JPS6155773B2 - - Google Patents

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JPS6155773B2
JPS6155773B2 JP54092581A JP9258179A JPS6155773B2 JP S6155773 B2 JPS6155773 B2 JP S6155773B2 JP 54092581 A JP54092581 A JP 54092581A JP 9258179 A JP9258179 A JP 9258179A JP S6155773 B2 JPS6155773 B2 JP S6155773B2
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JP
Japan
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light emitting
die pad
wiring layer
emitting diode
metal wiring
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JP54092581A
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English (en)
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JPS5618480A (en
Inventor
Osamu Ichikawa
Tetsuo Sadamasa
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Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPS6155773B2 publication Critical patent/JPS6155773B2/ja
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Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は発光ダイオード(LED)を用いた
デイスプレイ装置の製造方法に関する。
デイスプレイ装置には液晶、プラズマ、エレク
トロルミネツセンス、LED等を用いたものがあ
り、電子計算機等から出た電気信号を可視光に変
換して機械から人間への情報伝達をなすものであ
る。
ここで用いる用語“デイスプレイ”又は“表
示”は一単位光源(1ドツド)又は複数ドツドが
同一平面上に配置され光源あるいは所望のパタン
を表示するように動作するものであり、特に複数
ドツドが用いられて英数字や漢字のパタン又は特
殊な記号を含むパタン、絵やグラフイツクなどの
連続的パタンを作り出すにはドツド間隔を出来る
だけ接近して配置し個々のドツドへ選択的な電気
信号を送り駆動する方法が一般的に採用される。
更にくわしくのべると、この電気信号はその駆動
回路により高速に操作されるので個々のドツドは
極めて短かいパルスで一時的に駆動され発光する
ものであつても人間の目に残像性質があるのでく
り返し信号を送ることによつて静止した画像や文
字に見えるものである。更に従来この種のデイス
プレイ装置の有用性を高めるため同一平面上に配
置された1ドツド又は複数ドツドから多色の光を
発光する仕組みをもたせて同時間表示の中でより
多くの情報をもたらすことの出来るデイスプレイ
装置が望まれこの要求を解決する手段として特に
LEDを用いたデイスプレイは応答速度や明るさ
の点、更に多色表示が可能であるなどが上記した
他の方式に比べ優れているので近年かなり有望視
され始めた。しかしながらLEDを用いたデイス
プレイ装置の製造作業は基板上に載置するLED
ペレツトの数や密度が増すにつれて困難度が急増
してしまい例えば第1図や第2図に示すような欠
点が生じた。すなわち図面を用いて説明すれば第
1図に於いて絶縁基板(図示せず)上にx1,x2
の行となる第1の金属配線層12a,12bを形
成しこの上から基板上に中間の絶縁層(図示せ
ず)を第1の金属配線12a,12bの所定部に
開孔101a,102a,103a,101b,
102b,103b、して設け中間絶縁層を介し
てy1,y2,y3の列を構成する第2の金属配線14
a,14b,14c,14d,14e,14fが
形成される。次に開孔101a,102a,10
3a,101h,102b,102c、のそれぞ
れに適量の銀ペーストを滴下しおよそ5800Åのピ
ーク波長を発光する第1のLEDペレツト151
Ga,152Ga,153Ga,151Gb,152
Gb,153Gbと、およそ7000Åのピーク波長を
発光する第2のLEDペレツト151Ra,152
Ra,153Ra,151Rb,152Rb,153
Rbとを開孔におのおの単数ずつ載置する。しか
しながら載置されたLEDペレツトはx軸とy軸
との交点を中心にして例えばx1とy1で交わる開孔
内のLEDペレツト151Gaおよび151RGの如
く交点を中心に双方のペレツト間隔をおよそ50ミ
クロンの幅をもつて載置するのが正しいが他の開
孔内のLEDペレツト配置は中心からずれたりペ
レツトが回転したりしているので字や絵をデイス
プレイしたとき明るさく形のバランスがくずれて
しまう欠点を生じた。
又、第2図では第1の金属配線層22の所定部
にペレツト26a,26b,26cを落し込む
際、更に各々のLEDペレツトの位置を修整する
際に押し上げられたり、はみ出したりする銀ペー
スト25が中間の絶縁層23上に設けられた第2
の金属配線層24へ接触してダイオードマトリツ
クアレイの配線シヨート201および202を発
生させた。
更に従来このような欠点を補うためダイパツド
部に滴下する銀ペーストの量をへらして行なえば
マウント強度が低下しワイヤボンデイングの際に
ペレツトがはがれてしまう結果をまねいた。
本発明はこのような欠点を解決するに鑑みなさ
れたもので、あらかじめLED搭載基板のダイパ
ツド部を除く基板全域にドライフイルム系のホト
レジストを形成しておき、熱硬化性導電性接着剤
の塗布、ペレツトの位置合せを行なうことによつ
て従来起つた位置合せ不良や配線間の短絡をなく
すことが出来る方法を提供するものである。
以下本発明の実施例を第3図a〜fを用いて説
明する。
第3図a〜fを順追つて説明すればアルミナ等
のセラミツク基板31上に厚膜印刷技術に依りお
よそ20ミクロンの第1の金属配線層32を形成す
る。次に、LEDペレツトを載置するダイパツド
部分を除く基板表面上に印刷し焼成しておよそ50
ミクロンの絶縁層33を形成する。更に所望のパ
タンとなるおよそ10ミクロンの第2の金属配線層
34を印刷して形成する(第3図a)。
次に、上記基板表面一体にドライフイルムのホ
トレジスト例えばデユポン社のリストンをおよそ
