JPH0249419A - エピタキシャル成長方法 - Google Patents
エピタキシャル成長方法Info
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- JPH0249419A JPH0249419A JP20035588A JP20035588A JPH0249419A JP H0249419 A JPH0249419 A JP H0249419A JP 20035588 A JP20035588 A JP 20035588A JP 20035588 A JP20035588 A JP 20035588A JP H0249419 A JPH0249419 A JP H0249419A
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- epitaxial growth
- wafer
- epitaxial
- laser beam
- pulsed laser
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、エピタキシャル成長方法に関し、特に、エピ
タキシャル層を用いる半導体集積回路装置の製造に適用
して好適なものである。
タキシャル層を用いる半導体集積回路装置の製造に適用
して好適なものである。
本発明は、半導体基板上に半導体層をエピタキシャル成
長させるようにしたエピタキシャル成長方法において、
エピタキシャル成長前および／またはエピタキシャル成
長中に上記半導体基板にパルスレーザ−ビームを照射す
ることによって、エピタキシャル成長前における低温で
の半導体基板の表面の清浄化および／またはエピタキシ
ャル成長される半導体層の結晶性の向上を図ることがで
きるようにしたものである。
長させるようにしたエピタキシャル成長方法において、
エピタキシャル成長前および／またはエピタキシャル成
長中に上記半導体基板にパルスレーザ−ビームを照射す
ることによって、エピタキシャル成長前における低温で
の半導体基板の表面の清浄化および／またはエピタキシ
ャル成長される半導体層の結晶性の向上を図ることがで
きるようにしたものである。
バイポーラＬＳＩやバイポーラ−ＣＭＯ３ＬＳＩを製造
する場合には、シリコン（Ｓｉ）のエピタキシャル成長
技術が用いられる。このＳｉのエピタキシャル成長は通
常１０００℃以上の高温で行われるため、このエピタキ
シャル成長工程はＬＳＩの製造工程においてプロセス温
度が最も高い工程の一つである。近年、Ｓｉウェーへの
大口径化に伴い、プロセス温度の低温化の要求が強（な
ってきており、この要求に答えるべく減圧エピタキシャ
ル成長等によるエピタキシャル成長温度の低温化の検討
が進められている。
する場合には、シリコン（Ｓｉ）のエピタキシャル成長
技術が用いられる。このＳｉのエピタキシャル成長は通
常１０００℃以上の高温で行われるため、このエピタキ
シャル成長工程はＬＳＩの製造工程においてプロセス温
度が最も高い工程の一つである。近年、Ｓｉウェーへの
大口径化に伴い、プロセス温度の低温化の要求が強（な
ってきており、この要求に答えるべく減圧エピタキシャ
ル成長等によるエピタキシャル成長温度の低温化の検討
が進められている。
ところで、結晶性の良好なエピタキシャル層を成長させ
るためには、清浄なＳｔウェーハ表面にエピタキシャル
成長を行う必要がある。しかし、良（知られているよう
に、Ｓｉウェーハの表面には自然酸化膜、すなわちＳｉ
ｎ、膜が薄く形成されている。このため、実際にはこの
自然酸化膜を除去するための水素（Ｈりファイアリング
（ｆｉｒｉｎｇ）処理をエピタキシャル成長前に行う必
要がある。
るためには、清浄なＳｔウェーハ表面にエピタキシャル
成長を行う必要がある。しかし、良（知られているよう
に、Ｓｉウェーハの表面には自然酸化膜、すなわちＳｉ
ｎ、膜が薄く形成されている。このため、実際にはこの
自然酸化膜を除去するための水素（Ｈりファイアリング
（ｆｉｒｉｎｇ）処理をエピタキシャル成長前に行う必
要がある。
しかし、上述のＨ２ファイアリング処理は１０５０°Ｃ
程度の高温で行う必要がある。このため、たとえ減圧エ
