JPS6173352A - マイクロ波ｆｅｔ増幅器 - Google Patents

マイクロ波ｆｅｔ増幅器

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JPS6173352A
JPS6173352A JP59194008A JP19400884A JPS6173352A JP S6173352 A JPS6173352 A JP S6173352A JP 59194008 A JP59194008 A JP 59194008A JP 19400884 A JP19400884 A JP 19400884A JP S6173352 A JPS6173352 A JP S6173352A
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JP
Japan
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fet
capacitor
fet2
input side
amplifier
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Pending
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JP59194008A
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Inventor
Toshio Chiaki
千明　俊雄
Shigekazu Hori
堀　重和
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明はマイクロ波帯の高出力電界効果トランジスタ
（ＦＥＴと略称）増幅器の構造に関する。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
砒化ガリウム等を用いたＦＥＴは、通′；６′ドレイン
に正、ゲートに負のバイアス電圧を印加して動作させる
ため、増幅器には極性の異なる２種類の電源が必要とな
り、装置が複雑、かつ高価になる。
この欠点を補なうため、ＦＥＴのソースと接地間には高
周波では短絡とするためのキャパシタＣＳと抵抗ＲＳを
並列に接続する方法が提案されている。
すなわち、・ＦＥＴのドレイン電流をＩ［）とすると。
ソースに対するゲートの電位は−Ｒ５ＩＤとなるので一
電源動作が可能となる。
叙上の如くして一電源化したＦＥＴ増幅器をマイクロ波
集積回路に構成した従来例を第３図に示す。図において
、（１０１）は金属板でこの上面にＦＥ　Ｔ　（１０２
）および、入力側と出力側の整合回路が形成された誘電
体基板（１０３ａ、　１０３ｂ）をマウントし。
Ｆ　Ｅ　Ｔ　（１０２）のゲート？ｉ！極（１０２ｇ）
は入力側整合回路（１０４）に、ドレイン電極（１０２
ｄ）は出力側整合回路（ｔＯＳ）に夫々接続される。ま
た、ソース電極（１０２ｓ）はＦ　Ｅ　Ｔ　（１０２）
の両側にマウントされた平行平板キャパシタＣ３（１０
６ａ、１０６ｂ）に接続され、かつその一方のキャパシ
タ（１０６ａ）は誘電体基板（１０３ａ）上に形成され
た抵抗ＲＳ（１０７）に接続されている。すなわち、キ
ャパシタＣＳと抵抗ＲＳによりＦＥＴは一電源動作が可
能となる。図示の構造は小信号または中電力のＦＥＴ増
＠器には使用できる。
しかし、高出力を目的とするＦＥＴは第４図に示すよう
に、全ゲート幅１ｉ１Ｆを大にするため、多数のソース
電極（１１２ｓ）、ゲート電極（１１２ｇ）、およびド
レイン電極（１１２ｄ）をくし形に配列した構造となっ
ており、Ｆ　Ｅ　Ｔ　（１１２）の横幅寸法ＶＦが大き
くなっている。
次の第５図には高出力ＦＥＴを用い、第３図に示したの
と同様にマイクロ波集積回路で構成した増幅器の従来例
で、共通する部分は同じ符号を付して示し説明を省略し
である。この構造ではＦＥＴ（１１２）のソース電極（
１１２ｓ）はこのＦＥＴの両端部にマウントされたキャ
パシタＣｓ　（１０６ａ　、　１０６ｂ）を介して高周
波的に接地されるので、ＦＥＴ中央部の動作領域では実
効的な接地インダクタンスが長くなり、増幅器の利得や
出力等の特性が低下するという欠点があった。さらに、
ＦＥＴの動作の均一性が悪くなるため、高周波特性が劣
化したり。
削′費電力の不均一による接合温度の部分的上昇によっ
てＦＥＴの信頼性が低下する等の欠点があった。
〔発明の目的〕
この発明は上記の欠点を除去するもので、マイクロ波Ｆ
ＥＴ増幅器において、高出力ＦＥＴの入力側にこれと隣
接して平行平板キャパシタをマウントし、このキャパシ
タとＦＥＴのソース電極を接続することによってＦＥＴ
のソースを高周波的に接地し、−電源で動作するマイク
ロ波ＦＥＴ増幅器の構造を提供することを目的とする。
〔発明の概要〕
この発明にかかるマイクロ波ＦＥＴ増幅器は、金属板上
に、入力側および出力側整合回路が形成された誘電体基
板と、ＦＥＴと、前記ＦＥＴの入力側に隣接して並置さ
れ幅および厚さ寸法がＦＥＴの夫々と差が±２０％の範
囲内にある平行平板キャパシタとがマウントされ、前記
ＦＥＴのゲート電極が入力側整合回路に、ドレイン電極
が出力側整合回路に、ソース電極が前記キャパシタに、
また、キャパシタが前記誘電体基板上に設けられた抵抗
に夫々接続されたことを特徴とし、正の一電源で動作す
るものである。
〔発明の実施例〕
次に、この発明の１実施例を第１図と第２図を参照して
説明する。なお、従来と変わらない部分については図面
に同じ符号を付けて示し説明を省略する。
この発明のマイクロ波ＦＥＴ増幅器では、−電源化のた
めのキャパシタＣ５（１）をＦ　Ｅ　Ｔ　（２）のソー
ス電Ｖ７Ａ（２ｓ）が配列された入力側にこのＦＥＴと
隣接して平行にマウントされている。そしてソース電極
