JPS6172087A - 放射線画像変換方法及びその方法に用いられる放射線画像変換パネル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、放射＃ｌ画像変換方法及びその方法に用いら
れる放射線画像変換パネルさらに詳しくは輝尽性蛍光体
を利用した放射ＭＡ画像変換方法及びその方法に用いら
れる放射線画像変換パネルに関する。

（従来技術） 従来放射線画像を得るために銀塩を使用した、いわゆる
放射線写真法が利用されているが、銀塩を使用しないで
放射線像を画像化する方法が望まれるようになった。

前記の放射線写真法にかわる方法として、被写体を透過
した放射線を蛍光体に吸収せしめ、しかる後この蛍光体
をある種のエネルギーで励起してこの蛍光体が蓄積して
いる放射線エネルギーを蛍尤として放射せしめ、この蛍
光を検出して１ｉＴｉｉ（ｑｌ化する方法が考えられて
いる。Ａ体的な方法は蛍光体として熱蛍光性蛍光体を泪
い、励起エネルギーとして熱エネルギーを用いて放射線
像を変換する方法が提唱されている（英国特許１，４６
２，７６９号および特開昭５１−２９８８９号）、この
変換方法は支持体上に熱蛍光性蛍光体層を形成したパネ
ルを用い、このパネルの熱蛍光性蛍光体層に被写体を透
過した放射線を吸収させて放射線の強弱に対応した放射
線エネルギーを蓄積させ、しかる後この熱蛍光性蛍光体
層を加熱することによってＷ積された放射線エネルギー
を光の信号として取り出し、この光の強弱によって画像
を得るものである。しかしながらこの方法は蓄積された
放！ｔｌＩＩエネルギーを光の信号に変える際に加熱す
るので、パネルが耐熱性を有し熱によって変形、変質し
ないことが絶対的に必要であり、従ってパネルを構成す
る熱蛍光性蛍光体層および支持体の材料等に大きな制約
がある。このようにして蛍光体として熱蛍光性蛍光体を
用い、励起エネルギーとして熱エネルギーを用いる放射
Ｉ／Ｑ画像変換方法は応用面で大きな難点がある。一方
、支持体上に輝尽性蛍光体層を形成したパネルを用い、
励起エネルギーとして可視光線および赤外線の一方また
は両方を用いる放射線画像変換方法もまた知られている
（米国特許３．８９５，５２７号）、この方法は前記の
方法のようにＷ積された放射線エネルギーを光の信号に
変える際に加熱しなくてもよ（、従ってパネルは耐熱性
を有する必要はなく、この点からより好ましい放射Ｍ画
像変換方法と言える。

従来、前記放射線画像変換方法に用いられる蛍光体のう
ち熱蛍光性蛍光体としては　ＬｉＦ：ＭｇｙＢ　ａｓ　
ｏ４：Ｍｎ　ｒ　ＣａＦ　２：Ｄ　ｙ等が知られており
、また励起エネルギーとして可視光線あるいは赤外線　
　。

を用いる輝尽性蛍光体としては、ＫＣＩ：Ｔ＋　、待−
昭５９−７５２００号等に記載のＢａＦＸ：Ｅｕ系（Ｘ
：ＣＩ、Ｂ　ｒｔ　Ｉ　）蛍光体等が知られている。

ところで前記放射線画像変換方法が医療診断を目的とす
るＸ＃１画像変換に用いられる場合には、患者の被爆線
量を少なくするためにその方法はできるだけ高感度であ
ることが望ましく、従ってその方法に用いられる輝尽性
蛍光体は輝尽による発光輝度ができるだけ高いのが望ま
しい。

また前記方法において、システムとしての運転効率を高
めるためには放射ａｓ像の読取り速度を高速化する必要
があり、従つてその方法に用いられる輝尽性蛍光体は励
起光に対する輝尽発光の応答速度が速いことが望ましい
。

また前記方法において、一般に放射線画像変換パネルは
前回の使用によろ残像を消去した後くり返して使用され
るが、システムとしての運転効率を高めるためには前記
放射線画像変換パネルの残像消去時間が短いことが望ま
しく、その方法に泪いられる輝尽性蛍光体は残像消去速
度が速いことが望ましい。

しかし、前記輝尽性蛍光体は、輝尽発光輝度、輝尽発光
の応答速度および残像消去速度の息すべてにおいて十分
満足のいくものではなく、これらの改良が望まれている
。

さらに前記方法において、放射線画像を読取る読取り装
置は小型、低価格、および簡便であることが望ましく、
その為には励起光源としてＡｒ＋レーザやＨｅ−Ｎｅレ
ーザ等の〃スレーブを用いるよりも半導体レーザを用い
ることが不可決であり、従ってその方法に泪いられる輝
尽性蛍光体は半導体レーザの発振波長（７５０ｎｍｓ以
上）に適合した輝尽励起スペクトルを有することが望ま
しい。

しかし、前記輝尽性蛍光体は半導体レーザの発振波長に
対してほとんど輝尽発光を示さず、輝尽励起スペクトル
の長波長化が望まれている。

（発明の目的） 本発明は被写体を透過した放射線を輝尽性蛍光体に吸収
せしめ、しかる後この輝尽性蛍光体を可視光線および／
または赤外線の範囲にある電磁波　　。

で励起してこのＩＩＩＩ尽性蛍光性蛍光体している放射
線エネルギーを蛍光として放出せしめ、この蛍光を検出
する放射ａｉｇ像変換方法において、より高輝度の輝尽
発光を示す輝尽性蛍光体を用いた感度の高い放射線画像
変換方法を提供することを目的とする。

また本発明は、励起光に対する輝尽発光の応答速度が速
い輝尽性蛍光体を用いた高速読取り可能な放射Ｍ［像変
換方法を提供することを目的とｒる。

また本発明は、くり返し使用の際の残像消去速度の速い
輝尽性蛍光体を用いた残像消去時間の短い放射線画像変
換方法を提供することを目的とする。

さらに本発明は、輝尽励起スペクトルが近赤外領域まで
拡大した輝尽性蛍光体を用いた励起光源として半導体レ
ーザの使用可能な放射線画像変換方法を提供することを
目的とする。

更に前記目的を満足する放射線画像変換パネルを提供す
ることを目的とする。

（発明の構成） 本発明者等は前記本発明の目的に沿って高輝度のｌｆｌ
／Ｒ発光を示し、輝尽励起スペクトルが近赤外領域まで
拡大した輝尽性蛍光体について種々検討した結果、下記
一般式（１）で表されるアルカリハライド蛍光体を含む
輝尽性蛍光体に被写体を透過したあるいは被写体から発
せられた放射線を吸収せしめ、しかる後、この蛍光体を
可視光及び赤外線から選ばれる電磁波で励起して蛍光体
が帯積している放射線エネルギーを蛍光として放出せし
め、この蛍光を検出することを特徴とする放射線画像変
換方法により、また前記要件を満たす放射線画像変換パ
ネルにより本発明の目的が達成されろ。

一般式（１） ％式％： ただし、Ｍ′はＬｉ、Ｎａ、に、Ｒｈお上（７Ｃｓから
選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、少なく
ともＲｈ、Ｃｓのいずれかを含む。

