JPS616627A - エレクトロクロミツク素子の製造方法 - Google Patents
エレクトロクロミツク素子の製造方法Info
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- JPS616627A JPS616627A JP12645584A JP12645584A JPS616627A JP S616627 A JPS616627 A JP S616627A JP 12645584 A JP12645584 A JP 12645584A JP 12645584 A JP12645584 A JP 12645584A JP S616627 A JPS616627 A JP S616627A
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- cell
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- dam
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect
- G02F1/153—Constructional details
- G02F1/161—Gaskets; Spacers; Sealing of cells; Filling or closing of cells
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はエレクトロクロミック素子（以下「ｉｏ素子」
と略記する）の製造方法に係り、特に電解質溶液として
ゲル状電解質溶液を用いたＫＯ素子の製造方法に関する
。
と略記する）の製造方法に係り、特に電解質溶液として
ゲル状電解質溶液を用いたＫＯ素子の製造方法に関する
。
従来１１ｉ０素子の電解質溶液としては、有機溶媒トシ
て、例えばプロピレンカーボネイト、電解質として、例
えば沃化リチクム（ｂｊ工）、あるいは過塩素酸リチウ
ムにフェロセンを加えたもの等を用いる溶液型のものが
多く用いられて来た。しかるに、溶液型のものはＦｉＯ
素子の基板が割れた場合に電解質溶液が飛散してしまっ
たり、外部から基板が押圧された時に基板の内面に形成
された対向する電極が相互に接触してショートしてしま
うという事故が起りやすいという欠点を有していた。更
に、溶液型のものを用いた［０素子の製造方法としては
、電極“及び少くとも一方の基板の電極面上にはＥＣ物
質層を形成した２枚の基板の一方に注入孔を開けておき
、これらを電極側表面を対向させ周辺をシール材で封止
しセルを形成した後、あるいはシール部にあらかじめ注
入孔を設けておき、セルを形成した後、該注入孔より電
解質溶液をセル中に注入し充填した後に前記注入孔を閉
塞する方法が通常用いられているが、この方法によると
セル中に気泡が残存しゃすく、また、電解質溶液が前記
注入孔よりあふれ出てオーバーフローしやすく、このオ
ーバーフｏ −した電解質溶液を注入孔閉塞後に除去、
洗浄しなければならないという欠点も有していた。
て、例えばプロピレンカーボネイト、電解質として、例
えば沃化リチクム（ｂｊ工）、あるいは過塩素酸リチウ
ムにフェロセンを加えたもの等を用いる溶液型のものが
多く用いられて来た。しかるに、溶液型のものはＦｉＯ
素子の基板が割れた場合に電解質溶液が飛散してしまっ
たり、外部から基板が押圧された時に基板の内面に形成
された対向する電極が相互に接触してショートしてしま
うという事故が起りやすいという欠点を有していた。更
に、溶液型のものを用いた［０素子の製造方法としては
、電極“及び少くとも一方の基板の電極面上にはＥＣ物
質層を形成した２枚の基板の一方に注入孔を開けておき
、これらを電極側表面を対向させ周辺をシール材で封止
しセルを形成した後、あるいはシール部にあらかじめ注
入孔を設けておき、セルを形成した後、該注入孔より電
解質溶液をセル中に注入し充填した後に前記注入孔を閉
塞する方法が通常用いられているが、この方法によると
セル中に気泡が残存しゃすく、また、電解質溶液が前記
注入孔よりあふれ出てオーバーフローしやすく、このオ
ーバーフｏ −した電解質溶液を注入孔閉塞後に除去、
洗浄しなければならないという欠点も有していた。
このため、近年は前記溶液型のものに適当なゲル化剤を
添加しゲル状にした電解質溶液を用いて上記の欠点を解
消したＥＣ素子が検討されているが、このゲル状電解質
溶液を用いたＥＣ素子の製造方法においても電解質溶液
をいかにして基板間に挿入するかが問題となっている。
添加しゲル状にした電解質溶液を用いて上記の欠点を解
消したＥＣ素子が検討されているが、このゲル状電解質
溶液を用いたＥＣ素子の製造方法においても電解質溶液
をいかにして基板間に挿入するかが問題となっている。
