JPS6157625B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6157625B2 JPS6157625B2 JP1885880A JP1885880A JPS6157625B2 JP S6157625 B2 JPS6157625 B2 JP S6157625B2 JP 1885880 A JP1885880 A JP 1885880A JP 1885880 A JP1885880 A JP 1885880A JP S6157625 B2 JPS6157625 B2 JP S6157625B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- mask
- substance
- defects
- coating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 23
- 239000006023 eutectic alloy Substances 0.000 claims description 11
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 4
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は写真製版技術（Photolithography）
などに用いるマスクのパターン欠陥の修正方法に
関するものである。
などに用いるマスクのパターン欠陥の修正方法に
関するものである。
第１図はマスクの一例の欠陥部を拡大して示す
平面図、第２図は第１図の−線での断面図で
ある。図において、１はガラス基板、２はガラス
基板１の上に金属薄膜などで所望形状に形成され
たパターン、３はそのパターン２の一部に発生し
た欠陥（金属薄膜の欠落）部である。このような
欠陥部３が存在したままではマスクとしての機能
を損うので、上記欠陥部３を不透明物質で補填修
正する方法がとられている。
平面図、第２図は第１図の−線での断面図で
ある。図において、１はガラス基板、２はガラス
基板１の上に金属薄膜などで所望形状に形成され
たパターン、３はそのパターン２の一部に発生し
た欠陥（金属薄膜の欠落）部である。このような
欠陥部３が存在したままではマスクとしての機能
を損うので、上記欠陥部３を不透明物質で補填修
正する方法がとられている。
第３図は従来方法によるマスクのパターン欠陥
の修正状況を示す断面図で、例えば「竹ひご」の
ような先端の細い工具４を用いて不透明樹脂〔例
えば「オペーク」という商品名で市販されてい
る〕５を欠陥部３へ直接附着させる。この樹脂５
は基板１に対して適当な接着強度を有し、また光
の散乱性およびしや光性を有しているので、欠陥
のない金属薄膜部分と同様のマスク機能を保持さ
せることができる。
の修正状況を示す断面図で、例えば「竹ひご」の
ような先端の細い工具４を用いて不透明樹脂〔例
えば「オペーク」という商品名で市販されてい
る〕５を欠陥部３へ直接附着させる。この樹脂５
は基板１に対して適当な接着強度を有し、また光
の散乱性およびしや光性を有しているので、欠陥
のない金属薄膜部分と同様のマスク機能を保持さ
せることができる。
しかし、上述の従来の修正方法では修正が手作
業で行われ、しかも修正可能な最小面積が樹脂塗
布工具４の先端の断面積で制約を受け微細なパタ
ーン欠陥の修正は極めて困難であつた。更に、こ
のような方法で修正されたマスクは、マスクの洗
浄のたびに修正部分の樹脂が溶出または剥離し易
く、再び上述の修正作業を繰り返さなければなら
ないという欠点があつた。
業で行われ、しかも修正可能な最小面積が樹脂塗
布工具４の先端の断面積で制約を受け微細なパタ
ーン欠陥の修正は極めて困難であつた。更に、こ
のような方法で修正されたマスクは、マスクの洗
浄のたびに修正部分の樹脂が溶出または剥離し易
く、再び上述の修正作業を繰り返さなければなら
ないという欠点があつた。
この発明は洗浄などによつて溶出し、または基
板から剥離することのない欠陥部分補填物質をレ
ーザビームなどの照射により局所的に生成させる
ことによつて、従来のような欠点のない微少面積
のパターン欠陥の修正方法を提供することを目的
としている。
板から剥離することのない欠陥部分補填物質をレ
ーザビームなどの照射により局所的に生成させる
ことによつて、従来のような欠点のない微少面積
のパターン欠陥の修正方法を提供することを目的
としている。
第４図Ａ〜Ｄはこの発明の一実施例の各工程段
階における状況を示す断面図で、従来例と同等部
分は同一符号で示しその説明を省略する。この実
施例ではまず、第４図Ａに示すように例えばクロ
ムCrなどの金属薄膜からなるパターン２の上に
金Auなどの金属層６を形成する。次いで第４図
Ｂに示すようにパターン２上の金属層６の表面上
を含めてガラス基板１上全面に真空蒸着法、プラ
ズマCVD法、スパツタリング法などによつて300
℃以下の比較的低温の状態で多結晶シリコン層７
を0.1〜1.0μｍ程度の厚さに被着させる。つづい
て、第４図Ｃに示すように、パターン欠陥部３の
存在している部分に多結晶シリコン層７の上から
図に破線矢印Ｌで示すように高密度レーザビーム
を５μｍ以下の径に収束させて照射し、これによ
つて局所的に金・シリコンの共晶点以上の温度に
昇温させ、パターン欠陥部３内に共晶合金部８を
形成する。このときガラス基板１と共晶合金部８
との接着強度は上記レーザビームの照射による昇
温で大きくなつている。そして、パターン欠陥部
３以外の合金化していない不必要な多結晶シリコ
ン層７を除去すれば、第４図Ｄに示すようにパタ
ーン欠陥の修正された所望のマスクパターンが得
