JPH0152052B2 - - Google Patents
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- JPH0152052B2 JPH0152052B2 JP19960881A JP19960881A JPH0152052B2 JP H0152052 B2 JPH0152052 B2 JP H0152052B2 JP 19960881 A JP19960881 A JP 19960881A JP 19960881 A JP19960881 A JP 19960881A JP H0152052 B2 JPH0152052 B2 JP H0152052B2
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- reaction chamber
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、例えば電子写真用感光体ドラムの連
続蒸着装置、特にプラズマCVD（Chemical
Vapor Deposition）技術を用いてドラム表面に
アモルフアス・シリコン膜を蒸着し、感光体ドラ
ムを連続的に生産することのできるプラズマ
CVD装置に関するものである。
続蒸着装置、特にプラズマCVD（Chemical
Vapor Deposition）技術を用いてドラム表面に
アモルフアス・シリコン膜を蒸着し、感光体ドラ
ムを連続的に生産することのできるプラズマ
CVD装置に関するものである。
本発明は、プラズマCVD装置の電極配置方式
から分類すれば、従来の容量結合型プラズマ
CVD装置と同様の構造を有するが、主に電子写
真用感光体ドラム作製用プラズマCVD装置とし
て使用する場合、カソード電極とアノード電極
（ドラム）が同心円状に配置されているため、ド
ラム収納個数が制約され、インラインタイプの装
置を考慮した場合装置構造が複雑になる等の欠点
があつた。
から分類すれば、従来の容量結合型プラズマ
CVD装置と同様の構造を有するが、主に電子写
真用感光体ドラム作製用プラズマCVD装置とし
て使用する場合、カソード電極とアノード電極
（ドラム）が同心円状に配置されているため、ド
ラム収納個数が制約され、インラインタイプの装
置を考慮した場合装置構造が複雑になる等の欠点
があつた。
第１図に、従来タイプの電子写真感光体ドラム
製造プラズマCVD装置の概略図を示す。図中、
G1は原料ガス導入方向、G2は同排気方向を示し、
ｇはガス吹出し穴、ｋはカソード電極、ｄはドラ
ムでのアノード電極、ｈはヒーターを示す。
製造プラズマCVD装置の概略図を示す。図中、
G1は原料ガス導入方向、G2は同排気方向を示し、
ｇはガス吹出し穴、ｋはカソード電極、ｄはドラ
ムでのアノード電極、ｈはヒーターを示す。
本発明は、主としてアモルフアス・シリコン感
光体材料を用いる電子写真用感光体ドラムの量産
装置として開発したものであり、上述従来例のご
とき複雑な装置構造を大幅に簡素化し、かつドラ
ムの収納個数を増やし、基本的には従来技術によ
る成膜手法を充分応用できる範囲内で電極配置方
法、及び形状を改善することにより、従来の装置
では困難であつた電子写真用ドラム等の量産、及
び高速成膜を有利に可能ならしめた装置である。
光体材料を用いる電子写真用感光体ドラムの量産
装置として開発したものであり、上述従来例のご
とき複雑な装置構造を大幅に簡素化し、かつドラ
ムの収納個数を増やし、基本的には従来技術によ
る成膜手法を充分応用できる範囲内で電極配置方
法、及び形状を改善することにより、従来の装置
では困難であつた電子写真用ドラム等の量産、及
び高速成膜を有利に可能ならしめた装置である。
本発明によるプラズマCVD装置の構成は、第
１番目の発明では、内部が減圧される反応室と、
各中心軸が互いにほぼ平行でほぼ平面を形成する
ように前記反応室内に配される複数の円筒状基体
を回転させるための手段と、前記複数の円筒状基
体に対向するように前記反応室内に配された平板
電極と、前記複数の円筒状基体と前記平板電極と
の間に電場を形成するための手段と、を有するこ
とを特徴とするものであり、また第２番目の発明
では、内部が減圧される反応室と、各中心軸が互
いにほぼ平行でほぼ平面を形成するように前記反
応室内に配される複数の円筒状基体を回転させる
ための手段と、前記反応室内に前記複数の円筒状
基体をはさんで互いにほぼ平行になるように配さ
れた複数の平板電極と、前記複数の平板電極の間
に電場を形成するための手段と、を有することを
特徴とするものである。
１番目の発明では、内部が減圧される反応室と、
各中心軸が互いにほぼ平行でほぼ平面を形成する
ように前記反応室内に配される複数の円筒状基体
を回転させるための手段と、前記複数の円筒状基
体に対向するように前記反応室内に配された平板
電極と、前記複数の円筒状基体と前記平板電極と
の間に電場を形成するための手段と、を有するこ
とを特徴とするものであり、また第２番目の発明
では、内部が減圧される反応室と、各中心軸が互