ピタキシャル成長等によりエピタキシャル成長温度その
ものを低温化することができても、エピタキシャル成長
工程全体で見た場合のプロセス温度は低温化することが
できなかった。
程度の高温で行う必要がある。このため、たとえ減圧エ
ピタキシャル成長等によりエピタキシャル成長温度その
ものを低温化することができても、エピタキシャル成長
工程全体で見た場合のプロセス温度は低温化することが
できなかった。
従って本発明の目的は、エピタキシャル成長前に低温で
半導体基板の表面を清浄化することができるエピタキシ
ャル成長方法を提供することにある。
半導体基板の表面を清浄化することができるエピタキシ
ャル成長方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、エピタキシャル成長される半導体
層の結晶性の向上を図ることができるエピタキシャル成
長方法を提供することにある。
層の結晶性の向上を図ることができるエピタキシャル成
長方法を提供することにある。
上記課題を解決するため、本発明は、半導体基板（４）
上に半導体層（９）をエピタキシャル成長させるように
したエピタキシャル成長方法において、エピタキシャル
成長前および／またはエピタキシャル成長中に半導体基
板（４）にパルスレーザ−ビーム（Ｂ）を照射するよう
にしている。
上に半導体層（９）をエピタキシャル成長させるように
したエピタキシャル成長方法において、エピタキシャル
成長前および／またはエピタキシャル成長中に半導体基
板（４）にパルスレーザ−ビーム（Ｂ）を照射するよう
にしている。
上記した手段によれば、エピタキシャル成長前に半導体
基板（４）にパルスレーザ−ビーム（Ｂ）が照射される
ことによりこの半導体基板（４）の表面近傍が局所的に
高温に加熱され、これによってこの半導体基ｖｉ（４）
の表面に形成されている自然酸化膜（８）が分解除去さ
れる。従って、エピタキシャル成長前に低温でこの半導
体基板（４）の表面を清浄化することができる。また、
エピタキシャル成長中に半導体基板（４）にパルスレー
ザ−ビーム（Ｂ）が照射されることにより半導体層（９
）が高温に加熱され、この加熱によるアニールの効果に
よりこの半導体層（９）の結晶性が改善される。これに
よって、エピタキシャル成長される半導体層（９）の結
晶性の向上を図ることができる。
基板（４）にパルスレーザ−ビーム（Ｂ）が照射される
ことによりこの半導体基板（４）の表面近傍が局所的に
高温に加熱され、これによってこの半導体基ｖｉ（４）
の表面に形成されている自然酸化膜（８）が分解除去さ
れる。従って、エピタキシャル成長前に低温でこの半導
体基板（４）の表面を清浄化することができる。また、
エピタキシャル成長中に半導体基板（４）にパルスレー
ザ−ビーム（Ｂ）が照射されることにより半導体層（９
）が高温に加熱され、この加熱によるアニールの効果に
よりこの半導体層（９）の結晶性が改善される。これに
よって、エピタキシャル成長される半導体層（９）の結
晶性の向上を図ることができる。
以下、本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明する。
明する。
まず、本実施例で用いるエピタキシャル成長装置の構成
を第１図に基づいて説明する。
を第１図に基づいて説明する。
第１図において、符号１は装置本体、符号２はサセプタ
ー、符号３はガス供給管を示す、このサセプター２の上
に、エピタキシャル成長を行うべき半導体ウェーハ４が
載せられる。また、このサセプター２は例えば高周波誘
導加熱により加熱することができるようになっており、
これによって半導体ウェーハ４を所望の温度に加熱する
ことができる。一方、ガス供給管３の上部には例えば十
字状の管３ａが設けられており、この十字状の管３ａに
設けられた多数のノズル３ｂから成長ガス等がペルジャ
ー５内に供給されるようになっている。
ー、符号３はガス供給管を示す、このサセプター２の上
に、エピタキシャル成長を行うべき半導体ウェーハ４が
載せられる。また、このサセプター２は例えば高周波誘
導加熱により加熱することができるようになっており、
これによって半導体ウェーハ４を所望の温度に加熱する
