JPS6173295A - 磁気バブル記憶装置 - Google Patents

磁気バブル記憶装置

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Publication number
JPS6173295A
JPS6173295A JP59193897A JP19389784A JPS6173295A JP S6173295 A JPS6173295 A JP S6173295A JP 59193897 A JP59193897 A JP 59193897A JP 19389784 A JP19389784 A JP 19389784A JP S6173295 A JPS6173295 A JP S6173295A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data
circuit
magnetic bubble
read
host system
Prior art date
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Pending
Application number
JP59193897A
Other languages
English (en)
Inventor
Katsunori Tanaka
克憲 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP59193897A priority Critical patent/JPS6173295A/ja
Publication of JPS6173295A publication Critical patent/JPS6173295A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気バブル記憶装置に係り、特にホストシステ
ムとのデータの転送を行う部分に改良を施した磁気バブ
ル記憶装置に関する。
〔従来の技術〕
磁気パズル記憶装置とホストシステムとの間に設けられ
るデータバッファとして、従来は、FrFO(ファース
トインファーストアウト)レジスタが用いられていた。
第2図は従来の磁気バブルシステムを表わしており、1
0はバブル記憶素子。
12は誉込み回路、14は読出し回路をそれぞれ示して
いる。誓込み回路12及び読出し回路14と外部のホス
トシステム16との間には、データバッファとして数バ
イトのFIFOレジスタ18が設けられている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
このようにFIFOレジスタが数バイトであると、何ら
かの理由によりホストシステムがデータの転送を中止す
ると転送エラーが生じてしまう。例えば、ホストシステ
ムがデータの読出しを中止し念場合、磁気バブルシステ
ムは一般に1度に1 、!−ノ分のデータの転送、この
場合データの読出し、を行うので、FIFOレソスタが
あふれてしまい、これは読出しエラーとなってしまう。
大容量のFIFOレジスタを用いればこれは解決可能で
あるが、大容量のFIFOレジスタは非常にコストが高
く、またその制御回路が著しく複雑となってしま5゜ 〔問題点を解決するための手段〕 本発明は上述の問題点を解消するものであり、その特徴
とするところは、少くとも1つの磁気バブル記憶素子と
、該磁気バブル記憶素子への畳込み手段と、該磁気バブ
ル記憶素子からの読出し手段と、前記11込み手段及び
読出し手段と外部との間に接続される直接アクセス可能
の記憶手段と、該記憶手段のデータの蓄積状態を監視す
る手段と、該監視手段からの情報に基づいて前記磁気バ
ブル記憶素子の軒込み及び読出しを許可あるいは禁止す
る手段とを備えたことにある。
〔作 用〕
直接アクセス可能の記憶手段をデータバッファとして設
け、その記憶手段のデータ蓄積状態を監視し、監視して
得たデータ蓄積状態情報に基づいて磁気バブル記憶素子
の曹込み及び読出しを許可あるいは7止するようにして
いるので、この記憶手段に大容量のFIFOレジスタと
同様の機能を与えることかできる。
〔実施例〕
第3図は本発明の一実施例の全体を概略的に表わしてい
る。同図におけるバブル記憶素子10゜芽込み回路12
.読出し回路14.及びホストンステム16の構成は従
来技術のものとほぼ同様である。相違点は、誉込み回路
12.読出し回路14が外付データバッファ20からの
書込み停止信号、読出し停止信号に応じてそれぞれ書込
み動作、読出し動作を停止するように構成されており、
またホストシステム16が外付データバッファ20から
与えられる曹込み許可信号、読出し、許可信号に応じて
それぞれ書込み動作、読出し動作を行うように構成され
ていることである。
