JPS6177422A - ラインデ−タセレクタ回路 - Google Patents

ラインデ−タセレクタ回路

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JPS6177422A
JPS6177422A JP19896584A JP19896584A JPS6177422A JP S6177422 A JPS6177422 A JP S6177422A JP 19896584 A JP19896584 A JP 19896584A JP 19896584 A JP19896584 A JP 19896584A JP S6177422 A JPS6177422 A JP S6177422A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
terminal
channel mos
gate
circuit
mos transistor
Prior art date
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Pending
Application number
JP19896584A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigenori Nagara
長良 繁徳
Yasunobu Tsuchida
土田 耕伸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
NEC Engineering Ltd
Original Assignee
NEC Corp
NEC Engineering Ltd
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Publication date
Application filed by NEC Corp, NEC Engineering Ltd filed Critical NEC Corp
Priority to JP19896584A priority Critical patent/JPS6177422A/ja
Publication of JPS6177422A publication Critical patent/JPS6177422A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、2 対1(n:正整数)に構成したCMO3
形ラインデータセレクタ回路に関する。
(従来の技術) 従来よυ、CM OS (Cornplementar
y Me−tal 0xide Sem1conduc
tor )  プロセスを使用した2 対1(2−丁0
−1)式ラインデータセレクタ回路の一構成法として、
例えば第2図に示すような4対1形ラインデ一タセレク
タ回路が使用されてきた。第2図において、210゜2
20.230,240,250,260はそれぞれPチ
ャネルMO3)ランジスタ1.6,5゜7.9.Iiと
NチャネルMOSトランジスタ2゜4,6,8.10.
12とから成る相補形MOSトランジスタによるトラン
スファゲートでおる。
また、271,272はそれぞれインバータでbる。
第2図において、PチャネルMOSトランジ−メタ1の
端子13と、NチャネルMOSトランジスタ2の端子2
1とを接続して、これを入力端子とし、PチャネルMO
Sトランジスタ1の端子14と、NチャネルMOSトラ
ンジスタ2の端子22とを接続したものをトランスファ
ゲート210とする。このトランスファゲート210と
同様なトランスファゲートを6個備えてトランスファゲ
ート220,230,240,250,260を形成し
、トランスファゲート210,220.2i240.2
50,260の入力端子211゜221.251,24
1にそれぞれデータ入力端子Do  、DI  、D2
  、Dsを接続する。トランスファゲート210.2
20の出力端子214゜224を相互に接続し、最終段
のトランスファゲート250の入力端子251に接続す
る。同様にトランスファゲート230,240の出力端
子234.244も相互に接続し、トランスフアゲ−)
260の入力端子261に接続する。最終段の出力はト
ランスファゲート250.260の出力端子254,2
64を接続した点りとする。セレクト信号(信号線SO
,SI上)は、それぞれ初段、ならびに最終段のセレク
ト信号となり、信号線SO−*JP上のセレクト信号は
トランスファゲート210,220,230.240の
入力端子212.223,232,243へ入力される
。
また、セレクト信号(SO)はインパーク271を介し
てトランスファゲート210,220゜230.240
の入力端子213,222゜233.242へ入力され
る。セレクト信号(Sl)はトランス2アゲ−h250
,260の入力端子252.26′6へ入力され、イン
バータ272を介してトランスフアゲ−h 250,2
60の入力端子25ろ、262へ入力される。セレクト
信号(So 、 81 )に2値の正論理(0,0)。
(1,0)、(0,1)、(1,1)を与えた時にこの
回路の出力りからそれぞれDo、Dl、D2、Dsのデ
ータが取出される。
PチャネルMOSトランジスタとNチャネルM  。
OSトランジスタとのソース相互間、およびトレー/相
