JPS6161269B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS6161269B2
JPS6161269B2 JP54042171A JP4217179A JPS6161269B2 JP S6161269 B2 JPS6161269 B2 JP S6161269B2 JP 54042171 A JP54042171 A JP 54042171A JP 4217179 A JP4217179 A JP 4217179A JP S6161269 B2 JPS6161269 B2 JP S6161269B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
tin oxide
oxide film
layer
thickness
gold layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP54042171A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS55134984A (en
Inventor
Kunihiko Takahama
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Priority to JP4217179A priority Critical patent/JPS55134984A/ja
Publication of JPS55134984A publication Critical patent/JPS55134984A/ja
Publication of JPS6161269B2 publication Critical patent/JPS6161269B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/20—Electrodes
    • H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
    • H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
本発明は酸化錫膜に対するオーミツク電極構造
に関する。 この種オーミツク電極としては、酸化錫膜に対
する接着力が強く、又オーミツク電極へのワイヤ
ボンデイング固着強度の大なるものが望ましい。 本発明は上記点に鑑みてなされたもので、以下
本発明を太陽電池に適用した実施例において説明
する。 図は実施例を示し、１はＮ型、比抵抗10Ωcmの
単結晶シリコン基板、２は該基板上に被着された
酸化錫膜である。該酸化錫膜はCVD法により形
成され、膜厚2550Åを有し、透光性であると共
に、基板１と共にヘテロ接合を形成し、斯る接合
は、酸化錫膜２を通して基板１へ光入射があつた
場合、光起電力発生に寄与する。 ３は酸化錫膜２に対するオーミツク電極であり
酸化錫膜２上に被着されたクロム層４と、該層上
に被着された金層５とからなる。クロム層４や金
層５は基板１を約150℃に保つた状態で真空蒸着
により形成され、夫々の膜厚は前者が300Å後者
が5000Åの大きさにおいて、酸化錫膜２―クロム
層４―金層５間の接着力と、金層５へのワイヤボ
ンデイング接着力の各強度が最も好ましいものと
なつた。 第１表に上記金層５の膜厚を5000Åとなしクロ
ム層４の膜厚を変化させた場合、金層５へのアル
ミニウム線の超音波ボンデイングによる固着力及
び酸化錫膜２に対する接着力の各試験結果を示
す。
【表】 第２表に、上記クロム層４の膜厚を300Åとな
し、金層５の膜厚を変化させた場合、同様に金層
５へのアルミニウム線の超音波ボンデングによる
固着力及びクロム層４と金層５との接着力の各試
験結果を示す。
【表】 上記各表より、クロム層４及び金層５の夫々の
膜厚は、100〜600Å及び2000〜10000Åの範囲で
好ましい結果をもたらすことが判る。 以上の説明より明らかな如く、本発明によれば
酸化錫膜に対する接着力が強く、又ワイヤボンデ
イング固着強度も大なるオーミツク電極が得られ
る。
【図面の簡単な説明】
図は本発明実施例の側面図を示し、２は酸化錫
膜、４はクロム層、５は金層である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 酸化錫膜に対するオーミツク電極構造におい
    て、該構造は上記酸化錫膜上に被着された膜厚
    100〜600Åのクロム層と、該クロム層上に被着さ
    れた膜厚2000〜10000Åの金層とからなることを
    特徴とするオーミツク電極構造。
JP4217179A 1979-04-06 1979-04-06 Ohmic electrode structure Granted JPS55134984A (en)

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JP4217179A JPS55134984A (en) 1979-04-06 1979-04-06 Ohmic electrode structure

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JP4217179A JPS55134984A (en) 1979-04-06 1979-04-06 Ohmic electrode structure

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JPS55134984A JPS55134984A (en) 1980-10-21
JPS6161269B2 true JPS6161269B2 (ja) 1986-12-24

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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0260171A (ja) * 1988-08-26 1990-02-28 Mitsubishi Electric Corp 太陽電池

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3753624A (en) * 1971-08-20 1973-08-21 Valeron Corp Boring tool for small diameters

Also Published As

Publication number Publication date
JPS55134984A (en) 1980-10-21

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