即ち、電解質溶液がゲル状であるため、前記セルを形成
した後に該注入孔よりゲル状電解質溶液を注入する事が
難しい。このため、従来はゲル状電解質溶液を加熱し、
いったん粘度を下げて注入孔からＦｔＯ素子のセル中に
注入した後に冷却して再び粘度を上げるという方法が考
えられていた。しかし、この方法は作業能率が悪く注入
に時間がかかり量産に適さないという欠点があった。ま
た、基板にシール材を塗布してセルを形成する前に基板
間にゲル状電解質溶液を挾持して押しつぶし、外部には
み出した電解質溶液を剥ぎ取った後に周辺を洗浄しシー
ル材でシールしセルを形成する方法も考えられているが
、外部へはみ出す電解質溶液の形態が一様でなく剥離作
業の能率化が難しく、やはり量産には適さないものであ
った。かつ、周辺シールが不完全となり耐久性も不十分
であった。
した後に該注入孔よりゲル状電解質溶液を注入する事が
難しい。このため、従来はゲル状電解質溶液を加熱し、
いったん粘度を下げて注入孔からＦｔＯ素子のセル中に
注入した後に冷却して再び粘度を上げるという方法が考
えられていた。しかし、この方法は作業能率が悪く注入
に時間がかかり量産に適さないという欠点があった。ま
た、基板にシール材を塗布してセルを形成する前に基板
間にゲル状電解質溶液を挾持して押しつぶし、外部には
み出した電解質溶液を剥ぎ取った後に周辺を洗浄しシー
ル材でシールしセルを形成する方法も考えられているが
、外部へはみ出す電解質溶液の形態が一様でなく剥離作
業の能率化が難しく、やはり量産には適さないものであ
った。かつ、周辺シールが不完全となり耐久性も不十分
であった。
本発明は、この様な従来のＦｌｉＯ素子の製造方法の欠
点を解消するためになされたものであり、作業能率が良
く連続生産が可能で量産に適し、生産コストも安くなる
ＥＣ素子の製造方法を提供することを目的とする。
点を解消するためになされたものであり、作業能率が良
く連続生産が可能で量産に適し、生産コストも安くなる
ＥＣ素子の製造方法を提供することを目的とする。
即ち、本発明になるＩＣ素子の製造方法は、第１の電極
基板の電極を形成した側の表面上の周辺位置にシール材
により外枠をなす堤を形成する工程と、該堤に囲繞され
た前記第１の基板の表面上にゲル状電解質溶液を載置す
る工程と、第２の電極基板を該第２の基板の電極を形成
した側の表面が前記第１の基板の電極を形成した側の表
面と対向するように前記ゲル状電解質溶液上に載置する
工程と、該第２の基板を前記第１の基板方向へ押圧する
工程とを有し、該第２の基板を前記ゲル状電解質溶液上
に載置する前記工程及び該第２の基板を前記第１の基板
方向へ押圧する前記工程を減圧下で行うことを特徴とす
る。
基板の電極を形成した側の表面上の周辺位置にシール材
により外枠をなす堤を形成する工程と、該堤に囲繞され
た前記第１の基板の表面上にゲル状電解質溶液を載置す
る工程と、第２の電極基板を該第２の基板の電極を形成
した側の表面が前記第１の基板の電極を形成した側の表
面と対向するように前記ゲル状電解質溶液上に載置する
工程と、該第２の基板を前記第１の基板方向へ押圧する
工程とを有し、該第２の基板を前記ゲル状電解質溶液上
に載置する前記工程及び該第２の基板を前記第１の基板
方向へ押圧する前記工程を減圧下で行うことを特徴とす
る。
以下、本発明のＥＣ素子の製造方法を図面を参照しなが
ら詳細に説明する 第１図ないし第１２図は本発明の代表的方法を示す側面
図（一部上面図）である。第１図はシール材により外枠
をなす堤４を第１の基板２上に形成する工程を示し、第
２図は堤４の形成された第１の基板２の上面図である。
ら詳細に説明する 第１図ないし第１２図は本発明の代表的方法を示す側面
図（一部上面図）である。第１図はシール材により外枠
をなす堤４を第１の基板２上に形成する工程を示し、第
２図は堤４の形成された第１の基板２の上面図である。
図において、基板載置台１上に載置されたガラス又はプ
ラスチック等からなる第１の基板２０表面には、図示し
ない電極、及び場合により該電極上に不図示のＥＣ物質
層、が形成されている。この第１の基板２上に、例えば
ディスペンサー、スクリーン印刷器等のシール材供給装
置３により一定量のシール材を供給して、第２図の上面
図に示すように、該第１の基板２０周辺位置に所定の幅
と厚みを有する外枠をなす堤４を形成する。
ラスチック等からなる第１の基板２０表面には、図示し
ない電極、及び場合により該電極上に不図示のＥＣ物質
層、が形成されている。この第１の基板２上に、例えば
ディスペンサー、スクリーン印刷器等のシール材供給装
置３により一定量のシール材を供給して、第２図の上面
図に示すように、該第１の基板２０周辺位置に所定の幅
と厚みを有する外枠をなす堤４を形成する。