いにほぼ平行でほぼ平面を形成するように前記反
応室内に配される複数の円筒状基体を回転させる
ための手段と、前記反応室内に前記複数の円筒状
基体をはさんで互いにほぼ平行になるように配さ
れた複数の平板電極と、前記複数の平板電極の間
に電場を形成するための手段と、を有することを
特徴とするものである。
次に実施例装置に基いて本発明を詳細に説明す
る。
る。
第２図は本発明の実施例装置を示し図中１は
ドラムを加熱するための加熱室であり、２はドラ
ム表面にプラズマCVD法によりアモルフアス・
シリコン膜を形成するための反応室、３は膜形成
後にドラムを冷却するための冷却室である。４は
ドラムを加熱するためのヒーター、５は各室を真
空に保つためのフイルター及びバツフルを備えた
排気系、６はドラム回転搬送機構を備えた保持
枠、７は原料ガス供給のため二重構造となしドラ
ム面に向つてガスを吹き付ける多数の穴を有し、
ヒーターにより加熱され、高周波電源とガス供給
パイプに接続された平板状カソード電極であり、
８は原料ガス供給パイプ、９はカソード電極に高
周波パワーを供給するための電源であり、１０は
ドラムをアノード電極とするためのアース、１１
ハ膜形成の終つたドラムを冷却するために内部に
水等の冷媒流路を有する冷却板、１２は水等の冷
媒、１３は各室を隔離し、かつドラムが移動する
場合開状態になるゲート・バルブ、１４は加熱室
及び冷却室を大気に戻すためのリーク・バルブ
で、１５は表面にアモルフアス・シリコン膜を形
成するための円筒状基体としてのドラム状アルミ
基板（以下単にドラムという）である。
ドラムを加熱するための加熱室であり、２はドラ
ム表面にプラズマCVD法によりアモルフアス・
シリコン膜を形成するための反応室、３は膜形成
後にドラムを冷却するための冷却室である。４は
ドラムを加熱するためのヒーター、５は各室を真
空に保つためのフイルター及びバツフルを備えた
排気系、６はドラム回転搬送機構を備えた保持
枠、７は原料ガス供給のため二重構造となしドラ
ム面に向つてガスを吹き付ける多数の穴を有し、
ヒーターにより加熱され、高周波電源とガス供給
パイプに接続された平板状カソード電極であり、
８は原料ガス供給パイプ、９はカソード電極に高
周波パワーを供給するための電源であり、１０は
ドラムをアノード電極とするためのアース、１１
ハ膜形成の終つたドラムを冷却するために内部に
水等の冷媒流路を有する冷却板、１２は水等の冷
媒、１３は各室を隔離し、かつドラムが移動する
場合開状態になるゲート・バルブ、１４は加熱室
及び冷却室を大気に戻すためのリーク・バルブ
で、１５は表面にアモルフアス・シリコン膜を形
成するための円筒状基体としてのドラム状アルミ
基板（以下単にドラムという）である。
保持枠６に取付けられたドラム１５は、ゲー
ト・バルブ１３を通り、加熱室１に入り、排気系
５により真空にされた後、加熱室１内で回転しな
がらヒーター４により加熱される。加熱されたド
ラム１５はゲート・バルブ１３を通り排気系５に
より真空に保持された反応室２に入る。反応室に
入つたドラム１５はアース１０に接続され、高周
波電源９に接続されたカソード電極７との間でア
ノード電極を形成する。カソード電極と電場を形
成しヒーターにより加熱されたドラム１５の表面
には、原料ガス供給パイプ８から送られる原料ガ
スがプラズマ中で分解しドラム１５の表面に均一
な厚みのアモルフアス・シリコン膜が形成され
る。膜形成の終つたドラム１５はゲート・バルブ
１３を通り、排気系５により真空に保たれた冷却
室３に移動し、冷媒１２により冷却された冷却板
１１により冷却され、リーク・バルブ１４により
大気に戻された冷却室３からゲート・バルブ１３
を通り蒸着工程を終了する。
ト・バルブ１３を通り、加熱室１に入り、排気系
５により真空にされた後、加熱室１内で回転しな
がらヒーター４により加熱される。加熱されたド
ラム１５はゲート・バルブ１３を通り排気系５に
より真空に保持された反応室２に入る。反応室に
入つたドラム１５はアース１０に接続され、高周
波電源９に接続されたカソード電極７との間でア
ノード電極を形成する。カソード電極と電場を形
成しヒーターにより加熱されたドラム１５の表面
には、原料ガス供給パイプ８から送られる原料ガ
スがプラズマ中で分解しドラム１５の表面に均一
な厚みのアモルフアス・シリコン膜が形成され
る。膜形成の終つたドラム１５はゲート・バルブ
１３を通り、排気系５により真空に保たれた冷却
室３に移動し、冷媒１２により冷却された冷却板
１１により冷却され、リーク・バルブ１４により
大気に戻された冷却室３からゲート・バルブ１３
を通り蒸着工程を終了する。
第３図は本発明の他の実施例装置を示し基本
的には実施例と同様加熱室・反応室・冷却室の
３室構成となし、装置構造も反応室内の電極配置
のみが実施例と異なるのみで、他の部分は同様
の構造を有するものとする。したがつて、第３図
には反応室のみを図示する。
的には実施例と同様加熱室・反応室・冷却室の
３室構成となし、装置構造も反応室内の電極配置
のみが実施例と異なるのみで、他の部分は同様