Ｍ”は３　ｅ　＋　Ｍ　ｇ　＋　Ｃａ　ｔ　Ｓ　ｒ　＋
　Ｂ　ａ　＋　Ｚ　ｎ　＋　Ｃｄ　、ＣｕおよびＮｉか
ら選ばれろ少なくとも一種の二価金属である１Ｍ諺はＳ
ｃ、Ｙ、Ｌａ＋Ｃｅ＋Ｐｒ１Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ。

Ｅｕ、Ｇｄ＋Ｔｂ＋Ｄｙ＋Ｈｏ＋Ｅｒ＋Ｔｍ＋Ｙｂ、Ｌ
ｕ＋Ａ　Ｉ＋Ｇａ　　−およびＩｎから選ばれる少なく
とも一種の三価金属である。

ｘ　　、ｘ’　およびＸ＃はＦ、ＣＩ、Ｂｒお上り工か
ら選ばれる少なくとも一種のハロゲンである。ＡはＥｕ
＋Ｔｂ＋Ｃｅ、Ｔｍ＋Ｄｙ＋Ｐｒ＋Ｈｏ、Ｎｄ＋Ｙｂ、
Ｅｒ＋Ｇｄ＋Ｌｕ＋ＳｍｖＹ　、ＴＩ＋Ｎａ＋Ａｇ＋Ｃ
ｕおよびＭｇから選ばれる少なくとも一種の金属である
。またａはＯ≦ａ＜０．５の範囲の数値であり、ｂは０
≦ｂ＜ｏ、ｓの範囲の数値であり、ｃｊよＯ＜ｃ≦０．
２の範囲の数値である。

即ち本発明に係る組成の輝尽性蛍光体は可視から赤外の
領域の電磁波で励起すると従来公知の輝尽性蛍光体より
も高輝度の輝尽発光を示し、しかも近赤外領域で特に実
用的に高感度な放射＃ａ画像変換方法が得られるもので
ある。

本発明の放射線画像変換方法は、前記一般式（１）の輝
尽性蛍光体を含有する放射線画像変換パネルを用いる形
態で実施される。

放射線画像変換パネルは、基本的には支持体と、その片
面あるいは両面に設けられた少なくとも一層の輝尽性蛍
光体層とからなるものである。また一般に、この輝尽性
蛍光体層の支持体とは反対側の表面には輝尽性蛍光体層
を化学的あるいは物理的に保護するための保１ｆｆｉが
設けられている。すなわち、本発明の放射線画（↑変換
方法は、支持体と、この支持体上に設けられた輝尽性蛍
光体を含有する少なくとも一層の輝尽性蛍光体層とから
天質的になる放射線画像変換パネルにおいて、該輝尽性
蛍光体層の内の少なくとも一層が、前記一般式（１）で
表わされる輝尽性蛍光体を含有することを特徴とする放
射線画像変換パネルを用いて実施される。

前記一般式（１）の輝尽性蛍光体はｘｉなどの放射線を
吸収した後、可視あるいは赤外領域の光、好ましくは５
００〜９００ｎｍの波長領域の尤（励起光）の照射を受
けると輝尽発光を示す、従って、被写体を透過した、あ
るいは被写体から発せられた放射線は、その放射＃１ｆ
ｆｉに比例して放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層
に含まれろ輝尽性蛍光体に吸収され、前記放射ａｉｌ像
変換パネル上に被写体あるいは被写体の放射線画像が、
放射線エネルギーを蓄積した潜像として形成される。こ
の潜像は、５００ｎｍ以上の波長領域の励起光で励起す
ることにより、蓄積した放射線エネルギーに比例した輝
尽２ｔｔを示し、この輝尽発光を尤゛１ｕ的に読み収る
ことにより、放射線エネルギーをＭ　＃Ｑ　Ｌだ潜像を
可視画像化することが可能となる。

以下本発明の詳細な説明する。

第１図は、本発明の放射線画像変換方法に用いられる前
記一般式（１）で丞される輝尽性蛍光体の励起光に対す
る応答特性を従来の方法に用いられる輝尽性蛍光体と比
較して示す。

第１図において（ａ）は本発明の放射線画像変換方法に
用いられる輝尽性蛍光体の励起光に対する応答特性であ
り、（ｂ）および（ｅ）は従来の方法に用いられる輝尽
性蛍光体ＢａＦＢｒ：Ｅｕ　　およびＢａＦＣｌ：Ｅｕ
の応３特性であろ、また破線は強度が矩形状に変化する
励起光の様子を示して−・る６第１図から明らかなよう
に、本発明の放射線画像変換ノｊ法に用いられる輝尽性
蛍光体は、励起光に対する応答特性が茗しく優れており
、放射線画像の読取速度を従来の方法に比較して高速化
することが可能である。

第２図は本発明の放射線画像変換方法に用いられる前記
一般式（１）で示されろ輝ふ性蛍光体の残像消去特性を
従来の方法に用いられる輝尽性蛍光体として比較して示
す。

第２図において（ｄ）は本発明の放射線画像変換方法に
用いられる輝尽性蛍光体に放射線を一定量照射した後タ
ングステンランプ光で蓄積エネルギーを消去した時の蓄
積エネルギーの減衰特性であり、（ｅ）および（ｆ）は
従来の方法に用いられる輝尽性蛍光体ＢａＦＢｒ：Ｅｕ
およびＢａＦＣＩ：Ｅｕを前記と同様にして測定した場
合の蓄積エネルギーの減衰特性である。

第２図から明らかなように、本発明の放射線画像変換方
法に用いられる輝尽性蛍光体はＷＭｉエネルギー（残像
）の減衰速度が大きく、残像の消去時間を従来の方法に
比較して短縮することが可能である。

第３図は、本発明の放射＃ｌＩ像変換方法において、前
記一般式（１）で示される輝尽性蛍光体を放射線画像変
換パネルの形態で用いる実施態様例の概略を示す。

第３図において１１は放射線発生装置、１２は被写体、
１３は前記一般式（１）で示される輝尽性蛍光体を含有
する可視光ないし赤外光輝尽性蛍光体層を有する放射線
画像変換パネル、１４は放射線画像変換パネル１３の放
射組潜像を蛍光として放出させるための励起光源、１５
は放射Ｒ画像変換パネル１３より放出された蛍光を検出
する光電変換装置、１６は光電変換装ｅ１５で検出され
た光電変換信号を画像として再生する装置、１フは再生
された画像を表示する装置、１８は光源１４からの反射
光をカットし、放射縁画像変換パネル１３より放出され
た光のみを透過させるためのフィルターである。尚、ｌ
Ｐ、３図は被写体の放射線透過像を得る場合の例である
が、被写体１２自体が放射線を放射する（被写体）Ｍｈ
会には、前記放射線透過像ｒ！１１１は特に必要ない、
また、光電変換装Ｗ１１５以降はパネル１３からの光情
報を何らかの形で画像として再生でさるものであればよ
く、前記に限定されるものではない、第３図に示される
ように、被写体１２を放射線発生装置ｆｆ１ｌと放射線
画像変換パネル１３の間に配置し放射線を照射すると、
放射線は被写体１２の各部の放射線透過像の変化に従っ
て透過し、その透過像（すなわち放射線の強弱の像）が
放射線画像変換パネル１３に入射する。この入射した透
過像は放射＃ｌＷ像変換パネル１３の輝尽性蛍光体層に
吸収され、これによって輝尽性蛍光体層中に吸収された
放射線量に比例した数の電子およ（１／または正札が発
生し、これが輝尽性蛍光体のトラップレベルに１ｙ積さ
ｈる。

