JPS616275A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPS616275A JPS616275A JP59125198A JP12519884A JPS616275A JP S616275 A JPS616275 A JP S616275A JP 59125198 A JP59125198 A JP 59125198A JP 12519884 A JP12519884 A JP 12519884A JP S616275 A JPS616275 A JP S616275A
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- JP
- Japan
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- electrodes
- drum
- electrode
- raw material
- material gas
- Prior art date
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/24—Deposition of silicon only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野］
本発明は、プラズマＣＶＤ技術を用いてドラム等の円筒
状基体の表面にアモルファス拳シリコン等の膜を蒸着し
て、例えば、電子写真用感光体ドラムを連続的に生産す
ることのできるプラズマＣＶＤ装置に関し、特にその原
料ガスを適切に処理してドラム表面にアモＩファス・シ
リコン膜を均等に蒸着することができるプラズマＣＶＤ
装置に関するものである。
状基体の表面にアモルファス拳シリコン等の膜を蒸着し
て、例えば、電子写真用感光体ドラムを連続的に生産す
ることのできるプラズマＣＶＤ装置に関し、特にその原
料ガスを適切に処理してドラム表面にアモＩファス・シ
リコン膜を均等に蒸着することができるプラズマＣＶＤ
装置に関するものである。
【従来技術ｌ
この種の装置は、プラズマＣＶＤ装置の電極配置方式か
ら分類すれば、従来の容量結合型プラズマＣＶＤ装置と
同様の構造を有するが、この構造を主に電子写真用感光
体ドラム作製用のプラズマＣＶＤ装置に適用すると、カ
ソード電極と７ノード電極（ドラム）とが同心円状に配
置されているため。
ら分類すれば、従来の容量結合型プラズマＣＶＤ装置と
同様の構造を有するが、この構造を主に電子写真用感光
体ドラム作製用のプラズマＣＶＤ装置に適用すると、カ
ソード電極と７ノード電極（ドラム）とが同心円状に配
置されているため。
ドラム収納個数が制約され、装置構造が複雑になる。
そこで以トのような問題を考慮して、主としてアモルフ
ァス・シリコン感光体材料を用いる′１！ｒ写貞川感光
用ドラムの績産装置を得るべく、１述の従来例のごとき
複雑な装置構造を大幅に簡素化し、ドラムの収納個数を
増やし、かつ″＠極配置方法、及び形状を改善すること
により、従来の装とでは困難であった電子写真用ドラム
等の酸産、及び高速成膜をも利に可使ならしめた装置が
提案された。
ァス・シリコン感光体材料を用いる′１！ｒ写貞川感光
用ドラムの績産装置を得るべく、１述の従来例のごとき
複雑な装置構造を大幅に簡素化し、ドラムの収納個数を
増やし、かつ″＠極配置方法、及び形状を改善すること
により、従来の装とでは困難であった電子写真用ドラム
等の酸産、及び高速成膜をも利に可使ならしめた装置が
提案された。
第１図はこのようなプラズマＣＶＤ装置を示し、図中１
５は表面にアモルファス・シリコン膜を形成するように
アルミニウム基板をドラム状に形成した円筒状基体とし
てのドラムである。
５は表面にアモルファス・シリコン膜を形成するように
アルミニウム基板をドラム状に形成した円筒状基体とし
てのドラムである。
１はドラムを加熱するための加熱室、２は加熱室ｌに続
けて設けられ、ドラム１５の表面にプラズマＣＶＤＩ、
によりアモルファス会シリコン膜を形成するための反応
室、および３は反応室２に続けて設けられ、膜形成後の
ドラムを冷却するための冷却室である。これらの室１．
２および３は気密構造を有している。６は複数のドラノ
、１５を軸中心に回転させると共に、これらの中心軸
が／ｌ−いに同一平面−１，になるように、かつ各軸が