該堤４は、シール材供給装置３によらず、枠状フィルム
シートを載置し、あるいは糸状高分子材料を複数本より
合わせて載置しても良い。
シートを載置し、あるいは糸状高分子材料を複数本より
合わせて載置しても良い。
電極としては、酸化錫（ｓｎｏｗ）あるいは酸化インジ
ウム・酸化錫（工Ｔｏ）等や、本発明のｍｏ素子を調光
ミラーとして用いる場合には、反射性の窒化チタン等の
金属等を電極として用いても良い。ＢＯ物質としては、
酸化タングステン（ＷＯｓ）、酸化モリブデン（ＭＯＯ
２）等を用いる。また、第１の基板２の端部に半田を接
着し、電極に電圧を供給する給電線の接続端子として利
用すると便利である。
ウム・酸化錫（工Ｔｏ）等や、本発明のｍｏ素子を調光
ミラーとして用いる場合には、反射性の窒化チタン等の
金属等を電極として用いても良い。ＢＯ物質としては、
酸化タングステン（ＷＯｓ）、酸化モリブデン（ＭＯＯ
２）等を用いる。また、第１の基板２の端部に半田を接
着し、電極に電圧を供給する給電線の接続端子として利
用すると便利である。
シール材としては、８０℃ないし２００℃で熱圧着可能
なポリマーで、接着力が大きく、ガス（特に酸素ガス）
の透過性が小さく、耐湿・候性が良く、耐薬品性が良く
、更に、８２の基板を押圧した際につぶれて広がらず組
成が密となるものが望まれる。この様な素材をフィルム
状あるいは糸状にして、又は溶融して第１の基板２上に
塗布して堤４を形成するのである。この様な特性を有す
る素材としては、例えばエチレンビニルアセテート（Ｉ
ＶＡ）、ポリエチレン（ＰＩ！ｉ）、ナイロン、ウレタ
ン、シリコン、塩化ビニリデン、エチレンアクリル酸エ
チル、エチレンビニルアルコール、エチレンアクｌＪ＃
ｌｉｌが望ましい。更に、これらの材料にシランカップ
リング材や無機あるいは有機のフィラー等を充填すれば
接着力、ガス透過性等の面でより良好な特性が得られる
。また、第１の基板２に予めプライマ処理を施しておけ
ば更に望ましい特性が得られる。
なポリマーで、接着力が大きく、ガス（特に酸素ガス）
の透過性が小さく、耐湿・候性が良く、耐薬品性が良く
、更に、８２の基板を押圧した際につぶれて広がらず組
成が密となるものが望まれる。この様な素材をフィルム
状あるいは糸状にして、又は溶融して第１の基板２上に
塗布して堤４を形成するのである。この様な特性を有す
る素材としては、例えばエチレンビニルアセテート（Ｉ
ＶＡ）、ポリエチレン（ＰＩ！ｉ）、ナイロン、ウレタ
ン、シリコン、塩化ビニリデン、エチレンアクリル酸エ
チル、エチレンビニルアルコール、エチレンアクｌＪ＃
ｌｉｌが望ましい。更に、これらの材料にシランカップ
リング材や無機あるいは有機のフィラー等を充填すれば
接着力、ガス透過性等の面でより良好な特性が得られる
。また、第１の基板２に予めプライマ処理を施しておけ
ば更に望ましい特性が得られる。
堤４の横幅は’ｎｃ素子の大きさにより最適の寸法が異
なるが、通常の小型の素子であるならば２蝙程度が適当
であり、堤４の高さく膜厚）は、５０μｍないし数■程
度が適当である。更に望ましくは、対向電響を形成した
第２の基板で該堤４を押圧して圧着した場合に膜厚が５
０μｍないし１００μｍ程度となるのが良く、このため
には６０μｍないし２００／Ｊｍ程度に堤４の高さを形
成するのが−良い。
なるが、通常の小型の素子であるならば２蝙程度が適当
であり、堤４の高さく膜厚）は、５０μｍないし数■程
度が適当である。更に望ましくは、対向電響を形成した
第２の基板で該堤４を押圧して圧着した場合に膜厚が５
０μｍないし１００μｍ程度となるのが良く、このため
には６０μｍないし２００／Ｊｍ程度に堤４の高さを形
成するのが−良い。
第３図は、堤４に囲繞された第１の基板２０表面上にゲ
ル状電解質溶液５を載置する工程を示し、第４図ないし
第１０図はこの工程が終了した状態の第１の基板２の上
面図である。
ル状電解質溶液５を載置する工程を示し、第４図ないし
第１０図はこの工程が終了した状態の第１の基板２の上
面図である。
図において、ゲル状電解質溶液は、ディスペンサー等の
電解質溶液供給装置６により一定量が第１の基板２の堤
４により囲繞された表面上に載置される。ゲル状電解質
溶液５は、印刷法、転写法、ナイフコート法等により、
第１の基板２上の堤４により囲繞された全表面上に均一
に塗布しても良いが、このようにした場合には、第２の
基板を載置した場合に気泡（後述するように、わずかに
Ｎ２ガスの存在する真空中で行うのでＮ２ガスの気泡と
なる）が残り易い。従って、第３図ないし第１１図に示
すように、第１の基板２の上面中央部に電解質溶液５を
盛り上げて、中央部の電解質溶液を第２の基板で押し広
げるようにするのが望ましい。この際、電解質溶液５の
第１の基板２０表面上への載置方法としては、第４図に