ことができる。一方、ガス供給管３の上部には例えば十
字状の管３ａが設けられており、この十字状の管３ａに
設けられた多数のノズル３ｂから成長ガス等がペルジャ
ー５内に供給されるようになっている。
このペルジャー５の上部には開口部が設けられており、
この開口部に例えば石英ガラスのような後述のパルスレ
ーザ−ビームＢに対して透明な材料から成る窓６が設け
られている。そして、この窓６から、レーザーＬにより
発振されるパルスレーザ−ビームＢを半導体ウェーハ４
に照射することができるようになっている。なお、この
パルスレーザ−ビームＢは、上述の十字状の管３ａに当
たらないようになっている。
この開口部に例えば石英ガラスのような後述のパルスレ
ーザ−ビームＢに対して透明な材料から成る窓６が設け
られている。そして、この窓６から、レーザーＬにより
発振されるパルスレーザ−ビームＢを半導体ウェーハ４
に照射することができるようになっている。なお、この
パルスレーザ−ビームＢは、上述の十字状の管３ａに当
たらないようになっている。
次に、上述のように構成されたエピタキシャル成長装置
を用いてエピタキシャル成長を行う方法について説明す
る。
を用いてエピタキシャル成長を行う方法について説明す
る。
第２図Ａ〜第２図りは本発明の一実施例によるエピタキ
シャル成長方法を工程順に示す。
シャル成長方法を工程順に示す。
本実施例においては、第２図Ａに示すように、例えばｐ
型シリコン（Ｓｉ）ウェーハのような半導体ウェーハ４
中に例えばｎ′−型の埋め込み層７を形成した後、この
半導体ウェーハ４を第１図に示すエピタキシャル成長装
置のサセプター２の上に載せ、その後ペルジャー５内を
排気して所定の圧力にする。この状態における半導体ウ
ェーハ４の表面には、自然酸化膜（Ｓｉ Ｏｚ膜）８が
形成されているとする。次に、ペルジャー５内にＨ−ガ
スや塩化水素（ＨＣＩ）ガスを導入して還元性雰囲気と
し、この還元性雰囲気中でレーザーＬにより窓６からパ
ルスレーザ−ビームＢを半導体ウェーハ４の表面に照射
する。このパルスレーザ−ビームＢの照射は、半導体ウ
ェーハ４を後述のエピタキシャル成長温度またはそれ以
下の温度に加熱した状態で行ってもよいし、常温で行っ
てもよい。また、このパルスレーザ−ビームＢのパルス
幅は例えば数十ｎｓである。レーザーＬとしては、例え
ば、ＸｅＣ１エキシマ−レーザー（発振波長３０８ｎｒ
ｌ）、ＡｒＦエキシマ−レーザー（発振波長１９３ｎｍ
）等の希ガスハライド系のエキシマ−レーザーを用いる
ことができる。このパルスレーザ−ビームＢの照射によ
り半導体ウェーハ４の表面近傍が局所的に高温に加熱さ
れ、その結果、自然酸化膜８が分解除去される。このよ
うにして半導体ウェーハ４の表面が清浄化される。
型シリコン（Ｓｉ）ウェーハのような半導体ウェーハ４
中に例えばｎ′−型の埋め込み層７を形成した後、この
半導体ウェーハ４を第１図に示すエピタキシャル成長装
置のサセプター２の上に載せ、その後ペルジャー５内を
排気して所定の圧力にする。この状態における半導体ウ
ェーハ４の表面には、自然酸化膜（Ｓｉ Ｏｚ膜）８が
形成されているとする。次に、ペルジャー５内にＨ−ガ
スや塩化水素（ＨＣＩ）ガスを導入して還元性雰囲気と
し、この還元性雰囲気中でレーザーＬにより窓６からパ
ルスレーザ−ビームＢを半導体ウェーハ４の表面に照射
する。このパルスレーザ−ビームＢの照射は、半導体ウ
ェーハ４を後述のエピタキシャル成長温度またはそれ以
下の温度に加熱した状態で行ってもよいし、常温で行っ
てもよい。また、このパルスレーザ−ビームＢのパルス
幅は例えば数十ｎｓである。レーザーＬとしては、例え
ば、ＸｅＣ１エキシマ−レーザー（発振波長３０８ｎｒ
ｌ）、ＡｒＦエキシマ−レーザー（発振波長１９３ｎｍ
）等の希ガスハライド系のエキシマ−レーザーを用いる
ことができる。このパルスレーザ−ビームＢの照射によ
り半導体ウェーハ４の表面近傍が局所的に高温に加熱さ
れ、その結果、自然酸化膜８が分解除去される。このよ
うにして半導体ウェーハ４の表面が清浄化される。
次に第２図Ｂに示すように、この半導体ウェーハ４上に
例えばＳｉのエピタキシャル層９を例えば２０人／Ｓ程
度の成長速度で成長させる。成長温度は１０００℃以下
