JPS5825231A - 電子線露光によるマスク製造方法 - Google Patents
電子線露光によるマスク製造方法Info
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- JPS5825231A JPS5825231A JP56116215A JP11621581A JPS5825231A JP S5825231 A JPS5825231 A JP S5825231A JP 56116215 A JP56116215 A JP 56116215A JP 11621581 A JP11621581 A JP 11621581A JP S5825231 A JPS5825231 A JP S5825231A
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- Japan
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- mask
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は例えば大規模集積回路の製作のため６ζ使用さ
れるマスクを電子線露光を利用して精度良く短時間に製
造するための方法−こ関する。
れるマスクを電子線露光を利用して精度良く短時間に製
造するための方法−こ関する。
電子線露光を利用してマスクを製造する場合、まずガラ
ス基板に例えばクロムを蒸着してマスクブランク材料管
形成し、該マスクブランク材料に電子線感光材料を塗布
した後、所望図形の電子線露光を行っている。該露光後
、現偉、エツチング、感光材料の除去の各処理を行うこ
と６仁よって所望図形のマスクを得ることができる。こ
のようなマスク製造過程にＴｈいて感光材料あるいはク
ロム上置とゴミが付着すると、このゴミ付着部分にエツ
チング処理によってもクロムがガラス基板から完全に除
去されず、マスクの欠陥部分とたる、このため従来では
製造されたマスクを光学顕微鏡６【よって観察して欠陥
部分ｔ１！、出し、該欠陥部分ｇζレーザ光を照射して
クロムを蒸発させており、この作業に多大な時間を資し
ていた。
ス基板に例えばクロムを蒸着してマスクブランク材料管
形成し、該マスクブランク材料に電子線感光材料を塗布
した後、所望図形の電子線露光を行っている。該露光後
、現偉、エツチング、感光材料の除去の各処理を行うこ
と６仁よって所望図形のマスクを得ることができる。こ
のようなマスク製造過程にＴｈいて感光材料あるいはク
ロム上置とゴミが付着すると、このゴミ付着部分にエツ
チング処理によってもクロムがガラス基板から完全に除
去されず、マスクの欠陥部分とたる、このため従来では
製造されたマスクを光学顕微鏡６【よって観察して欠陥
部分ｔ１！、出し、該欠陥部分ｇζレーザ光を照射して
クロムを蒸発させており、この作業に多大な時間を資し
ていた。
本発明は上述した点に鑑みてなされたもので、マスクブ
ランク材料に電子線感光材料を塗布したｖｋ、電子線１
ζよって所望図形の第１回目の露光を行い、現偉、エツ
チング、感光材料除去の各処理を行った後、該マスク材
料に再び電子線感光材料を塗布し、電子線区こよって前
記所望図形の！Ｉ２回目の露光を行い、現像、エツチン
グ、感光材料除去の各処理“を行うようにしており、短
時間に欠陥のない純度の良％ｆｈマスクを製造すること
ができる電子線露光によるマスク製造方法を提供する。
ランク材料に電子線感光材料を塗布したｖｋ、電子線１
ζよって所望図形の第１回目の露光を行い、現偉、エツ
チング、感光材料除去の各処理を行った後、該マスク材
料に再び電子線感光材料を塗布し、電子線区こよって前
記所望図形の！Ｉ２回目の露光を行い、現像、エツチン
グ、感光材料除去の各処理“を行うようにしており、短
時間に欠陥のない純度の良％ｆｈマスクを製造すること
ができる電子線露光によるマスク製造方法を提供する。
以下本発明の一実施例を添付図面Ｉ【基づき詳説する。
添付図面のム〜には本発明−と基づくマスク製造方法の
工Ｉｍを示してかり、ムは表面に例えばりａム２が蒸着
されたガラス基板１より成るマスクブランク材料を示し
ている。まずこのマスク材料にはポジ型の電子線感光材
料３が塗布されるがＣＢ）、例えばこの工Ｓにおいて感
光材料表面６とはゴミ翳が付着している。該感光材料６
が塗布されたマスク材料は任意の電子線露光装置内に配
置され、Ｃ１ζ示す如く感光材料上ｉζ電子！１４が照
射されて所望図形の露光が行われる。鎗露光が終了後材
料の現像を行うと、電子線が照射された部分の感光材料
は取り除かれるが、ゴｆｄ、が付着した部分の感光材料