90℃、1Kg/cm2の条件をもつラミネータによりは
り付け、写真技術によりダイエレ部分の上記ホト
レジスト膜を除去し、所望の開孔パタンをもつド
ライフイルム39を形成する(第3図b)。
次に導電性熱硬化性接着剤例えば銀ペースト3
5をドライフイルムの開孔されたダイパツド部分
へ0.005〜0.02mg程度滴下する(第3図c)。
次に銀ペーストが形成されたダイパツドへ例え
ば縦0.3mm、横0.3mm、高さ0.3mmの大きさのLED
ペレツト36a,36bをドライフイルム開孔を
補助として落し込み位置合せする。そして約150
℃のオーブンで約60分の熱処理を施こす(第3図
d)。
次に所定のLEDペレツトをマウントし熱処理
を施こした基板を有機溶剤例えばジクロルメタン
に浸しドライフイルムを剥離する。そしてトリク
レンやアルコール、アセトン等を用いて基板表面
上の洗浄を行なう(第3図e)。
最後にボンデイング装置でおよそ50ミクロンの
Auワイヤ38でLEDペレツト上のアノード電極
37a,37bと第2の金属配線層34へ接続ボ
ンデイングをする(第3図f)。
以上のべた製造方法によれば製造上の不良を極
めて少なくすることが可能となり従つて低値で歩
留りを向上させることができペレツトの数が多く
なるにつれてその効果は大きい。
なお上記実施例のダイパツド部に導電性ペース
トを塗布する方法は、個々のダイパツド部へ適量
のペーストを滴下することにかぎらず、上記した
ドライフイルム表面上一体に導電性ペーストを塗
布しスキージで基板表面を押すように印刷で行な
つても良い。
またドライフイルム開孔の大きさは、LEDペ
レツトの大きさよりもやや大きい寸法であること
が望ましく、上記ペレツトの大きさ(0.3mm、0.3
mm、0.3mm)にあつては、フイルムの厚さ50〜100
ミクロンで長さ幅とも0.35〜0.4mmが適当であ
る。
さらに、1ドツド内に複数個のLEDペレツト
を載置する場合にはペレツトの配置に応じて長さ
幅を変えるがペレツトの大きさより0.05〜0.1mm
程度大きい面積の開孔がよい。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図は従来方法における欠点を
説明するための平面図および断面図、第3図a〜
fは本発明における製造方法の一実施例を説明す
るための工程断面図である。 21,31……絶縁基板、22,32,12
a,12b……第1の金属配線層、101a,1
01b,102a,102b,103a,103
b……絶縁層の開孔、151Ga,151Gb,1
52Ga,152Gb,153Ga,153Gb……第
1のピーク波長をもつ発光ダイオード、151
Ra,151Rb,152Ra,152Rb,153
Ra,153Rb……第2のピーク波長をもつ発光
ダイオード、24,34,14a,14b,14
c,14d,14e,14f……第2の金属配線
層、25,35……導電性熱硬化性接着剤、26
a,26b,26c,36a,36b……発光ダ
イオードペレツト、27a,27b,27c,3
7a,37b……ペレツト上の電極、28,38
……Auワイヤ、39……ドライフイルム系フオ
トレジスト、201,202……銀ペーストによ
る配線間シヨートの欠陥部。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 絶縁基板上に第1の金属配線層を形成、この
    第1の金属配線層の所定部にダイパツドを設けこ
    のダイパツド部上に単数又は複数の発光ダイオー
    ドペレツトを載置固定して一発光単位となるドツ
    ドを形成し、このドツドを同一平面上に行および
    列状に複数個配置してなる発光ダイオード型のデ
    イスプレイ装置の製造方法において、 (1) 前記第1の金属配線層のダイパツド部を除き
    第2の金属配線層を含む基板全域にドライフイ
    ルム系のフオトレジスト膜を形成する工程と、 (2) ダイパツド部の個々に熱硬化性導電接着剤を
    塗布する工程と、 (3) 前記導電接着材が塗布されたダイパツド部に
    発光ダイオードペレツトを載置しドライフイル
    ム―フオトレジスト開孔の側壁に沿つて発光ダ
    イオードペレツトの位置を合せる工程と、 (4) 120〜160℃の温度で熱処理し前記導電接着剤
    を硬化しダイパツド部に載置された発光ダイオ
    ードペレツトを機械的および電気的に接続する
    工程と、 (5) 前記ドライフイルム系のフオトレジスト膜を
    除去する工程と、 (6) 前記発光ダイオードペレツトの電極と、前記
    第1の金属配線層上に絶縁層を介して設けられ
    た前記第2の金属配線層とをワイヤボンデイン
    グ接続する工程とからなるデイスプレイ装置の
    製造方法。
JP9258179A 1979-07-23 1979-07-23 Manufacture of display device Granted JPS5618480A (en)

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JP9258179A JPS5618480A (en) 1979-07-23 1979-07-23 Manufacture of display device

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JP9258179A JPS5618480A (en) 1979-07-23 1979-07-23 Manufacture of display device

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JPS5618480A JPS5618480A (en) 1981-02-21
JPS6155773B2 true JPS6155773B2 (ja) 1986-11-29

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS5844726A (ja) * 1981-09-11 1983-03-15 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> ゲッタリング方法
JP2531636B2 (ja) * 1986-08-18 1996-09-04 ロ−ム株式会社 サ−マルヘツド
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JPS51126068A (en) * 1975-04-25 1976-11-02 Hitachi Ltd Manufacturing method of semi-conductor equipment

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