JPS6182424A - 荷電ビ−ム描画装置 - Google Patents
荷電ビ−ム描画装置Info
- Publication number
- JPS6182424A JPS6182424A JP59204438A JP20443884A JPS6182424A JP S6182424 A JPS6182424 A JP S6182424A JP 59204438 A JP59204438 A JP 59204438A JP 20443884 A JP20443884 A JP 20443884A JP S6182424 A JPS6182424 A JP S6182424A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- deflector
- irradiation amount
- charged
- amount
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ＣＲ明の技術分野〕
本発明は、荷電ビーム描画装置の改良に係わり、例えば
ラスク走査方式の電子ビーム描画装置に関する。
ラスク走査方式の電子ビーム描画装置に関する。
近年、ＬＳＩデバイスの微細化傾向が進んでおリ、近い
将来０．５１ｕｍ］更には０．２５ｒμｍ］寸法のデバ
イスが出現しようとしている。このような微細デバイス
は従来の光ステッパを用いる方法では製作困難で、新し
いりソグラフイが切望されている。その中でも、電子ビ
ーム・リソグラフィは最有力なものとして広く認識され
ている。
将来０．５１ｕｍ］更には０．２５ｒμｍ］寸法のデバ
イスが出現しようとしている。このような微細デバイス
は従来の光ステッパを用いる方法では製作困難で、新し
いりソグラフイが切望されている。その中でも、電子ビ
ーム・リソグラフィは最有力なものとして広く認識され
ている。
しかしながら、電子ビーム・リソグラフィ技術には、電
子ビームの固体内散乱に起因する所謂近接効果により１
［μＴｒＬ］以下のパターンを正確に形成できないと云
う問題点がある。このため、多層レジスト法や大形電子
計算機によるパターン寸法補正若しくは照射量補正或い
は加速電圧の高圧化等の新しい技術により近接効果の問
題を避ける努力がなされてきた。ところが、いずれの方
法も寸法精度上の問題、工程の複雑さの問題等で満足し
得るものではなかった。即ち、前述のような微細デバイ
ス形成に要求される寸法許容ｆｉｌ（パターンの±１０
％、即ち０．５μ風±０．０５μｍ或いは０．２５μｍ
±０．０２５μｍ） に対して、寸法誤差を±０．１［
μｍ１以内にすることすら、極めて困難であった。従っ
て、近接効果によるパターン寸法誤差をいかに小さくで
きるかが、サブミクロン寸法の電子ビーム描画装置の実
用化にとって大きな鍵となっている。
子ビームの固体内散乱に起因する所謂近接効果により１
［μＴｒＬ］以下のパターンを正確に形成できないと云
う問題点がある。このため、多層レジスト法や大形電子
計算機によるパターン寸法補正若しくは照射量補正或い
は加速電圧の高圧化等の新しい技術により近接効果の問
題を避ける努力がなされてきた。ところが、いずれの方
法も寸法精度上の問題、工程の複雑さの問題等で満足し
得るものではなかった。即ち、前述のような微細デバイ
ス形成に要求される寸法許容ｆｉｌ（パターンの±１０
％、即ち０．５μ風±０．０５μｍ或いは０．２５μｍ
±０．０２５μｍ） に対して、寸法誤差を±０．１［
μｍ１以内にすることすら、極めて困難であった。従っ
て、近接効果によるパターン寸法誤差をいかに小さくで
きるかが、サブミクロン寸法の電子ビーム描画装置の実
用化にとって大きな鍵となっている。
また、上述した近接効果の影響は将来の実用化が検討さ
れているイオンビーム・リソグラフィ技術についても同
様に言えることである。
れているイオンビーム・リソグラフィ技術についても同
様に言えることである。