は実質・的−ζ電子線Ｉζよって感光されておらず、現
像処理によっても、七りまｔマスク材料上に残っている
（Ｄ）。尚ｄ、はこの現像処理の遇糧で新たに付着した
ゴミである。該現像処理の後、材料はエツチング処理さ
れ（１）ｈこの処理Ｃζよって感光材料の無い部分のク
ロムはガラス基板１から除去される。この時ゴミｄ２が
付着している部分のりａムは除去されず残っている。該
エツチング処理の後、感光材料３はマスク材料から除去
されるが（Ｆ）、ここまでの工程は従来のマスク製造方
法と同等であり、ゴミが付着したこと−ζよるクロム残
としての欠陥部分ｐ、、ｐ、が存在する。
工Ｉｍを示してかり、ムは表面に例えばりａム２が蒸着
されたガラス基板１より成るマスクブランク材料を示し
ている。まずこのマスク材料にはポジ型の電子線感光材
料３が塗布されるがＣＢ）、例えばこの工Ｓにおいて感
光材料表面６とはゴミ翳が付着している。該感光材料６
が塗布されたマスク材料は任意の電子線露光装置内に配
置され、Ｃ１ζ示す如く感光材料上ｉζ電子！１４が照
射されて所望図形の露光が行われる。鎗露光が終了後材
料の現像を行うと、電子線が照射された部分の感光材料
は取り除かれるが、ゴｆｄ、が付着した部分の感光材料
は実質・的−ζ電子線Ｉζよって感光されておらず、現
像処理によっても、七りまｔマスク材料上に残っている
（Ｄ）。尚ｄ、はこの現像処理の遇糧で新たに付着した
ゴミである。該現像処理の後、材料はエツチング処理さ
れ（１）ｈこの処理Ｃζよって感光材料の無い部分のク
ロムはガラス基板１から除去される。この時ゴミｄ２が
付着している部分のりａムは除去されず残っている。該
エツチング処理の後、感光材料３はマスク材料から除去
されるが（Ｆ）、ここまでの工程は従来のマスク製造方
法と同等であり、ゴミが付着したこと−ζよるクロム残
としての欠陥部分ｐ、、ｐ、が存在する。
本発明Ｅおいては工程１によって製作されたマスク材料
に再度Ｇに示す如く電子線感光材料６が塗布される。尚
図中ａ、は新たＩ【付着したゴ２である。該感光材料が
塗布された材料は再び電子線露光装置内に配置され、工
程Ｃにおける露光と同一の図形の露光が行われる（Ｈ）
、該露光処理の後、現像処理（Ｘ）、エツチング処理（
コ）、感光材料の除去処理（［）が行われ、この結果製
造されたマスクは１に示す欠陥部分ｐｍ、 ｐ、が除去
された精度の良−ものとなる。
に再度Ｇに示す如く電子線感光材料６が塗布される。尚
図中ａ、は新たＩ【付着したゴ２である。該感光材料が
塗布された材料は再び電子線露光装置内に配置され、工
程Ｃにおける露光と同一の図形の露光が行われる（Ｈ）
、該露光処理の後、現像処理（Ｘ）、エツチング処理（
コ）、感光材料の除去処理（［）が行われ、この結果製
造されたマスクは１に示す欠陥部分ｐｍ、 ｐ、が除去
された精度の良−ものとなる。
このよう−こ本発明においては、同一マスク材料に対し
て露光、現偉、エツチング等の処理１に２回行うよう＋
ｃ ｌ、τｓＰシ、２回の工程を通じて全（同じ場所に
ゴミが付着することはほとんど無いため、例えば、１回
目の処理工程で生じた欠陥部分は２回目の工程でエツチ
ングされて除去され、２回目の処理工程でエツチングす
べき部分にプζが付着しても、その部分のクロムは１回
目にエツチングされて無ｉため、新たＣζ２ａ目の処理
工程で欠陥が発生することは無−０尚本発明にＴｈ−で
は第１回と第２回の処理工程ｌζお−て同一図形の露光
を精密に重ね合わせて行わなければなら＆いが、この重
ね合せ露光は第１回目の処理工Ｓにか−で材料の任意の
部分に任意のマーりを形成し、第２回目の露光をこのマ
ークを基準にして行うようにすれば良い、又このマーク
の代すに通常マスク基板−ζ設けであるスクライブライ
ン管利用しても良い。
て露光、現偉、エツチング等の処理１に２回行うよう＋
ｃ ｌ、τｓＰシ、２回の工程を通じて全（同じ場所に
ゴミが付着することはほとんど無いため、例えば、１回
目の処理工程で生じた欠陥部分は２回目の工程でエツチ
ングされて除去され、２回目の処理工程でエツチングす
べき部分にプζが付着しても、その部分のクロムは１回
目にエツチングされて無ｉため、新たＣζ２ａ目の処理
工程で欠陥が発生することは無−０尚本発明にＴｈ−で
は第１回と第２回の処理工程ｌζお−て同一図形の露光
を精密に重ね合わせて行わなければなら＆いが、この重
ね合せ露光は第１回目の処理工Ｓにか−で材料の任意の
部分に任意のマーりを形成し、第２回目の露光をこのマ
ークを基準にして行うようにすれば良い、又このマーク
の代すに通常マスク基板−ζ設けであるスクライブライ
ン管利用しても良い。
以上本発明を詳述したが本発明はマスク材料の露光、現
