JPS6178149A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPS6178149A
JPS6178149A JP59199563A JP19956384A JPS6178149A JP S6178149 A JPS6178149 A JP S6178149A JP 59199563 A JP59199563 A JP 59199563A JP 19956384 A JP19956384 A JP 19956384A JP S6178149 A JPS6178149 A JP S6178149A
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JP
Japan
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lead
hole
holes
inner part
diameter
Prior art date
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Pending
Application number
JP59199563A
Other languages
English (en)
Inventor
Masachika Masuda
正親 増田
Akira Suzuki
明 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPS6178149A publication Critical patent/JPS6178149A/ja
Priority to US07/159,902 priority patent/US4862246A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/01Manufacture or treatment
    • H10W70/04Manufacture or treatment of leadframes
    • H10W70/042Etching
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/40Leadframes
    • H10W70/421Shapes or dispositions
    • H10W70/424Cross-sectional shapes

Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、半導体装置に係り、特に、半導体装置のパッ
ケージ技術に適用し、て有効な技術に関するものである
〔背景技術〕
大規模集積回路(LSI)等の半導体チップを樹脂また
はガラスで封止した半導体装置等に用いられるリードに
、第1図(A)、CB)に示すように。
プレス技術により、リード1のインナー部に固定用貫通
孔(ロックホール)2を設け、封IE時における封止材
とリードlとの境界面の接着強度を向上させて、リード
に外力又は温度サイクル等による応力(ストレス)が加
わって発生する亀裂や隙間からの水分の浸入を防止する
ことが考えられる。
しかしながら、近年、益々高集積度化が要求され、多リ
ード(多ピン)の半導体装置となってきているため、そ
れに用いられるリード1の幅は1mくなってきている。
これは、特にフラットパックタイプパッケージ(P P
 P)において顕著である。
このために前記固定用貫通孔2をプレス技術によりリー
ドエに設けると、リードlの機械的強度が低下し、リー
ド1の外部からの応力や温度サイクルによる応力が加わ
ると、リード曲りや封止材とリードとの間に亀裂、隙間
等が発生することが。
発明者の検討の結果、明らかになった。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、封止材とリードのインナー部との接着
強度及び機械的強度を向上させた耐湿性に優れた半導体
装〔を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、水
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
〔発明の概要〕
本願において開示される発明のうち5代表的なものの概
要を説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、半導体装置のリードのパッケージに封止され
た部分(インナー部)に、リード固定用穴。
切り欠き(ノツチ)又は貫通孔を一個又は複数個設け、
該リード固定用穴又は貫通孔の底部側の径寸法を表面側
の径寸法よりも小さく形成する。これにより、パッケー
ジの封止材とリードのインナー部との接着強度及びリー
ドの機械的強度を、多リード型半導体装置においても、
向上させるようにしたものである。また、前記リード固
定用穴1貫通孔、切り欠き等を組合わせて設けることに
より。
さらに、封止材とリードのインナー部との接着強度及び
機械的強度を向上させたものである。
以下1本発明の構成について、実施例とともに説明する
なお9本発明の詳細な説明するための図面において、同
一の機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返し
の説明は省略する。
〔実施例■〕
第1図(A)乃至(D)及び第2図(A)乃至(C)は
本発明の実施例Iの半導体vAwc用リードの構成を説
明するための図である。第1図(A)乃至(D)はその