すなわち放射線透過像のエネルギーをＷ積した潜像が形
成される０次にこの潜像を光エネルギーで励起して顕在
化する。すなわち可視あるいは赤外領域の光を放射する
光［１４によって輝尽性蛍光体層に照射してトラップレ
ベルに蓄積された電子および／または正札を追い出し、
Ｍ積されたエネルギーを蛍光として放出せしめる。この
放出された蛍光の強弱はＭＢ２された電子および／また
は正孔の数、すなわち放射線画像変換パネル１３の暉尽
性蛍光体門に吸収された放射線エネルギーの強弱に比例
しており、この光信号を例えば光電子増倍管等の光電変
換装ｆｉ＋５で電気信号に変換し、画像処埋装置１６に
よって画像として１１１生し、画像表示装置１７によっ
てこの画像を表示する。両性処ＰＰ装置１６は単に電−
Ｃ４ｄ号を画像信号として再生するのみでなく、いわゆ
る画像処理や画像の演算、画像の記憶、保存等ができる
ものを使用するとより有効である。

また本発明の方法において光エネルギーで励起する際、
励起光の反射光と輝尽性蛍光体層から放出される蛍光と
を分離する必要があることと輝尽性蛍光体層から放出さ
れる蛍光を受光する充電変換器は一般に６０ｏｎ−以下
の短波長の光エネルギーに対して感度が高くなるという
理由から、輝尽性蛍光体層から放射される蛍光はできる
だけ短波長領域にスペクトル分布をもったちのが望まし
い。

本発明に係る方法に用いられる輝尽性蛍光体の発光波長
域は３００〜５００１−であり、一方励起波長域は５０
０〜９００ｎｓであるので前記の条件を同時に満たすも
のである。

すなわち、本発明に用いられる前記輝尽性蛍光体はいず
れも５００ｎ−以下に主ピークを有する発光を示し、ｒ
Ｉｈ起光との分離が容易でしかも受光器の分光感度とよ
く一致するため、効率よく受光できる結果、受像系の感
度を高めることがでさる６本発明の方法に用いられる輝
尽励起光源１４としては、放射線画像変換パネル１３に
使用される輝尽性蛍光体の輝尽発光波長を含む光源が使
用される。

待にレーザ光を用いると光学系が簡単になり、又、励起
光強度を大きくすることがでさるために輝尽発光効率を
あげることができ、より好ましい結果が得られる。レー
ザとしては、Ｈｅ−Ｎｅレーザ、Ｈｅ−Ｃｄレーザ、Ａ
ｒイオンレーザ、Ｋｒイオンレーザ、Ｎ２レーザ、ＹＡ
Ｇレーザ及びその第２高調波、ルビーレーザ、半導体レ
ーザ、各種の色素レーザ、銅蒸気レーザ等の金属蒸気レ
ーザ等がある０通常はＨｅ−Ｎｅ１メーザやＡｒイオン
レーザのような連続発振のレーザが望ましいが、パネル
１画素の走査時開とパルスを同期させればパルス発振の
レーザを用いることもでさる。又、フィルター１８を用
いずに特開昭５９−２２０４６号に示される発光の遅れ
を利用して分離する方法によるときは、連続発振レーザ
を用いて！２調するよりもパルス発振のレーザを用いる
方が好ましい。

上記の各種レーザ光源の中で、半導体レーザは小型で安
価であり、しかも変ａＳが不要であるので特に好ましい
。

フィルタ１日としては放射＃１画像変換パネル１３がら
放射される輝尽発光を透過し、励起光をカットするもの
であるから、これは放射線画像変換パネル１３に含有す
る輝尽性蛍光体の輝尽発光波長と励起光源１４の波長の
姐合わせによって決定される。

例えば、ｌｌ１ｌ尽励起波長が５００〜９００ｎｍで輝
尽発光波長が３００〜５００ｎ−にあるような実用上好
ましい組合わせの場合、フィルタとしては例えば東芝社
製Ｃ−３９，Ｃ−４０，Ｖ−４０，Ｖ−４２，Ｖ−４４
、コーニング社Ｓ！７−５４．７−５９、スペクトロフ
ィルム社！Ｓ！ＢＧ−１，ＢＧ−３，８Ｇ−２５，ＢＧ
−３７゜ＢＧ−３８等の紫〜青色の色〃ラスフィルタを
用いることがで終ろ、又、干渉フィルタを用いると、あ
る程度、任意の特性のフィルタを選択して使用でさる。

光電変換装置１５としては、光電管、充電ｒ信増管、７
すトグイオード、７オトトランノスタ、太陽電池、尤導
電素子等尤風の変化を一往気（Ｊ号の変化に変換し得る
ものなら何れでもよい。

次に本発明の放射線画像変換方法に用いられる放射線画
像変換パネルについて説明する。

放射線画像変換パネルは、重連のように支持体とこの支
持体上に設けられた前記一般式（１１で表される輝尽性
蛍光体を含有する少なくとも一層の輝尽性蛍光体層とか
ら構成される。

にｆ記一般式（１）で表わされる輝尽性蛍光体は、暉尽
発尼輝度の点から一般式（１）におけるＭｌとしては、
Ｒｂ、Ｃｓ及びＲｈ及び／またはＣｓを含有したＮａ、
同Ｋが好ましく、待にｒ＜　ｂおよびＣｓから選ばれる
少なくとも一種のアルカリ金属が好ましい、Ｍ”として
は、Ｂｅ＋Ｍｇ＋Ｃａ＋ＳｒおよびＢａから選ばれる少
なくとも一種のアルカリ土類金属が好ましく、Ｍ”とし
てはＹ、Ｌａ、Ｌｕ、Ｓｍ、ＡＩ。

Ｇａ、ＧｄおよびＩｎから選ばれる少なくとも一種の三
価金属が好ましい。Ｘ＃とじては、ＦＩＣＩお上び１３
ｒから選ばれる少なくとも　・種のハロゲンが好ましい
０Ｍ″×２゛の含有率を表わすａ値およびＭＩＮＸ、”
の含有率を表わすｂ値はそれぞれ、０≦ａ＜０．４およ
びＯ≦ｂ≦１０−２の範囲から選ばれるのが好ましい、
ａ値がａ＞０．５の場合には輝尽発光輝度が急激に低下
し待に好ましくない。

＋ｎｆ記一般式（１）において、賦活ＭＡとしてはＥｕ
＋Ｔｂ＋Ｃｒ＋Ｔｍ＋Ｄｙ＋Ｈｏ＋Ｇｄｉ、ｕ＋Ｓｍ＋
Ｙ　＋Ｔ　ＩおよびＮａから選ばれる少なくとも一種の
金属が好ましく、待にＥｕ、Ｃｅ、ＳＬＩ、Ｔ１および
Ｎａから選ばれる少なくとも一種の金属が好ましい、ま
た、賦活剤の量を表すａ値はｉｏ−’＜　ｃ　＜　ｏ、
＋の１／ｌ！１囲から選ばれるのが輝尽発ｆ：、輝度の
点から好ましく・。