の構造を有するものとする。したがつて、第３図
には反応室のみを図示する。
実施例において実施例と大きく異なる部分
は、カソード電極７がドラム１５の片面にのみ配
置されていることで、反応室構造が実施例に比
して、さらに簡略化したものであり、膜堆積速度
は実施例に比してわずかに低下するものの簡易
型量産装置としての機能を充分果し得るものであ
る。
は、カソード電極７がドラム１５の片面にのみ配
置されていることで、反応室構造が実施例に比
して、さらに簡略化したものであり、膜堆積速度
は実施例に比してわずかに低下するものの簡易
型量産装置としての機能を充分果し得るものであ
る。
第４図は本発明の更に他の実施例装置を示
し、実施例同様、反応室以外の装置構成および
機能は実施例と同様である。したがつて、第４
図には反応室のみを図示する。
し、実施例同様、反応室以外の装置構成および
機能は実施例と同様である。したがつて、第４
図には反応室のみを図示する。
実施例において、実施例および実施例と
基本的に異なる部分は、電極配置方法および反応
ガス吸入機構である。第４図において、１６は多
数個のガス吸入口を有し排気系５に接続された平
板型二重構造アノード電極であり、付属ヒーター
により加熱されている。１５はドラムであり、カ
ソード電極７とアノード電極１６によつて形成さ
れるグロー放電内のダーク・スペース領域に配置
され、電極としての機能を有しない。したがつ
て、原料ガスのプラズマ分解後に発生する活性種
がアノード電極近傍に配置され回転しているドラ
ム１５の表面上に堆積し、アモルフアス・シリコ
ン膜を形成するものである。アノード電極１６の
ガス吸入口は活性化されたガス流をドラム表面に
均一に集束させ膜堆積の効率化を可能にしてい
る。
基本的に異なる部分は、電極配置方法および反応
ガス吸入機構である。第４図において、１６は多
数個のガス吸入口を有し排気系５に接続された平
板型二重構造アノード電極であり、付属ヒーター
により加熱されている。１５はドラムであり、カ
ソード電極７とアノード電極１６によつて形成さ
れるグロー放電内のダーク・スペース領域に配置
され、電極としての機能を有しない。したがつ
て、原料ガスのプラズマ分解後に発生する活性種
がアノード電極近傍に配置され回転しているドラ
ム１５の表面上に堆積し、アモルフアス・シリコ
ン膜を形成するものである。アノード電極１６の
ガス吸入口は活性化されたガス流をドラム表面に
均一に集束させ膜堆積の効率化を可能にしてい
る。
本実施例の変形例としては、反応室前後にさら
に反応室を増やしていくことにより、アモルフア
ス・シリコン感光体単一層以外に、多層構成の電
子写真感光ドラムの量産も可能である。
に反応室を増やしていくことにより、アモルフア
ス・シリコン感光体単一層以外に、多層構成の電
子写真感光ドラムの量産も可能である。
さらに、ドラムおよび電極の縦型配置も可能で
ある。
ある。
以上説明したように、平板状カソード電極とド
ラム状あるいは平板状アノード電極構成による簡
略化された容量結合型プラズマCVD装置により、
円筒状電子写真用感光体ドラムという特異な形状
を有するドラム状アルミニウム基板表面にアモル
フアス・シリコン感光体膜を特性良く、均一に堆
積させることが可能となり、更に自動搬送機構を
導入することにより電子写真用感光体ドラムの量
産が可能となる。また、電極形状が多孔性入構造
平板型とすれば孔の開閉選択によりガス供給分布
を制御でき、電極板の中心から縁に向つて生ずる
電界強度の減少を逆向きから導入されるガスの濃
度分布で補うことができドラム面への膜の均一堆
積に効果がある。さらに平板型であるため安定し
たグロー放電が得られ異常放電等の膜特性に悪影
響を与える現象を抑制する効果がある。さらに、
装置構成がドラム及び電極配置方法を縦型、横型
の両方とも自由に選択できる構成になつているた
め、電極及びドラムを縦型配置にすることにより
アモルフアス・シリコン膜形成時に発生するゴミ
等の基板面への付着をさけることができ、膜中の
ピンホール等の膜形成不良の発生防止に効果があ
る。また、装置構成が単純であるため装置のメン
テナンスも容易に行なうことができる等の効果が
ある。
ラム状あるいは平板状アノード電極構成による簡
略化された容量結合型プラズマCVD装置により、
円筒状電子写真用感光体ドラムという特異な形状
を有するドラム状アルミニウム基板表面にアモル
フアス・シリコン感光体膜を特性良く、均一に堆
積させることが可能となり、更に自動搬送機構を
導入することにより電子写真用感光体ドラムの量
産が可能となる。また、電極形状が多孔性入構造
平板型とすれば孔の開閉選択によりガス供給分布
を制御でき、電極板の中心から縁に向つて生ずる
電界強度の減少を逆向きから導入されるガスの濃
度分布で補うことができドラム面への膜の均一堆
積に効果がある。さらに平板型であるため安定し
たグロー放電が得られ異常放電等の膜特性に悪影
響を与える現象を抑制する効果がある。さらに、
装置構成がドラム及び電極配置方法を縦型、横型
の両方とも自由に選択できる構成になつているた
め、電極及びドラムを縦型配置にすることにより
