JPS616276A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
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- JPS616276A JPS616276A JP59125199A JP12519984A JPS616276A JP S616276 A JPS616276 A JP S616276A JP 59125199 A JP59125199 A JP 59125199A JP 12519984 A JP12519984 A JP 12519984A JP S616276 A JPS616276 A JP S616276A
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- Japan
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- drum
- raw material
- material gas
- electrode
- plasma cvd
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/24—Deposition of silicon only
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野］
本発明は、プラズマＣＶＤ技術を用いてドラム等の円筒
状基体の表面にアモルファス・シリコン等の膜を蒸着し
て、例えば、電子写真用感光体ドラムを連続的に生産す
ることのできるプラズマＣＶＤ装置に関し、特にその原
料ガスを適切に処理してドラム表面に７モリフアス・シ
リコン膜を均等に蒸着することができるプラズマＣＶＤ
装置に関するものである。
状基体の表面にアモルファス・シリコン等の膜を蒸着し
て、例えば、電子写真用感光体ドラムを連続的に生産す
ることのできるプラズマＣＶＤ装置に関し、特にその原
料ガスを適切に処理してドラム表面に７モリフアス・シ
リコン膜を均等に蒸着することができるプラズマＣＶＤ
装置に関するものである。
］従来技術１
この種の装置は、プラズマＣＶＤ装置の電極配置方式か
ら分類すれば、従来の容量結合型プラズマＣＶＤ装置と
同様の構造を有するが、この構造を主に電子写真用感光
体ドラム作製用のプラズマＣＶＤ装置に適用すると、カ
ソード電極とアノード電極（ドラム）とが同心固状に配
置されているため、ドラム収納個数が制約され、装置構
造が複雑になる。
ら分類すれば、従来の容量結合型プラズマＣＶＤ装置と
同様の構造を有するが、この構造を主に電子写真用感光
体ドラム作製用のプラズマＣＶＤ装置に適用すると、カ
ソード電極とアノード電極（ドラム）とが同心固状に配
置されているため、ドラム収納個数が制約され、装置構
造が複雑になる。
そこで以上のような問題を考慮して、主とじてアモルフ
ァス・シリコン感光体材料を用いる電子写真用感光体ド
ラムの量産装置を得るべく、−Ｌ述の従来例のごとき複
雑な装置構造を大幅に簡素化し、ドラムの収納個数を増
やし、かつ電極配置方法、及び形状を改善することによ
り、従来の装置では困難であった電子写真用ドラム等の
量産、及び高速成膜を有利に可能ならしめた装置が提案
された。
ァス・シリコン感光体材料を用いる電子写真用感光体ド
ラムの量産装置を得るべく、−Ｌ述の従来例のごとき複
雑な装置構造を大幅に簡素化し、ドラムの収納個数を増
やし、かつ電極配置方法、及び形状を改善することによ
り、従来の装置では困難であった電子写真用ドラム等の
量産、及び高速成膜を有利に可能ならしめた装置が提案
された。
第１図はこのようなプラズマＣＶＤ装置を示し、図中１
５は表面にアモルファス・シリコン膜を形成するように
アルミニウム基板をドラム状に形成した円筒状基体とし
てのドラムである。
５は表面にアモルファス・シリコン膜を形成するように
アルミニウム基板をドラム状に形成した円筒状基体とし
てのドラムである。
１はドラムを加熱するための加熱室、２は加熱室ｌに続
けて設けられ、ドラム１５の表面にプラズマＣＶＤ法に
よりアモルファス・シリコン膜を形成するための反応室
、および３は反応室２に続けて設けられ、膜形成後のド
ラムを冷却するための冷却室である。これらの室１．２
および３は気密構造を有している。６は複数のドラム１
５を軸中心に回転させると共に、これらの中心軸が互い
に同一平面」−になるように、かつ各軸が平行になるよ
うに直立して保持し、さらにドラム回転搬送機構を備え
た保持枠である。
けて設けられ、ドラム１５の表面にプラズマＣＶＤ法に
よりアモルファス・シリコン膜を形成するための反応室