書込み回路12.読出し回路14には、数バイトのFI
FOンノスタから成る内部データバッファ22を介して
外付データバッファ20が接続されており、この外付デ
ータバッファ2oにホストシステム16が接続されてい
る。内部データパックア20は、バブル記憶素子1oの
1ページあたりのバイト数の倍以上の容量を有するRA
M (ランダムアクセスメモリ)とその制御回路とから
成っている。
第1図は第3図の外付データバッファ20の構成を表わ
している。
RAM 24は、バッファ26及び28.データバス3
0を介して内部データバッファ22及びホストシステム
16に接続されている。このRAM 24のアドレスは
アドレス選択回路32を介して第1アドレス計数回路3
4あるいは第2アドレス計数回路36から与えられる。
第1アドレス計数回路34はサイクリックカウンタから
成っており、曹込み動作用のアドレスを発生する。即ち
、ホストシステム16側からの外部書込み信号あるいは
d込み回路12側からの内部書込み信号が印加される毎
に1つづつカウントアツプする。第2アドレス計数回路
36はサイクリ、クカウンタから成っており、読出し動
作用のアドレスを発生する。即ち、ホストシステム11
111からの外部読出し信号あるいは読出し回路141
+l]から内部読出し信号が印加される毎に1つづつカ
ウントアツプする。
アドレス選択回路32は、外部あるいは内部書込み信号
に同期して第1アドレス計数回路34の示すアドレスを
RAM 24に出力し、外部あるいは内部読出し信号に
同期して第2アドレス計数回路36の示すアドレスをR
AM 24に出力する。
第3計数回路38は、アッグダウンカウンタから成って
おり、外部あるいは内部書込み信号が印加される毎に1
つづつカウントアツプし、外部あるいは内部読出し信号
が印加される毎((1つづつカウントダウンする。従っ
て第3計数回路38の内容はRAM 24に何バイトの
データが蓄えられているかを表わすこととなる。
第3計数回路38の内容は、比較回路40に送り込まれ
以下の比較判定が行われる。
まず第3計数回路38の内容がその最大値(オール′1
#)であるかどうかを判別し、オール″1#でない場合
はホストシステム16側に書込み許可信号を出力する。
また、その内容が最小値(オール″0”)であるかどう
かを判別し、オール″O″でない場合はホストシステム
16側に読出し許可信号を出力する。
さらに、第3計数回路38の内容とその最小値との差が
2M未満であるかどうかを判別する。ただし、バブル記
憶素子10の1ページあたりの記憶容量をNピッ)、R
AM24の1アドレスあたりの記憶容量をnピットとす
ると、M = N/nとする。
即ち、Mはバブル記憶素子10の1−2−ノあ九りの・
ぐイト数を表わしている。2M未満の場合は書込み停止
信号が書込み回路12に出力される。また、第3計数回
路38の内容とその最大値との差が2M未満であるかど
うか判別し、そうである場合は読出し停止信号が読出し
回路14に出力される。
ホストシステム16は薔込み許可信号、読出し許可信号
が発生しているときのみ、それぞれ普込み動作、読出し
動作を行う。ま念、書込み回路12、続出し回路14は
、書込み停止信号、読出し停止信号が印加されると薔込
み動作、読出し動作をそれぞれ停止する。
第4図はRAM 24のデータ蓄積状態と読出し許可信
号、4込み許可信号、読出し停止信号、畦込み停止信号
との関係を表わす図である。この場合、RAM 24は
、バブル記憶素子10の4−!−ジ分の記憶容量を有し
ているものとする。
同図(ト)に示す如(、RAM24が空の状態では苔込
み許可信号が“1”、蕾込み停止信号が1″となって他
は0”である。同図(B)のように、データが1バイト
でもFEAM 24に入っていれば“工”の読出し許可
信号がホストシステム16に出力される。同図(0では
まだ1ペ一ジ分のデータがそろわないのでバブル記憶素
子10への薩込み動作は停止し念ままである。同図(D
)の如く1イ一ジ分のデータが蓄積されると、書込み停
止信号が′0#となり、バブル記憶素子10への書込み
が可能となる。同図(6)のように1だ1ペ一ノ分以上
の空領域が残っている場合は、読出し停止信号は0″の
ままであり、バブル記憶素子10からの読出しは可能で
ある。しかしながら、同図(F′)に示すように1−1
!−ジ分の空領域がなくなると、読出し停止信号が1m
となりバブル記憶素子10かもの読出し動作が禁止され
る。同図(G)に示すようにRAM24に空領域が1バ
イトでも残っている場合、書込み、’r町信号は1″で
あり、ホスト7ステム16iJ>、j’込みを行うこと
ができる。しかし同図q力の如< RA)、=I 24
が満杯となると、−コ込み許可信号が“Osとなり、ホ
ストシステム16は一ル込みを行うことができなくなる