本発明の目的は、装置構成を左程変えることなく、近接
効果に起因するパターン寸法誤差の低減をはかることが
でき、ＬＳＩデバイスの超微細化に対応し得る荷電ビー
ム描画装置を提供することにある。
効果に起因するパターン寸法誤差の低減をはかることが
でき、ＬＳＩデバイスの超微細化に対応し得る荷電ビー
ム描画装置を提供することにある。
前述した近接効果に起因するパターン寸法誤差を小さく
することを目的として、本発明者等が鋭意研究及び各種
実験を重ねた結果、通常の電子ビーム描画の前或いは後
に非パターン領域を上記ビーム照射量より少ない照射量
で補助的にビーム照射することにより、上記パターン寸
法誤差が著しく小さくなることを見出だした。なお、補
助的なビーム照射により近接効果が低減される理由は今
だ明らかでないが、パターン領域周辺の近接効果による
露光領域がバックグラウンドにより埋もれてしまうから
ではないかと考えられる。また、近接効果の問題は、電
子ビームに限らずイオンビームを用いて選択的パターン
を描画する場合にも共通することである。従って、上記
の補助的なビーム照射によりイオンビーム描画の場合に
も近接効果が低減されると推定される。
することを目的として、本発明者等が鋭意研究及び各種
実験を重ねた結果、通常の電子ビーム描画の前或いは後
に非パターン領域を上記ビーム照射量より少ない照射量
で補助的にビーム照射することにより、上記パターン寸
法誤差が著しく小さくなることを見出だした。なお、補
助的なビーム照射により近接効果が低減される理由は今
だ明らかでないが、パターン領域周辺の近接効果による
露光領域がバックグラウンドにより埋もれてしまうから
ではないかと考えられる。また、近接効果の問題は、電
子ビームに限らずイオンビームを用いて選択的パターン
を描画する場合にも共通することである。従って、上記
の補助的なビーム照射によりイオンビーム描画の場合に
も近接効果が低減されると推定される。
本発明の骨子は、上記補助的なビーム照射をラ−スタ走
査方式の荷電ビーム描画装置に適用し、従来ビーム・ブ
ランキングによりビームを２１化していた０Ｎ−ＯＦＦ
機能を今一歩進め、ビーム電流を少なくとも３値化する
機能を持たせ、パターン領域をＯＮモードで描画し、非
パターン領域を中間モードで描画し、ビームのフライバ
ック等ではビームをＯＦＦモードとし、近接効果による
パターン寸法誤差の低減化をはかることにある。
査方式の荷電ビーム描画装置に適用し、従来ビーム・ブ
ランキングによりビームを２１化していた０Ｎ−ＯＦＦ
機能を今一歩進め、ビーム電流を少なくとも３値化する
機能を持たせ、パターン領域をＯＮモードで描画し、非
パターン領域を中間モードで描画し、ビームのフライバ
ック等ではビームをＯＦＦモードとし、近接効果による
パターン寸法誤差の低減化をはかることにある。
即ち本発明は、荷電ビームをラスク走査して試料上に選
択的パターンを描画する荷電ビーム描画装置において、
前記ビームのビーム電流量を描画時に少なくとも３Ｉｉ
化する手段を設けるようにしたものである。
択的パターンを描画する荷電ビーム描画装置において、
前記ビームのビーム電流量を描画時に少なくとも３Ｉｉ
化する手段を設けるようにしたものである。
（発明の効果〕
本発明によれば、次の■〜■のような効果が得られる。
■ 描画スループットの低下を招くことなく、しかも従
来消費時間であったラスク走査の帰線期間を活用して、
有効な近接効果の補正が可能である。
来消費時間であったラスク走査の帰線期間を活用して、
有効な近接効果の補正が可能である。
■ プロセス工程を複雑化することなく、近接効果の補
正が可能である。
正が可能である。
■ 装置構成を複雑化することなく、従って装置価格の
上昇を招くことな（、近接効果の補正が可能である。
上昇を招くことな（、近接効果の補正が可能である。
■ 近接効果に起因するパターン寸法の誤差を従来装置
より著しく低減することができる。本発明者等の実験に