、および３は反応室２に続けて設けられ、膜形成後のド
ラムを冷却するための冷却室である。これらの室１．２
および３は気密構造を有している。６は複数のドラム１
５を軸中心に回転させると共に、これらの中心軸が互い
に同一平面」−になるように、かつ各軸が平行になるよ
うに直立して保持し、さらにドラム回転搬送機構を備え
た保持枠である。
４は加熱室１内に各室１．２および３の連続方向に沿う
ように配置された一対のヒーターである。
ように配置された一対のヒーターである。
この一対のヒーター４は、互いに平行になるように直立
して配置され、かつその間に配列方向がヒーター４に平
行になるように配置されたドラム１５を加熱する。５は
各室の一側壁に設けられ、各室を真空に保つためのフィ
ルター及びバッフルを備えた排気系である。７はカソー
ド電極としての一対の平板状電極であって、互いに平行
になるように直立して反応室２内に配置されている。こ
の一対の電極７は原料ガス供給のため二重構造となし、
その間に配列方向が電極７と平行になるように配置され
たドラム１５に向ってガスを噴出する多数の孔を内側全
面にわたって有し、さらにヒータにより加熱される。８
は平板状電極７の外側に接続された、同電極７の二重構
造内に原料ガスを供給するための原料ガス供給パイプ、
８は電極７にパイプ８を介して高周波パワーを供給する
ための電源、 １０は保持枠６に保持されたドラム１５
をアノード電極とするためのアースである。
して配置され、かつその間に配列方向がヒーター４に平
行になるように配置されたドラム１５を加熱する。５は
各室の一側壁に設けられ、各室を真空に保つためのフィ
ルター及びバッフルを備えた排気系である。７はカソー
ド電極としての一対の平板状電極であって、互いに平行
になるように直立して反応室２内に配置されている。こ
の一対の電極７は原料ガス供給のため二重構造となし、
その間に配列方向が電極７と平行になるように配置され
たドラム１５に向ってガスを噴出する多数の孔を内側全
面にわたって有し、さらにヒータにより加熱される。８
は平板状電極７の外側に接続された、同電極７の二重構
造内に原料ガスを供給するための原料ガス供給パイプ、
８は電極７にパイプ８を介して高周波パワーを供給する
ための電源、 １０は保持枠６に保持されたドラム１５
をアノード電極とするためのアースである。
１１は一対の冷却板であって、互いに平行になるように
直立して冷却室３内に配置されている。一対の冷却板１
１はその間にある膜形成の終ったドラム１５を冷却する
ために内部に水等の冷媒流路を有する。 １２は冷却板
１１内に供給する水等の冷媒、 １３は各室１，２およ
び３を隔離し、かつドラム１５が保持枠６とともに移動
するときに開状態になるように制御されるゲートΦバル
ブ、 １４は加熱室１及び冷却室３の排気系５に設けら
れ各室１および３を大気に戻すためのリーク拳バルブで
ある。
直立して冷却室３内に配置されている。一対の冷却板１
１はその間にある膜形成の終ったドラム１５を冷却する
ために内部に水等の冷媒流路を有する。 １２は冷却板
１１内に供給する水等の冷媒、 １３は各室１，２およ
び３を隔離し、かつドラム１５が保持枠６とともに移動
するときに開状態になるように制御されるゲートΦバル
ブ、 １４は加熱室１及び冷却室３の排気系５に設けら
れ各室１および３を大気に戻すためのリーク拳バルブで
ある。
保持枠６に固定されたドラム１５は、第１図中左端のゲ
ート・バルブ１３内を通って、加熱室ｌに入り、排気系
５により真空にされた後の、加熱室ｌ内において回転し
ながらヒーター４により加熱さ゛れる。加熱されたドラ
ム１５は両室ｌおよび２間のゲート・バルブ１３内を通
って排気系５により真空に保たれた反応室２に保持枠８
とともに入る０反応室２に入ったドラム１５はアースｌ
Ｏに接続されて、高周波電源８に接続されたカソード電
極としての一対の電極７に対するアノード電極を形成す
る。電極７と電場を形成し、ヒーターにより加熱された
ドラム１５の表面には、原料ガス供給パイプ８から送ら
れるシラン等の原料ガスがプラズマ中で分解することに
よってアモルファス−シリコン膜が形成される。膜形成
の終ったドラム１５は反応室２と冷却室３との間のゲー
ト番バルブ１３内を通って、排気系５により真空に保た
れた冷却室３に入り、冷却板１１を介して冷媒１２と熱
交換して冷却され、リーク争バルブ１４により大気に戻
された冷却室３から第１図中右端のゲート・バルブ１３
内を通って冷却室３外に出され蒸着工程を終了する。
ート・バルブ１３内を通って、加熱室ｌに入り、排気系
５により真空にされた後の、加熱室ｌ内において回転し
ながらヒーター４により加熱さ゛れる。加熱されたドラ
ム１５は両室ｌおよび２間のゲート・バルブ１３内を通