の低温、例えば９００℃程度とすることができる。また
、この成長はサセプター２を回転させながら行う、この
エピタキシャル成長用の成長ガスとしては、モノシラン
（ＳｉＨａ）、ジクロルシラン（ＳｉＨｚ Ｃ１ｇ ）
等を用いることができる０本実施例においては、このエ
ピタキシャル成長中にパルスレーザ−ビームＢを半導体
ウェーハ４に例えば数〜数十上で間欠的に照射する。具
体的には、例えば１七でパルスレーザ−ビームＢを照射
する。成長速度が２０人／Ｓであるとすると、この場合
にはエピタキシャル層９の厚さが２０人増えるたびにパ
ルスレーザ−ビームＢが照射されることになる。このパ
ルスレーザ−ビームＢの照射によって、エピタキシャル
層９の表面から例えば約１００〜１０００人程度の深さ
まで局所的に高温に加熱される。この結果、エピタキシ
ャル層９の全体および半導体ウェーハ４の表面層が高温
に加熱され、これによるアニールの効果によりエピタキ
シャル層９中の未結合原子が消滅したりすること等によ
り結晶欠陥が減少して結晶性が改善される。
例えばＳｉのエピタキシャル層９を例えば２０人／Ｓ程
度の成長速度で成長させる。成長温度は１０００℃以下
の低温、例えば９００℃程度とすることができる。また
、この成長はサセプター２を回転させながら行う、この
エピタキシャル成長用の成長ガスとしては、モノシラン
（ＳｉＨａ）、ジクロルシラン（ＳｉＨｚ Ｃ１ｇ ）
等を用いることができる０本実施例においては、このエ
ピタキシャル成長中にパルスレーザ−ビームＢを半導体
ウェーハ４に例えば数〜数十上で間欠的に照射する。具
体的には、例えば１七でパルスレーザ−ビームＢを照射
する。成長速度が２０人／Ｓであるとすると、この場合
にはエピタキシャル層９の厚さが２０人増えるたびにパ
ルスレーザ−ビームＢが照射されることになる。このパ
ルスレーザ−ビームＢの照射によって、エピタキシャル
層９の表面から例えば約１００〜１０００人程度の深さ
まで局所的に高温に加熱される。この結果、エピタキシ
ャル層９の全体および半導体ウェーハ４の表面層が高温
に加熱され、これによるアニールの効果によりエピタキ
シャル層９中の未結合原子が消滅したりすること等によ
り結晶欠陥が減少して結晶性が改善される。
次に第２図Ｃに示すように、エピタキシャル層９の厚さ
が再び例えば２０人増えた段階で再びこのエピタキシャ
ル層９にパルスレーザ−ビームＢが照射される。なお、
第２図Ｃにおいて、最初に成長された約２０人の厚さの
エピタキシャル層９の表面を一点鎖線で示した。このパ
ルスレーザ−ビームＢの照射によってエピタキシャル層
９の全体が高温に加熱され、その結果、既に述べたと同
様にエピタキシャル層９の結晶性が改善される。
が再び例えば２０人増えた段階で再びこのエピタキシャ
ル層９にパルスレーザ−ビームＢが照射される。なお、
第２図Ｃにおいて、最初に成長された約２０人の厚さの
エピタキシャル層９の表面を一点鎖線で示した。このパ
ルスレーザ−ビームＢの照射によってエピタキシャル層
９の全体が高温に加熱され、その結果、既に述べたと同
様にエピタキシャル層９の結晶性が改善される。
二のよ・うにしてエピタキシャル成長を続け、第２図り
に示すようにエピタキシャル層９が目標とする厚さにな
った段階でエピタキシャル成長を終了する。
に示すようにエピタキシャル層９が目標とする厚さにな
った段階でエピタキシャル成長を終了する。
以上のように、この実施例によれば、エピタキシャル成
長前に半導体ウェーハ４の表面にパルスレーザ−ビーム
Ｂを照射しているので、自然酸化膜８をエピタキシャル
成長前にあらかじめ除去することができ、従って清浄な
表面上にエピタキシャル成長を行うことができる。しか
も、自然酸化膜８の除去はパルスレーザ−ビームＢの照
射により低温で行うことができるので、従来のＨ！ソフ
ァアリング処理のように１０５０℃程度の高温の熱処理
を行う必要がない、このため、エピタキシャル成長温度
の低温化を妨げていた要因がなくなり、エピタキシャル
成長温度を上述のように例えば９００℃程度に低温化す
ることができる。また、従来のエピタキシャル成長方法
では、このようにエピタキシャル成長温度を低温化する
とエピタキシャル層の結晶性が悪くなるのが一般的であ