本発明に係る輝尽性蛍光体Ｍ’Ｘ−ａＭ’Ｘ、’　　・
ｂＭ”Ｘｉ“：ｃＡは、例えば以下に述べる９１遣方法
によって９１遺される。

まず輝尽性蛍光体原料としては、 １　）　ＬｉＦ、ＬｉＣｌ−Ｌｉａｒ、　Ｌｉｌ、　Ｈ
ａＦ、　ＮａＣｌ、　Ｈａｉｒ。

Ｎａｌ、　ＫＦ、　ＫＣＩ、　ＫＢｒ、　Ｋｌ、　Ｒｂ
Ｆ、　ＲｈＣ１，ＲｂＢｒ。

Ｒｂ１．　ＣｓＦ、　ＣｓＣｌ、　ＣｓＢｒ、　Ｃｓｌ
のうちの１種らしくは２種以上、 Ｕ　）　Ｂｅ）２．１ｌｅｃ１２＋　ＢｅＢｒ２＋　Ｂ
ｅｔ２＋　ＮＩ？）ｚ＋　ＭＨＣ１２＋ＭｇＢｒｚ＋　
Ｈｇ＋２＋　ＣａＦ２＋　ＣａＣＩｚ＋　ＣａＢｒ２＋
　Ｃａ［２，ＳｒＦ＋＋５ｒＣｌ７．　Ｓｒ口ｒ２＋　
　Ｓｒｌ：、　ＢａＦ２．　［ｔａＣｌｚ、　ＢａＢｒ
、。

ＢａＢｒ２　”　　ＺＩＩ２０ｔ　　Ｂａ１２＋　　Ｚ
ＩＩＦＨＺｎＣｌ２．　　ＺｎＢｒ２＋Ｚｎｌ、＋Ｃｄ
Ｆ２．　　ＣｄＣ１゜、　　ＣｄＢｒ、、　　Ｃｄｌ：
、　ＣｕＦ２．ＣｕＣｌ□ＣｕＣｒ、。

Ｃｕｌ、　ＮｉＦ、、　ＮｉＣ１，、ＮｉＢｒ２．　Ｎ
ｉｌ、のうちの１種らしくは２種以上 （１１１ＳｅＦ！、　５ｅＣ１＝、　５ｃＢｒ＊＋　５
ｅｌｆ、　ＹＦ、、　ＹＣＩ、、Ｙ［ｌｒ、。

Ｙｌｓ、ＬａＦｓ＋　ＬａＣ１＝＋　Ｌａ［１ｒ３ｔ　
Ｌａ１３．　　ＣｅＦｓ、Ｃｅ１ｉ。

ＣｅＢｒ、、　Ｃｅ１ｓ＋　ＰｒＦ３．　ｌ’ｒｃ１３
．　ＰｒＢｒ、、　　Ｐｒ１ｉ＋ＮｄＦ’ｉ＋ＮｄＣ１
５，ＮｄＢｒｍ、　　Ｎｄ１ｔ、　ＰｍＦｚ＋　　Ｐｍ
Ｃｌ３＋　　ＰｍＢｒ５゜Ｐｍ１ｓ＋　　ＳｍＦ＝、　
　ＳｍＣ１＊、　　ＳｍＢｒ５．　Ｓｍ１．　　ＥｕＦ
ｚ、ＥｒＣｌ１＋Ｅｒｚ、ＥＬＩＩ３．ＧｄＦｔ、Ｇｄ
Ｃ１５，ＧｄＢｒ、＋　Ｇｄｌ＊、ＴｂＦ＋。

ＴｂＣｌ１＋　ＴｂＢｒ３＋　Ｔｂ１ｉ＋　ｏｙＦｆｆ
ｌ　ＤｙＣｌ１＋Ｄｙ８ｒｉＪｙｌｚ＋ＨｏＦｓ＋　ｔ
ｌｏｃＩ、＋　ＨｏＢｒ５．ｌ１ｏｌｉ、ＥｒＦ、、　
ＥｒＣｌ１＋Ｅｒ［ｌｒ、、　　Ｅｒ１ｚ、　ＴｍＦ３
＋　　ＴｍＣ１ｚ＋　　ＴｍＢｒ３＋　　Ｔ＋ｓｌｉ、
Ｙｂ７＋ＹｂＣ１□ＹｂＢｒｚ、Ｙｂ１ｓ、　ＬｕＦｔ
、　１．ｕｃｌ、　ＬｕＢｒ、＋Ｌｕ１ｚ＋＾ＩＦ１．
＾ＩｃＩ、、＾ＩＢｒ＝＋＾１１３．　ＧｄＦｚ、Ｇａ
Ｃｌ＋。

［：ｄ［１ｒｉｔ　Ｇｄｌ、　ＩｎＦ＋＋　　ＩｎＣｌ
１＋　　Ｉｎｐｒ３＋　Ｉｎ！＊　のうちの１種らしく
は２種以上、おより ＩＶ）Ｅｕ化合物群、Ｔｂ化合物群、Ｃｅ化合物群、Ｔ
−化合物群、ｏｙ化合物群、Ｐｒ化合物群、ｌｌｏ化合
物群、Ｎｄ化合物群、Ｙｂ化合物群、Ｅｒ化合物群、Ｇ
ｄ化合物群、Ｌｕ化合物群、Ｓｓ化合物群、Ｙ化合物群
、ＴＩ化合物群、Ｈａ化合物群、へｇ化合物群、Ｃｕ化
合物群、Ｍｇ化合物群のうちの１種もしくは２１１１以
上の付活剤原料 が用いられる。

化学量論的に一般式＋１）で示される Ｍ’Ｘ−ａＭ”Ｘ　、′　・ｂＭ”Ｘ、”　：ｃＡ　に
於いて、０≦ａ＜０．５　　好ましくは　０≦ａ＜０．
４．０≦ｂ＜０．５　　好ましくは　０≦ｂ≦ＩＯ−；
、０（ｃ≦０．２　　好上しくは　１０−’＜ｅ＜０．
１、の混合組成になるように一ヒ記１）〜■）のｘｉｌ
Ｉ尽性蛍尤体原料を秤量し、２Ｌ針、ボールミル、ミキ
サーミル等を用いて充分に混合する。

犬に、得られた輝尽性蛍光体原料混合物を６％ルツボ或
はアルミナルツボ等の耐熱性容器に充填して電−（炉中
で焼成を行う。焼成温度は５００乃至１０００℃が適当
である。焼成時間は原料混合物の充填量、焼成温度等に
よって異なるが、一般には０．５乃至６時１ｎが適当で
ある。焼成雰囲気としては少量の水素ガスを含む窒素〃
ス雰囲気、少量の一酸化炭素を含む炭酸γス′７Ａ囲′
７ｃ等の弱還元性雰囲気、あるいは窒素〃ス雰囲気、ア
ルゴンブス雰囲気等の中性雰囲気が好ましい、なお、上
記の焼成条件で一度焼成した後、焼成物を電気炉から取
り出して粉砕し、しかる後焼成物粉末を再び耐熱性容器
に充填して電気炉に入れ、上記と同じ焼成条件で再焼成
を行えば蛍光体の発光輝度を更に高めることができる。

また、焼成物を焼成温度より室温に冷却する際、焼成物
を電気炉から取り出して空気中で放冷することによって
も所望の輝尽性蛍光体を得ることができるが、焼ｒ！！
、時と同じ、弱還元性雰囲気もしくは中性雰囲気のまま
で冷却ｒる方が、得られた輝尽性蛍光体の輝尽による発
光輝度をさらに高めろことができる。また、焼成物を１
！気炉内で加熱部より冷却部へ移動させて、弱還元性雰
囲気もしくは中性雰囲気で２冷することにより、得られ
た輝尽性蛍光体の輝尽による発尤暉度をより一層高める
ことがでさる。