られる。この多結晶シリコン層７の除去は例えば
ガスプラズマによればよく、共晶合金部８は除去
速度が低下しているので、パターン欠陥部３を補
填した共晶合金部８だけが残り、微細なパターン
欠陥の修正が可能となる。
階における状況を示す断面図で、従来例と同等部
分は同一符号で示しその説明を省略する。この実
施例ではまず、第４図Ａに示すように例えばクロ
ムCrなどの金属薄膜からなるパターン２の上に
金Auなどの金属層６を形成する。次いで第４図
Ｂに示すようにパターン２上の金属層６の表面上
を含めてガラス基板１上全面に真空蒸着法、プラ
ズマCVD法、スパツタリング法などによつて300
℃以下の比較的低温の状態で多結晶シリコン層７
を0.1〜1.0μｍ程度の厚さに被着させる。つづい
て、第４図Ｃに示すように、パターン欠陥部３の
存在している部分に多結晶シリコン層７の上から
図に破線矢印Ｌで示すように高密度レーザビーム
を５μｍ以下の径に収束させて照射し、これによ
つて局所的に金・シリコンの共晶点以上の温度に
昇温させ、パターン欠陥部３内に共晶合金部８を
形成する。このときガラス基板１と共晶合金部８
との接着強度は上記レーザビームの照射による昇
温で大きくなつている。そして、パターン欠陥部
３以外の合金化していない不必要な多結晶シリコ
ン層７を除去すれば、第４図Ｄに示すようにパタ
ーン欠陥の修正された所望のマスクパターンが得
られる。この多結晶シリコン層７の除去は例えば
ガスプラズマによればよく、共晶合金部８は除去
速度が低下しているので、パターン欠陥部３を補
填した共晶合金部８だけが残り、微細なパターン
欠陥の修正が可能となる。
上記実施例では、パターン欠陥部３を埋めるの
に多結晶シリコン層７を用いたが、マスクのパタ
ーンを構成する材料またはその上に被着された材
料（実施例ではＡu）との共晶点以下の温度で被
着できて、レーザビームなどの高密度エネルギー
ビームの照射によつて加熱され共晶合金化し、し
かも合金前よりもエツチング速度が低下するよう
な物質であればよい。また実施例では照射ビーム
にレーザビームを用いたが高密度エネルギーが得
られるビームであればレーザビームに限るもので
はない。更に、マスクパターン２にＣrを用いそ
の上にＡuを被着した例を示したが上述のように
パターン欠陥部３を埋める物質との関連におい
て、これ限定されるものではない。
に多結晶シリコン層７を用いたが、マスクのパタ
ーンを構成する材料またはその上に被着された材
料（実施例ではＡu）との共晶点以下の温度で被
着できて、レーザビームなどの高密度エネルギー
ビームの照射によつて加熱され共晶合金化し、し
かも合金前よりもエツチング速度が低下するよう
な物質であればよい。また実施例では照射ビーム
にレーザビームを用いたが高密度エネルギーが得
られるビームであればレーザビームに限るもので
はない。更に、マスクパターン２にＣrを用いそ
の上にＡuを被着した例を示したが上述のように
パターン欠陥部３を埋める物質との関連におい
て、これ限定されるものではない。
以上詳述したように、この発明ではマスクパタ
ーンを構成する遮光部材上にそのパターン欠落欠
陥内をも含めて、上記遮光部材の少なくとも表面
部を構成する第１の物質と所定温度で共晶合金を
形成する第２の物質からなる被覆層を形成し、上
記パターンの欠落欠陥部位の上記被覆層に高密度
エネルギーのビームを照射して当該部位の上記被
覆層に高密度エネルギーのビームを照射して当該
部位を昇温させて上記共晶合金を生成させてパタ
ーンの欠陥を修正するので、照射ビームは充分細
く集束でき、微細パターンの欠陥修正も可能で、
照射の位置ぎめも機械操作で精密に行なうことが
でき、修正箇所は共晶合金であるからマスクの洗
浄に対しても充分な耐性を有している。
ーンを構成する遮光部材上にそのパターン欠落欠
陥内をも含めて、上記遮光部材の少なくとも表面
部を構成する第１の物質と所定温度で共晶合金を
形成する第２の物質からなる被覆層を形成し、上
記パターンの欠落欠陥部位の上記被覆層に高密度
エネルギーのビームを照射して当該部位の上記被
覆層に高密度エネルギーのビームを照射して当該
部位を昇温させて上記共晶合金を生成させてパタ
ーンの欠陥を修正するので、照射ビームは充分細
く集束でき、微細パターンの欠陥修正も可能で、
照射の位置ぎめも機械操作で精密に行なうことが
でき、修正箇所は共晶合金であるからマスクの洗
浄に対しても充分な耐性を有している。
第１図はマスクの一例のパターン欠陥部を拡大
して示す平面図、第２図は第１図の−線での
断面図、第３図は従来方法によるマスクのパター
ン欠陥の修正状況を示す断面図、第４図Ａ〜Ｄは
この発明の一実施例の各工程段階における状況を
示す断面図である。 図において、１はガラス（透明）基板、２はパ
ターン、３は欠陥部、６は金属（第１の物質）
層、７は多結晶シリコン層（被覆層）、８は共晶
合金部である。なお、図中同一符号は同一または
相当部分を示す。
して示す平面図、第２図は第１図の−線での
断面図、第３図は従来方法によるマスクのパター
ン欠陥の修正状況を示す断面図、第４図Ａ〜Ｄは
この発明の一実施例の各工程段階における状況を
示す断面図である。 図において、１はガラス（透明）基板、２はパ
ターン、３は欠陥部、６は金属（第１の物質）
層、７は多結晶シリコン層（被覆層）、８は共晶
合金部である。なお、図中同一符号は同一または
相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 透明基板上に形成され欠落欠陥のあるマスク
パターンを構成する遮光部材の上に上記欠落欠陥
内を含めて、上記遮光部材の少なくとも表面部を
構成する第１の物質と所定温度において共晶合金