よれば、後述する如＜０．５［μｍ］パターン寸法の変
動量を±０．０２［μＴｒＬ］以内にすることができた
。即ち、荷電ビーム描画の最も重大な欠点を克服するこ
とができ、将来のサブミクロン・デバイスの作成に十分
対応することが可能である。
より著しく低減することができる。本発明者等の実験に
よれば、後述する如＜０．５［μｍ］パターン寸法の変
動量を±０．０２［μＴｒＬ］以内にすることができた
。即ち、荷電ビーム描画の最も重大な欠点を克服するこ
とができ、将来のサブミクロン・デバイスの作成に十分
対応することが可能である。
第１図は本発明の一実施例に係わる電子ビーム描画装置
を示す概略構成図である。図中１ｏは試料室であり、こ
の試料室１０内には電子ビーム描画に供される試料１２
を載置した試料ステージ１３が収容されている。試料ス
テージ１３はステージ駆動回路３１によりＸ方向（紙面
左右方向）及びＹ方向（紙面表裏方向）に移動される。
を示す概略構成図である。図中１ｏは試料室であり、こ
の試料室１０内には電子ビーム描画に供される試料１２
を載置した試料ステージ１３が収容されている。試料ス
テージ１３はステージ駆動回路３１によりＸ方向（紙面
左右方向）及びＹ方向（紙面表裏方向）に移動される。
そして、試料ステージ１３の移動位置はレーザ測長計３
２により測定されるものとなっている。
２により測定されるものとなっている。
一方、試料室１０の上方には電子銃２１．レンズ２２．
２３．２４．２５及び偏向器２６．２７゜２８等からな
る電子光学鏡筒２ｏが設けられている。ここで、上記偏
向器２６はビームをブランキングするためのブランキン
グ用偏向器で、ブランキング回路３３によりブランキン
グ電圧を印加される。偏向器２７はビーム電流を中間モ
ードにするだめの中間モード用偏向器であり、描画回路
３４により偏向電圧を印加される。また、偏向器２８は
ビームを試料１２上で一方向（Ｘ方向）に走査するビー
ム走査用偏向器で、走査用偏向回路３５により偏向電圧
を印加されるものとなっている。
２３．２４．２５及び偏向器２６．２７゜２８等からな
る電子光学鏡筒２ｏが設けられている。ここで、上記偏
向器２６はビームをブランキングするためのブランキン
グ用偏向器で、ブランキング回路３３によりブランキン
グ電圧を印加される。偏向器２７はビーム電流を中間モ
ードにするだめの中間モード用偏向器であり、描画回路
３４により偏向電圧を印加される。また、偏向器２８は
ビームを試料１２上で一方向（Ｘ方向）に走査するビー
ム走査用偏向器で、走査用偏向回路３５により偏向電圧
を印加されるものとなっている。
なお、図中３６は電子銃２１及び各種レンズ２２、〜，
２５の電源、４０は電子計算機、４１はインターフェー
ス、４２は磁気テープ入出力装置、４３は磁気ディスク
装置、４４は入出力用端末器、４５はグラフィック・デ
ィスプレイをそれぞれ示している。
２５の電源、４０は電子計算機、４１はインターフェー
ス、４２は磁気テープ入出力装置、４３は磁気ディスク
装置、４４は入出力用端末器、４５はグラフィック・デ
ィスプレイをそれぞれ示している。
上記構成の電子ビーム描画装置は、基本的には第２図に
示す如く試料１２（試料載置のステージ１３）をＹ方向
に連続移動しながら電子ビームをＸ方向に走査し、所謂
ラスク走査で所望のパターンを描画すものであり、周知
の電子ビーム描画装置と同様である。この装置が従来装
置と異なる点は、ビームの０Ｎ−ＯＦＦ制御に加え、後
述する如く非パターン領域を中間モードのビーム電流で
描画することにある。
示す如く試料１２（試料載置のステージ１３）をＹ方向
に連続移動しながら電子ビームをＸ方向に走査し、所謂
ラスク走査で所望のパターンを描画すものであり、周知
の電子ビーム描画装置と同様である。この装置が従来装
置と異なる点は、ビームの０Ｎ−ＯＦＦ制御に加え、後
述する如く非パターン領域を中間モードのビーム電流で
描画することにある。
ここで、ビーム電流を中間モードにするための手段につ