アモルフアス・シリコン膜形成時に発生するゴミ
等の基板面への付着をさけることができ、膜中の
ピンホール等の膜形成不良の発生防止に効果があ
る。また、装置構成が単純であるため装置のメン
テナンスも容易に行なうことができる等の効果が
ある。
第１図は従来タイプの電子写真感光体ドラム製
造プラズマCVD装置の概略図、第２図は本発明
のプラズマCVD装置の実施例装置の縦断面図、
第３図は同実施例装置の反応室の縦断面図、第
４図は同実施例装置の反応室の縦断面図であ
る。 １……加熱室、２……反応室、３……冷却室、
４……ヒーター、５……排気系、６……ドラム保
持枠、７……カソード電極、８……原料ガス供給
パイプ、９……RF電源、１０……アース、１１
……冷却板、１２……冷却水、１３……ゲーー
ト・バルブ、１４……リーク・バルブ、１５……
アルミ製ドラム、１６……アノード電極。
造プラズマCVD装置の概略図、第２図は本発明
のプラズマCVD装置の実施例装置の縦断面図、
第３図は同実施例装置の反応室の縦断面図、第
４図は同実施例装置の反応室の縦断面図であ
る。 １……加熱室、２……反応室、３……冷却室、
４……ヒーター、５……排気系、６……ドラム保
持枠、７……カソード電極、８……原料ガス供給
パイプ、９……RF電源、１０……アース、１１
……冷却板、１２……冷却水、１３……ゲーー
ト・バルブ、１４……リーク・バルブ、１５……
アルミ製ドラム、１６……アノード電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 内部が減圧される反応室と、 各中心軸が互いにほぼ平行でほぼ平面を形成す
るように前記反応室内に配される複数の円筒状基
体を回転させるための手段と、 前記複数の円筒状基体に対向するように前記反
応室内に配された平板電極と、 前記複数の円筒状基体と前記平板電極との間に
電場を形成するための手段と、 を有することを特徴とするプラズマCVD装置。 ２ 前記平板電極が前記複数の円筒状基体をはさ
んで複数設けられている、特許請求の範囲第１項
に記載のプラズマCVD装置。 ３ 内部が減圧される反応室と、 各中心軸が互いにほぼ平行でほぼ平面を形成す
るように前記反応室内に配される複数の円筒状基
体を回転させるための手段と、 前記反応室内に前記複数の円筒状基体をはさん
で互いにほぼ平行になるように配された複数の平
板電極と、 前記複数の平板電極の間に電場を形成するため
の手段と、 を有することを特徴とするプラズマCVD装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19960881A JPS58101735A (ja) | 1981-12-11 | 1981-12-11 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19960881A JPS58101735A (ja) | 1981-12-11 | 1981-12-11 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58101735A JPS58101735A (ja) | 1983-06-17 |
| JPH0152052B2 true JPH0152052B2 (ja) | 1989-11-07 |
Family
ID=16410685
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19960881A Granted JPS58101735A (ja) | 1981-12-11 | 1981-12-11 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58101735A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6024378A (ja) * | 1983-07-19 | 1985-02-07 | Kyocera Corp | 量産型グロ−放電分解装置 |
| JPS6029470A (ja) * | 1983-07-27 | 1985-02-14 | Kyocera Corp | 量産型グロ−放電分解装置 |
| JPS6036664A (ja) * | 1983-09-26 | 1985-02-25 | Kyocera Corp | 量産型グロー放電分解装置 |
| JPS6088955A (ja) * | 1983-10-21 | 1985-05-18 | Stanley Electric Co Ltd | プラズマｃｖｄ装置 |
-
1981
- 1981-12-11 JP JP19960881A patent/JPS58101735A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58101735A (ja) | 1983-06-17 |
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