示すように、はぼ矩形状に一様に載置するもの、第５図
に示すように、点状に一様に分離して載置するもの、第
６図ないし第８図に示すように円状又は人手状に一様に
載置するもの、第９図及び第１０図に示すように、中央
部に比較的大きな塊状に載置し、更に周辺部に小さな塊
状に載置するもの等多種の載置の仕方が考えられるが、
中央部に比較的大きな塊を有し、かつ四隅部近傍に該塊
状の電解質溶液の広がりの不足を補う小さな塊を設ける
方が気泡は残らなくなる。従って、以上の第４図ないし
第１０図の載置方法では図番の大きい載置方法（即ち、
第４図の載置方法よりは第１０図の載置方法）がより気
泡が残存し難く望ましい。また、この際、電解質溶液５
の第１の基板２上への載置は酸化を防ぐために窒素ガス
中で行い、電解質溶液５の粘度はｓ、ｏ ＯＯＯＰＢな
いし５ｏ、ｏｏｏｏｐｓａ度が望ましく、粘度の調節は
電解質溶液５を加熱または冷却あるいは溶媒により希釈
して行う。
電解質溶液供給装置６により一定量が第１の基板２の堤
４により囲繞された表面上に載置される。ゲル状電解質
溶液５は、印刷法、転写法、ナイフコート法等により、
第１の基板２上の堤４により囲繞された全表面上に均一
に塗布しても良いが、このようにした場合には、第２の
基板を載置した場合に気泡（後述するように、わずかに
Ｎ２ガスの存在する真空中で行うのでＮ２ガスの気泡と
なる）が残り易い。従って、第３図ないし第１１図に示
すように、第１の基板２の上面中央部に電解質溶液５を
盛り上げて、中央部の電解質溶液を第２の基板で押し広
げるようにするのが望ましい。この際、電解質溶液５の
第１の基板２０表面上への載置方法としては、第４図に
示すように、はぼ矩形状に一様に載置するもの、第５図
に示すように、点状に一様に分離して載置するもの、第
６図ないし第８図に示すように円状又は人手状に一様に
載置するもの、第９図及び第１０図に示すように、中央
部に比較的大きな塊状に載置し、更に周辺部に小さな塊
状に載置するもの等多種の載置の仕方が考えられるが、
中央部に比較的大きな塊を有し、かつ四隅部近傍に該塊
状の電解質溶液の広がりの不足を補う小さな塊を設ける
方が気泡は残らなくなる。従って、以上の第４図ないし
第１０図の載置方法では図番の大きい載置方法（即ち、
第４図の載置方法よりは第１０図の載置方法）がより気
泡が残存し難く望ましい。また、この際、電解質溶液５
の第１の基板２上への載置は酸化を防ぐために窒素ガス
中で行い、電解質溶液５の粘度はｓ、ｏ ＯＯＯＰＢな
いし５ｏ、ｏｏｏｏｐｓａ度が望ましく、粘度の調節は
電解質溶液５を加熱または冷却あるいは溶媒により希釈
して行う。
電解質溶液の材質としては、γ−ブチロラクトン（γ−
ＢＩＪ） 、プロピレンカーボネイト、ブチルアルコー
ル等の有機溶媒に、該有機溶媒に溶解してゲル化する樹
脂、例えば、ウレタン樹脂、アクリル酸樹脂、酸化樹脂
その他の樹脂又これらに限定されないことは言うまでも
ない。
ＢＩＪ） 、プロピレンカーボネイト、ブチルアルコー
ル等の有機溶媒に、該有機溶媒に溶解してゲル化する樹
脂、例えば、ウレタン樹脂、アクリル酸樹脂、酸化樹脂
その他の樹脂又これらに限定されないことは言うまでも
ない。
第１１図は、表面に電極を形成した第２の基板７をゲル
状電解質溶液５の上に電極面を第１の基板２の電極面と
対向させて載置する工程を示す。該第２の基板７は、基
板ホルダー８中に素ガス雰囲気下で行い、残留窒素ガス
の圧力が１０ Ｔｏｒｒないし６０ Ｔｏｒｒ程度札保
つのが望ましい。また、基板載置台の温度は５０℃程度
が望ましい。真空度が高すぎるか、温度が高すぎると電
解質溶液５中の溶媒が気化し発泡し始め、真空度が低す
ぎると第２の基板７を押圧してセルを形成するときにセ
ル中に気泡が残留する可能性が高くなるためである。
状電解質溶液５の上に電極面を第１の基板２の電極面と
対向させて載置する工程を示す。該第２の基板７は、基
板ホルダー８中に素ガス雰囲気下で行い、残留窒素ガス
の圧力が１０ Ｔｏｒｒないし６０ Ｔｏｒｒ程度札保
つのが望ましい。また、基板載置台の温度は５０℃程度
が望ましい。真空度が高すぎるか、温度が高すぎると電
解質溶液５中の溶媒が気化し発泡し始め、真空度が低す
ぎると第２の基板７を押圧してセルを形成するときにセ
ル中に気泡が残留する可能性が高くなるためである。
第２の基板７に形成する電極は、第１の基板２の電極と
同様に、８ｎＯ＊や工ＴＯある〜・はＴｉＮ等の金属な
どを用いる。また、第１の基板２の電極上にｍＣ物質層
を形成しない場合には、この第２の基板７の電極上にＷ
ｏｎ等のＢＯ物質層を形成する。なお、電極、ＥＯ物質
層ともに、第１の基板２のときと同様に、図示しない。
同様に、８ｎＯ＊や工ＴＯある〜・はＴｉＮ等の金属な
どを用いる。また、第１の基板２の電極上にｍＣ物質層
