JPS6161376B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6161376B2 JPS6161376B2 JP17806980A JP17806980A JPS6161376B2 JP S6161376 B2 JPS6161376 B2 JP S6161376B2 JP 17806980 A JP17806980 A JP 17806980A JP 17806980 A JP17806980 A JP 17806980A JP S6161376 B2 JPS6161376 B2 JP S6161376B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide film
- chromium oxide
- film
- chromium
- glass substrate
- Prior art date
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- Expired
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/80—Etching
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ガラス基板上に遮光膜としてクロム
膜を用いたハード型フオトマスクであるハードマ
スクの製造方法に関するものである。
膜を用いたハード型フオトマスクであるハードマ
スクの製造方法に関するものである。
半導体装置（IC、LSI等）の高性能化、高集積
化が図られ、それに伴う微細加工方法の研究開発
も進んでいる。この微細加工技術のひとつである
フオトエツチング（フオトリングラフイともい
う）処理においてハードマスクが使用されてい
る。
化が図られ、それに伴う微細加工方法の研究開発
も進んでいる。この微細加工技術のひとつである
フオトエツチング（フオトリングラフイともい
う）処理においてハードマスクが使用されてい
る。
このようなハードマスクは、通常、ガラス基板
上にクロム膜を形成し、このクロム膜上に反射防
止用の酸化クロム膜を形成し、この酸化クロム膜
上にフオトレジストパターンを形成し、このレジ
ストパターンをマスクとして酸化クロム膜および
クロム膜を選択的にエツチング除去して所定のマ
スクパターンを形成することで製造されている
（例えば、藤波知昭、浅尾薫：「マスクブランク
ス製造技術」、電子材料、Vol.18 No.11、pp.96−
99（1979）参照）。
上にクロム膜を形成し、このクロム膜上に反射防
止用の酸化クロム膜を形成し、この酸化クロム膜
上にフオトレジストパターンを形成し、このレジ
ストパターンをマスクとして酸化クロム膜および
クロム膜を選択的にエツチング除去して所定のマ
スクパターンを形成することで製造されている
（例えば、藤波知昭、浅尾薫：「マスクブランク
ス製造技術」、電子材料、Vol.18 No.11、pp.96−
99（1979）参照）。
ハードマスクの製造方法を図面を参照しながら
より詳しく説明する。
より詳しく説明する。
まず、透明なガラス基板１（第１Ａ図）の上に
真空蒸着法又はスパツタリング法によつてクロム
膜２を形成する。続いて同じ真空蒸着装置又はス
パツタリング装置内で反射防止を目的とした酸化
クロム膜３を形成する。そして、酸化クロム膜３
上にフオトレジストをスピンコート法などで塗布
してレジスト膜４を形成する（第１Ａ図）。次
に、光（第１Ａ図の矢印）を所定箇所のレジスト
膜４に照射する。
真空蒸着法又はスパツタリング法によつてクロム
膜２を形成する。続いて同じ真空蒸着装置又はス
パツタリング装置内で反射防止を目的とした酸化
クロム膜３を形成する。そして、酸化クロム膜３
上にフオトレジストをスピンコート法などで塗布
してレジスト膜４を形成する（第１Ａ図）。次
に、光（第１Ａ図の矢印）を所定箇所のレジスト
膜４に照射する。
レジスト膜４を現像して露光された部分を除去
して、レジストパターンを形成する（第１Ｂ
図）。
して、レジストパターンを形成する（第１Ｂ
図）。
次に、エツチング液（例えば、硝酸第２セリウ
ムアンモニウム系クロムエツチング液）で露出し
た酸化クロム膜３およびクロム膜２を除去する
（第１Ｃ図）。このエツチング処理において、レジ
スト膜４の下にある酸化クロム膜３の一部がひさ
し状の突起部分となる問題がある。このような突
起部分は洗浄工程、製造後に付けられた保護膜を
使用前に取外す際、などにおいて一部欠け落ちる
ことがあり、このことはパターンのエツジ部がギ
ザつくことなり、微細加工にとつては好ましくな
い。例えば、クロム膜２の厚さが70nｍで酸化ク
ロム膜３の厚さが30nｍであるならば、突起部分
の長さＡ（第１Ｃ図）は約100nｍである。
ムアンモニウム系クロムエツチング液）で露出し
た酸化クロム膜３およびクロム膜２を除去する
（第１Ｃ図）。このエツチング処理において、レジ
スト膜４の下にある酸化クロム膜３の一部がひさ
し状の突起部分となる問題がある。このような突
起部分は洗浄工程、製造後に付けられた保護膜を
使用前に取外す際、などにおいて一部欠け落ちる
ことがあり、このことはパターンのエツジ部がギ
ザつくことなり、微細加工にとつては好ましくな
い。例えば、クロム膜２の厚さが70nｍで酸化ク
ロム膜３の厚さが30nｍであるならば、突起部分
の長さＡ（第１Ｃ図）は約100nｍである。
本発明の目的は、上述した酸化クロム膜の突起
部分を小さくしてエツチ部に欠けのないパターン
を有するハードマスクを製造することである。
部分を小さくしてエツチ部に欠けのないパターン
を有するハードマスクを製造することである。
上述の目的が、上述したハードマスクの製造方
法において、酸化クロム膜形成後にガラス基板を
希塩酸溶液又は希硫酸溶液中に浸漬し、そしてフ
オトレジストを塗布することを特徴とするハード
マスクの製造方法によつて達成される。
法において、酸化クロム膜形成後にガラス基板を
希塩酸溶液又は希硫酸溶液中に浸漬し、そしてフ