’＋’？＋になるように直立して保持し、ｙらにドラム
回転搬送機構を備えた保持枠である。
けて設けられ、ドラム１５の表面にプラズマＣＶＤＩ、
によりアモルファス会シリコン膜を形成するための反応
室、および３は反応室２に続けて設けられ、膜形成後の
ドラムを冷却するための冷却室である。これらの室１．
２および３は気密構造を有している。６は複数のドラノ
、１５を軸中心に回転させると共に、これらの中心軸
が／ｌ−いに同一平面−１，になるように、かつ各軸が
’＋’？＋になるように直立して保持し、ｙらにドラム
回転搬送機構を備えた保持枠である。
４は加熱室１内に各室１．２および３の連続方向に沿う
ように配置された一対のヒーターである。
ように配置された一対のヒーターである。
この一対のヒーター４は、介いにモ行になるように直立
して配置され、かつその間に配列方向がヒーター４に平
行になるように配置されたドラム１５を加熱する。５は
各室の一側壁に設けられ、各室を真空に保つためのフィ
ルター及びバッフルを備えた排気系である。７はカソー
ド電極としての一対の平板状電極であって、ｑ−いにｔ
行になるように直立して反応室２内に配置きれている。
して配置され、かつその間に配列方向がヒーター４に平
行になるように配置されたドラム１５を加熱する。５は
各室の一側壁に設けられ、各室を真空に保つためのフィ
ルター及びバッフルを備えた排気系である。７はカソー
ド電極としての一対の平板状電極であって、ｑ−いにｔ
行になるように直立して反応室２内に配置きれている。
この一対の電極７は原料ガス供給のため一重構造となし
、その間に配列方向が電極７とモ行になるように配置さ
れたドラム１５に向ってガスを噴出する多数の孔を内側
全面にわたって有１２、さらにヒータにより加熱される
。８はモ板状電極７の外側に接続された、同電極７の二
重構造内に原料ガスを供給するための原料ガス供給パイ
プ、９は電極７にパイプ８を介して高周波パワーを供給
するための電源、 １０は保持枠６に保持されたドラム
１５をアノード電極とするためのアースである。
、その間に配列方向が電極７とモ行になるように配置さ
れたドラム１５に向ってガスを噴出する多数の孔を内側
全面にわたって有１２、さらにヒータにより加熱される
。８はモ板状電極７の外側に接続された、同電極７の二
重構造内に原料ガスを供給するための原料ガス供給パイ
プ、９は電極７にパイプ８を介して高周波パワーを供給
するための電源、 １０は保持枠６に保持されたドラム
１５をアノード電極とするためのアースである。
１１は一対の冷却板であって、互いに平行になるように
直立して冷却室３内に配置されている。一対の冷却板１
１はその間にある膜形成の終ったドラム１５を冷却する
ために内部に水等の冷媒流路を有する。１２は冷却板＋
１内に供給する水等の冷媒、 １３は各室１．２および
３を隔離し、かつドラム１５が保持枠Ｂとともに移動す
るときに開状態になるように制御されるゲート・バルブ
、 １４は加熱室ｌ及び冷却室３の排気系５に設けられ
各室１および３を大気に戻すためのリーク拳バルブであ
る。
直立して冷却室３内に配置されている。一対の冷却板１
１はその間にある膜形成の終ったドラム１５を冷却する
ために内部に水等の冷媒流路を有する。１２は冷却板＋
１内に供給する水等の冷媒、 １３は各室１．２および
３を隔離し、かつドラム１５が保持枠Ｂとともに移動す
るときに開状態になるように制御されるゲート・バルブ
、 １４は加熱室ｌ及び冷却室３の排気系５に設けられ
各室１および３を大気に戻すためのリーク拳バルブであ
る。
保持枠６に固定されたドラム１５は、第１図中左端のゲ
ート・バルブ１３内を通って、加熱室ｌに入り、排気系
５により真空にされた後の、加熱室ｌ内において回転し
ながらヒーター４により加熱される。加熱されたドラム
１５は両室ｌおよび２間のゲート−バルブ１３内を通っ
て排気系５により真空に保たれた反応室２に保持枠６と
ともに入る。反応室２に入ったドラム１５はアース１０
に接続されて、高周波電源３に接続されたカッ−ド電極
としての−・対の電極７に対する７ノード電極を形成す
る。電極７と電場を形成し、ヒーターにより加熱された
ドラム１５の表面には、原料ガス供給パイプ８から送ら
れるシラン等の原料ガスがプラズマ中で分解スることに
よってアモルファス舎シリコン膜が形成される。膜形成
の終ったドラム１５は反応室２と冷却室３との間のゲー