って排気系５により真空に保たれた反応室２に保持枠８
とともに入る０反応室２に入ったドラム１５はアースｌ
Ｏに接続されて、高周波電源８に接続されたカソード電
極としての一対の電極７に対するアノード電極を形成す
る。電極７と電場を形成し、ヒーターにより加熱された
ドラム１５の表面には、原料ガス供給パイプ８から送ら
れるシラン等の原料ガスがプラズマ中で分解することに
よってアモルファス−シリコン膜が形成される。膜形成
の終ったドラム１５は反応室２と冷却室３との間のゲー
ト番バルブ１３内を通って、排気系５により真空に保た
れた冷却室３に入り、冷却板１１を介して冷媒１２と熱
交換して冷却され、リーク争バルブ１４により大気に戻
された冷却室３から第１図中右端のゲート・バルブ１３
内を通って冷却室３外に出され蒸着工程を終了する。
しかしながら以上のような構成のプラズマＣＶＤ装置に
おいては次のような欠点がある。すなわち、第２図は冷
却室２の断面を示し、図中矢印で示すように、原料ガス
は平板状電極７の内側に全面にわたって形成されたガス
噴出用の孔７＾からドラム１５に向って噴出する０図中
右側の平板状電極７から噴１１１シた原料ガスは、ドラ
ム１５の主として右側の半周部分に接触し、そして、左
側の平板状電極７の周辺を通って排気系５に排気され、
一方、図中左側のモ板状７電極から噴出した原料ガスは
ドラム１５の主として左側の半周部分に接触して左側の
平板状電極７の周辺を通って排気系５に排気される。
おいては次のような欠点がある。すなわち、第２図は冷
却室２の断面を示し、図中矢印で示すように、原料ガス
は平板状電極７の内側に全面にわたって形成されたガス
噴出用の孔７＾からドラム１５に向って噴出する０図中
右側の平板状電極７から噴１１１シた原料ガスは、ドラ
ム１５の主として右側の半周部分に接触し、そして、左
側の平板状電極７の周辺を通って排気系５に排気され、
一方、図中左側のモ板状７電極から噴出した原料ガスは
ドラム１５の主として左側の半周部分に接触して左側の
平板状電極７の周辺を通って排気系５に排気される。
このように反応室２内においては、第２図に示すように
ドラＡＩ５の左側における軸方向の中間部分近傍の原料
ガスおよび左側の平板状電極７の内側のｌ−Ｆ両端部分
から噴出した原料ガスなどがよどみやすい、その結果、
ドラム１５の周囲において、原料ガスの密度は不均一に
なりやすく、そのため、ドラム１５の表面に得られたア
モルファス・シリコンの膜厚および膜質は不均一になり
やすい。
ドラＡＩ５の左側における軸方向の中間部分近傍の原料
ガスおよび左側の平板状電極７の内側のｌ−Ｆ両端部分
から噴出した原料ガスなどがよどみやすい、その結果、
ドラム１５の周囲において、原料ガスの密度は不均一に
なりやすく、そのため、ドラム１５の表面に得られたア
モルファス・シリコンの膜厚および膜質は不均一になり
やすい。
一方平板状カソード電極７は電極とガス噴出ｆ段とを兼
ねており、したがってその構造が複雑であり、ガス噴出
孔において異常放電する恐れがある。
ねており、したがってその構造が複雑であり、ガス噴出
孔において異常放電する恐れがある。
［■的ｊ
本発明の［１的は以上のような問題を解消し、適切な原
料ガスの流れを形成して、表面に膜厚および膜質の均一
なアモルファス拳シリコン等の膜を有するドラム等の円
筒状基体が得られるプラズマＣＶＤ装置を提供すること
にある。
料ガスの流れを形成して、表面に膜厚および膜質の均一
なアモルファス拳シリコン等の膜を有するドラム等の円
筒状基体が得られるプラズマＣＶＤ装置を提供すること
にある。
【実施例１
第３図は本発明の一実施例にかかるプラズマＣＶＤ装置
の平面図、第４図は同装置の要部を丞す斜視図、第５図
は同装置の要部の断面図である。
の平面図、第４図は同装置の要部を丞す斜視図、第５図
は同装置の要部の断面図である。
本発明にかかるプラズマＣＶＤ装置においては、反応室
内の電極および原料ガス供給排気のための構造を除いて
第１図に示したプラズマＣＶＤ装置と同様な構成である
ので、以下１反応室について主に説明する。
内の電極および原料ガス供給排気のための構造を除いて
第１図に示したプラズマＣＶＤ装置と同様な構成である
ので、以下１反応室について主に説明する。
すなわち第３図および第４図に示すように、本発明にか
かるプラズマＣＶＤ装置における反応室２１内には、内
側が平坦な一対の平板状電極２２および２５が、従来の
平板状電極７と同様の位置に、互いに平行になるように
直立して配置されており、この一対の平板状電極２２お
よび２５はヒーターにより加熱される。この一対の平板
状電極２２および２５のうち、一方の電極２２は、従来
の電極７と同様に、原料ガス供給のための二重構造とし