いて第３図及び第４図を参照して説明する。第３図は本
実施例装置の要部構成を示す図であり、第１図と同一部
分には同一符号を付している。図中５１．５２はアパー
チャ、５３はファラデーカップを示している。偏向器２
７に所定の中間モード用の偏向電圧を印加し、レンズ２
４の後方で透過してくるビーム電流をファラデーカップ
５３で測定すると、第４図に示す如き特性が得られる。
いて第３図及び第４図を参照して説明する。第３図は本
実施例装置の要部構成を示す図であり、第１図と同一部
分には同一符号を付している。図中５１．５２はアパー
チャ、５３はファラデーカップを示している。偏向器２
７に所定の中間モード用の偏向電圧を印加し、レンズ２
４の後方で透過してくるビーム電流をファラデーカップ
５３で測定すると、第４図に示す如き特性が得られる。
第４図中実線は矩形アパーチャ５１を矩形アパーチャ５
２上に投影した場合である。この場合、ビーム電流は偏
向器２７に加えた電圧に対して緩やかに変化する。第４
図中点線は円形アパーチャを円形アパーチャ上に結像し
ない場合である。
２上に投影した場合である。この場合、ビーム電流は偏
向器２７に加えた電圧に対して緩やかに変化する。第４
図中点線は円形アパーチャを円形アパーチャ上に結像し
ない場合である。
この場合、ある電極電圧に達すると急激にビーム電流が
低下する。この実施例では、非パターン領域をパターン
形成に要するビーム照射ＩＤＯの２０［％］のビーム照
射ＩＤＩで露光する。第４図からこの照射量に対応する
電極電圧■、。が得られる。なお、実際の装置では、ビ
ーム電流を測定するファラデーカップ５３は、ステージ
１３上に設けられている。
低下する。この実施例では、非パターン領域をパターン
形成に要するビーム照射ＩＤＯの２０［％］のビーム照
射ＩＤＩで露光する。第４図からこの照射量に対応する
電極電圧■、。が得られる。なお、実際の装置では、ビ
ーム電流を測定するファラデーカップ５３は、ステージ
１３上に設けられている。
以下、本実施例装置を用いた描画方法を第５図及び第６
図を参照して説明する。第５図はラスク走査によりパタ
ーンの描画を行う様子を示した模式図である。図中６０
は前記第２図に示すストライブであり、６）はパターン
領域（斜線で示す領域）、６２は非パターン領域を示し
ている。電子ビームはｔｌ −＋ｔ２ 、 ｔ３−＋ｊ
４ 、 ｔ５−＋ｊ６４ｔ７．ｔ８→ｔ９→ｔ■＋ｔｌ
ｌ→ｔＩｔ→ｔｌ１１のように走査される。点線で示す
ｔ２→ｔ３ 、ｔ４→仁５．ｔ７→ｉ８ 、 ｔｌ−ｔ
ｌｌは電子ビームの帰線期間或いは電子ビームの待ちの
状態を示し、この間では電子ビームはＯＦＦモードにな
っている。
図を参照して説明する。第５図はラスク走査によりパタ
ーンの描画を行う様子を示した模式図である。図中６０
は前記第２図に示すストライブであり、６）はパターン
領域（斜線で示す領域）、６２は非パターン領域を示し
ている。電子ビームはｔｌ −＋ｔ２ 、 ｔ３−＋ｊ
４ 、 ｔ５−＋ｊ６４ｔ７．ｔ８→ｔ９→ｔ■＋ｔｌ
ｌ→ｔＩｔ→ｔｌ１１のように走査される。点線で示す
ｔ２→ｔ３ 、ｔ４→仁５．ｔ７→ｉ８ 、 ｔｌ−ｔ
ｌｌは電子ビームの帰線期間或いは電子ビームの待ちの
状態を示し、この間では電子ビームはＯＦＦモードにな
っている。
パターン領域６）に対してはビーム照射量がり。
になるように、非パターン領域に対しては上記照射量の
２０［％］のビーム照射１０１となるように制御される
。
２０［％］のビーム照射１０１となるように制御される
。
第６図は描画手順と信号のタイミングを説明するための
信号波形図である。この図から非パターン領域６２をビ
ーム走査するときは（ｔ３→ｔ４゜ｔ５→ｔ６〉、ビー
ム電流がビームＯＮモードの２０［％コ、即ち中間電流
モードとなる。パターン領域６）をビーム走査するとき
は（ｔｓ→ｔ７）、ビームＯＮモードとなる。さらに、
電子ビームの帰線期間（１＋→ｔｓ 、ｔ７→ｔａ）で
はビームＯＦＦモードとなることが判る。
