JPS6158268A - 高速半導体装置 - Google Patents

高速半導体装置

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JPS6158268A
JPS6158268A JP59179178A JP17917884A JPS6158268A JP S6158268 A JPS6158268 A JP S6158268A JP 59179178 A JP59179178 A JP 59179178A JP 17917884 A JP17917884 A JP 17917884A JP S6158268 A JPS6158268 A JP S6158268A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ホット・エレクトロン・トランジスタに対し
て超格子（ｓｕｐｅｒ　　１ａｔｔｉｃｅ：ＳＬ）の技
術を応用することに依り得られた高速半導体装置に関す
る。
〔従来の技術〕
ホット・エレクトロン・トランジスタの原理はミード（
Ｃ，Ａ、Ｍｅａｄ　　ＪＡＰ　　３２　６４４　１９６
１）が提案した金属膜と酸化膜とを積層した構造のもの
に依って古くから知られているが半導体装置としては実
用にならなかった。
近年、分子線エビクキシャル成長（ｍｏｌｅｃｕｌａｒ
　　ｂｅａｍ　　ｅｐｉｔａｘｙ：ＭＢＥ）技術が進歩
したこともあって、前記金属膜を例えばｎ型ＧａＡｓ層
に、また、前記酸化膜を例えばＡｌＧａＡｓ層にそれぞ
れ変えたホット・エレクトロン・トランジスタの開発が
盛んである。
第５図はそのようなホット・エレクトロン・トランジス
タの動作時に於けるエネルギ・バンド・ダイヤグラムの
コンダクション・バンドの底を表す線図である。
図に於いて、１はｎ型ＧａＡｓエミッタ層、２はノン・
ドープのＡｊ？ＧａＡｓエミッタ側ポテンシャル・バリ
ヤ層、３はｎ型ＧａＡｓベース層、４はノン・ドープの
Ａｊ！ＧａＡＳコレクタ側ポテンシャル・バリヤ層、５
はｎ型ｃａＡｓコレクタ層、ＥＦｔはエミッタに於ける
擬似フェルミ・レベル、ＥＦＩＩはベースに於ける擬似
フェルミ・レベル、ＥＦｃはコレクタに於ける擬似フェ
ルミ・レベル、ｅはＡβＧａＡｓエミッタ側ポテンシャ
ル・バリヤ層２をトンネリングしたホット・エレクトロ
ン、ΔＥｃばＡ、ｊ！ＧａＡｓとＧａＡｓの伝導帯エネ
ルギ差をそれぞれ示している。
このようなホット・エレクトロン・トランジスタでは、
コレクタ層５とエミッタ層１間にバイアス電圧を印加し
ておき、そして、図示の極性、即ち、ベース層３に（＋
）の、また、エミッタ層１に（＋）の電圧が印加される
とエミッタ側ポテンシャル・バリヤ層２の傾斜が大きく
なり、その結果、バリヤが薄くなった状態となり、エミ
ッタ層１から注入されるエレクトロンは記号ｅで示しで
あるようにエミッタ側ポテンシャル・バリヤｒｆ！Ｊ２
をトンネリングしてベース層３に注入され、そこではエ
レクトロンｅがもつポテンシャル・エネルギが運動エネ
ルギに変えられ、高速のホット・エレクトロンになって
散乱を受けることなくコレクタ側ポテンシャル・バリヤ
層４を越えてコレクタ層５に注入されるものである。
〔発明が解決しようとする問題点〕
前記ホット・エレクトロン・トランジスタに於いて、エ
ミッタ層１からベース層３に注入するエレクトロンを多
量にして大きな電流を流す為にはベース層３及びエミッ
タ層１間に印加する電圧を高めることが必要である。
然しなから、そのように電圧を高くした場合、エミッタ
層１からベース層３に注入されるエレクトロンのエネル
ギは大になる。
一般に、Ｑａ、Ａｓ中にはｒバレー、Ｌバレー、Ｘバレ
ー等が存在していることは良く知られ、エレクトロンが
ｒバレーに存在している場合は実効質量が小さく且つ移
動度は高いが、ＬバレーやＸバレーに存在する場合は実
効質量が大きく且つ移動度は低くなる。
前記ホット・エレクトロン・トランジスタに於いて、エ
ミッタ層１からベース層３に注入されるエレクトロンの
エネルギが大になるとｒバレーからＬバレー或いはＸバ
レーへと遷移を生じ、インター・バレー（ｉｎｔｅｒ　
　ｖａｌｌｅｙ）散乱を受けてコレクタに到達しない現
象が発生する。
本発明の高速半導体装置に於いては、エミッタ層からエ
レクトロンをベース層に注入する際、インター・バレー