互間をそれぞれ接続した一対の相補形トランスファゲー
ト210,220,230,240゜250.260の
出力端子の相互間を接続し、一方の相補形トランスファ
ゲートのPチャネルMOSトランジスタのゲートリード
212と、他方の相補形トランスファゲートのNチャネ
ルMOSトランジスタのゲートリード223とを相互に
接続する。そこで、それぞれのトランジスタに逆極性の
セレクト信号を与え、各相補形トランスファゲートの入
力端子をデータ入力端子とする2対1形ラインデ一タセ
レクタ回路を基本単位とし、(n−m)段目(nは2以
上の正の整数、mは0以上でn未満の正の整数]に2 
個の上記2対1形ラインデ一タセレクタ回路をn段にわ
たって配置し、各段に配置された2対1形ラインデ一タ
セレクタ回路の出力端子と次段に配置された2対1形ラ
インデ一タセレクタ回路のデータ入力端子とを接続し、
初段に配置された各2対1形ラインテ一タセレクタ回路
の各データ入力端子を系全体のデータ入力端子とし、最
終段(n段目)に配置された2対l形ラインデ一メセレ
クタ回路の出力端子を系全体の出力端子とする方法がト
ランジスタ数を減少させることができる構成法として採
用されてきた。
(発明が解決しようとする問題点〕 しかし、上記の構成法においても最低[4(2”−1)
+2n1個のトランジスタが必要であるため、高集積化
に適するとはいえない。
本発明の目的は、PチャネルMO8I−ランジスタのゲ
ート以外の一端子と、NチャネルMOSトランジスタの
ゲート以外の一端子とを相互に接続して出力端子とし、
上記PチャネルMOSトランジスタのゲートと上記Nチ
ャネルMOSトランジスタのゲートとを相互に接続して
セレクト信号の入力端子とし、上記PチャネルMOSト
ランジスタの残りの一端子と上記NチャネルMOSトラ
ンジスタの残りの一端子とをデータ入力端子とし、それ
ぞれに二値データ(0,1)を入力することができるよ
うに2対1形ラインテ一タセレクタ回路を構成して基本
単位回路とし、この基本単位となる2対1形ラインデ一
タセレクタ回路をn段にわたって接続し、(n−m)段
目(nは2以上の正の整数、mは0以上でn未満の正の
整数用こ一個の基本単位回路を配置し、各段の2対1形
ラインデ一タセレクタ回路の出力端子と次段の2対1形
ラインデ一タセレクタ回路のデータ入力端子とをバッフ
ァ回路を介して接続し、各段のそれぞれの2対1形ライ
ンデ一タセレクタ回路のセレクト信号端子には同一のセ
レクト信号を与え、初段のそれぞれの2対1形ラインデ
一タセレクタ回路の各データ入力端子を系全体のデータ
入力端子とすると共に、最終段(n段目)の2対1形ラ
インデ一タセレクタ回路の出力端子を系全体の出力端子
とすることにより上記欠点を除去し、より少ないトラン
ジスタ数で構成した2 対1形ラインデータセレクタ回
路を提供することにおる。
(問題点を解決するための手段) 本発明によるラインデータセレクタ回路は、基本単位を
成すトランスファゲートをn段(n:正の整数)にわた
って具備し、基本単位を成すトランスファゲートの出力
端子と次段に配置した基本単位を成すトランスファゲー
トのデータ入力端子との間を接続し、各段を形成する基
本単位のセレクト端子には同一のセレクト信号を与え、
初段を形成する基本単位の回路の各データ入力端子を系
全体のデータ入力端子として使用し、n段目の基本単位
回路の出力端子を系全体の出力端子とするように構成し
たものでおる。
上記構成において、基本単位となるトランスファゲート
はPチャネルMOSトランジスタのゲート以外の一端子
とNチャネルMoSトランジスタのゲート以外の一端子
とを相互に接続して出力端子とし、上記PチャネルMO
3I−ランジヌタのゲートと上記NチャネルMOSトラ
ンジスタのゲートとを相互に接続してセレクト信号の入
力端子とし、PチャネルMO8I−ランジスタの残りの
一端子と上記NチャネルMO8I−ランジスタの残りの
一端子とをデータ入力端子としてそれぞれ二値データを
入力できるようにして構成したものである。
上記基本単位はn段にわたって(n−m)段目(oくm
<ns m :正の整数)に2 個の基本単位回路が配
置されるようにして構成したものである。
(実施列) 次に、図面を参照して本発明の実施列について詳細に説
明する。
第1図は、4対1形のラインデータセレクタ回路の一実
施例を示すブロック図である。第1図において、110
,130,150はそれぞれPチャネルMO8I−ラン
ジスタであり、120゜140.160はそれぞれNチ
ャネルMO8)ランジスタである。PチャネルMOSト
ランジスタ110.130,150は個々にトランスフ
ァゲートを形成し、NチャネルMOSトランジスタ12
0.140,160で個々にトランスファゲートを形成
している。トランスファゲート110.120,130
.140の入力端子111.121,131,141に
それぞれデータ入力端子Do、Dt、D鵞 、D4から
のデータを入力する。トランスフアゲ−)150.16
0の入力端子151,161にはそれぞれトランスファ
ゲート110,120の出力端子113゜123を接続
し、トランスファゲート130゜140の出力端子13
1.141を接続する。最終段の出力端子はトランスフ
ァゲート150゜160の出力端子153,163を接
続した点りとする。トランスファゲート110,120
゜130.140の入力端子112,122゜132.