（２ｓ）とキャパシタ（１）は複数本のボンディングワ
イヤ（３，３・・・）で接続されている。このキャパシ
タはソース電極と平行なのでボンディングワイヤはすべ
て等長であり、したがってＦＥＴのすべての動作領域が
同じ長さで接地できるので、ＦＥＴの内部での不均一動
作を充分小さくすることができる。
さらに、この発明のキャパシタ（１）はその厚さをＦ　
Ｅ　Ｔ　（２）の厚さとほぼ等しくしである。これは、
厚さに大幅に差があるとボンディングの作業性が悪く、
かつボンディングワイヤが長くなることから、接地イン
ダクタンスが大になり、ＦＥＴの高周波特性が悪くなる
。通常ＦＥＴで使用しているボンダでは両者の厚さの差
が±２０％以内であれば作業性が良く、高さに差のある
場合に生ずる前述の重大な欠点を除去することができる
。一方で、キャパシタの幅Ｗ（についてはＦＥＴの幅１
ｉ１ｐに比べて大きい場合にはそのはみ出した部分は高
周波特性に影響を与えないので問題にならず、ただ価格
が上昇する欠点はある。しかし、第２図に示すようにキ
ャパシタの幅ｗＣがＦＥＴの幅ｖＦに比べて小さい場合
は、ソース電極がキャパシタに至るボンディングワイヤ
は扇状になるため、ＦＥＴの中央部の接地インダクタン
スＬ（に比べて端部の接地インダクタンスＬＥが大きく
なる。第２図に示すように、寸法が０．６Ｘ１．６ｍｍ
”のＦＥＴを用いた場合において、Ｗｃ／ｕＦに対する
ＬＥの変化の計算結果を第６図に示した。ＦＥＴの中央
部のボンディングワイヤの長さＧは約０．３画となり、
Ｌ（＆０．２４ｎｌｌである。しかし、キャパシタの幅
Ｗ（が小さくなるにつれてＬＥは増加してしまう。ただ
し、Ｗ（／ｕｐ≧０．８の場合には ＬＥ　−Ｌ（≦０，０２　ｎＨ と充分小さくなっており、ＦＥＴの均一動作が実現でき
る。
叙上からキャパシタの幅すＣはＦＥＴの幅１１１Ｆに対
して±２０％以内とすることでＦＥＴの均一動作、ボン
ディングの作業容易性を実現することができる。
〔発明の効果〕
この発明によれば、上に述べたように高出力ＦＥＴの接
地インダクタンスを充分小さくすることができ、かつＦ
ＥＴの内部での不均一動作を小さくすることができるの
で、利得、出力電力等の高周波特性に優れ、かつ−電源
で動作可能な高出力ＦＥＴ増幅器を提供できる。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明にかかる高出力ＦＥＴを用いた一電源
化増幅器にかかり１図（ａ）は上面図、図（ｂ）は断面
図、第２図は第１図で示した構造の増幅器においてキャ
パシタの幅がＦＥＴの幅に比へて小さい場合の構造を示
す上面図、第３図は従来の一電源化ＦＥＴ増幅器の構造
を示し、図（ａ）は上面図１図（ｂ）は断面図、第４図
は高出力ＦＥＴの構造を示す上面図、第５図は高出力Ｆ
ＥＴを用いた従来の一電源化増幅器の構造にかかり１図
（ａ）は上面図、図（ｂ）は断面図、第６図はキャパシ
タの幅に対するＦＥＴ端部での接地インダクタンスの変
化を示す線図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　金属板上に、入力側および出力側整合回路が形成され
    た誘電体基板と、電界効果トランジスタと、前記電界効
    果トランジスタの入力側に隣接して並置され幅および厚
    さ寸法が前記トランジスタの夫夫と差が±２０％の範囲
    内にある平行平板キャパシタとがマウントされ、前記電
    界効果トランジスタのゲート電極が入力側整合回路に、
    ドレイン電極が出力側整合回路に、ソース電極が前記キ
    ャパシタに、また、キャパシタが前記誘電体基板上に設
    けられた抵抗に夫々接続されたことを特徴とする正の一
    電源で動作するマイクロ波ＦＥＴ増幅器。
JP59194008A 1984-09-18 1984-09-18 マイクロ波ｆｅｔ増幅器 Pending JPS6173352A (ja)

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JPS6173352A true JPS6173352A (ja) 1986-04-15

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ID=16317429

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2837983A1 (fr) * 2002-03-27 2003-10-03 Toshiba Kk Circuit integre en hyperfrequences comprenant une pastille semiconductrice
WO2003063246A3 (en) * 2002-01-24 2004-03-11 Koninkl Philips Electronics Nv Rf amplifier
JP2014120582A (ja) * 2012-12-14 2014-06-30 Sumitomo Electric Device Innovations Inc 半導体装置

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WO2003063246A3 (en) * 2002-01-24 2004-03-11 Koninkl Philips Electronics Nv Rf amplifier
FR2837983A1 (fr) * 2002-03-27 2003-10-03 Toshiba Kk Circuit integre en hyperfrequences comprenant une pastille semiconductrice
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