散乱を受けることなく適当のエネルギで注入することを
可能とし、ホット・エレクトロンの輸送効率を向上でき
るようにする。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の高速半導体装置では、エミッタ層とベース層と
の間に超格子層からなるポテンシャル・バリヤ層を介在
させてキャリヤの注入源としている。
〔作用〕
例えば、極薄ＧａＡｓ膜を極薄ＡβＡｓ膜で挟んだヘテ
ロ接合を形成すると、そのペテロ界面に垂直な方向のエ
レクトロンの運動は量子化され、所謂、Ｇ　ａ　Ａ　Ｓ
　■子井戸（ｑｕａｎｔｕｍ　　ｗｅｌ　１　：　ＱＷ
）が形成される。このようなヘテロ接合を多層化し、Ａ
ｌＡｓ層の厚みを低減した超格子措造では、ＱＷ間の結
合が大きくなり、その間に小さなエネルギ帯が形成され
る。
本発明では、この現象を利用しているものであり、次に
、これを図について説明する。
第１図は本発明の高速半導体装置に於ける原理を説明す
る為のエネルギ・バンド・ダイヤグラムであって、コン
ダクション・バンドの底を表している。尚、この図では
第５図に関して説明した部分と同部分は同記号で指示し
である。
この高速半導体装置が第５図に付いて説明したホット・
エレクトロン・トランジスタと相違する点は、エミッタ
側ポテンシャル・バリヤ層２が超格子層で構成されてい
ることである。
即ち、エミッタ側ポテンシャル・バリヤ層２は厚さ３０
〔人〕程度の、Ａｊ！Ａｓ層２Ａと同じく厚さ３０　〔
人〕程度のＧａＡｓ層２Ｂを多層に積層した超格子層か
らなっていて、エネルギ・バンドとしてはＱＷが生成さ
れている。
この構成によれば、各ＱＷ間の結合が大になって、小さ
いエネルギ帯６　（グランド・サブ・ハンド）が生成さ
れ、エミッタ層ｌとベース層３との間に図示の極性に電
圧を印加すると、エネルギ帯６を介してベース層３にホ
ット・エレクトロンが注入されるものである。
この場合のホット・エレクトロンのエネルギは超格子の
周期及び超格子を形成する半導体層の厚みを制御するこ
とに依り任意に選択することができる。
ベース層３を適度に薄く形成しておけば、そこに注入さ
れたホット・エレクトロンは、パリスティックに、即ち
、殆ど散乱されずに輸送されてコレクタ層５に到達する
。
〔実施例〕
第２図及び第３図は本発明一実施例を製造する場合につ
いて説明する為の工程要所に於ける半導体装置の要部切
断側面図である。
第２図参照 （ａｌ　　分子線エピタキシャル成長（ｍｏｌｅｃｕｌ
ａｒ　　ｂｅａｍ　ｅｐｉｔａｘｙ：ＭＢＥ）法を適用
することに依り、半絶縁性ＧａＡｓ基板１１上にｎ型Ｇ
ａＡｓコレクタ・コンタクト層１２、ｎ型ＧａＡｓコレ
クタ層１３、ノン・ドープＡ１０，３Ｇａ０．、Ａｓコ
Ｌｚクク側ポテンシャル・バリヤ層１４、ｎ型ＧａＡｓ
ベース層１５、ノン・ドープＡ　Ａ　Ａ　ｓ　層１６　
Ａ及びノン・ドープＧａＡｓ層１６Ｂからなる超格子層
のエミッタ側ポテンシャル・バリヤ層１６、ノン・ドー
プＡ　ＩＸＧ　ａ　＋−ｘ　Ａ　Ｓグレード層１７、ｎ
１型Ｑａ、Ａｓエミッタ層１８を成長させる。
この場合の各層に於けるデータは次の通りである。
■　ｎ型ＧａＡｓコレクタ・コンタクト層１２不純物濃
度：　２　Ｘ　１０　ＩＢ（ｃｍ−’）厚さ：５ｏｏｏ
　　（人〕 ■　ｎ型ＧａＡｓコレクタ層１３ 不純物濃度：　５　ｘ　ｌ　Ｑ　”　　（ｃｍ−’）厚
さ：ｚｏｏｏ　　（人〕 ■　メン・ドープＡ（ｌｏ、ｘ　Ｇａ５．ｔ　Ａｓコレ
クタ側ポテンシャル・バリヤ層１４ 厚さ：１５０’ＯＣ人〕 ■　ｎ型ＧａＡｓベース層１５ 不純物濃度：　５　Ｘ　１０１７　　（Ｃｆｆｌ−’）
厚さ：１０００（人〕 ■　Ａｊ？Ａｓ層１６Ａ及びＧａＡｓ層１６Ｂ厚さ：３
０　〔人〕 ■　ノン・ドープＡ　ＩＸ　Ｇ　ａ　１−ｘ　Ａ　ｓグ
レード層１７ 厚さ：１００（人） Ｘ値二０．３〜０ ■　ｎ＋型ＧａＡｓエミフタ層１８ 第３図参瞭 （ｂｌ　　通常のフォト・リソグラフィ技術を適用する
ことに依り、表面からｎ＋型ＧａＡｓコレクタ・コンタ
クト層１２に達するメサ・エツチングを行って該コレク
タ・コンタクト層１２の一部を表出させる。
（Ｃ１通常のフォト・リソグラフィ技術を適用するごと
に依り、表面からｎ型ＧａＡｓベース層１５にたっする
メサ・エツチングを行って該ベース層１５の一部を表出
させる。
