JPS6160426B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6160426B2 JPS6160426B2 JP11549885A JP11549885A JPS6160426B2 JP S6160426 B2 JPS6160426 B2 JP S6160426B2 JP 11549885 A JP11549885 A JP 11549885A JP 11549885 A JP11549885 A JP 11549885A JP S6160426 B2 JPS6160426 B2 JP S6160426B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating layer
- photoresist
- mask
- model
- patterns
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 54
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 6
- 238000002679 ablation Methods 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 2
- 230000003064 anti-oxidating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 8
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N sodium;9,10-dioxoanthracene-2-sulfonic acid Chemical compound [Na+].C1=CC=C2C(=O)C3=CC(S(=O)(=O)O)=CC=C3C(=O)C2=C1 GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/88—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof prepared by photographic processes for production of originals simulating relief
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は金属表面に所定の模様、文字、溝等
を加工する一加工法であるフオトフアブリケーシ
ヨンに使用するマスクの製作方法に関するもので
ある。
を加工する一加工法であるフオトフアブリケーシ
ヨンに使用するマスクの製作方法に関するもので
ある。
フオトフアブリケーシヨンにおいて、通常の工
程で使用するマスクはエマルジヨン層を持つフイ
ルム製が主であるが、このフイルム製マスクは、
被加工物とエマルジヨン層とを密着させて使用す
るために傷が付き易く、またプラスチツクフイル
ムをベースとしているため、変形による歪みも多
く発生し、銀塩膜のむらや剥離により、ピンホー
ルができやすい等の多くの欠点を持つている。こ
のような理由で、フイルム製マスクは量産用には
不適当である。
程で使用するマスクはエマルジヨン層を持つフイ
ルム製が主であるが、このフイルム製マスクは、
被加工物とエマルジヨン層とを密着させて使用す
るために傷が付き易く、またプラスチツクフイル
ムをベースとしているため、変形による歪みも多
く発生し、銀塩膜のむらや剥離により、ピンホー
ルができやすい等の多くの欠点を持つている。こ
のような理由で、フイルム製マスクは量産用には
不適当である。
以上のような欠点がないフオトフアブリケーシ
ヨン用マスクとして、一般にはハードマスクと呼
ばれるガラス板上に金属蒸着膜の模様をつけたマ
スクが使用されているが、高価であり、かつ複雑
微細な立体形状のマスクの製作は不可能である。
ヨン用マスクとして、一般にはハードマスクと呼
ばれるガラス板上に金属蒸着膜の模様をつけたマ
スクが使用されているが、高価であり、かつ複雑
微細な立体形状のマスクの製作は不可能である。
立体形状のフオトエツチング用マスクについて
は、特開昭51―131432号公報に示されたような電
鋳によるフオトエツチング用マスクの製作方法が
ある。この方法の場合はメツキ層の厚さが厚いと
第1図に示されたように、フオトレジスト2上に
メツキ3がはみ出す現象が生じるため、被加工物
に形成するための模様、文字、溝等の輪郭の精度
が悪くなる。しかし、上記の現象を防止するため
にメツキ層の厚みを薄くすると、被加工物と同形
状に作られた模型1からの剥離が極めて困難にな
り、かりに剥離できたとしても、メツキ層が薄い
ためその形状を変形しないように維持することは
極めて難しい。
は、特開昭51―131432号公報に示されたような電
鋳によるフオトエツチング用マスクの製作方法が
ある。この方法の場合はメツキ層の厚さが厚いと
第1図に示されたように、フオトレジスト2上に
メツキ3がはみ出す現象が生じるため、被加工物
に形成するための模様、文字、溝等の輪郭の精度
が悪くなる。しかし、上記の現象を防止するため
にメツキ層の厚みを薄くすると、被加工物と同形
状に作られた模型1からの剥離が極めて困難にな
り、かりに剥離できたとしても、メツキ層が薄い
ためその形状を変形しないように維持することは
極めて難しい。
この発明は、前記の電鋳技術を利用して作られ
るフオトエツチング用マスクの製作において、比
較的簡単な加工を加えることにより、マスクとし
ての精度を落さず、しかも被加工物のフオトエツ
チングの量産加工に充分耐え得る強度をもつたフ
オトフアブリケーシヨン用マスクの製作方法の提