ったが、本実施例によれば、エピタキシャル成長中にエ
ピタキシャル層９にパルスレーザ−ビームＢを照射する
ことによりこのエピタキシャル層９の結晶性を改善する
ことができるので、結晶性の良好なエピタキシャル層９
を成長させることができる。
長前に半導体ウェーハ４の表面にパルスレーザ−ビーム
Ｂを照射しているので、自然酸化膜８をエピタキシャル
成長前にあらかじめ除去することができ、従って清浄な
表面上にエピタキシャル成長を行うことができる。しか
も、自然酸化膜８の除去はパルスレーザ−ビームＢの照
射により低温で行うことができるので、従来のＨ！ソフ
ァアリング処理のように１０５０℃程度の高温の熱処理
を行う必要がない、このため、エピタキシャル成長温度
の低温化を妨げていた要因がなくなり、エピタキシャル
成長温度を上述のように例えば９００℃程度に低温化す
ることができる。また、従来のエピタキシャル成長方法
では、このようにエピタキシャル成長温度を低温化する
とエピタキシャル層の結晶性が悪くなるのが一般的であ
ったが、本実施例によれば、エピタキシャル成長中にエ
ピタキシャル層９にパルスレーザ−ビームＢを照射する
ことによりこのエピタキシャル層９の結晶性を改善する
ことができるので、結晶性の良好なエピタキシャル層９
を成長させることができる。
さらにまた、このようにエピタキシャル成長温度を低温
化することができることから、半導体ウェーハ４が大口
径化してもこの半導体ウェーハ４の反りを小さく抑える
ことができ、従って半導体ウェーハｌの大口径化に対応
することができる。さらに、このエピタキシャル成長温
度の低温化により、エピタキシャル成長の際の埋め込み
層７中の不純物の再拡散を防止することもできる。
化することができることから、半導体ウェーハ４が大口
径化してもこの半導体ウェーハ４の反りを小さく抑える
ことができ、従って半導体ウェーハｌの大口径化に対応
することができる。さらに、このエピタキシャル成長温
度の低温化により、エピタキシャル成長の際の埋め込み
層７中の不純物の再拡散を防止することもできる。
本実施例によるエピタキシャル成長方法は、バイポーラ
ＬＳＩやバイポーラ−ＣＭＯ５ＬＳＩの製造への適用が
可能である。
ＬＳＩやバイポーラ−ＣＭＯ５ＬＳＩの製造への適用が
可能である。
以上、本発明の実施例につき具体的に説明したが、本発
明は、上述の実施例に限定されるものではな（、本発明
の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
明は、上述の実施例に限定されるものではな（、本発明
の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
例えば、エピタキシャル成長中におけるパルスレーザ−
ビームＢの照射の周期は、エピタキシャル層９の成長速
度等を考慮して適宜選択することができる。また、上述
の実施例においては、エピタキシャル成長前およびエピ
タキシャル成長中にパルスレーザ−ビームＢを照射して
いるが、このパルスレーザ−ビームＢの照射はエピタキ
シャル成長前およびエピタキシャル成長中のいずれか一
方でのみ行ってもよい。
ビームＢの照射の周期は、エピタキシャル層９の成長速
度等を考慮して適宜選択することができる。また、上述
の実施例においては、エピタキシャル成長前およびエピ
タキシャル成長中にパルスレーザ−ビームＢを照射して
いるが、このパルスレーザ−ビームＢの照射はエピタキ
シャル成長前およびエピタキシャル成長中のいずれか一
方でのみ行ってもよい。
また、本発明は、バイポーラＬＳＩやバイポーラ−ＣＭ
Ｏ３ＬＳＩばかりでな（、エピタキシャル層を用いる各
種の半導体集積回路装置の製造に適用することが可能で
ある。
Ｏ３ＬＳＩばかりでな（、エピタキシャル層を用いる各
種の半導体集積回路装置の製造に適用することが可能で
ある。
以上述べたように、本発明によれば、エピタキシャル成
長前および／またはエピタキシャル成長中に半導体基板
にパルスレーザ−ビームを照射するようにしているので
、エピタキシャル成長前における低温での半導体基板の
表面の清浄化および／またはエピタキシャル成長される
半導体層の結晶性の向上を図ることができる。