（ｄｌ　　蒸着法を適用することに依り、金（Ａｕ）　
　・ゲルマニウム（Ｇｅ）／Ａｕ膜を形成し、それを通
常のフォト・リソグラフィ技術にてパターニングし、コ
レクタ電極１９、ベース電極２０、エミッタ電極２１を
形成する。
前記のようにして製造した半導体装置に於けるホット・
エレクトロンの輸送効率と考えて良いベース接地の電流
増幅率は０．７５、また、エミッタ接地の電流増幅率は
３であった。尚、このデータは７７（Ｋ）の温度中で得
られたものである。
因に、従来のこの種の半導体装置に於けるベース接地の
電流増幅率は０．５程度、また、エミッタ接地の電流増
幅率は１程度である。
ところで、第２図及び第３図に関して説明した実施例に
は、第１図に関して説明した半導体装置では存在しなか
ったＡｌｘ　Ｇａ＋−ｘ　Ａｓグレード層１７が設けら
れている。
そのような構成を採った理由を第４図を参照して説明す
る。
第４図は第１図と同様なエネルギ・バンド・ダイヤグラ
ムであって、第２図及び第３図に関して説明した部分と
同部分は同記号で指示しである。
このエネルギ・バンドが第１図に示したエネルギ・バン
ドと相違する点は、第２図及び第３図に示したようにＡ
　ｊ！ｘ　Ｇ　ａ　ｌ−ｘ　Ａ　ｓグレード層１７をエ
ミッタ層１８とエミッタ側ポテンシャル・バリヤ層１６
との間に介在させたことに依り、グレード層１７の領域
に於けるコンダクション・バンドがエミッタ層１８側か
らエミッタ側ポテンシャル・バリヤ層１６側にかけて次
第に上昇してエネルギ帯６に連なっていることである。
このようにすると、エミッタ層１８からのエレクトロン
はエネルギ帯６に注入され易くなる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に依る半導体装置の原理を説明する為の
エネルギ・バンド・ダイヤグラム、第２図及び第３図は
本発明一実施例を製造する場合について説明するのに必
要な工程要所に於ける半導体装置の要部切断側面図、第
４図は第２図及び第３図について説明した本発明一実施
例に関するエネルギ・バンド・ダイヤグラム、第５図は
ホット・エレクトロン・°トランジスタのエネルギ・バ
ンド・ダイヤグラムをそれぞれ表している。 図に於いて、１１は半絶縁性ＧａＡｓ基板、１２はｎ型
ＧａＡｓコレクタ・コンタクト層、１３はｎ型ＧａＡｓ
コレクタ層、１４はノン・ドープＡｌｏ、ｘ　Ｇａ６．
７　Ａｓコレクタ側ポテンシャル・バリヤ層、１５はｎ
型ＧａＡｓヘース層、１６はエミッタ側ポテンシャル・
バリヤ層、１６Ａはノン・ドープＡｇＡｓ層、１６Ｂは
ノン・ドープＡｇＡｓ層、１７はノン・ドープＡ　Ａｘ
　Ｇ　ａ　＋−ｘ　Ａ　ｓグレード層、１８はｎ＋型Ｇ
ａＡｓエミッタ層、１９はコレクタ電極、２０はベース
電極、２１はエミッタ電極をそれぞれ示している。 特許出願人　　　富士通株式会社 代理人弁理士　　相　谷　昭　司 代理人弁理士　　渡　邊　弘　− 第２図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　エミッタ層とベース層との間に形成された超格子層か
    らなるエミッタ側ポテンシャル・バリヤ層と、ベース層
    とコレクタ層との間に形成されたコレクタ側ポテンシャ
    ル・バリヤ層とを有してなることを特徴とする高速半導
    体装置。
JP59179178A 1984-08-30 1984-08-30 高速半導体装置 Granted JPS6158268A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59179178A JPS6158268A (ja) 1984-08-30 1984-08-30 高速半導体装置
US06/754,416 US4712121A (en) 1984-08-30 1985-07-12 High-speed semiconductor device
EP85401440A EP0177374B1 (en) 1984-08-30 1985-07-15 High-speed semiconductor device
DE8585401440T DE3585864D1 (de) 1984-08-30 1985-07-15 Hochgeschwindigkeitshalbleiteranordnung.