像、エツチング等の処理ｔ２回行う簡単な工程により、
欠陥部分の極めて少いマスクｔＩｌ造することができ、
従来のレーず６ζよって欠陥部分を取り除く方法に比べ
短時間に精度の良いマスクを製造することができる。尚
上述した実施例で−は感光材料としてポジ型を利用した
がネガ型の材料を使用しても良い。
像、エツチング等の処理ｔ２回行う簡単な工程により、
欠陥部分の極めて少いマスクｔＩｌ造することができ、
従来のレーず６ζよって欠陥部分を取り除く方法に比べ
短時間に精度の良いマスクを製造することができる。尚
上述した実施例で−は感光材料としてポジ型を利用した
がネガ型の材料を使用しても良い。
添付図面ム〜には本発明の一実株例である１スク製造方
法の工鵬図である。 １ニガラス基板、２ニクロム、３：感光材料、４：電子
線。 特許出願人 Ｂ本電子株式会社 代表者加勢忠雄 手続補正書（方式） 昭和５７年１月２９日 特許庁長官 島１）春樹 殿 １、事件の表示 昭和５６年特許願第１１６２１５号 ２、発明の名称 電子線露光によるマスク製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都昭島市中神町１４１８番地昭和５７年１月
２６日 ５、補正の対象 ６、補正の内容 （１）明細書第３頁第４行目乃至第４頁第１７行目を以
下の通り補正する。 ［添付図面の第１図乃至第１１図は本発明に基づくマス
ク製造方法の工程を示しており、第１図は表面に例えば
クロム２が蒸着されたガラス基板１より成るマスクブラ
ンク材料を示している。まずこのマスク材料にはポジ型
の電子線感光材料３が塗布されるが（第２図）、例えば
この工程におい−て感光材料表面にはゴミｄ１が付着し
ている。該感光材料３が塗布されたマスク材料は任意の
電子線露光装置内に配置され、第３図に示す如（感光材
料上に電子線４が照射されて所望図形の露光が行われる
。該露光が終了後材料の現像を行うと、 １電子線
が照射された部分の感光材料は取除かれるが、ゴミｄ１
が付着した部分の感光材料は実質的に電子線によって感
光されておらず、現像処理によっても、そのままマスク
材料上に残っている ｊ（第４図）。尚ｄ２はこ
の現像処理の過程で新た −に付着したゴミである。 該現像処理後、材料は工 。 ッチング処理され（第５図）、この処理によって感光材
料の無い部分のクロムはガラス基板１から除去される。 この時ゴミｄ２が付着している部分のクロムは除去され
ず残っている。該エツチング処理の後、感光材料３はマ
スク材料から除去されるが（第６図）、ここまでの工程
は従来のマスク製造方法と同等であり、ゴミが付着した
ことによるクロム残としての欠陥部分Ｅｌ＋、ｐｚが存
在する。 本発明においては第６図の工程によって製作されたマス
ク材料に再度第７図に示す如く電子線感光材料３が塗布
される。尚図中ｄ３は新たに付着したゴミである。該感
光材料が塗布された材料は呵び電子線露光装置内に配置
され、第３図に示す工程における露光と同一の図形の露
光が行われる（第８図）。該露光処理の後、現像処理（
第９図）、エツチング処理（第１０図）、感光材料の除
去６理（第１１図）が行われ、この結果製造されたンス
クは第１１図に示す欠陥部分＋１１．Ｄ２が除阪された
精度の良いものとなる。」 （２）明細書第６頁第４行目乃至第５行目を以下の通り
補正する。 ［第１図乃至第１１図は本発明の一実施例であるマスク
製造方法の各工程を示す。」 （３）添付図面を別紙の通り補正する。 以上
法の工鵬図である。 １ニガラス基板、２ニクロム、３：感光材料、４：電子
線。 特許出願人 Ｂ本電子株式会社 代表者加勢忠雄 手続補正書（方式） 昭和５７年１月２９日 特許庁長官 島１）春樹 殿 １、事件の表示 昭和５６年特許願第１１６２１５号 ２、発明の名称 電子線露光によるマスク製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都昭島市中神町１４１８番地昭和５７年１月
２６日 ５、補正の対象 ６、補正の内容 （１）明細書第３頁第４行目乃至第４頁第１７行目を以
下の通り補正する。 ［添付図面の第１図乃至第１１図は本発明に基づくマス
ク製造方法の工程を示しており、第１図は表面に例えば
クロム２が蒸着されたガラス基板１より成るマスクブラ
ンク材料を示している。まずこのマスク材料にはポジ型
の電子線感光材料３が塗布されるが（第２図）、例えば
この工程におい−て感光材料表面にはゴミｄ１が付着し
ている。該感光材料３が塗布されたマスク材料は任意の
電子線露光装置内に配置され、第３図に示す如（感光材
料上に電子線４が照射されて所望図形の露光が行われる
。該露光が終了後材料の現像を行うと、 １電子線
