JPS6184032A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPS6184032A
JPS6184032A JP59205907A JP20590784A JPS6184032A JP S6184032 A JPS6184032 A JP S6184032A JP 59205907 A JP59205907 A JP 59205907A JP 20590784 A JP20590784 A JP 20590784A JP S6184032 A JPS6184032 A JP S6184032A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wiring
protective film
corrosion
power source
pads
Prior art date
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Pending
Application number
JP59205907A
Other languages
English (en)
Inventor
Junji Tanaka
順治 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS6184032A publication Critical patent/JPS6184032A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/90—Bond pads, in general
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
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    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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    • H10W72/981—Auxiliary members, e.g. spacers
    • H10W72/983—Reinforcing structures, e.g. collars

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は半導体装置に関し、特に樹脂封止型半導体装置
に関する。
（従来の技術） 従来よυ樹脂封止型半導体装置の耐湿性が問題となって
おり、特に配線腐食が大きな問題となっている。現在の
半導体装置は、配線金属とじて通常ＡＪが使用されてい
る。ＡＩは通常環境下では表面が酸化物で覆われ、比較
的安定に存在しているが、　Ｎａ　、　Ｃｌ　　等イオ
ン、及び水分の作用により、容易に腐食を生ずる。
（発明が解決し工すとする問題点） 上記のＡＩの腐食を防止する対策としては、封止樹脂中
のＮａ、ＣＶ−等のイオン含有量を減する、表面保護膜
を欠陥のなりものに近つける等が考えられるが、まだＡ
／の腐食を防き゛きれないのが現状である。
本発明の目的は、上記欠点全除去し、Ｎａ”、Ｃ６−等
のイオンによるＡ／の腐食を低減もしくはなくすことの
できる構造を有する半導体装置を提供することにある。
（問題点を解決するための手段） 本発明の半導体装置は、素子部が形成されている半導体
基板の前記素子部に接続するＡｌ配線と該Ａ７配線を覆
っている絶縁体の保ご膜と′ｆ！：設けた半導体チップ
金有し該半導体チップ金甜脂封止して成る半導体装置に
おいて、前記保護膜表面に高電圧電源に接続される第１
の導体配線と低電圧電源に接続される第２の導体配線と
金向い合わせて設けることにより構成される。
（実施例〕 次に、本発明の実施例について図面上用いて説明する。
第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の一実施例の平面図、Ａ
−Ａ／断面図及びＢ−Ｂ’断面図である。
半導体基板ＩＫは素子部が形成される（図示せず）。半
導体基板表面を絶縁膜２で覆い、この上にポリシリコン
等の配線３を形成する。層間絶縁膜４で覆い、この上に
Ａｌ配線５を設ける。このとき、高電圧電源及び低電圧
電源へ接続するためのパッド９．１０に設けておく。そ
して、絶縁体の保護膜６を被覆し、パッド９，１ｏの部
分を開口する。
次に、本発明による第１の導体配線７と第２の導体配線
８とを向い合わせて保護膜６の表面に形成する。第１及
び第２の導体配線７，８の一端はパッド９，１０に接続
せしめる。そして金属細線１１．１２ｅそれぞれパッド
１１．１２にボンディングする。金属細線１１．１２の
うちの一方は高電圧側電源端子に、他方は低電圧側電源
端子に接続する。最後に、樹脂１３で封止する。
以上説明したような構造にして、導体配線７゜８の一方
に高電圧を、他方に低電正金印加すると、Ａｌ配線５の
腐食の原因となるＮａ等の陽イオンは低電圧デ１１配線
に、ＣＩ−等の陰イオンは高電圧側配線に引寄せられ、
Ａｌ配線５への侵入を防ぐことができ、ＡＪ配線５の腐
食全低減あるいは皆無にすることができる。
（発明の効果〕 以上説明し７’Ｃ工うに、本発明にＬれば、Ａｌ配線の
腐食全低減あるいは皆無にすることのできる樹脂封止型
の半導体装置上寿ることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図ｆａ）〜（Ｃ）は本発明の一実施例の平面図、Ａ
−Ａ　／断面図及びＢ−Ｂ′断面図である。 ｌ−・・・・半導体基板、２・・・・絶縁膜、３・・・
、・・配線、４・・・・層間絶縁膜、５・・・・・・Ａ
ｌ配線、６・・・・・保護膜、７，８・・・・・・導体
配線、９．１０・・・・・・パッド、１１．１２・・・
・・金属細線、１゛３・・・・・・樹脂。 ／ｌ− ７１−・・５．＼ 代理人　弁理士　　内　原　　　Ｅａ５、−〇・ ｆ”’　−−”−−−−−−−’−−１へ／１３病　１
　図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　素子部が形成されている半導体基板の前記素子部に接
    続するＡｌ配線と該Ａｌ配線を覆っている絶縁体の保護
    膜とを設けた半導体チップを有し該半導体チップを樹脂
    封止して成る半導体装置において、前記保護膜表面に高
    電圧電源に接続される第１の導体配線と低電圧電源に接
    続される第２の導体配線とを向い合わせて設けたことを
    特徴とする半導体装置。
JP59205907A 1984-10-01 1984-10-01 半導体装置 Pending JPS6184032A (ja)

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JP59205907A JPS6184032A (ja) 1984-10-01 1984-10-01 半導体装置

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JP59205907A JPS6184032A (ja) 1984-10-01 1984-10-01 半導体装置

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JPS6184032A true JPS6184032A (ja) 1986-04-28

Family

ID=16514726

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JP59205907A Pending JPS6184032A (ja) 1984-10-01 1984-10-01 半導体装置

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