焼成後得られる輝尽性蛍光体を粉砕し、その後洗浄、乾
燥、篩い分は等の蛍光体製造に於いて一般に採用されて
いる各ａａ作によって処理して本発明に係ろ輝尽性蛍光
体を得る。

本発明の放射組画像変換パネル１３に使用される輝尽性
蛍光体の平均粒子径は、通常、放射線画像変換パネル１
３の感度と粒状性を考慮して、平均粒子径０．１〜１０
０−の範囲において適宜選択される。

更に好ましくは、平均粒子径が１〜３０ｕｓのものが使
用される。

本発明の放射線画像変換パネル１３において、一般的に
は、本発明に係る輝尽性蛍光体は適当な結着剤中に分散
され、支持体に塗布される。結着剤としては、例えばゼ
ラチンのような蛋白質、デキストランのようなポリサン
カライド又はアラビアゴム、ポリビニルブチラール、ポ
リ酢酸ビニル、ニトロセルロース、エチルセルロース、
塩化ヒニリヂンー塩化ビニルコポリマー、ポリメチルメ
タクリレート、塩化ビニル−酢酸ビニルフポリマー、ポ
リウレタン、セルロースアセテートブチレート、ポリビ
ニルアルコール等のような、通常、層形成に用いられる
結着剤が使用される。

一般に、結着剤は、輝尽性蛍光体１ｍｆｆ１部に対して
０．０１〜１重量部の範囲で使用される。しかしながら
、得られる放射縁画像変換パネル１３の感度と鮮鋭度の
点では、結着剤は少ない方が好ましく塗布の容易さとの
兼ね合いから０．０３〜０．２重３１部の範囲がより好
ましい。

更に、本発明の放射線画像変換パネル１３においては、
一般に、輝尽性蛍光体層の外部に露呈する面（ｆ光体層
基板の底部で隠蔽されない面）に、輝尽性蛍光体層を物
理的或いは化学的に保護するための保護層が設けられる
。この保護層は、保護層用塗布液を輝尽性蛍光体層上に
直接塗布して形成してもよいし、或いは予め別途形ｒ＆
された保を層を、輝尽性蛍光体層上に接着してもよい。

保護層の材料としては、ニトロセルロース、エチルセル
ロース、セルロースアセテート、ポリエステル、ポリエ
チレンテレフタレート等のような通常の保ｖ１層用材料
が用いられる。

尚、この保護層は、輝尽発尤尤を透過し、又、励起光の
照射が保護層側から行なわれる場合には、ｒｈ起光を透
過するものが選ばれる。また好ましく・膜厚としては約
２〜４０ＩＪ′ｌである。

次に、放射線画像変換パネル１３の製造法の一例を以下
に示す。

まず粉砕された輝尽性蛍光体粉末と結着剤及び溶剤を混
合し充分に混線し輝尽性蛍光体の均一分散した塗布戒を
調合する。

前記溶剤としては、メタノール、エタノール、ｎ−プロ
パツール、ｎ−ブタノール等の低級アルコール類、メチ
レンクロライド、エチレンクロライド等の塩素含有炭化
水素類、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブ
チルケトン等のケトン類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢
酸ブチル等の低級エステル類、ノオキサン、エチレング
リコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノ
エチルエーテル等のエーテル類が挙げられる。尚これら
溶剤は混合して使用してもよい。

更に塗布液中の輝尽性蛍光体の分散性を補完するだめの
分散剤或いは塗布乾燥後の結着剤と該蛍光体粒子との接
合性を保証するための可塑剤等の有用な種々の添加剤が
添加されてもよい。

前記分散剤としては、７タル酸、ステアリン酸、カプロ
ン酸或いは親油性表面活性剤等が挙げられる。

前記可塑剤としては、燐酸トリフェニル、燐酸トリフレ
ノル、燐酸ノフェニル等の燐酸エステル類、７タル酸ジ
エチル、７タル酸ノメトキシエチル等の７タル酸エステ
ル類、グリコール醍エチル７タリルエチル、グリフール
酸ブチル７タクリルプチル等のグリコール酸エステル類
、更にトリエチレングリフ−ルー７ジピン酸ポリエステ
ル、ジエチレングリコール−琥珀酸ポリエステル等のポ
リエチレングリフ−ルー脂肪族二塩基酸ポリエステルＭ
等を挙げることができる。

前記のように調合された塗布液は一般に行なわれる塗布
方法例えばロールコータ法、プレードドフター法等によ
り支持体に均一に塗布され輝尽性蛍光体層が形成される
。

本発明に用いられる支持体としては各ａ金成樹上シート
（例えばセルロースアセテート、ポリエステル、ポリエ
チレンテレフタレート、ポリアミド、ポリイミド、トリ
アセテート、ポリカーボネイト等のシート）、各種金属
シート（例えばアルミニウム、アルミニウム合金等のシ
ート）、各種紙シー！（例えばバライタ紙、レノンツー
Ｙ紙、ピグメント紙等のシート）等を挙げることができ
る。

前記輝尽性蛍光体層の乾燥厚みは、放射緑画像変換パネ
ルの使用目的によって、また輝尽蛍光体の種類、結着剤
と輝尽蛍光体との混合比等により変化するが、一般には
、１〇−乃至１０００−が適当であり、好ましくは８〇
−乃至６００−である。

なおまた、放射ｉ画像変換パネル１３に形成される画像
の鮮鋭度を高めるために、例えば特開昭５５−１４６４
４７号に記載されているように１１１１尽性蛍光体層に
白色粉末を分散させるようにしてもよいし、又、特開昭
５５−１６３！’１００号に記載されているように輝尽
性蛍光体層に輝尽励起光を吸収するような着色剤を号数
させるようにして哩ノが性蛍光体層の画像の鮮鋭度を高
めたり、輝尽励起光を吸収させるために過度に着色して
もよい、更に、この放射繰動像変換パネル１３の鮮鋭度
及び感度を向上させる目的で特開昭５６−１１３９３号
【二間示されているよｈに支持体と輝尽性蛍光体層との
間に光反射層を設けるようにしてもよい。

さらに本発明の放射線画像変換パネルは、前述の塗布方
法により得られる他に、真空蒸着法、スパッタリング法
などにより蛍光体層を支持体上に得ることができる。こ
の場合、結着剤が不要となり、輝尽性蛍光体の充填密度
を増大でさ、感度、解像力の上で好ましい放射ａ画像変
換パネルが得られろ。

以上のようにしてえられた本発明に係る輝尽性蛍光体Ｍ
　’Ｘ−ａＭ　”Ｘ　２’　　・ｂＭ　”Ｘ　ｓ’−：
ｃＡ　の輝尽による発光スペクトルを第４図に例示した
。具体的組成は下記の通りである。

（ａ）Ｒｂｌｆｒ　・　０，０５ＤａＦ［ｆｒ　−０，
０１ΔｌＩ・−：０．００１Ｅｕ（ｂ）０，９９ＲｈＯ
ｒ　・　Ｏ，０ＩＣｓＦ　−０，０５ＢａＦＣＩ　・　
０．０ＩＬａＦ、：（１，ｏｏＩＴＩ （ｃ）ＣｓＢｒ　・０．０５８ａＦＣＩ　・Ｏ，０ＩＹ
Ｆ、：０．００２Ｔｌこれら輝尽性蛍光体に８０ＫＶｐ
のＸ＃ｉを照射した後、該蛍光体を発振波長が７８０ｎ
＋＊の半導体レーザーで励起することによって測定した
発光スペクトルである。

