JPS6161253B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6161253B2 JPS6161253B2 JP54045103A JP4510379A JPS6161253B2 JP S6161253 B2 JPS6161253 B2 JP S6161253B2 JP 54045103 A JP54045103 A JP 54045103A JP 4510379 A JP4510379 A JP 4510379A JP S6161253 B2 JPS6161253 B2 JP S6161253B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hydrofluoric acid
- silicon substrate
- drying
- dioxide film
- silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体装置の製造工程における弗酸
を使用して半導体基板表面を露出させる工程後に
弗酸の沸点以下の温度で乾燥および保持する工程
を含む半導体装置の製造方法に関するものであ
る。
を使用して半導体基板表面を露出させる工程後に
弗酸の沸点以下の温度で乾燥および保持する工程
を含む半導体装置の製造方法に関するものであ
る。
従来、半導体装置を製造するに当つて、弗酸を
使用して半導体基板表面を露出させる工程を経た
のちこの半導体基板の乾燥と保持する際において
特に温度の管理はなされることはなかつた。
使用して半導体基板表面を露出させる工程を経た
のちこの半導体基板の乾燥と保持する際において
特に温度の管理はなされることはなかつた。
半導体装置を製造する各工程においては、弗酸
を含むエツチング液および弗酸水溶液にて半導体
基板表面を露出する工程が多数存在する。酸化、
拡散等の熱処理を行う直前の拡散前処理工程では
一般に前処理後、弗酸を含むエツチング液および
弗酸水溶液にて二酸化ケイ素膜がエツチングされ
ケイ素基板が露出される。写真製版工程では二酸
化ケイ素膜が、弗酸を含むエツチング液および弗
酸水溶液にて、選択的に除去され、ケイ素基板が
露出される。
を含むエツチング液および弗酸水溶液にて半導体
基板表面を露出する工程が多数存在する。酸化、
拡散等の熱処理を行う直前の拡散前処理工程では
一般に前処理後、弗酸を含むエツチング液および
弗酸水溶液にて二酸化ケイ素膜がエツチングされ
ケイ素基板が露出される。写真製版工程では二酸
化ケイ素膜が、弗酸を含むエツチング液および弗
酸水溶液にて、選択的に除去され、ケイ素基板が
露出される。
ケイ素基板が露出した後の乾燥および保管等は
室温で行われる為、一般的に弗酸の沸点（19.4
℃）以上であると考えられる。
室温で行われる為、一般的に弗酸の沸点（19.4
℃）以上であると考えられる。
ケイ素基板の乾燥は、弗酸を含むエツチング液
および弗酸水溶液の処理で使用されたバスケツト
でもつて水洗後連続的に行われる。ケイ素基板の
乾燥はバスケツトと共に回転させ遠心力にて付着
した純水を除去するのが一般的な方法である。
および弗酸水溶液の処理で使用されたバスケツト
でもつて水洗後連続的に行われる。ケイ素基板の
乾燥はバスケツトと共に回転させ遠心力にて付着
した純水を除去するのが一般的な方法である。
この場合、弗酸はバスケツトに吸着もしくは浸
透しており、ケイ素基板表面に残留分が残つてい
ることもある。この弗酸は気化しやすい。
透しており、ケイ素基板表面に残留分が残つてい
ることもある。この弗酸は気化しやすい。
乾燥を効果的にする為、温水や温風が吹きつけ
られることもあり、乾燥はかなり高い温度で行わ
れることが多い。
られることもあり、乾燥はかなり高い温度で行わ
れることが多い。
ケイ素基板の乾燥後も同一バスケツト内にて、
ケイ素基板は放置されたり、保管されたりする。
ケイ素基板は放置されたり、保管されたりする。
ケイ素基板は気体状の弗酸に触れると変化を生
じやすい。
じやすい。
ケイ素基板は空気中の酸素で酸化され二酸化ケ
イ素膜を生じる。この二酸化ケイ素膜は気体状の
弗酸で除去される。このくり返しによりケイ素基
板表面は正常なものに比べ異質なものとなる。
イ素膜を生じる。この二酸化ケイ素膜は気体状の
弗酸で除去される。このくり返しによりケイ素基
板表面は正常なものに比べ異質なものとなる。
電界効果トランジスターの場合で考えるとしき
い値電圧が変化する。
い値電圧が変化する。
ケイ素基板に形成された表面の異常は汚染と異
なる為、拡散前処理によつて除去すすことは不可
能であり、ケイ素基板が熱酸化された場合二酸化
ケイ素膜とケイ素基板の間に界面準位が形成され
る。この場合、第１図に示すアルミ電極１、二酸
化ケイ素膜２、Ｎ型ケイ素基板３よりなるMOS
キヤパシターの電圧―容量特性において、しきい
値は第２図に示す正常なものに比べ第３図に示す
様に負方向に変化する。
なる為、拡散前処理によつて除去すすことは不可
能であり、ケイ素基板が熱酸化された場合二酸化
ケイ素膜とケイ素基板の間に界面準位が形成され
る。この場合、第１図に示すアルミ電極１、二酸
化ケイ素膜２、Ｎ型ケイ素基板３よりなるMOS
キヤパシターの電圧―容量特性において、しきい
値は第２図に示す正常なものに比べ第３図に示す