供を目的とするものである。
るフオトエツチング用マスクの製作において、比
較的簡単な加工を加えることにより、マスクとし
ての精度を落さず、しかも被加工物のフオトエツ
チングの量産加工に充分耐え得る強度をもつたフ
オトフアブリケーシヨン用マスクの製作方法の提
供を目的とするものである。
次にこの発明の実施例を図を参照しながら説明
する。まずフオトエツチング用マスクを使用して
フオトエツチングする被加工物と同形状の導電性
材料よりなる模型1または導電性被膜を被覆した
模型を製作する。この模型1は被加工物の形状如
何により、ほぼ同寸法のものを用意する必要があ
る。この模型1の表面11には、後工程における
メツキがむらにならないように、かつ金属マスク
となるメツキ層が容易に剥離できるように洗浄お
よび酸化被膜形成などの表面処理を行う。次に模
型1の表面11にフオトレジストを塗布し、これ
が乾燥したら、通常の露光、現象に使用されるよ
うな第1のフオトマスク41をフオトレジストが
塗布された模型1にかぶせ、露光、現象を行い、
模型1の表面11に、被加工物に加工する模様、
文字、溝等をフオトレジスト21により形成させ
る。次に模型1における前記フオトレジスト21
のない表面部分にメツキを行い、第1のメツキ層
31を形成させる。この場合に第1のメツキ層3
1の厚さがフオトレジスト21の厚さ以内であれ
ば、第1のフオトマスクと同程度の輪郭精度を保
つことができるが、メツキ層31の厚さがフオト
レジスト21の厚さを越えると、前述したよう
に、第1図にみられるようなアツパーデポジツト
と呼ばれる電鋳特有の現象が生じ、厚みの増加と
共に、急激に精度の低下が見られる。このような
理由から精度を保つ上で、メツキ層31の厚さは
フオトレジスト21と同じ厚さか、またはそれ以
下にする必要がある。この第1回目のメツキ作業
によつて形成された第1のメツキ層31上および
フオトレジスト上に再びフオトレジスト20を第
3図に示されたよすうに塗布し、乾燥する。次い
で最初に用いた第1のフオトマスクより若干小さ
い所定の模様、文字、溝等をもつた第2のフオト
マスク42を用いて、露光、現象を行う。このよ
うなマスク42を使用することにより、現象後に
は最初に形成された第1のメツキ層31上のフオ
トレジストの中、メツキ層の面積より若干小さい
部分のフオトレジストが溶解するようにする。次
にこのフオトレジストが溶けて露出した第1のメ
ツキ層上に再びメツキを行い、第2のメツキ層を
形成する。
する。まずフオトエツチング用マスクを使用して
フオトエツチングする被加工物と同形状の導電性
材料よりなる模型1または導電性被膜を被覆した
模型を製作する。この模型1は被加工物の形状如
何により、ほぼ同寸法のものを用意する必要があ
る。この模型1の表面11には、後工程における
メツキがむらにならないように、かつ金属マスク
となるメツキ層が容易に剥離できるように洗浄お
よび酸化被膜形成などの表面処理を行う。次に模
型1の表面11にフオトレジストを塗布し、これ
が乾燥したら、通常の露光、現象に使用されるよ
うな第1のフオトマスク41をフオトレジストが
塗布された模型1にかぶせ、露光、現象を行い、
模型1の表面11に、被加工物に加工する模様、
文字、溝等をフオトレジスト21により形成させ
る。次に模型1における前記フオトレジスト21
のない表面部分にメツキを行い、第1のメツキ層
31を形成させる。この場合に第1のメツキ層3
1の厚さがフオトレジスト21の厚さ以内であれ
ば、第1のフオトマスクと同程度の輪郭精度を保
つことができるが、メツキ層31の厚さがフオト
レジスト21の厚さを越えると、前述したよう
に、第1図にみられるようなアツパーデポジツト
と呼ばれる電鋳特有の現象が生じ、厚みの増加と
共に、急激に精度の低下が見られる。このような
理由から精度を保つ上で、メツキ層31の厚さは
フオトレジスト21と同じ厚さか、またはそれ以
下にする必要がある。この第1回目のメツキ作業
によつて形成された第1のメツキ層31上および
フオトレジスト上に再びフオトレジスト20を第
3図に示されたよすうに塗布し、乾燥する。次い
で最初に用いた第1のフオトマスクより若干小さ
い所定の模様、文字、溝等をもつた第2のフオト
マスク42を用いて、露光、現象を行う。このよ
うなマスク42を使用することにより、現象後に
は最初に形成された第1のメツキ層31上のフオ
トレジストの中、メツキ層の面積より若干小さい
部分のフオトレジストが溶解するようにする。次
にこのフオトレジストが溶けて露出した第1のメ
ツキ層上に再びメツキを行い、第2のメツキ層を
形成する。
この第2のメツキ層32が完成したら、さらに
第2のメツキ層32およびフオトレジスト22上
にフオトレジストを塗布、乾燥し、第2回目に用
いたマスクと同じか、または小さい所要の模様、
文字、溝等をもつたマスクを用いてフオトエツチ
ングを実施する。そして露出されたメツキ層表面
にさらに第3のメツキ層33を形成する。以上の
工程を必要に応じて何回も繰返すことにより、多
層のメツキ層が得られるが、本実施例では3層と
する。
第2のメツキ層32およびフオトレジスト22上
にフオトレジストを塗布、乾燥し、第2回目に用
いたマスクと同じか、または小さい所要の模様、
文字、溝等をもつたマスクを用いてフオトエツチ
ングを実施する。そして露出されたメツキ層表面
にさらに第3のメツキ層33を形成する。以上の
工程を必要に応じて何回も繰返すことにより、多
層のメツキ層が得られるが、本実施例では3層と
する。
次に第5図に示されたように模型1の表面がフ
オトレジスト層25と多層のメツキ層で覆われた
状態で、低融点金属例えば適度の粘度のハンダ溶
融体を多層メツキ層の上層に塗布する。このハン