信号波形図である。この図から非パターン領域６２をビ
ーム走査するときは（ｔ３→ｔ４゜ｔ５→ｔ６〉、ビー
ム電流がビームＯＮモードの２０［％コ、即ち中間電流
モードとなる。パターン領域６）をビーム走査するとき
は（ｔｓ→ｔ７）、ビームＯＮモードとなる。さらに、
電子ビームの帰線期間（１＋→ｔｓ 、ｔ７→ｔａ）で
はビームＯＦＦモードとなることが判る。
なお、実際の描画ではＬＳＩパターンを磁気テープ装置
４２から入力し、これをＥＢフォーマットに変換する。
４２から入力し、これをＥＢフォーマットに変換する。
変換されたパターンは磁気ディスク装置４３に格納され
る。非パターン領域６２に照射するドーズ！ＤＩは最小
パターン寸法や加速電圧等によって異なる。最適なドー
ズｌＤｌを入出力用端末器４４から入力し、中間モード
用偏向器２７に印加する電圧を決定し、描画回路３４を
調整する。描画が開始されると、描画データは中間モー
ド用偏向器２７に転送され、パターン領域６）をビーム
照射量Ｄｏで、非パターン領域６２をビーム照射量ＤＩ
で描画する。電子ビームの帰線期間や持ち時間の間、或
いは描画が開始されるまでの時間はブランキング用偏向
器２６にブランキング電圧を送りビームをＯＦＦモード
にしておく。
る。非パターン領域６２に照射するドーズ！ＤＩは最小
パターン寸法や加速電圧等によって異なる。最適なドー
ズｌＤｌを入出力用端末器４４から入力し、中間モード
用偏向器２７に印加する電圧を決定し、描画回路３４を
調整する。描画が開始されると、描画データは中間モー
ド用偏向器２７に転送され、パターン領域６）をビーム
照射量Ｄｏで、非パターン領域６２をビーム照射量ＤＩ
で描画する。電子ビームの帰線期間や持ち時間の間、或
いは描画が開始されるまでの時間はブランキング用偏向
器２６にブランキング電圧を送りビームをＯＦＦモード
にしておく。
次に、上記装置を実際のパターン形成に用いた例につい
て説明する。
て説明する。
まず、第７図に示す如＜Ｓｉウェハ７１上にＰＭＭＡ
（ポリメチルメタクリレート）からなるポジ形レジスト
７２を塗布してなる試料７ｏを用意し、この試料７０上
に選択的パターン形成に必要なビーム照射量Ｄｏで電子
ビーム７３を照射し、所望パターンを描画した。これと
同時に、上記照射量Ｄａの２０［％］のビーム照射量Ｄ
２で試料７０の非パターン＠域の全面を電子ビーム７４
で描画した。なお、上記電子ビーム７３はラスタ走査に
おけるビームＯＮモードであり、電子ビーム７４はラス
タ走査における中間モードである。
（ポリメチルメタクリレート）からなるポジ形レジスト
７２を塗布してなる試料７ｏを用意し、この試料７０上
に選択的パターン形成に必要なビーム照射量Ｄｏで電子
ビーム７３を照射し、所望パターンを描画した。これと
同時に、上記照射量Ｄａの２０［％］のビーム照射量Ｄ
２で試料７０の非パターン＠域の全面を電子ビーム７４
で描画した。なお、上記電子ビーム７３はラスタ走査に
おけるビームＯＮモードであり、電子ビーム７４はラス
タ走査における中間モードである。
このときの描画パターンとしては、第８図（ａ）（ｂ）
に示す如く２つの大面積パターン及びこれらのパターン
を貫通した２本の０．５［μｍ］ラインパターンとした
。大面積パターンの高さは２００［μＴｒＬ］、幅はＷ
（可変） 、０．５ Ｃμｍラインの長さは４００ ［
μｒｒＬ］とした。
に示す如く２つの大面積パターン及びこれらのパターン
を貫通した２本の０．５［μｍ］ラインパターンとした
。大面積パターンの高さは２００［μＴｒＬ］、幅はＷ
（可変） 、０．５ Ｃμｍラインの長さは４００ ［
μｒｒＬ］とした。
このようにして描画形成したパターンの寸法変動量、特
に０．５［μｒｎＪラインの寸法変動量は第９図に示す
如＜０．０４ ［μＴｒＬ］以内であった。
に０．５［μｒｎＪラインの寸法変動量は第９図に示す
如＜０．０４ ［μＴｒＬ］以内であった。
即ち、パターン寸法の変動量を０．５［μ７７Ｌ］パタ