Applications Claiming Priority (1)

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JP59179178A JPS6158268A (ja) 1984-08-30 1984-08-30 高速半導体装置

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JPS6158268A true JPS6158268A (ja) 1986-03-25
JPH0421336B2 JPH0421336B2 (ja) 1992-04-09

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ID=16061296

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US (1) US4712121A (ja)
EP (1) EP0177374B1 (ja)
JP (1) JPS6158268A (ja)
DE (1) DE3585864D1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6285464A (ja) * 1985-10-09 1987-04-18 Agency Of Ind Science & Technol ホツトエレクトロントランジスタ
JPS62299073A (ja) * 1986-06-18 1987-12-26 Agency Of Ind Science & Technol 半導体装置
US5021863A (en) * 1988-09-12 1991-06-04 Fujitsu Limited Semiconductor quantum effect device having negative differential resistance characteristics

Families Citing this family (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5214297A (en) * 1984-11-19 1993-05-25 Fujitsu Limited High-speed semiconductor device
JPS61198776A (ja) * 1985-02-28 1986-09-03 Fujitsu Ltd ヘテロ接合バイポ−ラトランジスタおよびその製造方法
US4959696A (en) * 1985-08-23 1990-09-25 Texas Instruments Incorporated Three terminal tunneling device and method
JPS6284621A (ja) * 1985-10-09 1987-04-18 Fujitsu Ltd ３値論理回路
JPS6323357A (ja) * 1986-06-14 1988-01-30 Agency Of Ind Science & Technol 半導体記憶装置
CA1291224C (en) * 1985-10-12 1991-10-22 Naoki Yokoyama Logic circuit using resonant-tunneling transistor
JPH0611056B2 (ja) * 1985-12-03 1994-02-09 富士通株式会社 高速半導体装置
JPS62176162A (ja) * 1986-01-30 1987-08-01 Agency Of Ind Science & Technol 負性抵抗素子
JPS62211948A (ja) * 1986-03-13 1987-09-17 Fujitsu Ltd ヘテロ接合半導体装置
JP2557373B2 (ja) * 1986-04-05 1996-11-27 住友電気工業株式会社 化合物半導体装置
JPS62291018A (ja) * 1986-06-11 1987-12-17 Hitachi Ltd Ｍｂｅ法による傾斜組成化合物半導体の作成法
US4780749A (en) * 1986-07-01 1988-10-25 Hughes Aircraft Company Double barrier tunnel diode having modified injection layer
US4849799A (en) * 1986-07-31 1989-07-18 American Telephone And Telegraph Company At&T Bell Laboratories Resonant tunneling transistor
JPS63153867A (ja) * 1986-08-04 1988-06-27 Fujitsu Ltd 共鳴トンネリング半導体装置
EP0257460B1 (en) * 1986-08-12 1996-04-24 Canon Kabushiki Kaisha Solid-state electron beam generator
JPH0666519B2 (ja) * 1986-08-14 1994-08-24 東京工業大学長 超格子構造体
CN1007479B (zh) * 1986-08-21 1990-04-04 朱恩均 动能调制热电子晶体管
US4827320A (en) * 1986-09-19 1989-05-02 University Of Illinois Semiconductor device with strained InGaAs layer
FR2604299B1 (fr) * 1986-09-23 1992-02-07 Palmier Jean Francois Transistor bipolaire comportant un emetteur multicouche assurant le confinement des trous
US5031005A (en) * 1986-10-22 1991-07-09 Fujitsu Limited Semiconductor device
JP2590842B2 (ja) * 1986-10-29 1997-03-12 ソニー株式会社 ヘテロ接合型バイポーラトランジスタ
JPH0795675B2 (ja) * 1987-02-14 1995-10-11 富士通株式会社 比較回路
JPH0797688B2 (ja) * 1987-03-10 1995-10-18 富士通株式会社 半導体装置
US4907196A (en) * 1987-04-28 1990-03-06 Fujitsu Limited Semiconductor memory device using resonant-tunneling transistor