ダの溶解体が冷却すれば、第6図に示されたよう
に多層金属メツキ層の上にハンダ層5が溶着固化
した剛性および強度の大きいマスクが得られる。
オトレジスト層25と多層のメツキ層で覆われた
状態で、低融点金属例えば適度の粘度のハンダ溶
融体を多層メツキ層の上層に塗布する。このハン
ダの溶解体が冷却すれば、第6図に示されたよう
に多層金属メツキ層の上にハンダ層5が溶着固化
した剛性および強度の大きいマスクが得られる。
以上の実施例では被加工物が平板状のもの、従
つて対応する模型も平板上のものについて説明し
たが、上記の方法は、立体的、複雑な形状を呈す
る被加工物用のマスクの製作についても適用出来
るものである。
つて対応する模型も平板上のものについて説明し
たが、上記の方法は、立体的、複雑な形状を呈す
る被加工物用のマスクの製作についても適用出来
るものである。
この発明のマスクの製作方法は、多層の金属層
に低融点金属を比較的手軽に塗布出来るので、コ
ストのかからない方法であり、しかも製作された
マスクは、多層金属層の厚さがせいぜい10ミクロ
ン程度であるのに対し、低融点金属の厚さは数
100ミクロンであり、多層金属のみよりなるマス
クに比較して、厚さが格段に増加するので、剛
性、強度が著しく増大し、耐久性においても優れ
ている。
に低融点金属を比較的手軽に塗布出来るので、コ
ストのかからない方法であり、しかも製作された
マスクは、多層金属層の厚さがせいぜい10ミクロ
ン程度であるのに対し、低融点金属の厚さは数
100ミクロンであり、多層金属のみよりなるマス
クに比較して、厚さが格段に増加するので、剛
性、強度が著しく増大し、耐久性においても優れ
ている。
また本発明により製作されたマスクはメツキ電
鋳等に起因する多層金属層における内部応力によ
る変形を低融点金属層により抑制するので、マス
クの変形は少なく、所要の模様、文字、溝等は正
確に形成されているので、このマスクを使用して
被加工物をフオトエツチングすれば精度の高い模
様、文字、溝等をもつた被加工物を得ることがで
きる。
鋳等に起因する多層金属層における内部応力によ
る変形を低融点金属層により抑制するので、マス
クの変形は少なく、所要の模様、文字、溝等は正
確に形成されているので、このマスクを使用して
被加工物をフオトエツチングすれば精度の高い模
様、文字、溝等をもつた被加工物を得ることがで
きる。
第1図は従来の電鋳による金属マスクの製作過
程の一部を示す断面図、第2図ないし第6図はこ
の発明の実施例を示す断面図で、第2図はマスク
としての第1の金属メツキ層を得る方法を示す断
面図、第3図は第2の金属メツキ層を得るための
準備工程を示す断面図、第4図は第2の金属メツ
キ層が得られたことを示す断面図、第5図はマス
クとしての多層の金属メツキ層が得られた状態の
断面図、第6図は上記の多層の金属メツキ層に、
さらに溶解したハンダを溶着して固化した状態を
示す断面図である。 符号の説明、1は模型、20はフオトレジス
ト、2,21,22は露光現象後のフオトレジス
ト、3はメツキ層、31は第1のメツキ層、32
は第2のメツキ層、33は第3のメツキ層、5は
ハンダ層。
程の一部を示す断面図、第2図ないし第6図はこ
の発明の実施例を示す断面図で、第2図はマスク
としての第1の金属メツキ層を得る方法を示す断
面図、第3図は第2の金属メツキ層を得るための
準備工程を示す断面図、第4図は第2の金属メツ
キ層が得られたことを示す断面図、第5図はマス
クとしての多層の金属メツキ層が得られた状態の
断面図、第6図は上記の多層の金属メツキ層に、
さらに溶解したハンダを溶着して固化した状態を
示す断面図である。 符号の説明、1は模型、20はフオトレジス
ト、2,21,22は露光現象後のフオトレジス
ト、3はメツキ層、31は第1のメツキ層、32
は第2のメツキ層、33は第3のメツキ層、5は
ハンダ層。
Claims (1)
- 1 被加工物とほぼ同寸法、同形状の導電性模型
の表面部にメツキのムラ防止やメツキ層の剥離の
容易性のための洗浄および酸化防止被膜形成等の
表面処理を行い、その表面にフオトレジストの被
膜を形成し、予め用意した所要の溝や模様等を有
する第1のフオトマスクを使用し、露光、現象を
行つて模型の表面部にフオトレジストによる所要
の溝や模様等を形成させ、次に前記表面部にメツ
キを行い、メツキ完了後、模型からメツキ層を取
外して所要の溝や模様等を有する金属マスクを製
作する方法において、模型表面部に金属マスク用
のメツキ層を形成後、このメツキ層を模型に附着
させたまゝの状態で、フオトレジスト上およびメ
ツキ層表面にフオトレジストによる第2の被膜を
形成させ、前記第1のマスクより小さい所要の溝
や模様等を有する第2のマスクを第2の被膜にか
ぶせて、前記と同様の手段でフオトレジストによ
り溝や模様等を形成させ、最初の金属メツキ層上
にさらに第2のメツキ層を形成させ、次にこの第
2のメツキ層上にフオトレジストによる第3の被
膜を形成させ、所要の溝や模様等を有する第3の
マスクを前記第3のフオトレジスト被膜にかぶせ
て、前記と同様の手段でフオトレジストによる溝
や模様等を形成させ、第2のメツキ層上にさらに
第3のメツキ層を形成させ、以下必要に応じ上記
の順序にしたがつてメツキ層の上にメツキ層を形
成してその厚さを増し、多層のメツキ層を模型に
附着させたままの状態で、さらにメツキ層上に低
融点金属を溶着して、より剛性の大きい金属製マ
スクを得ることを特徴とするフオトフアブリケー
