JPS6173322A - 熱処理炉 - Google Patents

熱処理炉

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Publication number
JPS6173322A
JPS6173322A JP59195169A JP19516984A JPS6173322A JP S6173322 A JPS6173322 A JP S6173322A JP 59195169 A JP59195169 A JP 59195169A JP 19516984 A JP19516984 A JP 19516984A JP S6173322 A JPS6173322 A JP S6173322A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
fork
temperature
heater
furnace
quartz tube
Prior art date
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Pending
Application number
JP59195169A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideki Shirai
秀樹 白井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP59195169A priority Critical patent/JPS6173322A/ja
Publication of JPS6173322A publication Critical patent/JPS6173322A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P32/00—Diffusion of dopants within, into or out of wafers, substrates or parts of devices

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は主として高温熱処理工程に用いられる熱処理炉
に関し、特ζこウェハをソフトランデインクatのソフ
トランデインク用フォークにより出入する熱処理炉に係
わる。
〔発明の技術的背景〕
従来、熱処理炉としては第2図に示すものが知られてい
る。
図中のIは、周囲に発熱体2が設けられた石英管である
。この石英管1内瘉こは、ソフトランデインク装置(図
示せず)の石英夷のソフトランデインク用フォーク(以
下、フォークと称す)3が設けられている。このフォー
ク3の先端lこは、例えば複数のシリコンウェハ4・・
・を[設シた石英ボート5が取り付けられている。前記
発熱体21こは、温度制御表ft 6が設けられている
。
こうした構造の熱処理炉において、炉内温度の調節は温
度制御装置6をこより発熱体2の外部の温度を測定し、
炉内温(が一定となるように行なっている。また、ウェ
ーハ4・・・を炉内に挿入する際、フォーク3により熱
世失が生じて炉内温度が変化するため、これを回避する
ため(こフォーク3の挿入をゆっくりした速度で行なっ
ている。
〔背景技術の問題点〕
しかしながら、従来の熱処理炉においては、ウェハ4・
・・を炉内lこ挿入する際、ウェハ4・・・及びフォー
ク3が炉内温度(こ比べて低温のため、熱損失が起こっ
て炉内の温度が低下する。そして、炉はこの温度を設定
温度に保つため昇温状態となる。その結果、ウェハ4・
・・の温度は設定温度より通常高くなる、いわゆるオー
バーシュートが生ずる。即ち、一般にウェハとフォーク
3の熱容量が大きい程、挿入の際の熱損失が大きく、オ
ーバーシュートが大きくなる。しかるに、従来の熱処理
炉では、発熱体2の外部の温度を測定しているため、こ
の問題を防ぐことができない。
〔発明の目的〕 本発明は上記事情(こ鑑みてなされたもので、−r−パ
ーシュートを抑制してロット内での製品の均一性を向上
し得る熱処理炉を提供することを目的とする。
〔発明の概要〕
本発明は、ウェハを植設したボートを保持する保持具に
ヒータを設けることをこまって、ウェハを炉内(こ挿入
する靜のウェハのオーパージコートを抑制し、ロフト内
での製品の均一性を向上することを骨子とするものであ
る。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の一実施例を第1図を参照して説明する。
図中の11は、周囲に発熱体I2が設けられた石英管で
ある。この石英管II内には、ソフトランデインク装置
(図示せず)の石英製のソフトランデインク用フォーク
(以下、フォークと称す)I3が設けられている。この
フォーク13はフォーク本体13aと先端部13bから
なり、フォーク本体13aにはフォーク部ヒータ14が
設けられている。前記先端部13b(こは、複数のシリ
コンウェハI5・・・を植設した石英ボート16が取り
付けられている。前記発熱体2の上方には、これの外部
の温度を測定する温度制御装置I7が設けられている。
こうした構造の熱処理炉において、熱処理温度は100
0°Ctこ設定し、ウェハ16・・・の挿入時及び引出
し時ζこおいてはフォークI3内のフォーク部ヒータI
4を800″C以下の温度で加熱して酸化工程を行なっ
た。
しかして、本発明によれば、保持具として石英製のソフ
トランデインク用フォークI3を用い、このフォーク1
3のフォーク本体13aにフォニク部ヒータI4を設け
た構造となっているため、オーバーシュートを抑制して
熱損失を少tくできる。従って、炉内温度を定電状態に
保てるため、ウェハI5・・・の温度制御を正確(こ行
なうことができる。事実、850°C以上の高温でウェ
ハの酸化工程を行ない、設定炉温度とオーバシュートと
の関係を調べたところ、第31に示す特性図が得られた
。ここで、オーバーシュートは、ウェハの実際の温度か
ら設定炉温値を差し引いた値である。同図において、(
イ)は従来炉の場合を、仲)は本発明(こ係る炉の場合
を夫々示す。同図より、本発明の炉(こよるオーバーシ
ュートが従来と比べ著しく小さいことが明らかである。
γjお、フォーク部ヒータI4の温度を熱処理温度と同
じ温度とするとオーバーシュートを最小とすることがで
きるが、例えば熱処理温度に対して10%(例えば10
00°Cの熱処理において100°Cのフォーク温度)
のフォーク温度でも従来と比べ大きな効果を収めること
ができる。
また、オーバーシュートは高温時に起るので、従来、炉
温設定値より決定された挿入速度でウェハを炉同に挿入
するとオーバーシュートにより炉温設定値以上の温度と
なり、シリコンウェハ等高温で降伏L5力の減少する材
料では高1易時のオーバーシュートのため塑性変形が発
生する。
これに対し、本発明によれば、炉温設定値(こより決定
された挿入速度に対し正確fjウェハ温度を制御できる
ので、塑性変形を防ぐことができる。
更に、フォークI3の挿入時にフォークI3(こよる熱
損失がないため、炉内は広い領域にゎたって均一1よ温
度となり、ロフト内での製品が非常に均一となった。第
4図にシリコンウェハの酸化におけるロット内の酸化膜
厚のバラツキを示す。図中のピ)は従来炉の場合を、(
ロ)は本発明の場合を夫々示す。
1jお、上記実施例では、フォーク本体(こフォーク都
ヒータを設けた場合について述べたが、これに限ら1j
い。例えば、ウェハの熱容量が大きくオーバーシュート
が大きい場合は、第1図(こ示す如くフォーク13の先
一端部13b+こホード部ヒータ2Iを設けて前記フォ
ーク部ヒータI4と併用してもよい。このような構成に
すれば、ウェハを予熱した状態で炉内に挿入できるので
熱損失も一層小さく、オーバーシュートラ防ぐことがで
きる。
また、上記実施例では、保持具として石英管(こ接触さ
せずに出入するソフトランデイン用フォークを用いた場
合について述べたが、これに限らない。例えば、ボート
を載置するプレート部と、このプレート部を石英管から
出入する引き出し棒とからCる構成される保持具でもよ
(ハ。
この際、プレート部内にヒータを取り付ける。
上記実施例で(ま、ウニハス〕≦シリコンからpる場合
(こついて述べたか、これに限定されるものではPい。
〔発明の効果〕
以上詳述した如く本発明によれば、オーバーシー−トを
仰制でき、もって塑性変形や酸化膜厚のバラツキ等を防
止してロフト内での製品の均一性を向上し得る熱処理炉
を提供できる。
【図面の簡単な説明】
鷹1囚(ま本発明の一夷楕例(こ係る熱処理炉の析面図
、第2図は従来の熱処理炉の析面図、第3図は従来及び
本発明の熱処理炉のオーバーシュート特性崗、第4図は
σを来及び本発明の鴻融埋炉ボート上つェハ位誼(こよ
る鹸化漠のバラツキを示す特性囚である。 !!・・・石英管、I2・・・発熱体、13・・・ノッ
トランディング用フォーク、13a・−・フォーク本体
、13b・・・先端部、14.21・・・ヒータ、16
・・・石英ボート、17・“・@度制御装置。 出願人代理人 升理士 玲江武 彦 第1図 第2図