また第５図に本発明に係る蛍光体 Ｍ　’Ｘ−ａＭ　”Ｘ　２’　　・ｂＭＩＩＸ　ｘ”　
：ｃＡの１１ｉ尽の励起スペクトルを例示した。８０Ｋ
Ｖｐのｘｉが照射された前記輝尽性蛍光体（ａ）、（ｂ
）及び（ｃ）の輝尽の励起人ベクトルである。

（実施例） 人に実施例によって本発明を説明する。

実施例１ 各輝尽性蛍光体原料を下記（１）〜（２１）に示される
ように秤量した後、ボールミルを用いて充分に混合して
２１種類の蛍光体原料混合物を調合した。

（１）　　ＲｂＢｒ　　　　１６３．７ｇ　　　（０，
９９モル）ＣｓＦ　　　　　１．５２１＋　　　（０，
０１モル）ＴＩＢｒ　　　　０．２８４ｇ　　（０，０
０１−１ニル）（２）　　Ｃｓ１ｌｒ　　　２１０．７
ｇ　　　　（０，９９モル）ＣｓＦ　　　　　１．５２
ｇ　　　（０，０１モル）ＴＩＢｒ　　　　０．２８４
ｇ　　（０，００１モル）（３）　　ＲｂＢｒ　　　　
８２．７ｇ　　　（０，５Ｔ：　ル）ＣｓＢｒ　　　　
１０６．４＋ｒ　　　（０，５モル）ＣｓＦ　　　　　
１，５２ｇ　　　（０，０１モル）ＴｌＯｒ　　　　０
．２８４ｇ　　（０，００１モル）（４）　　ＲｂＣｌ
　　　１２０．９ｇ　　　（１モル）ＣａＦ２７．８１
ｇ　　　（０，１モル）＾ＩＦ＋　　　　　０．８４０
＋ｒ　　（０，０１モル）Ｅｕ２０ｚ　　　　０．１７
６ｇ　　（０，０００５モル）（５）　　ＲｂＢｒ　　
　１６５．４１１　　　（１モル）ＥｕｚＱｓ　　　　
０．１７６ｇ　　（０，０ＧＯ５モル）（６）　　Ｒｂ
Ｂｒ　　　１６５．４ｇ　　　（１モル）Ｅｕ２０＝　
　　　　　Ｏ，’−７６、（Ｇ、ＧＯ＜１５（ル）Ｔｂ
、０．　　　０．０７４８ｆｆ　（０，０００１モル）
（））　　ＲｂＢｒ　　　１６５．４ｇ（１モル）Ｔｌ
［ｌｒ　　　　　０．２８４ｇ　　（０，００１モル）
（８）　　Ｒｂ［ｔｒ　　　１６５，４ｇ　　　（１モ
ル）ＴＩＢｒ　　　　０．２８４ｇ　　（０，００１モ
ル）ＮａＢｒ　　　　　Ｏ，０２０６ｇ　（０，０００
２モル）（９）　　ＲｂＢｒ　　　１６５．４ｇ　　　
（１モル）口ａＦ＋　　　　１７．５４４　　　（０，
１モル）＾ＩＦｚ　　　　　０．８４０ｇ　　（０，０
１モル）ＴＩＢｒ、　　　　０．２．８４ｇ　　（０，
００１モル）（１０）　　ＲｂＢｒ　　　　１５７．１
ｇ　　　（０，９５モル）Ｃ３Ｆ　　　　　７．６０１
１　　　（０，０５モル）ＢａＦ　２　　　１７．５４
ｇ　　　（０，１モル）八ＩＦｓ　　　　　００８４０
ｇ　　（０，０１モル）Ｔｌ２Ｏ０，２１２ｇ　　（０
，０００５モル）（１１）　Ｒｈ０ｒ　　　１５７．１
ｇ　　　（０，９５モル）Ｌｉｌ　　　　　６．６９ｇ
　　　（０，０５モル）ＢａＦ２　　　１７．５４ｇ　
　　（０，１モル）＾ＩＦ３　　　０．８４０ｇ　　（
０，０１モル）Ｔ１．Ｏ，０，２２８ｇ　　（０，００
０５モル）（１２）　Ｒｂ１　　　２１２．４ｇ　　　
（１モル）ＭｇＦｚ　　　　６２．３１ｇ　　　（０，
１モル）＾ＩＦ、　　　　０．８４０１１　　（０，０
１モル）ＥＬ１２０３　　　　０．＋７６ｇ　　（０，
０００５モル）（１３）　ＣｓＦ　　　　１５１．９＋
ｒ　　　（１モル）ＢａＦ２　　　　１７．５４ｇ　　
　（０，１モル）しａＦ＝　　　　　１．９６ｇ　　　
（０，０１モル）ＥｕＦ、　　　　　０．２０９ｇ　　
（０，００１モル）（１４）　ＣｓＢｒ　　　　２１２
．８ｇ　　　（１モル）ＥｕｚＯ＝　　　　　０．１７
６ｇ　　（０，０００５モル）（１５）ＣｓＢｒ　　　
　２１２，８ｇ　　　（１モル）ＴｌｚＯ０，２１２ｇ
　　（０，０００５モル）（１６）　ＣｓＢｒ　　　　
２１２．８ｇ　　　（１モル）ＢａＦｚ　　　　　１７
，５４ｇ　　　（０，１モル）ＴｌｚＯＯ，２１２ｇ　
　（０，０００５モル）（１７）　ＣｓＢｒ　　　　２
１２．８ｇ　　　（１モル）ＢａＢｒｚ　　　　２９．
７１ｇ　　　（０，１モル）Ｔ１□００゜２１２ｇ　　
（０，０００５モル）（１８）　ＣｓＢｒ　　　　２１
２．８１１　　　（１モル）ＹＣＩ、　　　　　０．９
フａｇ　　（０，００５モル）ＴｌｚＯ０１２１２ｇ　
　（０，０００５モル）（１９）　ＣｓＢｒ　　　　２
１２．８ｇ　　　（１モル）ＹＣＩｓ　　　　　１９．
５３［＋　　　（０，１モル）ＴＩ、０　　　　０．２
１２ｇ　、　（０，０００５モル）（２０）　Ｃｓ８ｒ
　　　　２１２．８ｇ　　　（１モル）ＹＣｌｚ　　　
　　７８．１１ｇ　　　（０，４モル）ＴｌｚＯ０，２
１２ｇ　　（０，０００５モル）（２１）　Ｃｓｌ　　
　　　２５９，８ｇ　　　（１＝　ル）ＢａＣ１，２０
，８２ｇ　　　（０，１モル）＾ＩＦｓ　　　　　０．
８４０ｇ　　（０，０１モル）Ｅｕ、０．　　　　０．
１７６ｇ　　（０，０００５モル）次に前記２１種類の
輝尽性蛍光体原料混合物をそれぞれ石英ポートに詰めて
電気炉に入れ焼成を行った。焼成は２容量％の水素がス
を含む窒素ガスを流速２５００ｃｃ／分で流しながら６
５０℃で２時間打い、その後室温まで放冷した。