ーンの±１０［％］以内（±０．０２μｍ）にすること
ができた。なお、Ｍ９図において、横軸は大面積パター
ンの幅Ｗ、縦軸は０．５［μｍ］ラインの設計パターン
からの寸法差を示している。
ーンの±１０［％］以内（±０．０２μｍ）にすること
ができた。なお、Ｍ９図において、横軸は大面積パター
ンの幅Ｗ、縦軸は０．５［μｍ］ラインの設計パターン
からの寸法差を示している。
また、電子ビームの加速電圧としては５０［ＫｅＶ］を
用いた。
用いた。
これに対し、従来装置を用いた場合のように第１０図に
示す如くビーム照射ＩＤｏでパターンを選択的に描画し
たのみでは、第１１図に示す如くパターン寸法の変動量
は０．２５［μｒｎＥもあり、０．５ ［μｍ］パター
ンの±１０［％］以内と云う寸法変動の許容値上０，０
５［μｍ１以内を満足できなかったのである。
示す如くビーム照射ＩＤｏでパターンを選択的に描画し
たのみでは、第１１図に示す如くパターン寸法の変動量
は０．２５［μｒｎＥもあり、０．５ ［μｍ］パター
ンの±１０［％］以内と云う寸法変動の許容値上０，０
５［μｍ１以内を満足できなかったのである。
このように本実施例装置によれば、近接効果に起因する
パターン寸法の変動量、特に最も問題となる微細パター
ンの寸法変動量を従来の０．２５［μｍ］ から０．０
４ ［μｍｌ 以内（±０．０２μｍ以内）と著しく少
なくすることができる。このため、将来のサブミクロン
パターン形成に十分に対処することができ、その有用性
は絶大である。
パターン寸法の変動量、特に最も問題となる微細パター
ンの寸法変動量を従来の０．２５［μｍ］ から０．０
４ ［μｍｌ 以内（±０．０２μｍ以内）と著しく少
なくすることができる。このため、将来のサブミクロン
パターン形成に十分に対処することができ、その有用性
は絶大である。
なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではな
い。例えば、使用する電子ビームはスポットご−ムに限
らず、可変寸法ビームであってもよい。また、ラスタ走
査を行うものであればステージを停止して描画するもの
にも適用可能である。
い。例えば、使用する電子ビームはスポットご−ムに限
らず、可変寸法ビームであってもよい。また、ラスタ走
査を行うものであればステージを停止して描画するもの
にも適用可能である。
ざらに非パターン領域を描画するビームの照射量Ｄｌは
パターン形成に要するビーム照射量Ｄｏの２０［％］に
同等限定されるものではなく、ビーム照射量Ｄｏより低
い範囲（好ましくは５０％双内）で、適宜窓めればよい
。また、電子ビームの代りにイオンビームを用いるイオ
ンビーム描画装置にも適用することが可能である。その
他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実
施することができる。
パターン形成に要するビーム照射量Ｄｏの２０［％］に
同等限定されるものではなく、ビーム照射量Ｄｏより低
い範囲（好ましくは５０％双内）で、適宜窓めればよい
。また、電子ビームの代りにイオンビームを用いるイオ
ンビーム描画装置にも適用することが可能である。その
他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実
施することができる。
第１図は本発明の一実施例に係わる電子ビーム描画装置
を示す概略構成図、第２図はラスク走査描画方式の原理
を説明するための斜視図、第３図は上記装置の要部構成
を示す図、第４図は偏向電圧に対するビーム電流の変化
を示す特性図、第５図は上記装置による描画の様子を説
明するための模式図、第６図は描画手順と信号のタイミ
ングの関係を説明するための信号波形図、第７図は上記
装置を用いた描画方法を説明するための模式図、第８図
は描画パターンの一例を示す模式図、第９図は大面積パ
ターンの幅Ｗに対する設計パターンからの寸法差ΔＳを
示す特性図、第１０図は従来の電子ビーム描画方法を説