、内側全面にわたってガス噴射用の多数の孔２３を有す
る。また他方の電極２５は、その内側にガス噴出用の孔
を有さずに、平坦になっており、接続手段２５＾を介し
て高周波電源８に接続し、一方のカソード電極とする。
かるプラズマＣＶＤ装置における反応室２１内には、内
側が平坦な一対の平板状電極２２および２５が、従来の
平板状電極７と同様の位置に、互いに平行になるように
直立して配置されており、この一対の平板状電極２２お
よび２５はヒーターにより加熱される。この一対の平板
状電極２２および２５のうち、一方の電極２２は、従来
の電極７と同様に、原料ガス供給のための二重構造とし
、内側全面にわたってガス噴射用の多数の孔２３を有す
る。また他方の電極２５は、その内側にガス噴出用の孔
を有さずに、平坦になっており、接続手段２５＾を介し
て高周波電源８に接続し、一方のカソード電極とする。
一方の平板状電極２２の外側には、その二重構造内に原
料ガスを供給するための原料ガス供給パイプ２４を接続
し、このパイプ２４を介して高周波電源８に電極２２を
接続して、他方のカソード電極とする。
料ガスを供給するための原料ガス供給パイプ２４を接続
し、このパイプ２４を介して高周波電源８に電極２２を
接続して、他方のカソード電極とする。
他方の平板状電極２５の−Ｌ端および下端には、これに
近接して、かつこれと平行に、すなわちドラム１５の配
列方向と平行に一対の排気管２Ｂの各々が設けられてい
る。排気管２Ｂの長さは、平板状電極２５の長さとほぼ
同一である。
近接して、かつこれと平行に、すなわちドラム１５の配
列方向と平行に一対の排気管２Ｂの各々が設けられてい
る。排気管２Ｂの長さは、平板状電極２５の長さとほぼ
同一である。
排気管２６にはその長さ方向に沿って複数のガス吸込用
の孔２７が形成されている。原料ガス供給パイプ２４は
、図示しない原料ガス供１ｖｉＳに接続されており、排
気管２Ｂには図示しない排気装置に接続された管２［Ｉ
Ｂが連通している。
の孔２７が形成されている。原料ガス供給パイプ２４は
、図示しない原料ガス供１ｖｉＳに接続されており、排
気管２Ｂには図示しない排気装置に接続された管２［Ｉ
Ｂが連通している。
ドラム１５はアースされて、アノード電極となっている
。
。
以上のような構成による本発明プラズマＣＶＤ装置の作
用を次に説明する。第４図および第５図に矢印で示すよ
うに、一方の電極２２の内側の孔２３から反応室２１内
にドラム１５に向って噴出した原料ガスは、一対の平板
状電極２２および２５の間の空間をドラム１５の軸心方
向と直角に流れてドラム１５の周囲を通過し、ついで、
他方の電極２５の上下端の排気管２Ｂの孔２７に吸い込
まれて反応室２１外に排気される。このように原料ガス
は、電極２２の孔２３から噴出して、ドラム１５の表面
へのアモルファス・シリコン膜形成に寄榮するまで、ド
ラム１５の周囲全体に、その軸心と直角な方向にそった
よどみないスムーズな流れを形成し、ついで排気管２６
から反応室２１外に排気される。
用を次に説明する。第４図および第５図に矢印で示すよ
うに、一方の電極２２の内側の孔２３から反応室２１内
にドラム１５に向って噴出した原料ガスは、一対の平板
状電極２２および２５の間の空間をドラム１５の軸心方
向と直角に流れてドラム１５の周囲を通過し、ついで、
他方の電極２５の上下端の排気管２Ｂの孔２７に吸い込
まれて反応室２１外に排気される。このように原料ガス
は、電極２２の孔２３から噴出して、ドラム１５の表面
へのアモルファス・シリコン膜形成に寄榮するまで、ド
ラム１５の周囲全体に、その軸心と直角な方向にそった
よどみないスムーズな流れを形成し、ついで排気管２６
から反応室２１外に排気される。
したがってドラム１５の周囲のガス密度が全体にわたっ
て均一になり、ドラム１５の表面には膜厚および膜質が
均一なアモルファス・シリコン膜が形成される。
て均一になり、ドラム１５の表面には膜厚および膜質が
均一なアモルファス・シリコン膜が形成される。
なお、原料ガスの吸い込み用の孔２７の位置２間隔およ
び個数を適当に設定することによって、ドラム１５の配
列方向におけるガス密度を適切に制御することができ、
したがって同配列方向における原料ガスの分解効率を効
率的に制御することができる。
び個数を適当に設定することによって、ドラム１５の配
列方向におけるガス密度を適切に制御することができ、
したがって同配列方向における原料ガスの分解効率を効
率的に制御することができる。
加熱室１および冷却室３におけるドラム１５の処理は従
来と同様である。
来と同様である。
また、上記実施例では、一対の電極２２および２５は共
に高周波電源８に接続してカソード電極としたが、これ