得られた焼成物をボールミルを用いて粉砕した後、＋５
０メツシユの篩にかけて粒子径をそろえ、それぞれの輝
尽性蛍光体を得た。

次に前記２１！１類の輝尽性蛍光体を用いて本発明の放
射！ＦＬ画像変換パネルを製造した。いずれの放射線画
像変換パネルも以下のように製造した。

まず輝尽性蛍光体８重量部をポリビニルブチラール（結
着剤）１重量部にアセトンとｒｉ：ｌ１２エチルを等量
混合した溶剤を用いて分散させ、これを水平に１６いた
ポリエチレンテレフタレートフィルム（支持体）上にワ
イヤーバーを用いて均一に塗布し自然乾燥させることに
よって膜厚が約３００　ＡＩ′ｌの本発明の放射線両像
変換パネルを作成した。

この２１種頭の本発明の放射線画像変換パネルをＸ線管
球焦点から１００Ｃ１１の距離において管電圧８０ＫＶ
ｐ　、管ＴｉｔｌＬ　１００ｍＡ　ｔｆ）　Ｘ線ヲ０．
１秒照射シタ後、これを半導体レーザー光（７８０ｎｍ
、ＩＯ＋ｌＷ）で励起し、その輝尽性蛍光体層から放射
される輝尽による蛍光を光検出器で測定した。結果を第
１表に示す。　　−比較例１ 実施例１において輝尽性蛍光体原料をＢａＦ２１７５．
４ｇ（１モル）　、Ｂ　ａＢ　ｒｚ　４２Ｈｚｏ　　３
３３．３１＋（１モル）およびＥｕ、０１　０．３５２
ｇ（０，００１モル）としたこと以外は実施例１と同様
にして輝尽性蛍光体ＢａＦＢｒ：０．００１　Ｅ　ｕを
得た。この輝尽性蛍光体を用いて実施例１と同様にし°
Ｃ比較の放射緑画像変換パネルを作製し、半導体レーザ
ー（７８０ｎｆｆ１．１０ｍＷ）を用いて１１１ｉ尽発
光輝度を測定した。結果を第１表にて併記する。

比較例２ 比較例１において半導体レーザを用いる代わりにＨｅ−
Ｎｅレーザ（６３３ｎｍ、１０ｍＷ）をｌｌイた以外は
比較例Ｉと同様にして輝尽発光輝度を測定した。

第　　１　　表 第１表より本発明に係る１ｉｊｊ記試料（１）〜（２１
）の輝尽性蛍光体を用いてＳｌ！遺した本発明の放射線
画像変換パネルの！Ｉ１１尽による発光輝度は、比較例
１に示した、従来の輝尽性蛍光体ＢａＦＢｒ：Ｅｕを用
いて製造した比較の放射＋１９画像変換パネルの同一条
件で測定した輝尽による発光輝度よりも高く、従って本
発明の放射緑画像変換パネルを使用する本発明の放射線
画像変換方法は比較の放射＃１画像変換パネルを使用す
る従来の放射線画像変換方法よりも高感度であった。

ところで比較例１で取り上げた、従来の輝尽性蛍光体Ｂ
ａＦＢｒ：Ｅｕは輝尽励起スペクトルのピーク波長が６
００ｎ輪付近にあり、励起光源としては、Ｈｅ−Ｎｅレ
ーザ光（６３３ｎＩ１１）が待に好ましいとされている
　（特開昭５５−１５０２５等）、そこで、ＢａＦＢｒ
：Ｅｕを用いて製造した比較の放射線画像変換パネルに
ついては、前記輝尽発光輝度の測定方法において、半導
体レーザ（７８０ｎｍ）をＨｅ−Ｎｅレーザ（６３３ｎ
ｍ）に変え、それ以外は同一条件で測定して比較例２と
して前記第１表に示したが、比較の放射ｎ画像変換パネ
ルは本発明のいずれの放射線画像変換パネルよりも輝尽
発光輝度が低かった。従って、本発明の放射線画像変換
パネルを使用する本発明の放射線画像変換方法は、励起
光源として半導体レーザを使用できるので、Ｈｅ−Ｎｅ
レーザを使用する従来の放射線画像変換方法よりも小型
化できると同時に高感度であった。

実施例２ 実施例１で作成した輝尽性蛍光体（１０）を用いた本発
明の放射線画像変換パネルに実施例１と同様にＸｉを照
射した後、強度が矩形状に変化する励起光としてのＨｅ
−Ｎｅレーザを１０μＳｅｅ間照射し、輝尽性蛍光体層
から放射される輝尽発光の輝度変化を光検出器で測定し
た。輝尽発光の輝度変化が１０％から９０％まで変化す
るのに要する時間を輝尽性蛍光体の励起光に対する応答
速度として求め第２−＆に示す。

比較例３ 実施例２において本発明の放射線画像変換パネル（ｌＯ
）を用いる代わりに比較例１で作成した比較の放射ＲＱ
画像変換パネルを用いた以外は実施例２と同様にして応
答速度を求めた。

第２表 ！ｎ２Ｒより、本発明に係る輝尽性蛍光体は比較の輝尽
性蛍光体に比べ応答速度が約３倍速（、本発明に係る輝
尽性蛍光体を用いる放射ね画像変換方法における放射線
画像の読取速度を比較の輝尽性蛍光水を用いる時よりも
３倍高速にすることが可能である。

実施例３ 実施例２で使用した本発明の放射線画像変換パネルに実
施例１と同様にＸ線を照射した後、１万ルツクスのハロ
ゲンランプで１０秒間Ｍ積エネルイーを消去した１次に
これをＨｅ−Ｎｅレーザ（１０−社）で励起して輝尽性
蛍光体層から放射される輝尽発光輝度を光検出器で測定
した。測定結果は、ハロゲンランプによる消去前の輝尽
発光輝度を１として第３表に示す。

比較例４ 実施例３において、本発明の放射線画像変換パネルを用
いる代わりに比較例１で作成した比較の放射線画像変換
パネルを用いた以外は実施例３と同様にして輝尽発光輝
度を測定した。＋１１１定結果は実施例３と同様に、ハ
ロゲンランプによる消去前ｔｊＳａ表 第３表より、本発明に係る輝尽性蛍光体は比較の輝尽性
蛍光体に比べ蓄積エネルギー（残像）の消去速度が約４
４６速く、杢定１す１に係る輝尽性蛍光体を用いる放射
線画像変換方法における残像消去時間を比較の輝尽性蛍
光体を用いる時よりもｔ／４に短縮することが可能であ
る。

（発明の効果） 以上説明したように、本発明に係る輝尽性蛍光体は放射
線に対する感度が高いため、本発明の放射録画（を変換
方法をｘ籾診断等に利用する場合、被写体のＸ＃ｉＩ被
８量全８量することが可能となる。

また本発明に係る輝尽性蛍光体は励起光に対する応答速
度および′ＩＭ積エネルギー（残光）の消去速度が遠い
ため、本発明の放射線画像変換方法における放射線画像
読取り速度を高速化し、残像の消去時間を短縮してシス
テムの運転効率を向上させることが可能である。

さらにまた、本発明に係る輝尽性蛍光体の輝尽励起スペ
クトルは半導体レーザの発振波長領域にまで拡大してい
るので半導体レーザによる励起が可能であり、放射線画
像読取り装置の小型化、低価格化、簡略化が可能である
。