様に負方向に変化する。
この現象は、ケイ素基板を濃い弗酸雰囲気にさ
らすか、高温のより活性化された弗酸雰囲気にさ
らすと顕著に現われる。
らすか、高温のより活性化された弗酸雰囲気にさ
らすと顕著に現われる。
しかしこの問題は、乾燥や保管の処理を弗酸の
沸点（19.4℃）以下で行うことにより、活性化し
た弗酸を生じさせないことで解決できる。
沸点（19.4℃）以下で行うことにより、活性化し
た弗酸を生じさせないことで解決できる。
本発明の方法により、弗酸を使用してケイ素基
板表面を露出させる工程の乾燥および保管の処理
を弗酸の沸点以下で行えばしきい値電圧の正確な
制御が可能であり、ケイ素基板と二酸化ケイ素膜
の界面におけるPN耐圧も向上する。
板表面を露出させる工程の乾燥および保管の処理
を弗酸の沸点以下で行えばしきい値電圧の正確な
制御が可能であり、ケイ素基板と二酸化ケイ素膜
の界面におけるPN耐圧も向上する。
第１図はこの発明を説明するためのMOSキヤ
パシターの断面図である。第２図は正常なキヤパ
シターにおける印加電圧と電気容量の特性を示す
図である。第３図は気体状の弗酸に触れ表面に変
化を生じたケイ素基板にて形成されたMOSキヤ
パシターの印加電圧と電気容量の特性を示す図で
ある。 図中、１はアルミニウム電極、２は二酸化ケイ
素膜、３はｎ形ケイ素基板である。
パシターの断面図である。第２図は正常なキヤパ
シターにおける印加電圧と電気容量の特性を示す
図である。第３図は気体状の弗酸に触れ表面に変
化を生じたケイ素基板にて形成されたMOSキヤ
パシターの印加電圧と電気容量の特性を示す図で
ある。 図中、１はアルミニウム電極、２は二酸化ケイ
素膜、３はｎ形ケイ素基板である。
Claims (1)
- １ 弗酸を使用して半導体基板表面を露出させる
工程、上記工程後弗酸の弗点以下の温度で乾燥お
よび保持する工程を含む半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4510379A JPS55138236A (en) | 1979-04-12 | 1979-04-12 | Manufacture of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4510379A JPS55138236A (en) | 1979-04-12 | 1979-04-12 | Manufacture of semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55138236A JPS55138236A (en) | 1980-10-28 |
| JPS6161253B2 true JPS6161253B2 (ja) | 1986-12-24 |
Family
ID=12709945
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4510379A Granted JPS55138236A (en) | 1979-04-12 | 1979-04-12 | Manufacture of semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS55138236A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2865876B2 (ja) * | 1994-04-06 | 1999-03-08 | フィッシャーヴェルケ アルツール フィッシャー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフト | 自動車組み付け用の特に傘のための保管装置 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62252140A (ja) * | 1986-04-25 | 1987-11-02 | Nippon Mining Co Ltd | ＩｎＰウエ−ハの洗浄方法 |
| US5098866A (en) * | 1988-12-27 | 1992-03-24 | Texas Instruments Incorporated | Method for reducing hot-electron-induced degradation of device characteristics |
-
1979
- 1979-04-12 JP JP4510379A patent/JPS55138236A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2865876B2 (ja) * | 1994-04-06 | 1999-03-08 | フィッシャーヴェルケ アルツール フィッシャー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフト | 自動車組み付け用の特に傘のための保管装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55138236A (en) | 1980-10-28 |
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