JPS6174331A - 液相エピタキシヤル成長装置 - Google Patents
液相エピタキシヤル成長装置Info
- Publication number
- JPS6174331A JPS6174331A JP59198114A JP19811484A JPS6174331A JP S6174331 A JPS6174331 A JP S6174331A JP 59198114 A JP59198114 A JP 59198114A JP 19811484 A JP19811484 A JP 19811484A JP S6174331 A JPS6174331 A JP S6174331A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- melt
- epitaxial growth
- liquid solution
- phase epitaxial
- gratings
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/26—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using liquid deposition
- H10P14/265—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using liquid deposition using solutions
Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
複数のエピタキシャル層を得るために用いられる液相エ
ピタキシャル成長装置に関するものである。
ピタキシャル成長装置に関するものである。
従来、液相エピタキシャル成長を行うための装置として
、スライド式ボートやプッシュアウト式ボートが用いら
れている。
、スライド式ボートやプッシュアウト式ボートが用いら
れている。
第２図はＡｌＧａＡｓ系半導体レーザの製造を行う際、
基板結晶に多層の薄膜結晶を得る方法として用いられる
従来のプッシュアウト式ボートの構造図である。
基板結晶に多層の薄膜結晶を得る方法として用いられる
従来のプッシュアウト式ボートの構造図である。
同図において、ボートの材質として高純度カーボンが使
用されており、スライダー１のほぼ中央部には、２枚の
基板結晶２を上下に向かい合わせて保持するためのホル
ダー３が、その上には、ピストン４を押し下げるための
トンネル５が設けられている。さらに、スライダー１の
同図左上部には、成長用融液６の融液溜７があり、複数
のエピタキシャル層の成長に必要な融液６が各種に用意
されている。また、融液６を基板上に注入するためのピ
ストン４が各種の融液上に設定され、注入された融液の
出口としてスライダー１の同図右下部が廃液溜８となっ
ている。
用されており、スライダー１のほぼ中央部には、２枚の
基板結晶２を上下に向かい合わせて保持するためのホル
ダー３が、その上には、ピストン４を押し下げるための
トンネル５が設けられている。さらに、スライダー１の
同図左上部には、成長用融液６の融液溜７があり、複数
のエピタキシャル層の成長に必要な融液６が各種に用意
されている。また、融液６を基板上に注入するためのピ
ストン４が各種の融液上に設定され、注入された融液の
出口としてスライダー１の同図右下部が廃液溜８となっ
ている。
次にこのボートを用いてエピタキシャル成長を行うには
、まずボートを水素雰囲気の高温で一定時間保持した後
、０．２〜ｂ 冷却し、成長開始温度まで下った時点で融液溜７を同図
の矢印Ａ方向にｌＰｓ分だけ移動させる。すると融液上
のピストン４がトンネル５によって押し下げられ、その
結果融液６は２枚の基板結晶２の間隙に注入される。そ
して、注入された融液によってエピタキシャル成長が開
始され所定の時間が経過してから、さらにもう１槽分だ
け融液溜７を同図の矢印Ａ方向に移動させる。すると、
次の組成の異なる融液６が注入され、もとの融液はすべ
て押し流されて新しい融液に入れ換わる。
、まずボートを水素雰囲気の高温で一定時間保持した後
、０．２〜ｂ 冷却し、成長開始温度まで下った時点で融液溜７を同図
の矢印Ａ方向にｌＰｓ分だけ移動させる。すると融液上
のピストン４がトンネル５によって押し下げられ、その
結果融液６は２枚の基板結晶２の間隙に注入される。そ
して、注入された融液によってエピタキシャル成長が開
始され所定の時間が経過してから、さらにもう１槽分だ
け融液溜７を同図の矢印Ａ方向に移動させる。すると、
次の組成の異なる融液６が注入され、もとの融液はすべ
て押し流されて新しい融液に入れ換わる。
このように、ボートは複数の薄膜結晶を１回の成長で連
続的に成長させる機構をもっている。
続的に成長させる機構をもっている。
しかるに、第２図に示すような従来のボートでは融液溜
にある融液はすべて基板結晶の間隙に注入されるため、
融液中に含まれる酸化物や過飽和状態で形成された核の
集合体などの不純物が結晶成長の成長根となって均一な
エピタキシャル成長が阻害されるという問題点があった
。
にある融液はすべて基板結晶の間隙に注入されるため、
融液中に含まれる酸化物や過飽和状態で形成された核の
集合体などの不純物が結晶成長の成長根となって均一な
エピタキシャル成長が阻害されるという問題点があった
。
この発明は、このような問題点を解消するためになされ
たもので、均一なエピタキシャル成長を行なうことので
きるボートを得ることを目的とするものである。
たもので、均一なエピタキシャル成長を行なうことので
きるボートを得ることを目的とするものである。
この発明に係る液相エピタキシャル成長装置は、融液溜
の底部に格子状のスノコを設けたものである。
の底部に格子状のスノコを設けたものである。
この発明においては、スノコのろ過作用によって融液が
ろ過されるから、ろ過された融液中には酸化物等の不純
物がなく、均一なエピタキシャル成長が行なわれる。
ろ過されるから、ろ過された融液中には酸化物等の不純
物がなく、均一なエピタキシャル成長が行なわれる。