を形成しない場合には、この第２の基板７の電極上にＷ
ｏｎ等のＢＯ物質層を形成する。なお、電極、ＥＯ物質
層ともに、第１の基板２のときと同様に、図示しない。
第１２図は、第２の基板７を第１の基板２方でＮ８ガス
圧が１０ Ｔｏｒｒないし６０ Ｔｏｒｒの真空中で行
い、公知の押圧装置９により第２の基板７を第１の基板
２上に圧着し両差板の四周辺を２の基板７を第１の基板
２に圧着する圧力はＩＫ４／ａｔないし７ Ｋｆ／−程
度とすることが、電解質溶液の拡がり、シール材の各基
板２．７へり圧着の上で望ましい。
圧が１０ Ｔｏｒｒないし６０ Ｔｏｒｒの真空中で行
い、公知の押圧装置９により第２の基板７を第１の基板
２上に圧着し両差板の四周辺を２の基板７を第１の基板
２に圧着する圧力はＩＫ４／ａｔないし７ Ｋｆ／−程
度とすることが、電解質溶液の拡がり、シール材の各基
板２．７へり圧着の上で望ましい。
押圧装置９により第２の基板７を上方より押圧して行く
と、該基板７の表面は、まずゲル状電解質溶液５を押圧
し、該電解質溶液５は第１の基板１０表面上で展延し、
外枠となる堤４に当接し、前場４に沿って更に展延する
。次いで堤４が第２の基板７０表面に接し押圧されて圧
縮し基板２，７の四周辺に圧着しセルを形成する。該第
１及び第２の基板−２，７間のギャップ状電解質溶液５
の量により規制される。かくして、第１．第２の基板２
．７と堤４により形成することにより堤４を形成するシ
ール材の両差気圧の状態にし、該セルを真空１中より大
気中へ取り出すことにより、セル中に気泡が残存した場
合でも、該気泡は大気圧により消失せしめられ、電解質
溶液が完全に充填され気泡の存在しないセルが出来上る
。
と、該基板７の表面は、まずゲル状電解質溶液５を押圧
し、該電解質溶液５は第１の基板１０表面上で展延し、
外枠となる堤４に当接し、前場４に沿って更に展延する
。次いで堤４が第２の基板７０表面に接し押圧されて圧
縮し基板２，７の四周辺に圧着しセルを形成する。該第
１及び第２の基板−２，７間のギャップ状電解質溶液５
の量により規制される。かくして、第１．第２の基板２
．７と堤４により形成することにより堤４を形成するシ
ール材の両差気圧の状態にし、該セルを真空１中より大
気中へ取り出すことにより、セル中に気泡が残存した場
合でも、該気泡は大気圧により消失せしめられ、電解質
溶液が完全に充填され気泡の存在しないセルが出来上る
。
なお、以上の工程でｉｃ素子のセルは完成し、シール材
による堤４のみでも十分な耐久性が得られるが、第１３
図に断面図を示すように、シール材による堤４の外側に
更に２次シール材層１０を形成すればより強固なセルと
なり耐久性が増大する。２次シール材１０は、ブチルゴ
ム。
による堤４のみでも十分な耐久性が得られるが、第１３
図に断面図を示すように、シール材による堤４の外側に
更に２次シール材層１０を形成すればより強固なセルと
なり耐久性が増大する。２次シール材１０は、ブチルゴ
ム。
フッ素樹脂、塩化ビニリデン樹脂、エポキシ等の素材を
用い、融着等の方法で形成すれば良い。
用い、融着等の方法で形成すれば良い。
なお、第１３図の符号１１は半田層を示し、第１、第２
の基板２．７の端部に形成し、外部電源に接続する給電
線を半田付けするのに用いる。
の基板２．７の端部に形成し、外部電源に接続する給電
線を半田付けするのに用いる。
以下、本発明のＥＯ素子の製造方法を具体的実施例を示
し更に詳細に説明する。
し更に詳細に説明する。
実施例】
脱酸素および脱水した０゜７５ＭＬｉ工、γ−ブチロラ
クトン溶液５０ ｍｌに脱水したポリビニルブチラー／
Ｉ／２５ｆをＮ２ガス雰囲気下で溶解しゲル状電解質溶
液を調整した。１０ｃｒｎ四方のガラス基板上に電極と
して工Ｔｏ膜のみを蒸着して形成した基板と１．ＴＴＯ
膜上にＥＣ物質層としてＷＯａ層を、更に蒸着法により
形成した基板を作成し、各基板の端部にガラスに溶着可
能な半田を付着させ、第１３図に示す様Ｋ、半田層１１
を形成した。この際工ＴＯ膜の面抵抗は１０Ω、ＷＯｓ
層の厚みは５．ｏｏａＸとした。
クトン溶液５０ ｍｌに脱水したポリビニルブチラー／
Ｉ／２５ｆをＮ２ガス雰囲気下で溶解しゲル状電解質溶
液を調整した。１０ｃｒｎ四方のガラス基板上に電極と
して工Ｔｏ膜のみを蒸着して形成した基板と１．ＴＴＯ
膜上にＥＣ物質層としてＷＯａ層を、更に蒸着法により
形成した基板を作成し、各基板の端部にガラスに溶着可
能な半田を付着させ、第１３図に示す様Ｋ、半田層１１
を形成した。この際工ＴＯ膜の面抵抗は１０Ω、ＷＯｓ
層の厚みは５．ｏｏａＸとした。
次にシール材として厚さ１００μｍのＥＶＡフィルムを
用い、第１４図に示すように前記基板と同じ大きさの中
央部を穿孔した矩形の枠状に整形した。この際、枠部の
幅ｄは２〒とした。