長前および／またはエピタキシャル成長中に半導体基板
にパルスレーザ−ビームを照射するようにしているので
、エピタキシャル成長前における低温での半導体基板の
表面の清浄化および／またはエピタキシャル成長される
半導体層の結晶性の向上を図ることができる。
第１図は本発明の一実施例で用いるエピタキシャル成長
装置の概略構成を示す図、第２図Ａ〜第２図りは本発明
の一実施例によるエピタキシャル成長方法を工程順に示
す断面図である。 図面における主要な符号の説明 ２：サセプタ−４＝半導体ウェーハ（半導体基板）、
５：ベルジャ−、８：自然酸化膜、９：エピタキシャル
層、 Ｌ：レーザー Ｂ：パルスレーザ−ビーム。 代理人 弁理士 杉 浦 正 知 −大Ｒ１便１ 第２図Ｂ 一實路例
装置の概略構成を示す図、第２図Ａ〜第２図りは本発明
の一実施例によるエピタキシャル成長方法を工程順に示
す断面図である。 図面における主要な符号の説明 ２：サセプタ−４＝半導体ウェーハ（半導体基板）、
５：ベルジャ−、８：自然酸化膜、９：エピタキシャル
層、 Ｌ：レーザー Ｂ：パルスレーザ−ビーム。 代理人 弁理士 杉 浦 正 知 −大Ｒ１便１ 第２図Ｂ 一實路例
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体基板上に半導体層をエピタキシャル成長させるよ
うにしたエピタキシャル成長方法において、 エピタキシャル成長前および／またはエピタキシャル成
長中に上記半導体基板にパルスレーザービームを照射す
るようにしたことを特徴とするエピタキシャル成長方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20035588A JPH0249419A (ja) | 1988-08-11 | 1988-08-11 | エピタキシャル成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20035588A JPH0249419A (ja) | 1988-08-11 | 1988-08-11 | エピタキシャル成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0249419A true JPH0249419A (ja) | 1990-02-19 |
Family
ID=16422918
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20035588A Pending JPH0249419A (ja) | 1988-08-11 | 1988-08-11 | エピタキシャル成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0249419A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04233219A (ja) * | 1990-06-28 | 1992-08-21 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 半導体デバイスからなる製品の製造方法 |
| JP2016514364A (ja) * | 2013-02-26 | 2016-05-19 | ソイテックＳｏｉｔｅｃ | 構造を処理するためのプロセス |
-
1988
- 1988-08-11 JP JP20035588A patent/JPH0249419A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04233219A (ja) * | 1990-06-28 | 1992-08-21 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 半導体デバイスからなる製品の製造方法 |
| JP2016514364A (ja) * | 2013-02-26 | 2016-05-19 | ソイテックＳｏｉｔｅｃ | 構造を処理するためのプロセス |
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