シヨン用マスクの製作方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60115498A JPS612156A (ja) | 1985-05-30 | 1985-05-30 | フオトフアブリケーシヨン用マスクの製作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60115498A JPS612156A (ja) | 1985-05-30 | 1985-05-30 | フオトフアブリケーシヨン用マスクの製作方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9949077A Division JPS5433671A (en) | 1977-08-22 | 1977-08-22 | Method of producing mask for photofabrication |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS612156A JPS612156A (ja) | 1986-01-08 |
| JPS6160426B2 true JPS6160426B2 (ja) | 1986-12-20 |
Family
ID=14663996
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60115498A Granted JPS612156A (ja) | 1985-05-30 | 1985-05-30 | フオトフアブリケーシヨン用マスクの製作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS612156A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0648144U (ja) * | 1992-12-04 | 1994-06-28 | サンクス株式会社 | 光電スイッチ |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5153084A (en) * | 1990-09-10 | 1992-10-06 | General Electric Company | Process for preparing a photo-mask for imaging three-dimensional objects |
-
1985
- 1985-05-30 JP JP60115498A patent/JPS612156A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0648144U (ja) * | 1992-12-04 | 1994-06-28 | サンクス株式会社 | 光電スイッチ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS612156A (ja) | 1986-01-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4033831A (en) | Method of making a bi-metal screen for thick film fabrication | |
| JPH0322437A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6160426B2 (ja) | ||
| US4710263A (en) | Method of fabricating print head for thermal printer | |
| US7326624B2 (en) | Method of making thin-film chip resistor | |
| US5945259A (en) | Method for lead frame etching | |
| JPH0348498B2 (ja) | ||
| JP3349001B2 (ja) | 金属膜の形成方法 | |
| JPS5864616A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPS589414B2 (ja) | フォトファブリケ−ション用マスクの製作方法 | |
| JPS604221A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5931770B2 (ja) | 磁気ヘツドのコアの製造方法 | |
| JPS6242858A (ja) | サ−マルヘツドの製造方法 | |
| JPH04274703A (ja) | 金属箔ひずみゲージの電極形成方法 | |
| JPH08142333A (ja) | ノズルプレートの母型及びノズルプレートの製造方法 | |
| KR960012899B1 (ko) | 스크린프린팅(Screen Printing)방법을 이용한 가속도센서 및 진동센서의 질량제조방법 | |
| JPS6059765A (ja) | 混成集積回路基板の製造方法 | |
| JPS5941872B2 (ja) | サ−マルヘツドの製造方法 | |
| JPH04354153A (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| JPS594876B2 (ja) | 厚膜回路基板およびその製法 | |
| JPS6030118B2 (ja) | 混成薄膜集積回路のパタ−ン形成方法 | |
| JPS6240862B2 (ja) | ||
| JPS6097691A (ja) | 厚膜薄膜配線基板の製造方法 | |
| JPS59114855A (ja) | 薄膜抵抗パタ−ンの形成方法 | |
| JPH0679156B2 (ja) | ガラスマスクの製造方法 |