用い、第１４図に示すように前記基板と同じ大きさの中
央部を穿孔した矩形の枠状に整形した。この際、枠部の
幅ｄは２〒とした。
このＩＶＡフィルムの枠を前記工ＴＯ膜を形成した第１
の基板上に載置し堤とした。
の基板上に載置し堤とした。
次に、この第１の基板上の堤で囲繞された表面上に、第
８図に示すパターンで、ディスペンサーより前記ゲル状
電解質溶液を０．５５ｆ塗布し槽 た。この工程は真空番中にＮ２ガスを充填した不活性雰
囲気下で行った。
８図に示すパターンで、ディスペンサーより前記ゲル状
電解質溶液を０．５５ｆ塗布し槽 た。この工程は真空番中にＮ２ガスを充填した不活性雰
囲気下で行った。
次に、Ｎ２ガスを脱気し３０ Ｔｏｒｒとし、前記第１
の基板の上に、工ＴＯ膜とＷｏｎ層を形成した第２の基
板のＷｏｎ層形成面を前記第１の基板の工ＴＯ膜形成面
と対向させ、前記ゲル状電解質溶液の塊の上に載置し、
抑圧装置により背面より押圧した。この際の押圧力は５
Ｋｇ／ｃｄとし、真槽 空番中のシール材部を１１ｏ’Ｃに加熱しながら３分間
加圧した。
の基板の上に、工ＴＯ膜とＷｏｎ層を形成した第２の基
板のＷｏｎ層形成面を前記第１の基板の工ＴＯ膜形成面
と対向させ、前記ゲル状電解質溶液の塊の上に載置し、
抑圧装置により背面より押圧した。この際の押圧力は５
Ｋｇ／ｃｄとし、真槽 空番中のシール材部を１１ｏ’Ｃに加熱しながら３分間
加圧した。
その後Ｎ２ガスを導入し、真空番中の圧を大気圧とし、
そのまま放置し冷却しシール材を内基板に固着した。
そのまま放置し冷却しシール材を内基板に固着した。
前記基板の端面の半田層に外部′に源接続用の給電線を
半田付けし、第１３図に示すように、端面に二次シール
材１ｏとしてエポキシ接着剤で密閉してＥＣ素子を作成
した。
半田付けし、第１３図に示すように、端面に二次シール
材１ｏとしてエポキシ接着剤で密閉してＥＣ素子を作成
した。
実施例２
実施例１と同様はゲル状電解質溶液を調整し、また、実
施例１と同様に、表面に工Ｔｏ膜のみ、又はＩＴＯ膜と
ＷＯｓ層を蒸着ｔ７端部処半田層を形成した２枚のガラ
ス基板を用意し、該基板のうちの１枚の工Ｔｏ膜を形成
した表面の四周辺上にホットメルトタイプのＦｉＶＡを
ディスペンサーにより厚み１００μｍ１幅２■に塗布し
堤を形成した。
施例１と同様に、表面に工Ｔｏ膜のみ、又はＩＴＯ膜と
ＷＯｓ層を蒸着ｔ７端部処半田層を形成した２枚のガラ
ス基板を用意し、該基板のうちの１枚の工Ｔｏ膜を形成
した表面の四周辺上にホットメルトタイプのＦｉＶＡを
ディスペンサーにより厚み１００μｍ１幅２■に塗布し
堤を形成した。
槽
この堤を形成した第】の基板を真空番中に入れ、上記ゲ
ル状電解質溶液を加熱して粘度を下げてからディスペン
サーにより、前記基板の堤に囲繞された表面上に第９図
に示すようなパターンに電解質酢液を塗布した。このよ
うに粘度を下げることにより電解質溶液の第１の基板上
への塗布を容易に行うことができた。
ル状電解質溶液を加熱して粘度を下げてからディスペン
サーにより、前記基板の堤に囲繞された表面上に第９図
に示すようなパターンに電解質酢液を塗布した。このよ
うに粘度を下げることにより電解質溶液の第１の基板上
への塗布を容易に行うことができた。
実施例１と同様に、もう１枚のガラス基板を真壁状態で
上記ゲル状電解質浴液上に載置押圧し、大気圧中で保持
した後、端部に給電線を半田付けした。
上記ゲル状電解質浴液上に載置押圧し、大気圧中で保持
した後、端部に給電線を半田付けした。
次に周辺部をホットメルトタイプのブチルゴムで２次シ
ールしＥＣ素子を製造した。
ールしＥＣ素子を製造した。
実施例３
実施例２のホットメルトタイプのＢＶＡに代えテトラヒ
ドラフラン（ＴＨＦ） 、酢酸ブチル、シクロヘキサン
。ジクロロエタン、零奏タキキ中之キシレン、四基化炭
素等の溶媒にＦｉＶＡを溶解し、これにシランカップリ
ング材を加えたものを用いた。この様にして作成したシ
ール材は、ホットメルトタイプのＫＶＡに比してより強
固な接着力が得られた。
ドラフラン（ＴＨＦ） 、酢酸ブチル、シクロヘキサン
。ジクロロエタン、零奏タキキ中之キシレン、四基化炭
素等の溶媒にＦｉＶＡを溶解し、これにシランカップリ
ング材を加えたものを用いた。この様にして作成したシ
ール材は、ホットメルトタイプのＫＶＡに比してより強
固な接着力が得られた。
実施例４
実施例２のホットメルトタイプのｍｖ人に代え、ホット
メルトタイプのＩＶＡにポリ塩化ビニリデンを加えブレ
ンドしたシール材を用いた。
メルトタイプのＩＶＡにポリ塩化ビニリデンを加えブレ
ンドしたシール材を用いた。
このシール材は、耐湿性、耐酸素透過性において優れた
特性を示した。
特性を示した。
実施例５
実施例２と同様にゲル状電解質溶液とガラス基板を作成
し、該ガラス基板の一方の四周辺上に、第１５図に示す