以下、この発明の実施例を図について説明する。
第２図は本発明の一実施例による液相エピタキシャル成
長装置の構成図、第１図は該実施例装置における融液溜
の正面図を示す。なお、装置の基本的構成は従来のもの
とほぼ同様であり、スライダー等は従来のものを使用す
る。
長装置の構成図、第１図は該実施例装置における融液溜
の正面図を示す。なお、装置の基本的構成は従来のもの
とほぼ同様であり、スライダー等は従来のものを使用す
る。
第１図において、９は融液６を入れる融液溜７の底部に
設けられた格子状のスノコであり、これは幅、高さ共２
ｍＩＩの棒状体を２ｆｌ間隔で並べてなるものである。
設けられた格子状のスノコであり、これは幅、高さ共２
ｍＩＩの棒状体を２ｆｌ間隔で並べてなるものである。
そして、各種の融液６が基板結晶２上に注入されるとき
、該融液６が２ｆｌの細い間隙９ａを通るようにし、こ
のようにしてスノコ９が融液６のろ過の役目を果たすよ
うにしたものである。
、該融液６が２ｆｌの細い間隙９ａを通るようにし、こ
のようにしてスノコ９が融液６のろ過の役目を果たすよ
うにしたものである。
この融液溜を用いてエピタキシャル成長を行う方法とし
ては、従来方式と全く同様にして一定のクーリングレー
トで冷却しながら組成の異なる融液６を次々に基板結晶
２上に注入して、連続的に複数の薄膜結晶を成長させる
。
ては、従来方式と全く同様にして一定のクーリングレー
トで冷却しながら組成の異なる融液６を次々に基板結晶
２上に注入して、連続的に複数の薄膜結晶を成長させる
。
こうして成長したエピタキシャル層には、従来見られた
ような成長根がなく均一なエピタキシャルを行うことが
できる。
ような成長根がなく均一なエピタキシャルを行うことが
できる。
即ち、融液溜７の各種の底部に格子状のスノコ９を設け
、融液を注入する際にスノコ９を通すことにより、融液
中に含まれる融液材料の酸化物や、過飽和状態で融液中
に生成される核の集合体などの不純物をスノコ部分でト
ラップする。その結果、従来よりも均一なエピタキシャ
ル層が得られる。
、融液を注入する際にスノコ９を通すことにより、融液
中に含まれる融液材料の酸化物や、過飽和状態で融液中
に生成される核の集合体などの不純物をスノコ部分でト
ラップする。その結果、従来よりも均一なエピタキシャ
ル層が得られる。
なお、上記実施例ではＡｊ２ＧａＡｓ系半導体レーザの
液相エピタキシャル成長に使用するカーボンボートにつ
いて説明したが、このような構造を用いれば、他の液相
エピタキシャル成長装置でも同様の効果が得られる。
液相エピタキシャル成長に使用するカーボンボートにつ
いて説明したが、このような構造を用いれば、他の液相
エピタキシャル成長装置でも同様の効果が得られる。
以上のように、この発明に係る液相エピタキシャル成長
装置によれば、融液溜の底部に格子状のスノコを設けた
ので、スノコのろ過作用により、融液中の酸化物等の不
純物を取り除くことができ、従来よりも成長不良の少な
い良質のエピタキシャル層が得られる効果がある。
装置によれば、融液溜の底部に格子状のスノコを設けた
ので、スノコのろ過作用により、融液中の酸化物等の不
純物を取り除くことができ、従来よりも成長不良の少な
い良質のエピタキシャル層が得られる効果がある。
第１図は本発明による一実施例装置の融液溜の正面図、
第２図は従来液相エピタキシャル成長に使用しているカ
ーボンボートの断面図及び本発明の一実施例による液相
エピタキシャル成長装置の断面図である。 ７・・・融液溜、９・・・スノコ。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
第２図は従来液相エピタキシャル成長に使用しているカ
ーボンボートの断面図及び本発明の一実施例による液相
エピタキシャル成長装置の断面図である。 ７・・・融液溜、９・・・スノコ。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）プッシュアウト方式のボートを用いてエピタキシ
ャル成長を行う装置において、融液溜の底部に格子状の
スノコを設けたことを特徴とする液相エピタキシャル成
長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59198114A JPS6174331A (ja) | 1984-09-19 | 1984-09-19 | 液相エピタキシヤル成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59198114A JPS6174331A (ja) | 1984-09-19 | 1984-09-19 | 液相エピタキシヤル成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6174331A true JPS6174331A (ja) | 1986-04-16 |
Family
ID=16385700
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59198114A Pending JPS6174331A (ja) | 1984-09-19 | 1984-09-19 | 液相エピタキシヤル成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6174331A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0634937U (ja) * | 1992-10-09 | 1994-05-10 | 池田物産株式会社 | ダンボール |
-
1984
- 1984-09-19 JP JP59198114A patent/JPS6174331A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0634937U (ja) * | 1992-10-09 | 1994-05-10 | 池田物産株式会社 | ダンボール |
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