第5図はホストシステム16が磁気バブルシステムに対
してデータの吾込みを行うときの動作例を(イ)〜■)
の順を追って説明している。
同図(A)では、1ペ一ジ分以上のデータが陥M24に
残っているのでバブル記憶素子10に対してデータの告
込みを行う。次いで同図(B)において、またIR−ジ
分以上のデータがRAM 24に残っているから・、・
ト込み動作を続行する。同tb(c)に示すように、R
AM24に残っているデータが1ページに藺たなくなゐ
と、占込みを一時停止する。次いでホスト7ステム16
がRA、M 24に釜込みを行い、同図(D)に示す如
く1ペ一ジ分のデータが確保されると、バブル記1,4
素子10への吾込み動作を再び開始する。
第6図はホストシステム16が磁気パズルシステム側か
らデータの読出しを行うときの動作例を(A)〜■)の
順で説明するものである。
同図(4)では1ペ一ノ分以上の空領域がRAM 24
に残っているのでバブル記憶素子10力ラRAM24ヘ
データの読出しを行う。同図中)ではまだ14−ノ分以
上の空領域がRAM 24に残っているので上記読出し
動作を続行する。同図(C)に示すように、RAM24
の空領域が1ページに満たないときは、バブル記憶素子
10からの読出しを一時停止し、次いで同図の)に示す
ようにホストシステム16がRAM 24からデータを
読出し、1ペ一ジ分の空領域が確保されるとバブル記憶
素子10からの読出し動作を再開する。
以上の如く動作するので、RAM 24を従来のFIF
Oレノスタと同様の機能を・有するものとみなすことが
できる。
〔発明の効果〕
直接アクセス可能の記憶手段をデータパッファとして設
け、その記憶手段のデータ蓄積状態を監視し、監視して
得たデータ蓄積状態情報に基づいて磁気バブル記憶素子
の書込み及び読出しを許可あるいは禁止するようにして
いるので、この記憶手段に大容量のPIF’Oレジスタ
と同様の機能を与えることができる。そしてこの棹の記
憶手段は非常に安価であるため、コストが非常に低く、
回路構成が簡単であり、かつ転送工2−の生じない磁気
バブル記憶装−1を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の一部のブロック図、第2図
は従来技術のブロック図、第3図は本発明の一実施例の
全体構成を表わすブロック図、第4図、第5図、第6図
は上述の実施例の動作を説明する図である。 10・・・バブル記憶素子、12・・・誉込み回路、−
14・・・読出し回路、16・・・ホストシステム、2
0・・・外付データパクファ、22・・・内部データバ
ッファ、24・・・RAM132・・・アドレス選択回
路、34・・・第1アドレス計数回路、36・・・第2
アトVス計数回路、38・・・第3計数回路、4o中比
較回路。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、少くとも1つの磁気バブル記憶素子と、該磁気バブ
    ル記憶素子への書込み手段と、該磁気バブル記憶素子か
    らの読出し手段と、前記書込み手段及び読出し手段と外
    部との間に接続される直接アクセス可能の記憶手段と、
    該記憶手段のデータの蓄積状態を監視する手段と、該監
    視手段からの情報に基づいて前記磁気バブル記憶素子の
    書込み及び読出しを許可あるいは禁止する手段とを備え
    たことを特徴とする磁気バブル記憶装置。
JP59193897A 1984-09-18 1984-09-18 磁気バブル記憶装置 Pending JPS6173295A (ja)

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JP59193897A JPS6173295A (ja) 1984-09-18 1984-09-18 磁気バブル記憶装置

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JP59193897A JPS6173295A (ja) 1984-09-18 1984-09-18 磁気バブル記憶装置

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JPS6173295A true JPS6173295A (ja) 1986-04-15

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JP59193897A Pending JPS6173295A (ja) 1984-09-18 1984-09-18 磁気バブル記憶装置

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