ように、ホットメルトタイプのブチルゴムをディスペン
サーにより塗布し第１の外枠１２を形成し、該第１の外
枠１２の内側にホットメルトタイプのＢＶＡを同様にデ
ィスペンサーにより塗布して第２の外枠１３を形成し二
重の堤を形成した。この後は、第１及び第２の基板の外
側に２次シールを施さないという点を除いては、実施例
２と同様にしてｍｅ素子を製造した。
し、該ガラス基板の一方の四周辺上に、第１５図に示す
ように、ホットメルトタイプのブチルゴムをディスペン
サーにより塗布し第１の外枠１２を形成し、該第１の外
枠１２の内側にホットメルトタイプのＢＶＡを同様にデ
ィスペンサーにより塗布して第２の外枠１３を形成し二
重の堤を形成した。この後は、第１及び第２の基板の外
側に２次シールを施さないという点を除いては、実施例
２と同様にしてｍｅ素子を製造した。
この実施例では二重の堤を形成することにより、基板の
外側端面に２次シールを施すことなく高いシール性能が
得られた。
外側端面に２次シールを施すことなく高いシール性能が
得られた。
以上説明したように、本発明のＥＣ素子の製造方法にお
いては、第１の基板の表面上の周辺位置にシール材によ
り外枠をなす堤を形成し、前場に囲繞された第１の基板
の表面上にゲル状電解質溶液を載置し、この上から第２
の基板を減圧下で圧着してセルを形成するようにしたの
で、電解質溶液がセル外にはみ出すことがなく、従って
、はみ出した電解質溶液を剥離洗浄する工程が不要であ
り、また、ゲル状電解質溶液を加熱して、いったん粘度
を下げてセルに注入するという工程も不要で、極めて作
業能率の良いものである。更にセル中に気泡が残留せず
、従って、残留気泡により電解質あるいはレドックス剤
が酸化されＥＣ素子が劣化するということ基板上に載置
し第２の基板を押圧しセルを形成していくことによつ℃
、連続生産性に優れ量産に適し生産コストも安くなると
いう効果が得られる。
いては、第１の基板の表面上の周辺位置にシール材によ
り外枠をなす堤を形成し、前場に囲繞された第１の基板
の表面上にゲル状電解質溶液を載置し、この上から第２
の基板を減圧下で圧着してセルを形成するようにしたの
で、電解質溶液がセル外にはみ出すことがなく、従って
、はみ出した電解質溶液を剥離洗浄する工程が不要であ
り、また、ゲル状電解質溶液を加熱して、いったん粘度
を下げてセルに注入するという工程も不要で、極めて作
業能率の良いものである。更にセル中に気泡が残留せず
、従って、残留気泡により電解質あるいはレドックス剤
が酸化されＥＣ素子が劣化するということ基板上に載置
し第２の基板を押圧しセルを形成していくことによつ℃
、連続生産性に優れ量産に適し生産コストも安くなると
いう効果が得られる。
第１図ないし第１２図は本発明のＥＣ素子の製造法の代
表的例を示す側面（一部上面）図、第１３図は２次シー
ル材を塗布した状態を示す断面図、第１４図は堤の一実
施例を示す上面図、第１５図は堤の他の実施例を示す上
面図である。 １・・・基板載置台、２，７・・・基板、３・・・シー
ル材供給装置、４・・・堤、５・・・ゲル状電解質溶液
、６・・・電解質溶液供給装置、８・・・基板ホルダー
、９・・・押圧装置、１０・・・２次シール材層、１１
・・・半田層。 以上 第 １ 図 頻 ２７第３ 図
第４７第５図 第６図 第７図 雅８図 弗９図 繍１０図 繍 １２ 図 宵 １４ 図 第 １５ 図
表的例を示す側面（一部上面）図、第１３図は２次シー
ル材を塗布した状態を示す断面図、第１４図は堤の一実
施例を示す上面図、第１５図は堤の他の実施例を示す上
面図である。 １・・・基板載置台、２，７・・・基板、３・・・シー
ル材供給装置、４・・・堤、５・・・ゲル状電解質溶液
、６・・・電解質溶液供給装置、８・・・基板ホルダー
、９・・・押圧装置、１０・・・２次シール材層、１１
・・・半田層。 以上 第 １ 図 頻 ２７第３ 図
第４７第５図 第６図 第７図 雅８図 弗９図 繍１０図 繍 １２ 図 宵 １４ 図 第 １５ 図
Claims (2)
- （１）表面に電極を形成した第１、第２の基板の少くと
も一方の電極面上には更にＥＣ物質層を形成し、該第１
、第２の基板の電極を形成した側の面を内側にして間に
ゲル状電解質を挾持して封止するエレクトロクロミック
素子の製造方法において、前記第１の基板の電極を形成
した側の表面上の周辺位置にシール材により外枠をなす
堤を形成する工程と、該堤に囲繞された前記第１の基板
の表面上にゲル状電解質溶液を載置する工程と、前記第
２の基板を該第２の基板の電極を形成した側の表面が前
記第１の基板の電極を形成した側の表面と対向するよう
に前記ゲル状電解質溶液上に載置する工程と、該第２の
基板を前記第１の基板方向へ押圧する工程とを有し、該
第２の基板を前記ゲル状電解質溶液上に載置する前記工