リードの要部の断面拡大図、第2図(A)は第2図に示
す要部を複数個設けた平面図、第2図(B)、(C)は
第2図(A)の1−1切断線における断面図である。
第1図(A)乃至(D)及び第2図(A)乃至(C)に
おいて、10はリードのインナー部、11は前記リード
のインナー部10の表面又は裏面に設けられたリード固
定用穴(以下、単に、穴という)であり、その底部の径
φBがその表面側又は裏面側の径φAよりも小さくなっ
ている(φBくφA)。この穴11は1等方性のエツチ
ング技術によって形成される。12はリードのインナー
部の両面からエツチング技術によって形成されたリード
固定用貫通孔(以下、単に1貫通孔という)であり、そ
の底部の径φBがその表面側又は裏面側の径φAよりも
小さくなっている(φB〈φA)、この穴11は、等方
性のエツチング技術によって形成される。
そして、前記穴11を、例えば、第2図(B)に示すよ
うに、リードのインナー部10の両面に設けることによ
り、エポキシレジン等の封止材(図示していない)が穴
11に流れ込んで硬化されるので、封止材とリードのイ
ンナー部10との接着強度及び機械的強度が増大する。
また、例えば、第3図(C)に示すように、前記穴及び
貫通孔を組合わせて設けることにより、前記と同様の作
用で同等の機械的強度を保持し、かつ、より一層の接着
強度を増大させることができる0貫通孔12に封止材が
流れ込み硬化すると、封止材とリードとの接着強度は穴
11を用いたときより極めて大きい。
穴11または貫通孔12を設けても、リード10の強度
はあまり低下しない、穴11または貫通孔12は、その
直径かり一に表面より穴11の底または貫通孔12の中
央で小さくなるように形成されているためである。この
ために1等方性エツチングによって、穴11および貫通
孔12が形成される。また、エツチング技術を用いるこ
とによって、*騙なリードへの加工が可能となる。
貫通孔12を設けたリードは、第1図(C)のようなリ
ードよりも、強度が多少小さくなる程度である。第2図
(C)のように、六11と貫通孔12とを交互に設けた
場合のリード10の全体としての強度は、穴11のみを
設けた場合と殆んど変わりがない。
〔実施例■〕
第3図は1本発明の実施例■のPPP型半導体装置用リ
ードフレームの構成を説明するための図であり、第4図
(Δ)乃ff1(D)は1本実施例Iに用いられるリー
ドフレームの要部の拡大斜視図である。
第3図において、13は半導体チップを塔載する方形の
タブ、14はタブ13の四角に接続するタブ吊リード、
15は切り欠き、16はタイバー。
17はリードの7ウタ一部である0図中の点線は。
このリードフレームを封止した際に、樹脂又はガラス等
の封止材によって覆われる領域を示す。
本実施例■の半導体装置用リード部は、第3図に示すよ
うに、多数の幅の狭いリードが配設されている。このリ
ードのインナー部lOおよびタブ吊りリード14には、
前述の第1図(A)乃至(D)に示す穴11.貫通孔1
2及び第4図(A)乃至(D)に示すような切り欠き1
5をそれぞれ適当に組合わせて設けている。
このように構成することにより、封止材がリードのイン
ナー部10の表裏及び左右の凹部に流れ込んで硬化する
ので、リードのインナー部10は上下左右の4方向で固
定され、リードと封止部との接着強度がより一層増大す
る。
〔実施例■〕
本発明の実施例■は、第5図に示すように、前記実施例
■の機械的強度が特に必要なリードのインナー部10A
には1例えば、切り欠き15を設けないようにしたもの
である。すなわち、タブ吊りリード14Aおよびこの近
傍の複数本のインナーリードIOAには、穴11又は貫
通孔12のみが設けられる。
FPP型半導体装置の封止をするとき、モールド用の上
下の金型内のキャビティに、樹脂がゲートから注入され
る。樹脂の注入は1図中矢印方向に行なわれる。ゲート
近傍のリードには注入される樹脂の圧力が働く、このた
め、他のり一層10より大きい強度が必要とされる。
このように、必要に応じてリードのインナー部10及び
IOAに設ける前記穴11.貫通孔12及び切り欠き1
5を選択して設けることにより、より適切なリードの取
り付けができるので、半導体装置の信頼性の向上及び長
寿命化がはかれる。
〔効果〕
以上説明したように、本願で開示した新規な技術手段に
よれば、次のような効果を得ることができる。
(1)半導体装置用リードのインナー部に、リード固定
用穴又は貫通孔を一個又は複数個設け、該リード固定用
穴又は貫通孔の底部側の径寸法を表面側の径寸法よりも
小さくすることにより、細いリードにおいても、リード
の機械的強度を低下させることなく、封止材とリードの
インナー部との接着強度を向上させることができる。
(2)エツチングにより前記穴又は貫通孔を形成するの
で0幅の微綱なリードにも容易に形成でき、リードの機
械的強度を低下させない。
(3)等方性エツチングにより前記穴又は貫通孔を形成
するので、容易に底部側の直径を表面側より小さくでき
る。
(4)貫通孔の形状を第1図(D)のようにすることに
より、リードの機械的強度をあまり低下させずに、リー
ドと封止材との接着強度を大きくできる。
(5)前記穴、J¥過通孔び切り欠きを適当に選択し、
それらを組合わせて設けることにより、さらに、封止材
とリードのインナー部との接着強度及び機械的強度を増
大させることができる。
(6)前記穴と貫通孔を1本のリードに交互に設けるこ
とにより、そのリードの機械的強度を低下させることな
く、リードと封止材との接着強度を向上できる。
(7)樹脂の注入されるゲート近傍のリードの機械的強