【図面の簡単な説明】

！Ｉ’ｋ１図は輝尽性蛍光体の応答特性を示す図である
。また第２図ｊよ輝尽性蛍光体の残像消去特性を示す図
である。 ＭＳ３図は本発明の方法の実施！ｓａ例の概要を示す説
明図である。 第４図は本発明に係る輝尽性蛍光体例のＩ１１！尽発光
スペクトル、Ｐｔ５５図は該蛍光体例の励起スペクトル
である。 １１・・・放射線発生装置　　１２・・・被写体１３・
・・放射線画像変換パネル １４・・・励起光源　　　　　１５・・・光電変換装置
１８・・・フィルター ・　　代理人弁理士　野　１）義　親 第１図 第２図 時間

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）被写体を透過した、あるいは被写体から発せられた
   放射線を下記一般式（ I ）で示される輝尽性蛍光体の
   少なくとも１つに吸収せしめ、しかる後、この輝尽性蛍
   光体を可視光及び赤外線から選ばれる電磁波で励起して
   輝尽性蛍光体が蓄積している放射線エネルギーを蛍光と
   して放出せしめ、この蛍光を検出することを特徴とする
   放射線画像変換方法。 一般式（ I ） Ｍ＾ I Ｘ・ａＭ＾IIＸ＿２′・ｂＭ＾IIIＸ＿３″：ｃ
   Ａ（ただし、Ｍ＾ I はＬｉ，Ｎａ，Ｋ，ＲｂおよびＣ
   ｓから選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、
   少なくともＲｂ，Ｃｓのいずれかを含む。 Ｍ＾IIはＢｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｚｎ，Ｃｄ，
   ＣｕおよびＮｉから選ばれる少なくとも一種の二価金属
   である。Ｍ＾IIIはＳｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ
   ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，
   Ｔｍ，Υｂ，Ｌｕ，Ａｌ，ＧａおよびＩｎから選ばれる
   少なくとも一種の三価金属である。 Ｘ，Ｘ’およびＸ”はＦ，ＣＩ，ＢｒおよびＩから選ば
   れる少なくとも一種のハロゲンである。 ＡはＥｕ，Ｔｂ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎｄ
   ，Ｙｂ，Ｅｒ，Ｇｄ，Ｌｕ，Ｓｍ，Ｙ，Ｔｌ，Ｎａ，Ａ
   ｇ，ＣｕおよびＭｇから選ばれる少なくとも一種の金属
   である。 またａは０≦ａ＜０．５の範囲の数値であり、ｂは０≦
   ｂ＜０．５の範囲の数値であり、ｃは０＜ｃ≦０．２の
   範囲の数値である。） ２）　前記一般式（ I ）におけるｂが０≦ｂ≦１０＾
   −＾２であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
   載の放射線画像変換方法。 ３）前記一般式（ I ）におけるＭ＾ｍが、Ｙ，Ｌａ，
   Ｓｍ，Ｇｄ，Ｌｕ　，Ａｌ，ＧａおよびＩｎから選ばれ
   る少なくとも一種の三価金属であることを特徴とする特
   許請求の範囲第１項もしくは第２項記載の放射線画像変
   換方法。 ４）前記一般式（Ｉ）におけるｘ”がＦ，ＣｌおよびＢ
   ｒから選ばれる少なくとも一種のハロゲンであることを
   特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第３項記載の放射
   線画像変換方法。 ５）前記一般式（Ｉ）におけるＭ＾ＩがＢｅ，Ｍｇ，Ｃ
   ａ，ＳｒおよびＢａから選ばれる少なくとも一種のアル
   カリ土類金属であることを特徴とする特許請求の範囲第
   １項乃至第４項記載の放射線画像変換方法。 ６）前記一般式（Ｉ）におけるＡがＥｕ，Ｃｅ，Ｓｍ，
   ＴｌおよびＮａから選ばれる少なくとも一種の金属であ
   ることを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第５項記
   載の放射線画像変換方法。 ７）前記電磁波がレーザ光であることを特徴とする特許
   請求の範囲第１項乃至第６項記載の放射線画像変換方法
   。 ８）前記レーザ光が半導体レーザであることを特徴とす
   る特許請求の範囲第１項乃至第７項記載の放射線画像変
   換方法。 ９）支持体とこの支持体上に設けられた少なくとも一層
   の輝尽性蛍光体層からなる放射線画像変換パネルにおい
   て、該蛍光体層の内の少くとも一層が、下記一般式（１
   ）で表される蛍光体を含有することを特徴とする放射線
   画像変換パネル。 一般式（Ｉ） Ｍ＾ＩＸ・ａＭ＾IIＸ＿２’・ｂＭ＾IIIＸ＿３’：ｃ
   Ａ（ただし、Ｍ＾ＩはＬｉ，Ｎａ，Ｋ，ＲｂおよびＣ＿
   ｓから選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、
   少なくともＲｂ，Ｃ＿３のいずれかを含む。 Ｍ＾IIはＢｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｚｎ，Ｃｄ，
   ＣｕおよびＮｉから選ばれる少なくとも一種の二価金属
   である。Ｍ＾IIIはＳｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ
   ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，
   Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ａｌ，ＧａおよびＩｎから選ばれる
   少なくとも一種の三価金属である。 Ｘ，Ｘ’およびＸ”はＦ，Ｃｌ，ＢｒおよびＩから選ば
   れる少なくとも一種のハロゲンである。 ＡはＥｕ，Ｔｂ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎｄ
   ，Ｙｂ，Ｅｒ，Ｇｄ，Ｌｕ，Ｓｍ，Ｙ，Ｔｌ．Ｎａ，Ａ
   ｇ，ＣｕおよびＭｇから選ぼれる少なくとも一種の金属
   である。 またａは０≦ａ＜０．５の範囲の数値であり、ｂは０≦
   ｂ＜０．５の範囲の数値であり、ｃは０＜ｃ≦０．２の
   範囲の数値である。） １０）前記一殼式（Ｉ）におけるｂが０≦ｂ≦１０＾−
   ＾２であることを特徴とする特許請求の範囲第９項記載
   の放射線画像変換パネル。 １１）前記一般式（Ｉ）におけるＭ＾IIIが、Ｙ，Ｌａ
   ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｌｕ，Ａｌ，ＧａおよびＩｎから選ばれ
   る少なくとも一種の三価金属であることを特徴とする特
   許請求の範囲第９項もしくは第１０項記載の放射線画像
   変換パネル。 １２）前記一般式（Ｉ）におけるＸ”がＦ，Ｃｌおよび
   Ｂｒから選ばれる少なくとも一種のハロゲンであること
   を特徴とする特許請求の範囲第９項乃至第１１項記載の
   放射線画像変換パネル。 １３）前記一般式（Ｉ）におけるＭ＾IIがＢｅ，Ｍｇ，
   Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａから選ばれる少なくとも一種のアルカ
   リ土類金属であることを特徴とする特許請求の範囲第９
   項乃至第１２項記載の放射線画像変換パネル。 １４）前記一般式（Ｉ）におけるＡがＥｕ，Ｃｅ，Ｓｍ
   ，ＴｌおよびＮａから選ばれる少なくとも一種の金属で
   あることを特徴とする特許請求の範囲第９項乃至第１３
   項記載の放射線画像変換パネル。