ト・バルブ１３内を通って、排気系５により真空に保た
れた冷却室３に入り、冷却板１１を介して冷媒１２と熱
交換して冷却され、リーク・バルブ１４により大気に戻
された冷却室３から第１図中右端のゲート・バルブ１３
内を通って冷却室３外に出され蒸着工程を終了する。
ート・バルブ１３内を通って、加熱室ｌに入り、排気系
５により真空にされた後の、加熱室ｌ内において回転し
ながらヒーター４により加熱される。加熱されたドラム
１５は両室ｌおよび２間のゲート−バルブ１３内を通っ
て排気系５により真空に保たれた反応室２に保持枠６と
ともに入る。反応室２に入ったドラム１５はアース１０
に接続されて、高周波電源３に接続されたカッ−ド電極
としての−・対の電極７に対する７ノード電極を形成す
る。電極７と電場を形成し、ヒーターにより加熱された
ドラム１５の表面には、原料ガス供給パイプ８から送ら
れるシラン等の原料ガスがプラズマ中で分解スることに
よってアモルファス舎シリコン膜が形成される。膜形成
の終ったドラム１５は反応室２と冷却室３との間のゲー
ト・バルブ１３内を通って、排気系５により真空に保た
れた冷却室３に入り、冷却板１１を介して冷媒１２と熱
交換して冷却され、リーク・バルブ１４により大気に戻
された冷却室３から第１図中右端のゲート・バルブ１３
内を通って冷却室３外に出され蒸着工程を終了する。
しかしながら以−■−のような構成のプラズマＣＶＤ装
置においては次のような欠点がある。すなわち、第２図
は冷却室２の断面を示し、図中矢印で示すように、原料
ガス、は平板状電極７の内側に全面にわたって形成され
たガス噴出用の孔７Ａからドラム１５に向って噴出する
０図中右側の平板状電極７から噴出した原料ガスは、ド
ラム１５の主として右側の半周部分に接触し、そして、
左側の平板状電極７の周辺を通って排気系５に排気され
、一方、図中左側の平板状７電極から噴出した原料ガス
はドラム１５の主として左側の半周部分に接触して左側
の平板状電極７の周辺を通って排気系５に排気される。
置においては次のような欠点がある。すなわち、第２図
は冷却室２の断面を示し、図中矢印で示すように、原料
ガス、は平板状電極７の内側に全面にわたって形成され
たガス噴出用の孔７Ａからドラム１５に向って噴出する
０図中右側の平板状電極７から噴出した原料ガスは、ド
ラム１５の主として右側の半周部分に接触し、そして、
左側の平板状電極７の周辺を通って排気系５に排気され
、一方、図中左側の平板状７電極から噴出した原料ガス
はドラム１５の主として左側の半周部分に接触して左側
の平板状電極７の周辺を通って排気系５に排気される。
このように反応室２内に供給された原料ガスの流れは反
応室２内においてきわめて不均等であり、特に第２図に
示すようにドラム１５の左側における軸方向の中間部分
近傍の原料ガスおよび左側の平板状電極７の内側の上下
両端部分から噴出した原料ガスなどは、反応室２内にお
いてよどみやすい、その結果、ドラム１５の周囲におい
て、原料ガスの密度は不均一になりやすく、そのため、
ドラム１５の表面に得られたアモルファス・シリコンの
膜厚および膜質は不均一になりやすい。
応室２内においてきわめて不均等であり、特に第２図に
示すようにドラム１５の左側における軸方向の中間部分
近傍の原料ガスおよび左側の平板状電極７の内側の上下
両端部分から噴出した原料ガスなどは、反応室２内にお
いてよどみやすい、その結果、ドラム１５の周囲におい
て、原料ガスの密度は不均一になりやすく、そのため、
ドラム１５の表面に得られたアモルファス・シリコンの
膜厚および膜質は不均一になりやすい。
−男子板状カソード電極７は電極とガス噴出手段とを兼
ねており、したがってその構造が複雑であり、ガス噴出
孔において異常放電する恐れがある。
ねており、したがってその構造が複雑であり、ガス噴出
孔において異常放電する恐れがある。
【目的１
本発明の目的は以上のような問題を解消し、適切な原ネ
４ガスの流れを形成して、表面に膜厚および膜質の均一
なアモルファス・シリコン等の膜を有するドラム等の円
筒状基体が得られるプラズマＣＶＤ装置を提供すること
にある。
４ガスの流れを形成して、表面に膜厚および膜質の均一
なアモルファス・シリコン等の膜を有するドラム等の円
筒状基体が得られるプラズマＣＶＤ装置を提供すること
にある。
［実施例］
第３図は本発明の一実施例にかかるプラズマＣＶＤ装置
の平面図、第４図は同装置の要部を示す斜視図、第５図