度を他のリードよりも強くすることによって、樹脂封止
の際のリードの変形を防止できる。
(8)  Fpp!!:1半導体装置の如く、リード幅
の小さい半導体装置においてもその信頼性を高くするこ
とができる。
(9)リードに外部からの応力や温度サイクルによる応
力が加わっても、リード曲り、リード抜けや封止部の亀
裂発生を防止することができるので。
半導体装置の信頼性の向上及び長寿命化をはかることが
できる。
以上1本発明を実施例にもとずき具体的に説明したが、
本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であること
はいうまでもない。
例えば、前記穴2貫通孔、切り火きを設けるリード位置
は、前記実施例に限定されるものでなく、必要に応じて
選択すればよい。また1本発明は。
樹脂封止型半導体装置以外の半導体装置、例えば。
ガラス封止型半導体装置にも使用できることは言うまで
もない。
【図面の簡単な説明】 第1図(A)乃至(D)及び第2図(A)乃至(C)は
。 本発明の実施例1の半導体装置用リードの構成を説明す
るための図であり、第1図(A)乃至(D)iよそのリ
ードの要部の断面拡大図、第20は、第1図に示す要部
を複数個設けた平面図及びI−1切断線における断面図
、 第3図は1本発明の実施例■の半導体装置用リード部の
構成を説明するための平面図。 第4図(A)乃至(1つ)は、前記実施例■に用し)ら
れるリード要部の拡大斜視図、 第5図は、本発明の実施例■の半導体装置用リード部の
構成を説明するための平面図、第6図(A)、(8)は
、封止型半導体装置に用いられるリードの問題点を説明
するための平面及び断面図である。 図中、10.IOA・・・リードのインナ部、11・・
・リード固定用穴、12・・リード固定用貫通孔、13
・・・タブ、14・・・タブ吊リード、15・・切り欠
きである。 「″ \                 へ′ヅ 第   4  図 (A)                    (c
ン(S)(D) 第  6  図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、半導体装置用リードのインナー部に、リード固定用
    穴又は貫通孔を有する半導体装置用リードであって、前
    記リード固定用穴又は貫通孔の底部側の径寸法が表面側
    の径寸法よりも小さいことを特徴とする半導体装置用リ
    ード。 2、前記リード固定用穴又は貫通孔をリードの表裏両面
    からエッチング技術により形成したことを特徴とする特
    許請求の範囲第1項記載の半導体装置用リード。 3、前記リード固定用穴又は貫通孔をリードのインナー
    部の長手方向に複数個設けたことを特徴とする特許請求
    の範囲第1項記載の半導体装置用リード。 4、前記リード固定用穴、貫通孔及び切り欠き部をリー
    ドのインナー部の長手方向に、それぞれを組合わせて設
    けたことを特徴とする特許請求の範囲第1項乃至第3項
    のいずれかに記載の半導体装置用リード。 5、前記特許請求の範囲第1項乃至第4項記載の半導体
    装置用リードを用いたことを特徴とする半導体装置。
JP59199563A 1984-09-26 1984-09-26 半導体装置 Pending JPS6178149A (ja)

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JP59199563A JPS6178149A (ja) 1984-09-26 1984-09-26 半導体装置
US07/159,902 US4862246A (en) 1984-09-26 1988-02-24 Semiconductor device lead frame with etched through holes

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05226548A (ja) * 1991-11-27 1993-09-03 Samsung Electron Co Ltd 半導体装置用リードフレーム
US5258331A (en) * 1989-10-20 1993-11-02 Texas Instruments Incorporated Method of manufacturing resin-encapsulated semiconductor device package using photoresist or pre-peg lead frame dam bars
JP2005217452A (ja) * 2002-04-01 2005-08-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2009135379A (ja) * 2007-11-29 2009-06-18 Seoul Semiconductor Co Ltd 防湿ledパッケージ
JP2011066144A (ja) * 2009-09-16 2011-03-31 Dainippon Printing Co Ltd Led用リードフレームまたは基板、半導体装置、およびled用リードフレームまたは基板の製造方法
JP2018064062A (ja) * 2016-10-14 2018-04-19 大日本印刷株式会社 リードフレームおよび半導体装置

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