明するための模式図、第１１図は従来装置による大面積
パターンＷに対する設計パターンからの寸法差ΔＳを示
す特性図である。 １０・・・試料室、１２．７０・・・試料、１３・・・
試料ステージ、２０・・・電子光学鏡筒、２１・・・電
子銃、２２、〜，２５・・・レンズ、２６・・・ブラン
キング用偏向器、２７・・・中間モード用偏向器、２８
・・・走査用偏向器、３１・・・ステージ駆動回路、３
２・・・レーザ測長計、３３・・・ブランキング回路、
３４・・・描画回路、３５・・・走査用偏向回路、４０
・・・電子計算磯、４１・・・インターフェース、５１
．５２・・・アパーチャ、５３・・・ファラデーカップ
、６）・・・パターン領域、６２・・・非パターン領域
、７１・・・Ｓｉウェハ、７２・・・ポジ形レジスト。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第２図 ２穴 第３図 第４図 ＶｃＯｖＣ 堆７図 ）８図 （α）（ｂ） 」し 大面ａｌｅダーンｎ帽Ｗ（ノー）−伽 第１０図
を示す概略構成図、第２図はラスク走査描画方式の原理
を説明するための斜視図、第３図は上記装置の要部構成
を示す図、第４図は偏向電圧に対するビーム電流の変化
を示す特性図、第５図は上記装置による描画の様子を説
明するための模式図、第６図は描画手順と信号のタイミ
ングの関係を説明するための信号波形図、第７図は上記
装置を用いた描画方法を説明するための模式図、第８図
は描画パターンの一例を示す模式図、第９図は大面積パ
ターンの幅Ｗに対する設計パターンからの寸法差ΔＳを
示す特性図、第１０図は従来の電子ビーム描画方法を説
明するための模式図、第１１図は従来装置による大面積
パターンＷに対する設計パターンからの寸法差ΔＳを示
す特性図である。 １０・・・試料室、１２．７０・・・試料、１３・・・
試料ステージ、２０・・・電子光学鏡筒、２１・・・電
子銃、２２、〜，２５・・・レンズ、２６・・・ブラン
キング用偏向器、２７・・・中間モード用偏向器、２８
・・・走査用偏向器、３１・・・ステージ駆動回路、３
２・・・レーザ測長計、３３・・・ブランキング回路、
３４・・・描画回路、３５・・・走査用偏向回路、４０
・・・電子計算磯、４１・・・インターフェース、５１
．５２・・・アパーチャ、５３・・・ファラデーカップ
、６）・・・パターン領域、６２・・・非パターン領域
、７１・・・Ｓｉウェハ、７２・・・ポジ形レジスト。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第２図 ２穴 第３図 第４図 ＶｃＯｖＣ 堆７図 ）８図 （α）（ｂ） 」し 大面ａｌｅダーンｎ帽Ｗ（ノー）−伽 第１０図
Claims (6)
- （１）荷電ビームを走査して試料上に選択的パターンを
描画する荷電ビーム描画装置において、前記ビームのビ
ーム電流量を描画時に少なくとも３値化する手段を設け
てなることを特徴とする荷電ビーム描画装置。 - （２）前記ビーム電流を少なくとも３値化する手段は、
ビーム電流を零とする手段、パターン形成のためのビー
ム照射量Ｄ＿０に見合ったビーム電流を得る手段、上記
照射量Ｄ＿０より少ないビーム照射量Ｄ＿１に見合つた
ビーム電流を得る手段とを含むことを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の荷電ビーム描画装置。 - （３）前記ビーム電流を少なくとも３値化する手段とし
て、ビームブランキング電極に印加する電圧を少なくと
も３値化することを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の荷電ビーム描画装置。 - （４）前記パターン領域を該パターン形成のためのビー
ム照射量Ｄ＿０で描画し、前記非パターン領域を上記ビ
ーム照射量Ｄ＿０より少ないビーム照射量Ｄ＿１で描画
し、荷電ビームの帰線期間若しくは待ち時間にはビーム