程及び該第２の基板を前記第１の基板方向へ押圧する前
記工程を減圧下で行うことを特徴とするエレクトロクロ
ミック素子の製造方法。 - （２）第１の基板の電極を形成した側の表面上の周辺位
置にシール材により外枠をなす堤を形成する工程は、該
第１の基板の電極を形成した側の表面上の周辺位置上に
形成する第１の外枠と該第１の外枠の内側に形成する第
２の外枠とにより二重の堤を形成する工程である特許請
求の範囲第１項記載のエレクトロクロミック素子の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12645584A JPS616627A (ja) | 1984-06-21 | 1984-06-21 | エレクトロクロミツク素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12645584A JPS616627A (ja) | 1984-06-21 | 1984-06-21 | エレクトロクロミツク素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS616627A true JPS616627A (ja) | 1986-01-13 |
| JPH0219445B2 JPH0219445B2 (ja) | 1990-05-01 |
Family
ID=14935643
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12645584A Granted JPS616627A (ja) | 1984-06-21 | 1984-06-21 | エレクトロクロミツク素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS616627A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2666805A1 (fr) * | 1990-09-14 | 1992-03-20 | Saint Gobain Vitrage Int | Procede d'obtention de vitrages electrochromes. vitrages electrochromes. |
| JP2014063194A (ja) * | 1999-10-29 | 2014-04-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電子装置 |
| JP2023545464A (ja) * | 2020-10-14 | 2023-10-30 | ビトロ フラット グラス エルエルシー | エレクトロクロミックデバイス用シール |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4920115B2 (ja) * | 2011-04-04 | 2012-04-18 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 溶液の塗布装置及び塗布方法 |
-
1984
- 1984-06-21 JP JP12645584A patent/JPS616627A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2666805A1 (fr) * | 1990-09-14 | 1992-03-20 | Saint Gobain Vitrage Int | Procede d'obtention de vitrages electrochromes. vitrages electrochromes. |
| US5244557A (en) * | 1990-09-14 | 1993-09-14 | Saint Gobain Vitrage International | Method for forming electrochromic glazings |
| JP2014063194A (ja) * | 1999-10-29 | 2014-04-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電子装置 |
| JP2023545464A (ja) * | 2020-10-14 | 2023-10-30 | ビトロ フラット グラス エルエルシー | エレクトロクロミックデバイス用シール |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0219445B2 (ja) | 1990-05-01 |
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