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)、石英管と、この石英管内に出入され、ウェハを
    植設したボートを保持する保持具と、前記石英管の周囲
    に設けられた発熱体と、この発熱体の温度を測定する温
    度制御装置とを具備し、前記保持具にヒータを設けたこ
    とを特徴とする熱処理炉。
  2. (2)、保持具が、石英管に接触させずに出入するソフ
    トランデインク用フォークであることを特徴とする特許
    請求の範囲第1項記載の熱処理炉。
  3. (3)、保持具が、ボートを載置するプレート部と、こ
    のプレート部を石英管から出入する引き出し棒とから構
    成されることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
    熱処理炉。
JP59195169A 1984-09-18 1984-09-18 熱処理炉 Pending JPS6173322A (ja)

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JP59195169A JPS6173322A (ja) 1984-09-18 1984-09-18 熱処理炉

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JP59195169A JPS6173322A (ja) 1984-09-18 1984-09-18 熱処理炉

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JPS6173322A true JPS6173322A (ja) 1986-04-15

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ID=16336581

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JP59195169A Pending JPS6173322A (ja) 1984-09-18 1984-09-18 熱処理炉

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0322415A (ja) * 1989-06-19 1991-01-30 Nec Kyushu Ltd 半導体集積回路装置の製造装置
JP2011253986A (ja) * 2010-06-03 2011-12-15 Mitsubishi Electric Corp 拡散炉用熱電対、温度測定方法、及び半導体装置の製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53129964A (en) * 1977-04-20 1978-11-13 Hitachi Ltd Method and device for inserting and taking out of heat treatment jig
JPS5585023A (en) * 1978-12-22 1980-06-26 Hitachi Ltd Boat loader
JPS5748626B2 (ja) * 1974-02-12 1982-10-16

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5748626B2 (ja) * 1974-02-12 1982-10-16
JPS53129964A (en) * 1977-04-20 1978-11-13 Hitachi Ltd Method and device for inserting and taking out of heat treatment jig
JPS5585023A (en) * 1978-12-22 1980-06-26 Hitachi Ltd Boat loader

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0322415A (ja) * 1989-06-19 1991-01-30 Nec Kyushu Ltd 半導体集積回路装置の製造装置
JP2011253986A (ja) * 2010-06-03 2011-12-15 Mitsubishi Electric Corp 拡散炉用熱電対、温度測定方法、及び半導体装置の製造方法

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