は同装置の要部の断面図である。
の平面図、第４図は同装置の要部を示す斜視図、第５図
は同装置の要部の断面図である。
本発明にかかるプラズマＣＶＤ装置においては、反応室
内の電極および原料ガス供給排気のための構造を除いて
第１図に示したプラズマＣＶＤ装置と同様な構成である
ので、以下、反応室について主に説明する。
内の電極および原料ガス供給排気のための構造を除いて
第１図に示したプラズマＣＶＤ装置と同様な構成である
ので、以下、反応室について主に説明する。
すなわち第３図および第４図に示すように、本発明にか
かるプラズマＣＶＤ装置における反応室２１内には、一
対の平板状電極２２が、従来の平板状電極７と同様の位
置に、互いに平行になるように直立して配置されている
。この一対の平板状電極２２は、その内側にガス噴出用
の孔を有さず、平坦になっており、接続手段２２Ａを介
して高周波電源９に接続し、カソード電極とする。平板
状電極２２の上端には、これに近接して、かつこれと平
行に、すなわちドラム１５の配列方向と平行に原料ガス
供給管２３が設けられ、同電極２２の下端には、これに
近接して、かつこれと平行に、排気管２Ｂが設けられて
いる。原料ガス供給管２３および排気管２８の長さは、
平板状電極２２の長さとほぼ同一である。
かるプラズマＣＶＤ装置における反応室２１内には、一
対の平板状電極２２が、従来の平板状電極７と同様の位
置に、互いに平行になるように直立して配置されている
。この一対の平板状電極２２は、その内側にガス噴出用
の孔を有さず、平坦になっており、接続手段２２Ａを介
して高周波電源９に接続し、カソード電極とする。平板
状電極２２の上端には、これに近接して、かつこれと平
行に、すなわちドラム１５の配列方向と平行に原料ガス
供給管２３が設けられ、同電極２２の下端には、これに
近接して、かつこれと平行に、排気管２Ｂが設けられて
いる。原料ガス供給管２３および排気管２８の長さは、
平板状電極２２の長さとほぼ同一である。
原料ガス供給管２３には、その長さ方向に沿って複数の
ガス噴出用の孔２４が形成されている。排気管２Ｂには
その長さ方向に沿って複数のガス吸込用の孔２７が形成
されている。２３Ｂは原料ガス供給管２３に連通したガ
ス供給管であって、図示しない原料ガス供給源に接続さ
れている。 ２８Ｂは、排気管２Ｂに連通した管であっ
て、図示しない排気装置に接続されている。
ガス噴出用の孔２４が形成されている。排気管２Ｂには
その長さ方向に沿って複数のガス吸込用の孔２７が形成
されている。２３Ｂは原料ガス供給管２３に連通したガ
ス供給管であって、図示しない原料ガス供給源に接続さ
れている。 ２８Ｂは、排気管２Ｂに連通した管であっ
て、図示しない排気装置に接続されている。
以上のような構成による本発明プラズマＣＶＤ装置の作
用を次に説明する。第４図および第５図に矢印で示すよ
うに、原料ガス供給管２３の孔２４から反応室２１内に
噴出した原料ガスは、一対の平板状電極２２の間の空間
をドラム１５の軸心方向に沿って電極２２の」二端から
下向きに流れ、電極２２の下端の排気管２Ｂの孔２７に
吸い込まれて反応室２１外に排気される。このように原
料ガスは、反応室２内を上から下に向かってほぼ垂直に
よどみなく流れる。
用を次に説明する。第４図および第５図に矢印で示すよ
うに、原料ガス供給管２３の孔２４から反応室２１内に
噴出した原料ガスは、一対の平板状電極２２の間の空間
をドラム１５の軸心方向に沿って電極２２の」二端から
下向きに流れ、電極２２の下端の排気管２Ｂの孔２７に
吸い込まれて反応室２１外に排気される。このように原
料ガスは、反応室２内を上から下に向かってほぼ垂直に
よどみなく流れる。
したがってドラム１５の周囲に原料ガスのスムーズな流
れが形成される。
れが形成される。
その結果、ドラム１５の表面に膜厚および膜質が均一な
アモルファス・シリコン膜が形成される。
アモルファス・シリコン膜が形成される。
なお、その原料ガスの放出用の孔２４と同ガスの吸い込
み用の孔２７の位置９間隔および個数を適当に設定する
ことによって、ドラム１５の配列方向におけるガス密度
を適切に制御することができ、したがって同配列方向に
おける原料ガスの分解効率を効率的に制御することがで
きる。加熱室ｌおよび冷却室３におけるドラム１５の処
理は従来と同様である。
み用の孔２７の位置９間隔および個数を適当に設定する