らのいずれか一方をカソード電極とし、他方を高周波電
源９に接続せずにアースして、アノード電極としてもよ
い（ドラム１５はいずれの場合もアースする）。
に高周波電源８に接続してカソード電極としたが、これ
らのいずれか一方をカソード電極とし、他方を高周波電
源９に接続せずにアースして、アノード電極としてもよ
い（ドラム１５はいずれの場合もアースする）。
［効果］
以上説明したように本発明によれば、膜厚および膜質が
均一であり、電気的特性に優れたアモルファス・シリコ
ン等の膜を表面に有する円筒状基体を効率的に得ること
ができる。また本発明によれば、円筒状基体の配列方向
におけるガス密度分布を適切に制御することができる。
均一であり、電気的特性に優れたアモルファス・シリコ
ン等の膜を表面に有する円筒状基体を効率的に得ること
ができる。また本発明によれば、円筒状基体の配列方向
におけるガス密度分布を適切に制御することができる。
さらに本発明によれば平行平板電極が簡単な構造で済む
。
。
ラズマＣｖＤ装置の概略平面図、
第２図は同装置における反応室の縦断面図、第３図は電
子写真感光体ドラム製造用の本発明にかかるプラズマＣ
ＶＤ装置の一実施例を示す平面図、 第４図は同装置の要部を示す斜視図、 第５図は同装置における反応室の縦断面図である。
子写真感光体ドラム製造用の本発明にかかるプラズマＣ
ＶＤ装置の一実施例を示す平面図、 第４図は同装置の要部を示す斜視図、 第５図は同装置における反応室の縦断面図である。
１５・・・ドラム、
２１・・・反応室、
２２．２５・・・平板状電極、
２３・・・原料ガス噴出用の孔、
２４・・・原料ガス供給パイプ、
２６・・・排気管、
２７・・・原料ガス吸い込み用の孔。
「つ
Claims (1)
- 互いに平行になるように配置し、かついずれか一方の内
側に原料ガスの噴出部を形成した一対の平行平板電極と
、各中心軸が前記電極と平行な同一平面上に位置し、か
つ互いに平行になるように複数の円筒状基体を前記一対
の平行平板電極の間に配置するための基体保持手段と、
前記一対の平行平板電極の間に配置した複数の円筒状基
体の配列方向に沿って原料ガスの吸込部が位置するよう
に前記一対の電極の他方の周囲近傍に配置した原料ガス
排気手段とを具えたことを特徴とするプラズマＣＶＤ装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59125199A JPS616276A (ja) | 1984-06-20 | 1984-06-20 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59125199A JPS616276A (ja) | 1984-06-20 | 1984-06-20 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS616276A true JPS616276A (ja) | 1986-01-11 |
| JPS6242027B2 JPS6242027B2 (ja) | 1987-09-05 |
Family
ID=14904359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59125199A Granted JPS616276A (ja) | 1984-06-20 | 1984-06-20 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS616276A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100631719B1 (ko) | 2004-12-27 | 2006-10-11 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 중합장치의 가스 공급 구조 |
-
1984
- 1984-06-20 JP JP59125199A patent/JPS616276A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100631719B1 (ko) | 2004-12-27 | 2006-10-11 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 중합장치의 가스 공급 구조 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6242027B2 (ja) | 1987-09-05 |
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