US4958208A (en) * 1987-08-12 1990-09-18 Nec Corporation Bipolar transistor with abrupt potential discontinuity in collector region
US4901122A (en) * 1987-08-14 1990-02-13 Regents Of The University Of Minnesota Double-base hot carrier transistor
JPH0770743B2 (ja) * 1987-11-10 1995-07-31 富士通株式会社 共鳴トンネリングバリア構造デバイス
US4847666A (en) * 1987-12-17 1989-07-11 General Motors Corporation Hot electron transistors
JP2690922B2 (ja) * 1987-12-25 1997-12-17 株式会社日立製作所 共鳴トンネリング素子
JPH01171269A (ja) * 1987-12-26 1989-07-06 Fujitsu Ltd 半導体装置
US4831340A (en) * 1988-01-11 1989-05-16 Massachusetts Institute Of Technology Harmonic multiplier using resonant tunneling device
US4825269A (en) * 1988-03-04 1989-04-25 Stanford University Double heterojunction inversion base transistor
JPH01238161A (ja) * 1988-03-18 1989-09-22 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
US5138408A (en) * 1988-04-15 1992-08-11 Nec Corporation Resonant tunneling hot carrier transistor
US4999697A (en) * 1988-09-14 1991-03-12 At&T Bell Laboratories Sequential-quenching resonant-tunneling transistor
US5121181A (en) * 1989-01-31 1992-06-09 International Business Machines Corporation Resonant tunneling photodetector for long wavelength applications
US5031013A (en) * 1990-08-13 1991-07-09 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Infrared hot-electron transistor
US6201258B1 (en) * 1990-08-15 2001-03-13 Texas Instruments Incorporated Hot carrier transistors utilizing quantum well injector for high current gain
JP2731089B2 (ja) * 1991-10-02 1998-03-25 三菱電機株式会社 高速動作半導体装置およびその製造方法
US5179037A (en) * 1991-12-24 1993-01-12 Texas Instruments Incorporated Integration of lateral and vertical quantum well transistors in the same epitaxial stack
US5448087A (en) * 1992-04-30 1995-09-05 Trw Inc. Heterojunction bipolar transistor with graded base doping
US5242843A (en) * 1992-10-28 1993-09-07 Allied-Signal Inc. Method for making a heterojunction bipolar transistor with improved high frequency response
US5489785A (en) * 1994-03-11 1996-02-06 Motorola Band-to-band resonant tunneling transistor
US5731752A (en) * 1996-04-17 1998-03-24 Loral Vought Systems Corporation Microwave signal frequency multiplier
DE19824111A1 (de) * 1998-05-29 1999-12-02 Daimler Chrysler Ag Resonanz Phasen Transistor mit gegenphasiger Ladungsträgerinjektion
US6297716B1 (en) 1999-12-16 2001-10-02 Lockheed Martin Corporation Q-switched cavity multiplier
US6281746B1 (en) 1999-12-16 2001-08-28 Lockheed Martin Corporation Parametric cavity microwave amplifier
US6265934B1 (en) 1999-12-16 2001-07-24 Lockheed Martin Corporation Q-switched parametric cavity amplifier
WO2009058580A1 (en) * 2007-10-31 2009-05-07 Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. High-injection heterojunction bipolar transistor
CN102646703B (zh) * 2012-05-07 2014-12-10 中国电子科技集团公司第五十五研究所 单晶InP基化合物半导体材料薄膜的外延结构
GB201418888D0 (en) * 2014-10-23 2014-12-10 Univ Lancaster Improvements relating to electronic memory devices
JP7407546B2 (ja) * 2019-09-24 2024-01-04 株式会社東芝 量子カスケードレーザ