ことによって、ドラム１５の配列方向におけるガス密度
を適切に制御することができ、したがって同配列方向に
おける原料ガスの分解効率を効率的に制御することがで
きる。加熱室ｌおよび冷却室３におけるドラム１５の処
理は従来と同様である。
また、上記実施例では、一対の電極２２は共に高周波電
源８に接続してカソード電極としたが、これらの一方を
カソード電極とし、他方も高周波電源８に接続せずにア
ースして、７ノード電極としてもよい（ドラム１５はア
ースする）。
源８に接続してカソード電極としたが、これらの一方を
カソード電極とし、他方も高周波電源８に接続せずにア
ースして、７ノード電極としてもよい（ドラム１５はア
ースする）。
【効果１
以上説明したように本発明によれば、膜厚および膜質が
均一であり、電気的特性に優れたアモルファス・シリコ
ン膜等の金属膜を表面に有する円筒状基体を効率的に得
ることができる。また本発明によれば、円筒状基体の配
列方向におけるガス密度分布を適切に制御することがで
きる。さらに本発明によれば平行平板電極が簡単な構造
で済む。
均一であり、電気的特性に優れたアモルファス・シリコ
ン膜等の金属膜を表面に有する円筒状基体を効率的に得
ることができる。また本発明によれば、円筒状基体の配
列方向におけるガス密度分布を適切に制御することがで
きる。さらに本発明によれば平行平板電極が簡単な構造
で済む。
ラズマＣｖ口装置の概略平面図、
第２図は同装置における反応室の縦断面図、第３図は電
子写真感光体ドラム製造用の本発明にかかるプラズマＣ
ＶＤ装置の一実施例を示すｆ面図。
子写真感光体ドラム製造用の本発明にかかるプラズマＣ
ＶＤ装置の一実施例を示すｆ面図。
第４図は同装置の要部を示す斜視図、
第５図は同装置における反応室の縦断面図である。
１５・・・ドラム、
２１・・・反応室、
２２・・・平板状電極、
２３・・・原料ガス供給管、
２４・・・原料ガス噴出用の孔、
２５・・・原料ガス、
２Ｂ・・・排気管、
２７・・・原料ガス吸い込み用の孔。
ソ
憾
虹つ
憾
Claims (1)
- 互いに平行になるように配置した一対の平行平板電極と
、各中心軸が前記電極と平行な同一平面上に位置し、か
つ互いに平行になるように複数の円筒状基体を前記一対
の平行平板電極の間に配置するための基体保持手段と、
前記一対の平行平板電極の間に位置した複数の円筒状基
体の配列方向に沿って原料ガスの噴出部が位置するよう
に前記一対の電極の一端近傍に配置した原料ガス供給手
段と、前記一対の平行平板電極の間に配置した複数の円
筒状基体の配列方向に沿って原料ガスの吸込部が位置す
るように前記一対の電極部の他端近傍に配置した原料ガ
ス排気手段とを具えたことを特徴とするプラズマＣＶＤ
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59125198A JPS616275A (ja) | 1984-06-20 | 1984-06-20 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59125198A JPS616275A (ja) | 1984-06-20 | 1984-06-20 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS616275A true JPS616275A (ja) | 1986-01-11 |
| JPS6242026B2 JPS6242026B2 (ja) | 1987-09-05 |
Family
ID=14904338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59125198A Granted JPS616275A (ja) | 1984-06-20 | 1984-06-20 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS616275A (ja) |
-
1984
- 1984-06-20 JP JP59125198A patent/JPS616275A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6242026B2 (ja) | 1987-09-05 |
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