オトレジストを塗布することを特徴とするハード
マスクの製造方法によつて達成される。
酸化クロム膜を有するガラス基板を希塩酸又は
希硫酸溶液に浸漬する時間は５ないし10分が好ま
しく、浸漬後水洗いする。
希硫酸溶液に浸漬する時間は５ないし10分が好ま
しく、浸漬後水洗いする。
本発明に従つて酸浸漬処理した後に上述した製
造と同じ工程でハードマスクを作成すると、酸化
クロム膜の突起部分は従来よりもかなり小さい。
例えば、70nｍ厚のクロム膜と30nｍ厚の酸化ク
ロム膜との場合で突起部分の長さＢ（第２図）が
約20nｍである。酸化クロム膜の突起部分の長さ
は本発明に従つて製造すれば従来の場合と比べて
0.02μｍになる。したがつて、従来問題となつて
いた突起部分の欠損はほとんど生じなくなり、微
細加工の信頼性が向上する。
造と同じ工程でハードマスクを作成すると、酸化
クロム膜の突起部分は従来よりもかなり小さい。
例えば、70nｍ厚のクロム膜と30nｍ厚の酸化ク
ロム膜との場合で突起部分の長さＢ（第２図）が
約20nｍである。酸化クロム膜の突起部分の長さ
は本発明に従つて製造すれば従来の場合と比べて
0.02μｍになる。したがつて、従来問題となつて
いた突起部分の欠損はほとんど生じなくなり、微
細加工の信頼性が向上する。
実施例および比較例
２枚の厚さ1.6mmのガラス基板上にスパツタリ
ングによつて厚さ600Åのクロム膜を続いて厚さ
300Åの酸化クロム膜を形成した。
ングによつて厚さ600Åのクロム膜を続いて厚さ
300Åの酸化クロム膜を形成した。
得られたガラス基板の１枚を希塩酸溶液（10％
HCl）中に５分間浸漬して水洗した。
HCl）中に５分間浸漬して水洗した。
酸浴浸漬処理したガラス基板および処理されて
いないガラス基板にフオトレジストをスピンコー
ト法で厚さ0.5〜１μｍに塗布した。このレジス
トを露光・現像してレジストパターンを形成し
た。そして、硝酸第２セリウムアンモニウムおよ
び過塩素酸の溶液のエツチング液で露出している
酸化クロム膜およびクロム膜を除去した。最後
に、レジストパターンを除去してハードマスクが
得られた。
いないガラス基板にフオトレジストをスピンコー
ト法で厚さ0.5〜１μｍに塗布した。このレジス
トを露光・現像してレジストパターンを形成し
た。そして、硝酸第２セリウムアンモニウムおよ
び過塩素酸の溶液のエツチング液で露出している
酸化クロム膜およびクロム膜を除去した。最後
に、レジストパターンを除去してハードマスクが
得られた。
ハードマスクの酸化クロム膜の突起部分の長さ
を調べると、本発明に従つて酸浴浸漬処理した場
合には0.02μｍの長さであり、一方従来通りで酸
浴浸漬処理しない場合には0.1〜0.2μｍの長さで
あつた。
を調べると、本発明に従つて酸浴浸漬処理した場
合には0.02μｍの長さであり、一方従来通りで酸
浴浸漬処理しない場合には0.1〜0.2μｍの長さで
あつた。
第１Ａ図、第１Ｂ図および第１Ｃ図は、従来方
法に従つたハードマスクの製造工程を説明するハ
ードマスクの部分断面図であり、および、第２図
は本発明に従つて製造しているハードマスクの部
分断面図である。 １……ガラス基板、２……クロム膜、３……酸
化クロム膜、４……フオトレジスト膜、Ａ，Ｂ…
…酸化クロム膜の突起部分の長さ。
法に従つたハードマスクの製造工程を説明するハ
ードマスクの部分断面図であり、および、第２図
は本発明に従つて製造しているハードマスクの部
分断面図である。 １……ガラス基板、２……クロム膜、３……酸
化クロム膜、４……フオトレジスト膜、Ａ，Ｂ…
…酸化クロム膜の突起部分の長さ。
Claims (1)
- １ ガラス基板上にクロム膜および酸化クロム膜
を順次形成し、この酸化クロム膜上にフオトレジ
ストパターンを形成し、このフオトレジストパタ
ーンをマスクとして前記酸化クロム膜およびクロ
ム膜を選択的にエツチング除去することからなる
ハードマスクの製造方法において、前記酸化クロ
ム膜形成後に前記ガラス基板を希塩酸溶液又は希
硫酸溶液中に浸漬し、そして前記酸化クロム膜上
にフオトレジストを塗布することを特徴とするハ
ードマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17806980A JPS57101838A (en) | 1980-12-18 | 1980-12-18 | Manufacture of hard mask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17806980A JPS57101838A (en) | 1980-12-18 | 1980-12-18 | Manufacture of hard mask |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57101838A JPS57101838A (en) | 1982-06-24 |
| JPS6161376B2 true JPS6161376B2 (ja) | 1986-12-25 |
Family
ID=16042064
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17806980A Granted JPS57101838A (en) | 1980-12-18 | 1980-12-18 | Manufacture of hard mask |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57101838A (ja) |
-
1980
- 1980-12-18 JP JP17806980A patent/JPS57101838A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57101838A (en) | 1982-06-24 |
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