を形成する第２の物質からなる被覆層を上記所定
温度以下で形成する第１の工程、上記マスクパタ
ーンの欠落欠陥部位の上記被覆層に高密度エネル
ギーのビームを照射し当該部位を上記所定温度以
上に昇温させて上記共晶合金を生成させる第２の
工程、および上記共晶合金化した部位以外の上記
被覆層を除去する第３の工程を備えたマスクのパ
ターン欠陥修正方法。 ２ 高密度エネルギーのビームに集束されたレー
ザビームを用いることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載のマスクのパターン欠陥修正方法。 ３ 第１の物質に金、第２の物質に多結晶シリコ
ンを用いることを特徴とする特許請求の範囲第１
項または第２項記載のマスクのパターン欠陥修正
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1885880A JPS56114951A (en) | 1980-02-18 | 1980-02-18 | Method for correcting mask pattern defect |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1885880A JPS56114951A (en) | 1980-02-18 | 1980-02-18 | Method for correcting mask pattern defect |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56114951A JPS56114951A (en) | 1981-09-09 |
| JPS6157625B2 true JPS6157625B2 (ja) | 1986-12-08 |
Family
ID=11983231
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1885880A Granted JPS56114951A (en) | 1980-02-18 | 1980-02-18 | Method for correcting mask pattern defect |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56114951A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2803259B2 (ja) * | 1989-12-12 | 1998-09-24 | 三菱電機株式会社 | マスクのパターン欠け欠陥の修正方法 |
| JP2009251119A (ja) * | 2008-04-02 | 2009-10-29 | Ntn Corp | 転写部材 |
-
1980
- 1980-02-18 JP JP1885880A patent/JPS56114951A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56114951A (en) | 1981-09-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4636403A (en) | Method of repairing a defective photomask | |
| JPS6157625B2 (ja) | ||
| US4454209A (en) | High resolution soft x-ray or ion beam lithographic mask | |
| JPS62263973A (ja) | 金属薄膜とその製造方法 | |
| JPS6142261B2 (ja) | ||
| JP2675044B2 (ja) | Ｘ線露光用マスクの製造方法 | |
| JP2803259B2 (ja) | マスクのパターン欠け欠陥の修正方法 | |
| GB2089524A (en) | High Resolution Lithographic Progress | |
| US4557986A (en) | High resolution lithographic process | |
| JPS60235422A (ja) | マスクパタ−ンの欠陥修正方法 | |
| US5534371A (en) | Repaired apertured laser metal mask | |
| JPH02115842A (ja) | ホトマスク欠陥の修正方法 | |
| US5536605A (en) | Method of repairing apertured laser metal mask | |
| JPS61173250A (ja) | フオトマスク材料 | |
| JPS5919322A (ja) | クロムマスクの修正方法 | |
| JP2504995B2 (ja) | パタ−ン欠陥修正装置 | |
| JPS5825231A (ja) | 電子線露光によるマスク製造方法 | |
| CN118322672A (zh) | 部件及其制造方法 | |
| JPS5856422A (ja) | パタ−ン形成法 | |
| JP2625107B2 (ja) | 露光用マスクの製造方法 | |
| JPH0646298B2 (ja) | フォトマスク製造方法 | |
| JPS6057927A (ja) | 欠陥修正方法 | |
| JPS61198722A (ja) | Ｘ線露光マスク及びその製造方法 | |
| JPS63218959A (ja) | ホトマスクパタ−ンの修正方法 | |
| JPH0363734B2 (ja) |