142にはセレクト信号(信号線So)を入力し、トラ
ンスフアゲ−)150,160の入力端子152.16
2にはセレクト信号(信号線S1)を入力する。この回
路では、トランスファゲート110,130,150は
PチャネルMOSトランジスタの特性を有するため、セ
レクト信号が二組の正論理でOの時に導通状態となり、
1の時に非導通状態となる。逆に、トランスファゲート
120,140.160はNチャネルMOSトランジス
タの特性を有するため、セレクト信号が00時に非導通
状態となり、1の時に導通状態となる。これによシ、従
来の回路と同等な動作を行うことができる。
(発明の効果〕 本発明は以上説明したように、トランスファゲートを個
々に単体のNチャネルMOSトランジスタおよび単体の
PチャネルMOSトランジスタによシ構成することによ
り、回路接続の簡略化を計り、素子数を従来の((2−
1)/2(2−1)+n)倍に減らすことができるとい
う効果がおる。
【図面の簡単な説明】
第】図は、本発明による4対1形ラインデ一タセレクタ
回路の一実施例を示す回路図である。 第2図は、従来の4灼1形ラインテ一タセレクタ回路の
一例を示す回路図である。 110.120,130,140,150,160゜2
10.220,260,240,250.260・・・
・・トランスファゲート 1〜12番・・MO8I−ランジスタ 271.272・・・インバータ 111〜11ろ、121〜123,131〜1ろろ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. PチャネルMOSトランジスタのゲート以外の一端子と
    NチャネルMOSトランジスタのゲート以外の一端子と
    を相互に接続して出力端子とし、前記PチャネルMOS
    トランジスタのゲートと前記NチャネルMOSトランジ
    スタのゲートとを相互に接続してセレクト信号の入力端
    子とし、前記PチャネルMOSトランジスタの残りの一
    端子と前記NチャネルMOSトランジスタの残りの一端
    子とをデータ入力端子として、それぞれに2値データを
    入力することができるようにして基本単位とし、前記基
    本単位をn段(n:正の整数)にわたつて(n−m)段
    目(0≦m<n、m:正の整数)に2^m個の前記基本
    単位が配置されるように構成した複数のトランスファゲ
    ートを具備し、前記基本単位を成すトランスファゲート
    の出力端子と次段に配置した前記基本単位を成すトラン
    スファゲートのデータ入力端子との間を接続し、各段を
    形成する前記基本単位のセレクト端子には同一のセレク
    ト信号を与え、初段を形成する前記基本回路の各データ
    入力端子を系全体のデータ入力端子として使用し、前記
    n段目の前記基本回路の出力端子を系全体の出力端子と
    するように構成したことを特徴とするラインデータセレ
    クタ回路。
JP19896584A 1984-09-21 1984-09-21 ラインデ−タセレクタ回路 Pending JPS6177422A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02184112A (ja) * 1988-12-05 1990-07-18 Internatl Business Mach Corp <Ibm> マルチプレクサ回路
JP2006146166A (ja) * 2004-11-22 2006-06-08 Samsung Sdi Co Ltd 画素回路及び発光表示装置
JP2018508834A (ja) * 2014-12-31 2018-03-29 深▲せん▼市華星光電技術有限公司Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. 表示パネル及びその駆動回路

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH02184112A (ja) * 1988-12-05 1990-07-18 Internatl Business Mach Corp <Ibm> マルチプレクサ回路
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JP2018508834A (ja) * 2014-12-31 2018-03-29 深▲せん▼市華星光電技術有限公司Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. 表示パネル及びその駆動回路

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