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2607940A1 (de) * 1976-02-27 1977-09-08 Max Planck Gesellschaft Mehrschichtiges halbleiterbauelement
FR2508707A1 (fr) * 1981-06-26 1982-12-31 Thomson Csf Transistor balistique a multiples heterojonctions
EP0068064A1 (en) * 1981-06-30 1983-01-05 International Business Machines Corporation Semiconductor circuit including a resonant quantum mechanical tunnelling triode device
US4616241A (en) * 1983-03-22 1986-10-07 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Superlattice optical device
JPS60175450A (ja) * 1984-02-22 1985-09-09 Toshiba Corp ヘテロ接合バイポ−ラ半導体素子
JPS61121358A (ja) * 1984-11-19 1986-06-09 Fujitsu Ltd 高速半導体装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6285464A (ja) * 1985-10-09 1987-04-18 Agency Of Ind Science & Technol ホツトエレクトロントランジスタ
JPS62299073A (ja) * 1986-06-18 1987-12-26 Agency Of Ind Science & Technol 半導体装置
US5021863A (en) * 1988-09-12 1991-06-04 Fujitsu Limited Semiconductor quantum effect device having negative differential resistance characteristics

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0421336B2 (ja) 1992-04-09
EP0177374A2 (en) 1986-04-09
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EP0177374A3 (en) 1987-11-25
US4712121A (en) 1987-12-08
DE3585864D1 (de) 1992-05-21

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