照射量を零として、パターン描画を行うことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の荷電ビーム描画装置。 - （５）前記ビーム照射量Ｄ＿１をビーム照射量Ｄ＿０の
５０［％］以下に設定してなることを特徴とする特許請
求の範囲第４項記載の荷電ビーム描画装置。 - （６）前記荷電ビームとして、電子ビームを用いたこと
を特徴とする特許請求の範囲１項記載の荷電ビーム描画
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59204438A JPS6182424A (ja) | 1984-09-29 | 1984-09-29 | 荷電ビ−ム描画装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59204438A JPS6182424A (ja) | 1984-09-29 | 1984-09-29 | 荷電ビ−ム描画装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6182424A true JPS6182424A (ja) | 1986-04-26 |
Family
ID=16490529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59204438A Pending JPS6182424A (ja) | 1984-09-29 | 1984-09-29 | 荷電ビ−ム描画装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6182424A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6286718A (ja) * | 1985-10-11 | 1987-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | 電子ビ−ム露光装置 |
| JPH06167074A (ja) * | 1992-11-27 | 1994-06-14 | Hitachi Metals Ltd | 鉄骨鉄筋コンクリート柱脚および鉄骨柱脚 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59204437A (ja) * | 1983-05-06 | 1984-11-19 | Hitachi Ltd | 発電機の回転子 |
| JPS59204426A (ja) * | 1983-05-07 | 1984-11-19 | 三菱電機株式会社 | 集中型電力系統安定化装置 |
-
1984
- 1984-09-29 JP JP59204438A patent/JPS6182424A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59204437A (ja) * | 1983-05-06 | 1984-11-19 | Hitachi Ltd | 発電機の回転子 |
| JPS59204426A (ja) * | 1983-05-07 | 1984-11-19 | 三菱電機株式会社 | 集中型電力系統安定化装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6286718A (ja) * | 1985-10-11 | 1987-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | 電子ビ−ム露光装置 |
| JPH06167074A (ja) * | 1992-11-27 | 1994-06-14 | Hitachi Metals Ltd | 鉄骨鉄筋コンクリート柱脚および鉄骨柱脚 |
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