が照射された部分の感光材料は取除かれるが、ゴミｄ１
が付着した部分の感光材料は実質的に電子線によって感
光されておらず、現像処理によっても、そのままマスク
材料上に残っている ｊ（第４図）。尚ｄ２はこ
の現像処理の過程で新た −に付着したゴミである。 該現像処理後、材料は工 。 ッチング処理され（第５図）、この処理によって感光材
料の無い部分のクロムはガラス基板１から除去される。 この時ゴミｄ２が付着している部分のクロムは除去され
ず残っている。該エツチング処理の後、感光材料３はマ
スク材料から除去されるが（第６図）、ここまでの工程
は従来のマスク製造方法と同等であり、ゴミが付着した
ことによるクロム残としての欠陥部分Ｅｌ＋、ｐｚが存
在する。 本発明においては第６図の工程によって製作されたマス
ク材料に再度第７図に示す如く電子線感光材料３が塗布
される。尚図中ｄ３は新たに付着したゴミである。該感
光材料が塗布された材料は呵び電子線露光装置内に配置
され、第３図に示す工程における露光と同一の図形の露
光が行われる（第８図）。該露光処理の後、現像処理（
第９図）、エツチング処理（第１０図）、感光材料の除
去６理（第１１図）が行われ、この結果製造されたンス
クは第１１図に示す欠陥部分＋１１．Ｄ２が除阪された
精度の良いものとなる。」 （２）明細書第６頁第４行目乃至第５行目を以下の通り
補正する。 ［第１図乃至第１１図は本発明の一実施例であるマスク
製造方法の各工程を示す。」 （３）添付図面を別紙の通り補正する。 以上
Claims (1)
- マスクブランク材料−と電子線感光材料を塗布した後、
電子線によって所望図形の第１回目の露光を行い、現僚
、エツチング、感光材料除去の各処理を行った後、該マ
スク材料に再び電子線感光材料を塗布し、電子線によっ
て前記所望図形の第２回目の露光を行Ｉ／１％現像、エ
ツチング、感光材料除去の各処理を行うよう−こした電
子線露光によるマスク製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56116215A JPS5825231A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | 電子線露光によるマスク製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56116215A JPS5825231A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | 電子線露光によるマスク製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5825231A true JPS5825231A (ja) | 1983-02-15 |
| JPH0219965B2 JPH0219965B2 (ja) | 1990-05-07 |
Family
ID=14681678
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56116215A Granted JPS5825231A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | 電子線露光によるマスク製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5825231A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5267988A (en) * | 1975-12-04 | 1977-06-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Throuch-hole formation method |
-
1981
- 1981-07-24 JP JP56116215A patent/JPS5825231A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5267988A (en) * | 1975-12-04 | 1977-06-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Throuch-hole formation method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0219965B2 (ja) | 1990-05-07 |
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