子の横断面を表す図で、第２図はこ
の素子をピン足上に取付けた状態の斜視図であ
る。図中、１は円筒状絶縁基体、２は前記基体の
外周面上に付着形成された一対の電極、３は前記
基体及び電極の外周全体を被覆するように形成さ
れたガス感応体で金属酸化物半導体よりなる。そ
して、ガス感応体３の外周に形成された層４は触
媒層である。第２図において、５は電極用リード
線で、６は絶縁板で、７はヒータである。ヒータ
７はガス感応体３の表面温度を約450℃に保つこ
とにより、ガス感応体の感度を高めるためであ
る。上記の感ガス素子を次のようにして製造し
た。 まず、触媒を作成するために、バナジウム、モ
リブデン各標準水溶液を作成する。例えば、バナ
ジウム標準溶液はメタバナジン酸アンモニウムに
水を加え、加熱状態でシユウ酸を加えることによ
り所定濃度の標準溶液とする。モリブデン標準溶
液は所定濃度のモリブデン酸アンモニウム水溶液
を作成し標準溶液とする。また、バナジウム−モ
リブデン混合溶液は、各標準溶液を各々所定量採
取して混合溶液とする。 担体として、Al2O3を所定量採取して、Al2O3
に対してバナジウムが10wt％、さらにモリブデ
ンはバナジウムに対するｇ原子比（Ｍ／Ｖ）が
0.1となるように調製したバナジウム−モリブデ
ン混合溶液に加えて一昼夜放置した。放置後蒸発
乾固し粉砕して600℃で５時間焼成した。 一方、金属酸化物半導体としてZnO−Sb2O3
（2wt％添加）系を用い、この粉末に有機バイン
ダー（メチルセルロース）を加えてボールミルで
混合してペースト状にした。これを、第１図に示
すように、金ペースストを塗布、焼成して一対の
電極２を予め設けておいた絶縁基体１の表面に塗
布し、自然乾燥後焼成し、ガス感応体層３を形成
した。 次に、先に調製した触媒に濃度1.0重量％のメ
チルセルロース水溶液を触媒１mgに対して0.45c.c.
を加えて調製した触媒の泥漿を、前記のガス感応
体層３の上に塗布、乾燥後、約530℃にて焼成し
て触媒層４を形成し、本発明に係る感ガス素子
（実施例）を得た。 比較のために、触媒の泥漿として触媒にメチル
セルロースを用いずに水のみを加えて調製したも
のを用いたほかは、前記実施例と全く同様にして
感ガス素子（比較例）を製造した。 得られた実施例及び比較例に係る感ガス素子に
ついて、以下のように触媒層表面の走査型電子顕
微鏡写真撮影を行うとともに、落下に対する耐衝
撃性につき測定した。 (1) 電子顕微鏡写真 倍率：1000倍、第３図………実施例 第４図………比較例 従来法による比較例の素子では、触媒層表面
に大きなひび割れが生じているが、実施例では
ひび割れはほとんど生じていない。連続した一
様な状態であつた。 (2) 耐衝撃性試験 感ガス素子を高さ１ｍの位置から厚さ１cmの
杉板の上に落下させ、落下前後における触媒層
の剥離程度、感度、及び応答速度をそれぞれ測
定した。結果を下表に示す。 なお、感度の測定はフレオン−22に対する感度
を次のようにして行つた。フレオン−22
（CHClF2）を500ppm含有する空気中における素
子の抵抗値Rgとフレオン−22を含有しない普通
の空気中における素子の抵抗値Roをそれぞれ測
定し、Ro／Rgの値を感度とした。この値が大き
いほど感度は大きいことになる。 応答速度は、感ガス素子を普通の空気中から急
激にフレオン−22を500ppm含有する空気中にさ
らしたときに、素子の抵抗値がRoから0.9Rgまで
変化するのに要する時間として測定した。
【表】
上表の結果から、本発明の方法により製造され
た感ガス素子の触媒層は、従来のものにくらべは
るかに強靭であることがわかる。本発明方法によ
る素子は、触媒層の剥離程度が著しく小さい感度
も安定している。なお、比較例は、落下によつて
応答速度が速くなる測定結果が得られたが、これ
は触媒層にクラツクが生じたために、ガスのガス
感応体への拡散が速まつたためと考えられる。実
施例は、応答速度の点でも安定しており、全体に
耐衝撃性は比較例よりもはるかに優れている。
た感ガス素子の触媒層は、従来のものにくらべは
るかに強靭であることがわかる。本発明方法によ
る素子は、触媒層の剥離程度が著しく小さい感度
も安定している。なお、比較例は、落下によつて
応答速度が速くなる測定結果が得られたが、これ
は触媒層にクラツクが生じたために、ガスのガス
感応体への拡散が速まつたためと考えられる。実
施例は、応答速度の点でも安定しており、全体に
耐衝撃性は比較例よりもはるかに優れている。
第１図は本発明に係る感ガス素子の断面図、第
２図は本発明に係る感ガス素子を用いた装置例を
示す斜視図、第３図は本発明に係る感ガス素子の
触媒層表面の電子顕微鏡写真（倍率1000倍）、そ
して第４図は比較例に係る触媒層表面の電子顕微
鏡写真（倍率1000倍）である。 １……円筒状絶縁基体、２……電極、３……ガ
ス感応体、４……触媒層。
２図は本発明に係る感ガス素子を用いた装置例を
示す斜視図、第３図は本発明に係る感ガス素子の
触媒層表面の電子顕微鏡写真（倍率1000倍）、そ
して第４図は比較例に係る触媒層表面の電子顕微
鏡写真（倍率1000倍）である。 １……円筒状絶縁基体、２……電極、３……ガ
ス感応体、４……触媒層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 金属酸化物半導体から成り一対の電極を備え
たガス感応体と、前記ガス感応体の外周面上に設
けられた１又は２以上の触媒層とを具備する感ガ
ス素子の製造方法において、前記触媒層を形成す
るに当り、触媒粉末にセルロース系有機バインダ
ー及び溶媒を加えて成る泥漿を、前記ガス感応体
の外周面上に塗布後焼成することを特徴とする感
ガス素子の製造方法。 ２ 特許請求の範囲第１項記載において、セルロ
ース系有機バインダーがメチルセルロース、エチ
ルセルロース、酢酸セルロースから選ばれた少な
くとも１種であり、溶媒が水、メタノール、エタ
ノール、ブタノール、から選ばれた少なくとも１
種である感ガス素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3876381A JPS57154042A (en) | 1981-03-19 | 1981-03-19 | Manufacture of gas sensitive element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3876381A JPS57154042A (en) | 1981-03-19 | 1981-03-19 | Manufacture of gas sensitive element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57154042A JPS57154042A (en) | 1982-09-22 |
| JPS6151259B2 true JPS6151259B2 (ja) | 1986-11-07 |
Family
ID=12534316
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3876381A Granted JPS57154042A (en) | 1981-03-19 | 1981-03-19 | Manufacture of gas sensitive element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57154042A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990054776A (ko) * | 1997-12-26 | 1999-07-15 | 조희재 | 가스센서의 촉매물질 도포방법 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5395097A (en) * | 1977-01-31 | 1978-08-19 | Toshiba Corp | Gas-sensitive element |
-
1981
- 1981-03-19 JP JP3876381A patent/JPS57154042A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57154042A (en) | 1982-09-22 |
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